CN106653744B - 半导体结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体结构包括：配置为与器件通信的收发器；围绕该收发器的模塑件；延伸穿过模塑件的导电通道；在模塑件、导电通道和收发器上方设置的绝缘层；以及在绝缘层上方设置的且包括天线和围绕天线的介电层的再分布层(RDL)，其中，天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。

Description

半导体结构及其制造方法
技术领域
本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
背景技术
涉及半导体器件的电子设备对于许多现代化的应用来说是必不可少的。半导体器件已经经历了快速增长。材料和设计的技术进步产生了多代半导体器件，其中，每一代都具有比先前一代更小且更复杂的电路。在进步和创新过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件)却已减小。这些进步增加了处理和制造半导体器件的复杂程度。
随着技术发展，电子设备的设计变得更复杂且涉及大量电路以实施复杂的功能。因此，电子设备越来越需要大量的电能以支撑和实施这样的数量增加的功能。诸如移动电话、摄像机、笔记本等的日益增多的电子设备由可充电电池供电。通常通过将电子设备上的终端通过导线或电线连接至电源充电或再充电电子设备。然而，这样的引线连接方法对用户来说可能是不方便的，因为在充电期间电子设备不得不物理连接至电源。此外，由于导线的长度上的限制，电子设备不得不靠近电源放置。
因此，需要不断修改电子设备中的半导体器件的结构和制造方法，以在降低制造成本和处理时间的同时，为用户带来便利且提高电子设备的性能。
发明内容
根据本发明的一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：收发器，配置为与器件通信；模塑件，围绕所述收发器；导电通道，延伸穿过所述模塑件；绝缘层，设置所述模塑件、所述导电通道和所述收发器上方；以及再分布层(RDL)，设置在所述绝缘层上方，且所述再分布层包括天线和围绕所述天线的介电层，其中，所述天线的部分延伸穿过所述绝缘层和所述模塑件以与所述收发器电连接。
根据本发明的另一实施例，还提供了一种半导体结构，包括：充电器，配置为将充电功率从AC转换为DC；收发器，配置为发射或接收预定电磁频率的信号；模塑件，围绕所述收发器和所述充电器；多个导电通道，延伸穿过所述模塑件；天线，配置为将所述信号发射至周围环境或从周围环境接收所述信号；以及介电层，覆盖所述天线，其中，所述天线包括在所述模塑件上方延伸的伸长部分和延伸穿过所述模塑件以与所述收发器电连接的导电通道部分。
根据本发明的又一实施例，还提供了一种制造半导体结构的方法，包括：提供收发器；形成模塑件以围绕所述收发器；形成延伸穿过所述模塑件的多个凹槽；在所述多个凹槽内设置导电材料以形成多个导电通道；在所述模塑件、所述多个导电通道和所述收发器上方设置绝缘层并且图案化所述绝缘层；以及在所述绝缘层上方形成再分布层(RDL)；其中，所述RDL包括设置在所述绝缘层上方的天线和覆盖所述天线的介电层，并且所述天线的部分延伸穿过所述绝缘层和所述模塑件以与所述收发器电连接。
附图说明
当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。
图1是根据本发明的一些实施例的半导体结构的示意性顶视图。
图2是根据本发明的一些实施例的沿图1的AA'的半导体结构的示意性截面图。
图3是根据本发明的一些实施例的沿图1的BB'的半导体结构的示意性截面图。
图4是根据本发明的一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。
图4A是根据本发明的一些实施例的具有收发器、充电器和共振器的衬底的示意性顶视图。
图4B是根据本发明的一些实施例的图4A的沿着AA'的示意性截面图。
图4C是根据本发明的一些实施例的图4A的沿着BB'的示意性截面图。
图4D是根据本发明的一些实施例的具有模塑件的衬底的示意性顶视图。
图4E是根据本发明的一些实施例的图4D的沿着AA'的示意性截面图。
图4F是根据本发明的一些实施例的图4D的沿着BB'的示意性截面图。
图4G是根据本发明的一些实施例的凹槽的示意性顶视图。
图4H是根据本发明的一些实施例的图4G的沿着AA'的示意性截面图。
图4I是根据本发明的一些实施例的图4G的沿着BB'的示意性截面图。
图4J是根据本发明的一些实施例的导电通道和柱的示意性顶视图。
图4K是根据本发明的一些实施例的图4J的沿着AA'的示意性截面图。
图4L是根据本发明的一些实施例的图4J的沿着BB'的示意性截面图。
图4M是根据本发明的一些实施例的绝缘层的示意性顶视图。
图4N是根据本发明的一些实施例的图4M的沿着AA'的示意性截面图。
图4O是根据本发明的一些实施例的图4M的沿着BB'的示意性截面图。
图4P是根据本发明的一些实施例的再分布层(RDL)的示意性顶视图。
图4Q是根据本发明的一些实施例的图4P的沿着AA'的示意性截面图。
图4R是根据本发明的一些实施例的图4P的沿着BB'的示意性截面图。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个组件或部件与另一个(或另一些)组件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。
无线充电是通过空气给电子设备充电或再充电的技术。涉及空中发射器(例如，在充电器中)和接收器(例如，在电子设备中)之间的功率传输。发射器和接收器分别包括天线，并且从发射器中的天线发射功率且由接收器中的天线接收功率。天线通常是单独的组件，所以需要导线将天线与发射器或接收器互连。然而，这样的互连将导致线路损失并且因此影响功率传输的性能。此外，具有对较小尺寸的天线的需求，因为发射器或接收器的几何尺寸变得越来越小。不得不最小化天线以满足这样的需求而不妥协功率传输的性能和效率。
本发明涉及一种包括集成有天线的再分布层(RDL)的半导体结构。天线设置在RDL中并且配置为与将充电功率发射至半导体结构的发射器无线通信以用于充电电子器件。天线这样地集成至RDL将最小化途径损失并且因此最小化转移覆盖，使得从天线传播的信号能够到达更远的距离。此外，来自设置在更远的距离上的发射器的信号能够由天线接收。还公开了其他实施例。
图1示出了根据本发明的一些实施例的半导体结构100的示意性顶视图。图2示出了沿图1的AA'的半导体结构100的示意性截面图。图3示出了沿图1的BB'的半导体结构100的示意性截面图。在一些实施例中，半导体结构100包括收发器101、模塑件102、导电通道103、再分布层(RDL)105和充电器106。
在一些实施例中，半导体结构100电连接至电源。在一些实施例中，半导体结构100配置为接收穿越空气或中间间隙的电磁能中的充电功率。在一些实施例中，半导体结构100是接收器。在一些实施例中，从远离半导体结构100且在预定距离内设置的远程发射器发射充电功率，并且充电功率由用于充电或再充电电子设备(例如，移动电话、笔记本等)的半导体结构100接收。在一些实施例中，充电功率能够从远程发射器被无线地发射至半导体结构100。在一些实施例中，半导体结构100能够将来自远程发射器的电磁能的充电功率转化为电能。电能用于充电或再充电电子设备。在一些实施例中，半导体结构100将来自远程发射器的交流电(AC)的充电功率转化为用于充电或再充电电子设备的直流电(DC)。
在一些实施例中，半导体结构100中的收发器101配置为与诸如远程发射器等的器件通信。在一些实施例中，收发器101配置为发射信号至远程发射器或接收来自远程发射器的信号。在一些实施例中，当邻近半导体结构100或在预定距离内设置发射器时，收发器101接收来自远程发射器的预定电磁能信号。在一些实施例中，收发器101是包括用于实施各种功能的各种电路的半导体芯片。在一些实施例中，在半导体结构100的拐角处设置收发器101。
在一些实施例中，收发器101能够发出信号并且远程发射器能够接收来自收发器101的电磁辐射信号，以及远程发射器能够发出电磁辐射信号并且收发器101能够接收来自远程发射器的信号，从而使得半导体结构100能够通过收发器101与远程发射器无线通信。在一些实施例中，收发器101能够发射或接收预定的电磁频率信号。在一些实施例中，收发器101能够发射或接收约2.4GHz的预定的电磁频率信号。在一些实施例中，收发器101能够发射或接收蓝牙低功耗(BLE)的电磁辐射信号。收发器101能够通过BLE与远程发射器通信。在一些实施例中，在来自远程发射器的预定电磁频率信号由收发器101接收之后，半导体结构100无线地接收来自用于充电或再充电电子设备的远程发射器的充电功率。当收发器101与远程发射器无线通信时，启动电子设备的充电或再充电。
在一些实施例中，半导体结构100包括围绕收发器101的模塑件102。在一些实施例中，在收发器101上方设置模塑件102。在一些实施例中，模塑件102是单层膜或复合堆叠件。在一些实施例中，模塑件102是化合物，且形成有诸如橡胶、聚合物、环氧树脂、树脂、聚酰亚胺、聚苯并恶唑(PBO)等的复合材料。模塑件102具有高导热性能、低吸湿率、板安装温度下的高弯曲强度或这些的组合。在一些实施例中，模塑件102具有约100um至约200um的厚度。
在一些实施例中，半导体结构100包括延伸穿过模塑件102的导电通道103。在一些实施例中，导电通道103由模塑件102围绕。在一些实施例中，在半导体结构100的中心部分处设置导电通道103。在一些实施例中，沿着模塑件102的长度或宽度延伸导电通道103。在一些实施例中，导电通道103是集成电路穿孔(TIV)。在一些实施例中，导电通道103是配置为接收来自用于充电或再充电电子设备的远程发射器的充电功率的天线线圈。在一些实施例中，导电通道103具有约6.78MHz的工作频率。在一些实施例中，导电通道103包括诸如金、银、铜、镍、钨、铝、锡和/或它们的合金的导电材料。在一些实施例中，导电通道103处于螺旋或环配置。在一些实施例中，导电通道103的截面是矩形、圆形、多边形。在一些实施例中，导电通道103为条形。
在一些实施例中，导电通道103配置为围绕伪结构。在一些实施例中，在半导体结构100的中心部分处设置伪结构。在一些实施例中，导电通道103配置为与导电结构电感耦合。在一些实施例中，导电通道103配置为与共振器107电连接。在一些实施例中，导电通道103配置为生成由磁场诱发的电流。在一些实施例中，导电通道103具有约100um至约200um的深度。在一些实施例中，导电通道103的深度为约150um。
在一些实施例中，柱108设置在收发器101上方且由模塑件102围绕。在一些实施例中，柱108向着收发器101延伸穿过模塑件102。在一些实施例中，柱108配置为将收发器101与互连结构电连接。在一些实施例中，柱108包括诸如铜、银、钨、金、铂、钛、镍、铝等的导电材料。
在一些实施例中，在模塑件102、导电通道103和收发器101上方设置绝缘层104。在一些实施例中，绝缘层104包括聚合物、聚酰亚胺、聚苯并恶唑(PBO)等。在一些实施例中，绝缘层104具有约3um至约5um的厚度。在一些实施例中，绝缘层104的厚度为约4.5um。
在一些实施例中，半导体结构100包括在收发器101、模塑件102和导电通道103上方设置的RDL105。在一些实施例中，在绝缘层104上方设置RDL105。在一些实施例中，RDL105包括天线105a、互连结构105b和介电层105c。在一些实施例中，天线105a设置在绝缘层104上方且与收发器101电连接。在一些实施例中，天线105a的部分延伸穿过绝缘层104和模塑件102以与收发器101电连接。在一些实施例中，在绝缘层104上方沿着半导体结构100的长度或宽度延伸天线105a的另一部分。
在一些实施例中，收发器101能够将信号无线地发射至远程发射器或通过天线105a接收来自远程发射器的信号。收发器101能够通过天线105a与远程发射器通信。在一些实施例中，天线105a配置为从收发器101发射电磁辐射信号至周围环境或大气环境。在一些实施例中，天线105a能够发射或接收约2.4GHz的预定的电磁频率信号。在一些实施例中，天线105a能够发射或接收蓝牙低功耗(BLE)的电磁辐射信号。在一些实施例中，在来自远程发射器的预定电磁频率信号由天线105a接收之后，半导体结构100无线地接收来自用于充电或再充电电子设备的远程发射器的充电功率。当收发器101通过天线105a与远程发射器无线通信时，启动电子设备的充电或再充电。
在一些实施例中，天线105a发射达到大于约8米的距离的信号。在一些实施例中，从天线105a发射的信号能够到达约10米的距离。在一些实施例中，天线105a配置为接收来自设置在距离大于约8米的远程发射器的信号。在一些实施例中，天线105a能够接收来自设置在距离大于约10米的远程发射器的信号。在一些实施例中，天线105a具有约200um的长度和约10um的宽度。在一些实施例中，天线105a为条形。在一些实施例中，天线105a为蓝牙天线。在一些实施例中，天线105a包括诸如铜、钛、钨等的导电材料。
在一些实施例中，天线105a包括在模塑件102上方延伸的伸长部分105d和延伸穿过模塑件102以与收发器101电连接的导电通道部分105e。在一些实施例中，在绝缘层104上方延伸伸长部分105d。在一些实施例中，导电通道部分105e在伸长部分105d和收发器101之间延伸。
在一些实施例中，天线105a具有约2.4GHz的共振频率。在一些实施例中，天线105a能够接收对应于天线105a的共振频率的预定的电磁频率信号。在一些实施例中，天线105a配置为与导电通道103电感耦合。
在一些实施例中，互连结构105b包括在模塑件102和绝缘层104上方延伸的伸长部分105f和延伸穿过绝缘层104至导电通道103的导电通道部分105g。在一些实施例中，互连结构105b与导电通道103电连接。在一些实施例中，互连结构105b通过柱108与收发器101电连接。在一些实施例中，互连结构105b包括诸如铜、钛、钨等的导电材料。
在一些实施例中，在绝缘层104、导电通道103、模塑件102和收发器101上方设置介电层105c。在一些实施例中，介电层105c围绕和覆盖天线105a和互连结构105b。在一些实施例中，介电层105c包括诸如氧化物、氧化硅、氮氧化硅等的介电材料。
在一些实施例中，半导体结构100包括充电器106和共振器107。在一些实施例中，共振器107与导电通道103和充电器106电连接。在一些实施例中，充电器106配置为将通过导电通道103接收的充电功率从AC转换为DC。在一些实施例中，充电器106由模塑件102围绕且由模塑件102覆盖。
在一些实施例中，共振器107配置为振动和生成信号。在一些实施例中，共振器107配置为生成至充电器106的信号。在一些实施例中，共振器107由模塑件102围绕且由模塑件102覆盖。在一些实施例中，共振器107电连接至导电通道103。在一些实施例中，当来自远程发射器的预定电磁频率的充电功率由天线105a接收时，共振器107生成至充电器106的信号。在一些实施例中，共振器107具有与天线105a的共振频率基本上不同的共振频率。
在本发明中，还公开了一种制造半导体结构的方法。在一些实施例中，通过方法400形成半导体结构。方法400包括许多操作，而描述和说明不应该被视为限制操作的顺序。
图4是制造半导体结构100的方法400的实施例。方法400包括多步操作(401、402、403、404、405和406)。
在操作401中，如图4A至图4C所示，提供或接收收发器101。图4B是图4A的沿AA'的截面图,以及图4C是图4A的沿BB'的截面图。在一些实施例中，在衬底109上方提供和设置收发器101。在一些实施例中，衬底109配置为支撑收发器101。在一些实施例中，收发器101临时地附接至衬底109。在随后的操作中将去除衬底109。在一些实施例中，衬底109是晶圆或载体。在一些实施例中，衬底109包括硅、陶瓷、玻璃等。
在一些实施例中，收发器101是包括半导体材料的管芯或芯片。在一些实施例中，收发器101配置为发射或接收预定的电磁频率信号。在一些实施例中，收发器101能够发射或接收蓝牙低功耗(BLE)的电磁辐射信号。在一些实施例中，收发器101能够发射或接收约2.4GHz的预定的电磁频率信号。在一些实施例中，在衬底109的拐角处设置收发器101。在一些实施例中，收发器101配置为提供与远程发射器的无线通信。
在一些实施例中，还提供或接收充电器106和共振器107。在一些实施例中，在衬底109上方设置充电器106和共振器107。在一些实施例中，邻近衬底109的拐角或边缘设置充电器106和共振器107。在一些实施例中，充电器106和共振器107临时地附接至衬底109，使得在随后的操作中将去除衬底109。在一些实施例中，共振器107与充电器106电连接。在一些实施例中，充电器106配置为将从远程发射器接收的充电功率从AC转换为DC。在一些实施例中，共振器107配置为振动和生成信号。在一些实施例中，共振器107配置为生成至充电器106的信号。
在操作402中，如图4D至图4F所示，形成模塑件102。图4E是图4D的沿AA'的截面图,以及图4F是图4D的沿BB'的截面图。在一些实施例中，在衬底109上方设置模塑件102。在一些实施例中，模塑件102围绕和覆盖收发器101、充电器106和共振器107。在一些实施例中，模塑件102是化合物且形成有诸如橡胶、聚合物、环氧、树脂、聚酰亚胺、聚苯并恶唑(PBO)等的复合材料。在一些实施例中，通过诸如压缩模制等的任何合适的操作形成模塑件102。
在操作403中，如图4G至图4I所示，形成若干凹槽(103a或108a)。图4H是图4G的沿AA'的截面图,以及图4I是图4G的沿BB'的截面图。在一些实施例中，在衬底109上方延伸凹槽(103a或108a)。在一些实施例中，凹槽103a的每个延伸穿过模塑件102。在一些实施例中，凹槽108a的每个从模塑件102向着收发器101或充电器106延伸。在收发器101或充电器106上方设置凹槽108a。在一些实施例中，通过诸如光刻、蚀刻等的任何合适的操作形成凹槽(103a或108a)。
在操作404中，如图4J至图4L所示，在凹槽(103a或108a)内设置导电材料。图4K是图4J的沿AA'的截面图,以及图4L是图4J的沿BB'的截面图。在一些实施例中，用导电材料填充凹槽(103a或108a)。在一些实施例中，填充凹槽103a的导电材料与填充凹槽108a的导电材料相同或不同。在一些实施例中，导电材料包括金、银、铜、镍、钨、铝、锡和/或它们的合金。在一些实施例中，通过诸如溅射、电镀、沉积等的任何合适的操作设置导电材料。
在一些实施例中，在凹槽103a内填充导电材料之后形成若干导电通道103。在一些实施例中，在凹槽108a内填充导电材料之后形成若干柱108。在一些实施例中，导电通道103和柱108由模塑件102围绕。在一些实施例中，导电通道103延伸穿过模塑件102。在一些实施例中，柱108从模塑件102向着收发器101或充电器106延伸。在一些实施例中，形成导电通道103或柱108之后去除衬底109。
在操作405中，如图4M至图4O所示，设置并且图案化绝缘层104。图4N是图4M的沿AA'的截面图,以及图4O是图4M的沿BB'的截面图。在一些实施例中，在模塑件102、导电通道103、柱108、收发器101、充电器106和共振器107上方设置绝缘层104。在一些实施例中，绝缘层104包括聚合物、聚酰亚胺、聚苯并恶唑(PBO)等。在一些实施例中，通过诸如化学汽相沉积(CVD)等的任何合适的操作设置绝缘层104。
在一些实施例中，通过形成延伸穿过绝缘层104的若干个通道104a图案化绝缘层104。在一些实施例中，通道104a暴露出导电通道103的部分或柱108的部分。在一些实施例中，通过去除导电通道103或柱108上方的绝缘层104的部分形成通道104a。在一些实施例中，通过诸如光刻、蚀刻的任何合适的操作去除绝缘层104的部分。
在操作406中，如图4P至图4R所示，形成再分布层(RDL)105。图4Q是图4P的沿AA'的截面图,以及图4R是图4P的沿BB'的截面图。在一些实施例中，如图4P至图4R所示，形成的半导体结构100具有与图1至图3中的上述或示出的半导体结构100相似的配置。在一些实施例中，半导体结构100是用于接收来自设置在预定距离内的远程发射器的充电功率并且充电或再充电电子设备的接收器。
在一些实施例中，在绝缘层104上方形成RDL105。在一些实施例中，RDL 105包括在绝缘层104上方设置的天线105a和覆盖天线105a的介电层105c。在一些实施例中，天线105a设置在绝缘层104上方且通过通道104a与收发器101电连接。在一些实施例中，通过诸如电镀等的任何合适的操作设置天线105a。在一些实施例中，天线105a的部分延伸穿过绝缘层104和模塑件102以与收发器101电连接。在一些实施例中，天线105a包括诸如铜、钛、钨等的导电材料。在一些实施例中，天线105a是条形。在一些实施例中，天线105a为蓝牙天线。
在一些实施例中，天线105a包括在绝缘层104上方延伸的伸长部分105d和沿着通道104a延伸穿过绝缘层104以与收发器101电连接的导电通道部分105e。在一些实施例中，导电通道部分105e在伸长部分105d和收发器101之间延伸。在一些实施例中，天线105a通过柱108与收发器101电连接。柱108从绝缘层104至收发器101延伸。
在一些实施例中，天线105a能够将信号无线地发射至远程发射器或接收来自远程发射器的信号。在一些实施例中，天线105a能够发射约2.4GHz的诸如蓝牙低功耗(BLE)等的预定的电磁频率信号。在一些实施例中，天线105a能够发射到达大于约8米的距离的信号。在一些实施例中，天线105a配置为接收来自设置在距离大于约8米的远程发射器的信号。
在一些实施例中，RDL 105包括在绝缘层104上方设置的互连结构105b。在一些实施例中，互连结构105b包括在绝缘层104上方延伸的伸长部分105f和延伸穿过绝缘层104至导电通道103或柱108的导电通道部分105g。在一些实施例中，互连结构105b与导电通道103或柱108电连接。在一些实施例中，互连结构105b通过柱108与收发器101或充电器106电连接。在一些实施例中，互连结构105b包括诸如铜、钛、钨等的导电材料。在一些实施例中，通过诸如电镀等的任何合适的操作形成互连结构105b。
在一些实施例中，介电层105c设置在互连结构105b上方且覆盖天线105a和互连结构105b。在一些实施例中，介电层105c包括诸如氧化物、氧化硅、氮化硅等的介电材料。在一些实施例中，通过诸如CVD等的任何合适的操作设置介电层105c。
在本发明中，公开了一种改进的半导体结构。该半导体结构包括设置在半导体结构中的天线。天线设置在RDL中并且由介电层覆盖。天线至RDL内的集成将最小化路径损失。结果，从天线发射的充电功率能够覆盖更远的距离。因此，改善了通过半导体结构无线充电或再充电电子设备的性能。
在一些实施例中，一种半导体结构包括：配置为与器件通信的收发器；围绕该收发器的模塑件；延伸穿过模塑件的导电通道；在模塑件、导电通道和收发器上方设置的绝缘层；以及在绝缘层上方设置的且包括天线和围绕天线的介电层的再分布层(RDL)，其中，天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。
在一些实施例中，导电通道配置为与天线电感耦合。在一些实施例中，导电通道是螺旋、环形、矩形、圆形或多边形配置。在一些实施例中，导电通道具有约100um至约200um的深度。在一些实施例中，天线具有约2.4GHz的共振频率。在一些实施例中，天线配置为发射或接收蓝牙低功耗(BLE)信号或约2.4GHz的预定的电磁频率信号。在一些实施例中，天线具有约200um的长度和约10um的宽度。在一些实施例中，绝缘层具有约3um至约5um的厚度。在一些实施例中，天线配置为发射到达大于约8米的距离的信号。在一些实施例中，半导体结构还包括由模塑件围绕且配置为将充电功率从AC转化为DC的充电器。在一些实施例中，半导体结构还包括配置为生成至充电器的信号的共振器。
在一些实施例中，一种半导体结构包括配置为将充电功率从AC转换为DC的充电器、配置为发射或接收预定的电磁频率的信号的收发器、围绕收发器和充电器的模塑件、延伸穿过模塑件的多个导电通道、配置为发射信号至周围环境/接收来自周围环境的信号的天线、覆盖天线的介电层，其中，天线包括在模塑件上方延伸的伸长部分和延伸穿过模塑件以与收发器电连接的导电通道部分。
在一些实施例中，天线配置为接收来自远程发射器的预定的电磁频率信号，且多个导电通道配置为接收来自远程发射器的充电功率。在一些实施例中，多个导电通道的每个是延伸穿过模塑件且与天线电感耦合的集成电路导电通道(TIV)。在一些实施例中，天线具有约2.4GHz的共振频率。在一些实施例中，天线为蓝牙天线。在一些实施例中，模塑件具有约100um至约200um的厚度。
在一些实施例中，一种制造半导体结构的方法包括提供收发器，形成模塑件以围绕收发器，形成延伸穿过模塑件的多个凹槽，在多个凹槽内设置导电材料以形成多个导电通道，在模塑件、多个导电通道和收发器上方设置绝缘层且图案化绝缘层，以及在绝缘层上方形成再分布层(RDL)，其中，RDL包括在绝缘层上方设置的天线和覆盖天线的介电层，并且天线的部分延伸穿过绝缘层和模塑件以与收发器电连接。
在一些实施例中，该方法还包括形成从绝缘层延伸至收发器的柱，以及天线通过柱与收发器电连接。在一些实施例中，通过电镀操作设置天线。
根据本发明的一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：收发器，配置为与器件通信；模塑件，围绕所述收发器；导电通道，延伸穿过所述模塑件；绝缘层，设置所述模塑件、所述导电通道和所述收发器上方；以及再分布层(RDL)，设置在所述绝缘层上方，且所述再分布层包括天线和围绕所述天线的介电层，其中，所述天线的部分延伸穿过所述绝缘层和所述模塑件以与所述收发器电连接。
在上述半导体结构中，所述导电通道配置为与所述天线电感耦合。
在上述半导体结构中，所述导电通道是螺旋的、环形的、矩形的、圆形的或多边形的配置。
在上述半导体结构中，所述导电通道具有约100um至约200um的深度。
在上述半导体结构中，所述天线具有约2.4GHz的共振频率。
在上述半导体结构中，所述天线配置为发射或接收约2.4GHz的预定电磁频率或蓝牙低功耗(BLE)的信号。
在上述半导体结构中，所述天线具有约200um的长度和约10um的宽度。
在上述半导体结构中，所述绝缘层具有约3um至约5um的厚度。
在上述半导体结构中，所述天线配置为发射到达大于约8米的距离的信号。
在上述半导体结构中，还包括由所述模塑件围绕的且配置为将充电功率从AC转化为DC的充电器。
在上述半导体结构中，还包括配置为生成至所述充电器的信号的共振器。
根据本发明的另一实施例，还提供了一种半导体结构，包括：充电器，配置为将充电功率从AC转换为DC；收发器，配置为发射或接收预定电磁频率的信号；模塑件，围绕所述收发器和所述充电器；多个导电通道，延伸穿过所述模塑件；天线，配置为将所述信号发射至周围环境或从周围环境接收所述信号；以及介电层，覆盖所述天线，其中，所述天线包括在所述模塑件上方延伸的伸长部分和延伸穿过所述模塑件以与所述收发器电连接的导电通道部分。
在上述半导体结构中，所述天线配置为接收来自发射器的预定电磁频率的信号，且所述多个导电通道配置为接收来自所述发射器的所述充电功率。
在上述半导体结构中，所述多个导电通道的每个是延伸穿过所述模塑件且与所述天线电感耦合的集成电路穿孔(TIV)。
在上述半导体结构中，所述天线具有约2.4GHz的共振频率。
在上述半导体结构中，所述天线是蓝牙天线。
在上述半导体结构中，所述模塑件具有约100um至约200um的厚度。
根据本发明的又一实施例，还提供了一种制造半导体结构的方法，包括：提供收发器；形成模塑件以围绕所述收发器；形成延伸穿过所述模塑件的多个凹槽；在所述多个凹槽内设置导电材料以形成多个导电通道；在所述模塑件、所述多个导电通道和所述收发器上方设置绝缘层并且图案化所述绝缘层；以及在所述绝缘层上方形成再分布层(RDL)；其中，所述RDL包括设置在所述绝缘层上方的天线和覆盖所述天线的介电层，并且所述天线的部分延伸穿过所述绝缘层和所述模塑件以与所述收发器电连接。
在上述方法中，还包括形成从所述绝缘层延伸至所述收发器的柱，并且所述天线通过所述柱与所述收发器电连接。
在上述方法中，通过电镀操作设置所述天线。
上面概述了若干实施例的部件、使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实现与在此所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围、并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，在此他们可以做出多种变化、替换以及改变。

Claims (49)

1.一种半导体结构，包括：
收发器，配置为与器件通信；
模塑件，围绕所述收发器；
导电通道，延伸穿过所述模塑件；
绝缘层，设置在所述模塑件、所述导电通道和所述收发器上方；以及
再分布层(RDL)，设置在所述绝缘层上方，且所述再分布层包括天线和围绕所述天线的介电层，
其中，所述天线的部分延伸穿过所述绝缘层和所述模塑件并且与所述收发器电连接，
其中，所述导电通道为连续的线圈，所述天线位于所述线圈的包围圈之外，并且所述线圈与所述天线电感耦合。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，包括：在所述半导体结构的中心部分处设置伪结构，其中，所述导电通道配置为围绕所述伪结构。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导电通道是螺旋的、环形的、圆形的或多边形的配置。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述多边形为矩形。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导电通道具有100um至200um的深度。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述天线具有2.4GHz的共振频率。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述天线配置为发射或接收2.4GHz的预定电磁频率或蓝牙低功耗(BLE)的信号。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述天线具有200um的长度和10um的宽度。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述绝缘层具有3um至5um的厚度。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述天线配置为发射到达大于8米的距离的信号。
11.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括由所述模塑件围绕的且配置为将充电功率从AC转化为DC的充电器。
12.根据权利要求11所述的半导体结构，还包括配置为生成至所述充电器的信号的共振器。
13.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述天线包括在所述绝缘层上方延伸的第一伸长部分和延伸穿过所述绝缘层的第一导电通道部分，所述第一导电通道部分的底面与所述线圈的顶面齐平。
14.根据权利要求13所述的半导体结构，其中，所述再分布层进一步包括设置在所述介电层中的至少一个互连结构。
15.根据权利要求14所述的半导体结构，其中，所述互连结构包括在所述绝缘层上方延伸的第二伸长部分和延伸穿过所述绝缘层的第二导电通道部分，所述第二伸长部分与所述第一伸长部分横向并排布置。
16.一种半导体结构，包括：
充电器，配置为将充电功率从AC转换为DC；
收发器，配置为发射或接收预定电磁频率的信号；
模塑件，围绕所述收发器和所述充电器；
多个导电通道，延伸穿过所述模塑件，其中所述多个导电通道一起构成连续的线圈；
绝缘层，设置所述模塑件、所述多个导电通道、所述收发器和所述充电器上方；
天线，配置为将所述信号发射至周围环境或从周围环境接收所述信号；以及
介电层，围绕并覆盖所述天线，
其中，所述天线包括在所述模塑件上方延伸的伸长部分和延伸穿过所述模塑件和所述绝缘层的导电通道部分，并且所述天线的导电通道部分与所述收发器电连接，
其中，所述天线位于所述线圈的包围圈之外，并且所述线圈与所述天线电感耦合。
17.根据权利要求16所述的半导体结构，其中，所述天线配置为接收来自发射器的预定电磁频率的信号，且所述多个导电通道配置为接收来自所述发射器的所述充电功率。
18.根据权利要求16所述的半导体结构，其中，所述多个导电通道的每个是延伸穿过所述模塑件且与所述天线电感耦合的集成电路穿孔(TIV)。
19.根据权利要求16所述的半导体结构，其中，所述天线具有2.4GHz的共振频率。
20.根据权利要求16所述的半导体结构，其中，所述天线是蓝牙天线。
21.根据权利要求16所述的半导体结构，其中，所述模塑件具有100um至200um的厚度。
22.一种制造半导体结构的方法，包括：
提供收发器；
形成模塑件以围绕所述收发器；
形成延伸穿过所述模塑件的多个凹槽；
在所述多个凹槽内设置导电材料以形成多个导电通道，所述多个导电通道一起构成连续的线圈；
在所述模塑件、所述多个导电通道和所述收发器上方设置绝缘层并且图案化所述绝缘层；以及
在所述绝缘层上方形成再分布层(RDL)；
其中，所述再分布层包括设置在所述绝缘层上方的天线和覆盖所述天线的介电层，并且所述天线的部分延伸穿过所述绝缘层和所述模塑件以与所述收发器电连接，
其中所述天线位于所述线圈的包围圈之外，并且所述线圈与所述天线电感耦合。
23.根据权利要求22所述的方法，还包括形成从所述绝缘层延伸至所述收发器的柱，并且所述天线通过所述柱与所述收发器电连接。
24.根据权利要求22所述的方法，其中，通过电镀操作设置所述天线。
25.一种半导体结构，包括：
充电器，配置为将充电功率从AC转换为DC；
收发器，配置为发射或接收预定电磁频率的信号；
模塑件，围绕所述收发器和所述充电器；
多个导电通道，延伸穿过所述模塑件，其中所述多个导电通道一起构成连续的线圈；
天线，配置为将所述信号发射至周围环境或从所述周围环境接收所述信号；以及
介电层，覆盖所述天线，
其中，所述天线包括在所述模塑件上方延伸的伸长部分和电连接至所述收发器的导电通道部分，
所述天线位于所述线圈的包围圈之外，并且所述线圈与所述天线电感耦合。
26.根据权利要求25所述的半导体结构，其中，所述天线配置为从发射器接收所述预定电磁频率的信号，且所述多个导电通道配置为从所述发射器接收所述充电功率。
27.根据权利要求25所述的半导体结构，其中，所述多个导电通道的每个是延伸穿过所述模塑件且与所述天线电感耦合的集成电路穿孔(TIV)。
28.根据权利要求25所述的半导体结构，其中，所述天线具有2.4GHz的共振频率。
29.根据权利要求25所述的半导体结构，其中，所述天线是蓝牙天线。
30.根据权利要求25所述的半导体结构，其中，所述模塑件具有100um至200um的厚度。
31.根据权利要求25所述的半导体结构，还包括电连接所述天线的导电通道部分和所述收发器的柱。
32.根据权利要求31所述的半导体结构，还包括设置在所述模塑件、所述多个导电通道和所述柱上方的绝缘层。
33.根据权利要求32所述的半导体结构，其中，所述天线的导电通道部分延伸穿过所述绝缘层以接触所述柱。
34.根据权利要求31所述的半导体结构，其中，所述柱包括金、银、铜、镍、钨、铝、锡和/或它们的合金，所述天线包括铜、钛、钨的导电材料。
35.一种半导体结构，包括：
收发器；
模塑件，围绕所述收发器；
多个导电通道，延伸穿过所述模塑件，其中所述多个导电通道一起构成连续的线圈；以及
再分布层(RDL)，设置在所述收发器和所述导电通道上方，且所述再分布层包括：
天线，设置在所述收发器上方并电连接至所述收发器；和
介电层，围绕所述天线，
其中，所述天线包括在所述模塑件上方延伸的伸长部分和电连接至所述收发器的导电通道部分，
所述天线位于所述线圈的包围圈之外，并且所述线圈与所述天线电感耦合。
36.根据权利要求35所述的半导体结构，还包括设置在所述天线和所述收发器之间并被所述模塑件围绕的柱。
37.根据权利要求36所述的半导体结构，其中，所述多个导电通道的高度大于所述柱的高度。
38.根据权利要求36所述的半导体结构，还包括设置在所述模塑件、所述多个导电通道和所述柱上方的绝缘层。
39.根据权利要求38所述的半导体结构，其中，所述天线的导电通道部分延伸穿过所述绝缘层，以接触所述柱并通过所述柱电连接至所述收发器。
40.一种半导体结构，包括：
充电器；
收发器；
模塑件，围绕所述收发器和所述充电器；
多个导电通道，延伸穿过所述模塑件，其中所述多个导电通道一起构成连续的线圈；
绝缘层，设置在所述模塑件、所述充电器、所述收发器和所述多个导电通道上方；以及
再分布层(RDL)，设置在所述绝缘层上方，且所述再分布层包括：
天线，设置在所述收发器上方并电连接至所述收发器；
第一互连结构，电连接至所述多个导电通道；和
第二互连结构，电连接至所述充电器，
其中，所述天线的部分延伸穿过所述绝缘层，以电连接至所述收发器，所述天线位于所述线圈的包围圈之外，并且所述线圈与所述天线电感耦合。
41.根据权利要求40所述的半导体结构，还包括设置在所述天线和所述收发器之间并被所述模塑件围绕的第一柱，其中，所述第一柱电连接所述天线的部分和所述收发器。
42.根据权利要求40所述的半导体结构，还包括设置在所述充电器和所述第二互连结构之间并被所述模塑件围绕的多个第二柱，其中，所述多个第二柱电连接所述第二互连结构和所述充电器。
43.根据权利要求40所述的半导体结构，所述再分布层还包括设置在所述收发器上方并电连接至所述收发器的第三互连结构。
44.根据权利要求43所述的半导体结构，还包括设置在所述第三互连结构和所述收发器之间并被所述模塑件围绕的第三柱，其中，所述第三柱电连接至所述第三互连结构和所述收发器。
45.一种半导体结构，包括：
充电器；
收发器；
共振器；
模塑件，围绕所述收发器、所述充电器和所述共振器；
多个导电通道，延伸穿过所述模塑件，其中所述多个导电通道一起构成连续的线圈；
绝缘层，设置在所述模塑件、所述充电器、所述收发器、所述共振器和所述多个导电通道上方；以及
再分布层(RDL)，设置在所述绝缘层上方，且所述再分布层包括：
天线，设置在所述收发器上方并电连接至所述收发器；
第一互连结构，电连接至所述多个导电通道；和
第二互连结构，电连接至所述充电器，
其中，所述天线的部分延伸穿过所述绝缘层，以电连接至所述收发器，
所述天线位于所述线圈的包围圈之外，并且所述线圈与所述天线电感耦合。
46.根据权利要求45所述的半导体结构，其中，所述多个导电通道的每个是延伸穿过所述模塑件且与所述天线电感耦合的集成电路穿孔(TIV)。
47.根据权利要求45所述的半导体结构，其中，所述共振器与所述充电器和所述多个导电通道中的至少一个电连接。
48.根据权利要求45所述的半导体结构，还包括电连接所述天线的导电通道部分和所述收发器的柱，其中，所述柱包括金、银、铜、镍、钨、铝、锡和/或它们的合金，所述天线包括铜、钛、钨的导电材料。
49.根据权利要求48所述的半导体结构，其中，所述天线的导电通道部分延伸穿过所述绝缘层以接触所述柱。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9953936B2 (en) * 2015-10-30 2018-04-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
US10460987B2 (en) * 2017-05-09 2019-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor package device with integrated antenna and manufacturing method thereof
US10790244B2 (en) 2017-09-29 2020-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method
TWI667889B (zh) * 2018-03-31 2019-08-01 關鍵禾芯科技股份有限公司 收發晶片封裝結構及車用雷達偵測裝置
US11043730B2 (en) * 2018-05-14 2021-06-22 Mediatek Inc. Fan-out package structure with integrated antenna
US20190348747A1 (en) 2018-05-14 2019-11-14 Mediatek Inc. Innovative air gap for antenna fan out package
US11756904B2 (en) * 2020-06-08 2023-09-12 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101411077A (zh) * 2006-03-31 2009-04-15 英特尔公司 单封装无线通信装置
CN103872012A (zh) * 2012-12-13 2014-06-18 台湾积体电路制造股份有限公司 天线装置和方法
CN103915421A (zh) * 2012-12-28 2014-07-09 台湾积体电路制造股份有限公司 用于形成堆叠封装件的方法和装置
CN104078451A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 英特尔公司 用于射频无源件和天线的方法、设备和材料

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8349648B2 (en) * 2010-06-15 2013-01-08 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming RF FEM with IC filter and IPD filter over substrate
US9190340B2 (en) * 2011-06-17 2015-11-17 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming RF FEM and RF transceiver in semiconductor package
US9711465B2 (en) * 2012-05-29 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Antenna cavity structure for integrated patch antenna in integrated fan-out packaging
US8952521B2 (en) * 2012-10-19 2015-02-10 Infineon Technologies Ag Semiconductor packages with integrated antenna and method of forming thereof
US9608334B2 (en) * 2014-03-31 2017-03-28 Nxp B.V. Radar antenna system
US9953936B2 (en) * 2015-10-30 2018-04-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101411077A (zh) * 2006-03-31 2009-04-15 英特尔公司 单封装无线通信装置
CN103872012A (zh) * 2012-12-13 2014-06-18 台湾积体电路制造股份有限公司 天线装置和方法
CN103915421A (zh) * 2012-12-28 2014-07-09 台湾积体电路制造股份有限公司 用于形成堆叠封装件的方法和装置
CN104078451A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 英特尔公司 用于射频无源件和天线的方法、设备和材料

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