TWI667889B - 收發晶片封裝結構及車用雷達偵測裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明一種收發晶片封裝結構及車用雷達偵測裝置。該收發晶片封裝結構包括一重佈線層、一晶片組及一模封層，該晶片組具有一接收晶片、一發射晶片及一射頻處理晶片，透過該模封層覆蓋在該重佈線層的一側上，且包覆設置在該重佈線層一側上的該接收晶片、發射晶片及射頻處理晶片，且該射頻處理晶片透過該重佈線層具有的複數導線線路電性連接該接收晶片與該發射晶片。
Description
本發明係一種收發晶片封裝結構及車用雷達偵測裝置，尤指一種可達到提升發射效率及提高晶片效能的收發晶片封裝結構及車用雷達偵測裝置。
在科技的突飛猛進下，許多日常生活所需的產品技術也伴隨著大幅提升，尤其藉著半導體技術的成熟，更造就了車用電子產品的出現及演進，改善了早期駕駛者所駕駛的車輛，使得現今的車輛不僅具備「行」的功能，更加注許多創新的科技技術在車輛上，以對現今車輛及駕駛作出更進一步的安全防護，從早期的防盜系統、倒車雷達，到現今的障礙物或行人辨識、車外環景影像偵測、自動駕駛等相關技術，皆有利於駕駛的行車安全。
而常見的防護系統，如自動巡航控制、盲點偵測系統、自動煞車系統、前/後方追撞預警系統、車道偏移偵測系統等，通常係採用微波形式的調頻連續波(Frequency-Modulation Continuous Wave，FMCW)雷達系統進行目標物的偵測，這類偵測是由雷達系統發出毫米波訊號並接收目標物所反射的訊號，進而計算出目標物相對於雷達系統的速度、角度、距離等資訊。並習知的雷達系統包含一接收模組、一發射模組、一壓控振盪器及一控制器，該接收模組、發射模組、壓控振盪器及控制器皆是為各自獨立分開的元件，且各模組內的各晶片是獨立設置在各自模組內的電路板上，例如接收模組的接收晶片設置在其內的電路板、發射模組的發射晶片設置在其內的電路板、壓控振盪器的壓控振盪晶片設
置在其內的電路板，且業者為了製造上的便利，會將天線(如一接收天線或一發射天線)整合於晶片(如接收晶片或發射晶片)上，此方式雖可達到製成便利，但卻會造成發射效率不佳，且發射天線的發射功率只在5瓦特(Watt)以下，以導致低功率發射的問題。此外，由於各模組其內的晶片(如接收晶片、發射晶片及壓控振盪晶片)都是單一同樣製程製造的關係，使得各晶片特性也不好。
本發明之一目的在提供一種可達到提升發射效率的收發晶片封裝結構及車用雷達偵測裝置。
本發明之另一目的在提供一種具有提高發射功率的收發晶片封裝結構及車用雷達偵測裝置。
本發明之另一目的在提供一種透過一接收晶片、一發射晶片及一射頻處晶片整合封裝成為單一晶片的結構，使得可達到提高晶片效能的收發晶片封裝結構及車用雷達偵測裝置。
為達上述目的，本發明係在提供一種收發晶片封裝結構，包括一重佈線層、一模封層及一晶片組，該重佈線層具有複數導電線路、一介電層及複數導電體，該等導電線路設於該介電層中，該介電層具有一第一側及一第二側，該等導電體設於該介電層的第二側上，且與對應該等導電線路的一端電性連接，該晶片組具有一接收晶片、一發射晶片及一射頻處理晶片，該接收晶片與該發射晶片及該射頻處理晶片設置在該介電層的第一側，且與該等導電線路的另一端電性連接，並該射頻處理晶片透過該等導線線路電性連接該接收晶片與該發射晶片，該模封層係設於該介電層的第一側上，且包覆該接收晶片與該發射晶片及該射頻處理晶片；透過本發明的結構設計，使得可達到提升發射效率及提高晶片效能，且還可達到提高發射功率的效果。
本發明另提供一種車用雷達偵測裝置，包括一收發晶片封裝結構、一基板及一控制晶片，該收發晶片封裝結構包含一重佈線層、一模封層及一晶片組，該重佈線層具有複數導電線路、一介電層及複數導電體，該等導電線路設於該介電層中，該介電層具有一第一側及一第二側，該等導電體設於該介電層的第二側上，且與對應該等導電線路的一端電性連接，該晶片組具有一接收晶片、一發射晶片及一射頻處理晶片，該接收晶片與該發射晶片及該射頻處理晶片設置在該介電層的第一側，且與該等導電線路的另一端電性連接，並該射頻處理晶片透過該等導線線路電性連接該接收晶片與該發射晶片，該模封層係設於該介電層的第一側上，且包覆該接收晶片與該發射晶片及該射頻處理晶片，該基板係選擇設於對應該重佈線層或該模封層的一側，該基板具有至少一第一天線、至少一第二天線、複數導線及複數接觸點係與對應該重佈線層的該等導電體相電性連接，該等導線設於該基板中，且電性連接設於該基板之一側的該等接觸點，該第一、二天線設於該基板的一側，且透過該等導線經該等接觸點電性連接對應該接收晶片與該發射晶片，該控制晶片設於該基板的一側，並透過該等導線經該等接觸點電性連接對應該接收晶片與該射頻處理晶片；透過本發明的裝置設計，使得可達到提升發射效率及提高晶片效能，且還可達到高功率發射的效果。
1‧‧‧收發晶片封裝結構
10‧‧‧重佈線層
101‧‧‧開口
102‧‧‧導電線路
103‧‧‧介電層
1031‧‧‧第一側
1032‧‧‧第二側
104‧‧‧導電體
12‧‧‧晶片組
121‧‧‧接收晶片
1211‧‧‧接收電路
1212‧‧‧訊號處理電路
1212a‧‧‧混頻器
122‧‧‧發射晶片
1221‧‧‧發射電路
123‧‧‧射頻處理晶片
1231‧‧‧電壓控制震盪電路
14‧‧‧模封層
2‧‧‧車用雷達偵測裝置
21‧‧‧基板
211‧‧‧導線
213‧‧‧接觸點
22‧‧‧第一天線
23‧‧‧第二天線
24‧‧‧控制晶片
25‧‧‧焊接線
第1圖為本發明之第一實施例之收發晶片封裝結構之立體組合示意圖。
第1A圖為本發明之第一實施例之收發晶片封裝結構之組合剖面示意圖。
第2圖為本發明之第二實施例之車用雷達偵測裝置之立體組合示意圖。
第2A圖為本發明之第二實施例之車用雷達偵測裝置之組合剖面示意圖。
第3A圖為本發明之第二實施例之車用雷達偵測裝置之方塊示意圖。
第3B圖為本發明之第二實施例之車用雷達偵測裝置之另一方塊示意圖。
第4A圖為本發明之第三實施例之車用雷達偵測裝置之立體組合示意圖。
第4B圖為本發明之第三實施例之車用雷達偵測裝置之組合剖面示意圖。
本發明之上述目的及其結構與功能上的特性，將依據所附圖式之較佳實施例予以說明。
本發明係一種收發晶片封裝結構及車用雷達偵測裝置。請參閱第1圖為本發明之第一實施例之收發晶片封裝結構之立體組合示意圖；第1A圖為本發明之第一實施例之收發晶片封裝結構之組合剖面示意圖。該收發晶片封裝結構1於本實施例用於一車用雷達偵測裝置2(如參考第2圖式)，但並不侷限於此，於具體實施時，也可應用於例如醫療掃描系統上。該收發晶片封裝結構1包括一重佈線層10(Redistribution laver，簡稱RDL)、一模封層14及一晶片組12，該重佈線層10具有複數導電線路102、一介電層103、複數開口101及複數導電體104，該等開口101係從該介電層103的一第一側1031(即頂側)貫穿至一第二側1032(即底側)所構成，該等導電線路102為一金屬導線，該等導電線路102的材質為如金、鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦或其組合，該等導電線路102設於該介電層103中，且容設在對應的介電層103的該等開口101內，並該介電層103為一薄膜聚合物，例如苯並環丁稀(Benzocyclobutene,BCB)、聚亞醯胺(polyimind,PI)，或其他有機聚合物，或一有機材料，例如聚亞醯胺(polyimide,PI)，或無機材料，例如氮化矽、氧化矽或類似的材料。
該介電層103具有該第一側1031及該第二側1032，該等導電體104設於該介電層103的第二側1032(即底側)上，且與對應該等導電線路102的一端電性連接，並該晶片組12具有一接收晶片121、一發射晶片122及一射頻處理晶片123，該接收晶片121用以接收毫米波訊號，該發射晶片122用以發射毫米波訊號，該接收晶片121與發射晶片122及射頻處理晶片123設置在該介電層103的第一側1031(即頂
側)，且與該等導電線路102的另一端電性連接，該射頻處理晶片123係透過該等導電線路102電性連接接收晶片121與發射晶片122。其中前述接收晶片121、發射晶片122及射頻處理晶片123這些晶片可任意合適製程製造，例如採用一矽基氮化鎵(GaN-on-Si)製程、碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)製程、矽鍺-互補式金屬氧化物半導體(SiGe CMOS)製程、砷化鎵(GaAs)製程或射頻-互補式金屬氧化物半導體(RF CMOS)製程製造，而在本實施例的接收晶片121及射頻處理晶片123採用RF CMOS製程製造，該發射晶片122則採用SiGe CMOS製程製造。在一實施例，該發射晶片122可改設計採用GaAs製程或GaN-on-Si製程製造，該接收晶片121及射頻處理晶片123採用RF CMOS製程製造。
另外，前述接收晶片121與發射晶片122分別的接收與發射為24GHZ(赫芝)、77GHZ(赫芝)或120GHZ(赫芝)中心頻率(Center Frequency)的毫米波訊號，且24GHZ、77GHZ或120GHZ中心頻率的頻寬在-10GHZ(赫芝)~+10GHZ(赫芝)。
請參考第1A圖，該等導電體104於本實施例表示為一焊接球(如金屬球體)，該等導電體104透過該等導電線路102延伸連接至對應該接收晶片121、該發射晶片122及射頻處理晶片123，以令該等導電體104與對應該接收晶片121、該發射晶片122及射頻處理晶片123相電性連接。該模封層14的材料可為如一環氧樹脂，且前述所舉之模封材料僅為例示，並非用以限制本發明，並該模封層14設於該介電層103的第一側1031(即頂側)上，於本實施例的模封層14係以如鑄模灌膠(Molding)的方式覆蓋整個在該介電層103的第一側1031，且包覆整個該接收晶片121與該發射晶片122及該射頻處理晶片123，以封住該晶片組12，使晶片組12於該重佈線層10被模封層14封裝構成所述收發晶片封裝結構1。所以本發明的收發晶片封裝結構1是利用一扇出晶圓級封裝(Fan-Out Wafer Level Packaging，FOWLP)技術將不同製成出的多晶片(即接收晶片121與發射晶片122及射頻處理晶片123)整合封裝成單一晶片封裝結構(即收發晶片封裝結構1)，使得有效達到提高各晶
片效能，並因該接收晶片121與發射晶片122本身上皆未與任何天線整合一起(即接收天線(或發射天線)與接收晶片121(或發射晶片122)分開)，藉以有效提高發射功率的效果，例如該發射晶片122的發射功率產生6瓦特以上或15瓦特~30瓦特。
其中該接收晶片121與發射晶片122及射頻處理晶片123的外表面被該模封層14包覆的厚度為100um(微米)~700um(微米)，透過該模封層14包覆晶片組12表面，使得該晶片組12表面殼達到平整化的效果。
在一實施例，該等導電體104改設計為一金屬(如銅或金)的焊接墊。
因此，藉由本發明的收發晶片封裝結構1的設計，使得可達到提升發射效率及提高晶片效能，且還可達到提高發射功率的效果。
請參考第2圖為本發明之第二實施例之車用雷達偵測裝置之立體組合示意圖；第2A圖為本發明之第二實施例之車用雷達偵測裝置之組合剖面示意圖；第3A圖為本發明之第二實施例之車用雷達偵測裝置之方塊示意圖；第3B圖為本發明之第二實施例之車用雷達偵測裝置之另一方塊示意圖。如圖所示，該車用雷達偵測裝置2包括一收發晶片封裝結構1、一基板21及一控制晶片24，該本實施例的收發晶片封裝結構1的結構及連接關係及功效與前述第一實施例的收發晶片封裝結構1的結構及連接關係及功效相同，故不在重新贅述。該基板21於本實施例表示為一印刷電路板，該基板21為玻纖環氧(FR-4)基板、聚苯醚(polyphenyleneoxide，PPO)基板、聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)基板。在一實施例，該基板21可選擇為一玻璃基板。其中該本實施例的重佈線層10的介電層103之第二側1032上的該等導電體104為焊接球(如金屬球體)，且該等導電體104係以球狀陣列(或稱球格陣列，BGA)的方式排列設於該介電層103的第二側1032上說明，但並不侷限於此。
該基板21設於對應該重佈線層10的一側，且位於該重佈線層10的介電層103的第二側1032下方，該基板21具有至少一第一天線22、至少一第二天線23、複數
導線211及複數接觸點213，該等接觸點213為一焊墊，該等接觸點213形成在該基板21的一側上，且與對應該重佈線層10的該等導電體104相電性連接，並該等導電體104位於該介電層103與基板21之間，該等導線211為一金屬(如銅或金)導線211，該等導線211設於該基板21中，且電性連接對應該等接觸點213，而該第一、二天線22、23於本實施例表示為一陣列天線設於面對該介墊層的該基板21的一側，該第一、二天線22、23透過該等導線211經該等接觸點213分別電性連接對應該接收晶片121與該發射晶片122，於本實施例的第一天線22連接的該等接觸點213直接接觸對應該接收晶片121連接的該等導電體104形成訊號連接(或電性連接)，該第二天線23連接的接觸點213直接接觸對應該發射晶片122連接的導電體104形成訊號連接(或電性連接)。
該控制晶片24為一微處理器(MCU)或一處理器(CPU)或一數位信號處理器(DSP)，該控制晶片24設於該基板21的一側，並透過該等導線211經該等接觸點213電性連接對應該接收晶片121與該射頻處理晶片123，於本實施例的控制晶片24連接的該等接觸點213是直接接觸對應該接收晶片121與該射頻處理晶片123連接的該等導電體104形成訊號連接(或電性連接)。並該接收晶片121具有至少一接收電路1211及一訊號處理電路1212，該接收電路1211與訊號處理電路1212於本實施表示為1個接收電路1211與1個訊號處理電路1212對應連接1個第一天線22，該訊號處理電路1212係電性連接該接收電路1211及射頻處理晶片123，且該訊號處理電路1212包含一混頻器1212a，該混頻器1212a於本實施例是作為一降頻器使用，但並不侷限於此，且該混頻器1212a用以處理該接收電路1211接收該第一天線22傳送的一接收訊號(即外部物體的反射訊號)及處理該射頻處理晶片123傳送的一本地振盪訊號(LO)，令該混頻器1212a將接收的接收訊號與本地振盪訊號混頻，且將訊號降頻處理後產生一訊號接收結果(即為一中頻訊號)給該控制晶片24，令
該控制晶片24根據接收該訊號接收結果可以判斷外部物體之位移、速度及距離，以達到雷達偵測的功效。
該發射晶片122具有至少一發射電路1221，該發射電路1221於本實施表示為1個發射電路1221對應連接1個第二天線23，該射頻處理晶片123具有一電壓控制震盪電路1231(voltage-controlled oscillator，VCO)，該電壓控制震盪電路1231分別電性連接訊號處理電路1212的混頻器1212a及發射電路1221，用以提供該本地振盪訊號至該訊號處理電路1212，及提供一偵測訊號。並該控制晶片24控制該電壓控制震盪電路1231輸出該偵測訊號至該發射電路1221，令該發射電路1221透過該第二天線23發射該偵測訊號。其中前述偵測訊號與接收訊號為前述毫米波訊號。
其中於具體實施時，該控制晶片24電性連接一控制器區域網路匯流排(Controller Area Network BUS,CAN BUS)系統(圖中未示)，令該控制區域網路匯流排系統根據該控制晶片24傳送的一通知訊號(如通知外部物體離本車距離太近)控制汽車減速或閃爍警示燈。
此外，本實施例的第一、二天線22、23的數量與接收電路1211及發射電路1221的數量不侷限於上述1個，且前述第一、二天線22、23的數量與該接收晶片121的接收電路1211及該發射晶片122的發射電路1221的數量是相互匹配，並於具體實施時，使用者可以事先根據毫米波雷達偵側的精準度及偵測範圍大小及裝設位置需求改設計調整該第一、二天線22、23及接收電路1211與發射電路1221的數量，例如參閱第3A圖示，1個接收電路1211與1個發射電路1221搭配1個第一天線22與1個第二天線23構成1組雷達偵測器，或參閱第3B圖示，3個接收電路1211與3個發射電路1221搭配3個第一天線22與3個第二天線23構成3組雷達偵測器，依此類推。
本實施例的第一天線22及第二天線23的接收與發射為24GHZ(赫芝)、77GHZ(赫芝)或120GHZ(赫芝)中心頻率的毫米波訊號，且24GHZ、77GHZ或120GHZ
中心頻率的頻寬在-10GHZ(赫芝)~+10GHZ(赫芝)。其中該接收訊號與偵測訊號為前述毫米波訊號。
因此，藉由本發明的車用雷達偵測裝置2的設計，使得可達到提升發射效率及提高晶片效能，且還可達到提高發射功率的效果。
請參考第4A圖為本發明之第三實施例之車用雷達偵測裝置之立體組合示意圖；第4B圖為本發明之第三實施例之車用雷達偵測裝置之組合剖面示意圖。該本實施例的車用雷達偵測裝置2的結構及連結關係及功效大致與前述第二實施例的車用雷達偵測裝置2的結構及連結關係及功效相同，而本實施例主要是將前述第一實施例的基板21設於對應該重佈線層10的一側及該等導電體104為焊接球(如金屬球體)，改設計為該基板21設於對應該模封層14的一側及該等導電體104為金屬(如銅或金)的焊接墊。
該基板21位於該模封層14下方，且該基板21的一側接觸面對該模封層14，該介電層103之第二側1032的該等導電體104透過複數焊接線25電性連接對應的該等接觸點213，於本實施例的第一天線22連接的該等接觸點213透過該等焊接線25延伸連接至對應該接收晶片121連接的該等導電體104形成訊號連接(或電性連接)，該控制晶片24連接的該等接觸點213透過該等焊接線25延伸連接至對應該接收晶片121與該射頻處理晶片123連接的該等導電體104形成訊號連接(或電性連接)，該第二天線23連接的接觸點213透過該等焊接線25其中一焊接線25延伸連接至對應該發射晶片122連接的導電體104形成訊號連接。因此，使得有效達到提升發射效率及提高晶片效能，且還可達到提高發射功率的效果。
Claims (20)
- 一種收發晶片封裝結構，包括：一重佈線層，具有複數導電線路、一介電層及複數導電體，該等導電線路設於該介電層中，該介電層具有一第一側及一第二側，該等導電體設於該介電層的第二側上，且與對應該等導電線路的一端電性連接；一晶片組，具有一接收晶片、一發射晶片及一射頻處理晶片，該接收晶片與該發射晶片及該射頻處理晶片設置在該介電層的第一側，且與該等導電線路的另一端電性連接，並該射頻處理晶片透過該等導電線路電性連接該接收晶片與該發射晶片；及一模封層，設於該介電層的第一側上，且包覆該接收晶片與該發射晶片及該射頻處理晶片。
- 如申請專利範圍第1項所述之收發晶片封裝結構，其中該重佈線層具有複數開口，該等開口係從該介電層的該第一側貫穿至該第二側所構成，該等導電線路容設於對應該介電層的該等開口內。
- 如申請專利範圍第2項所述之收發晶片封裝結構，其中該等導電體透過該等導電線路延伸連接至對應該接收晶片、該發射晶片及射頻處理晶片，令該等導電體與對應該接收晶片、該發射晶片及射頻處理晶片相電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述之收發晶片封裝結構，其中該接收晶片與該發射晶片及該射頻處理晶片的表面被該模封層包覆的厚度為100um~700um。
- 如申請專利範圍第4項所述之收發晶片封裝結構，其中該等導電體為一焊接墊或一焊接球，該等導電線路為一金屬導線。
- 如申請專利範圍第1項所述之收發晶片封裝結構，其中該接收晶片與該發射晶片分別的接收與發射為24GHZ、77GHZ或120GHZ中心頻率的毫米波訊號，且24GHZ、77GHZ或120GHZ中心頻率的頻寬在-10GHZ~+10GHZ。
- 一種車用雷達偵測裝置，包括：一收發晶片封裝結構，包含：一重佈線層，具有複數導電線路、一介電層及複數導電體，該等導電線路設於該介電層中，該介電層具有一第一側及一第二側，該等導電體設於該介電層的第二側上，且與對應該等導電線路的一端電性連接；一晶片組，具有一接收晶片、一發射晶片及一射頻處理晶片，該接收晶片與該發射晶片及該射頻處理晶片設置在該介電層的第一側，且與該等導電線路的另一端電性連接，並該射頻處理晶片透過該等導電線路電性連接該接收晶片與該發射晶片；及一模封層，設於該介電層的第一側上，且包覆該接收晶片與該發射晶片及該射頻處理晶片；一基板，選擇設於對應該重佈線層或該模封層的一側，該基板具有至少一第一天線、至少一第二天線、複數導線及複數接觸點係與對應該重佈線層的該等導電體相電性連接，該等導線設於該基板中，且電性連接設於該基板之一側的該等接觸點，該第一、二天線設於該基板的一側，且透過該等導線經該等接觸點分別電性連接對應該接收晶片與該發射晶片；以及一控制晶片，設於該基板的一側，並透過該等導線經該等接觸點電性連接對應該接收晶片與該射頻處理晶片。
- 如申請專利範圍第7項所述之車用雷達偵測裝置，其中該重佈線層具有複數開口，該等開口係從該介電層的該第一側貫穿至該第二側所構成，該等導電線路容設於對應該介電層的該等開口內。
- 如申請專利範圍第8項所述之車用雷達偵測裝置，其中該基板設於對應該重佈線層的一側，且位於該重佈線層的下方，該介電層之第二側的該等導電體直接接觸面對的該等接觸點，以與該等接觸點相電性連接。
- 如申請專利範圍第9項所述之車用雷達偵測裝置，其中該等導電體透過該等導電線路延伸連接至對應該接收晶片、該發射晶片及射頻處理晶片，令該等導電體與對應該接收晶片、該發射晶片及射頻處理晶片相電性連接。
- 如申請專利範圍第10項所述之車用雷達偵測裝置，其中該第一天線連接的該等接觸點直接接觸對應該接收晶片連接的該等導電體形成訊號連接，該控制晶片連接的該等接觸點直接接觸對應該接收晶片與該射頻處理晶片連接的該等導電體形成訊號連接，該第二天線連接的接觸點直接接觸對應該發射晶片連接的導電體形成訊號連接。
- 如申請專利範圍第8項所述之車用雷達偵測裝置，其中該基板設於對應該模封層的一側，且位於該模封層的下方，該介電層之第二側的該等導電體透過複數焊接線電性連接對應的該等接觸點。
- 如申請專利範圍第12項所述之車用雷達偵測裝置，其中該等導電體透過該等導電線路延伸連接至對應該接收晶片、該發射晶片及射頻處理晶片，令該等導電體與對應該接收晶片、該發射晶片及射頻處理晶片相電性連接。
- 如申請專利範圍第13項所述之車用雷達偵測裝置，其中該第一天線連接的該等接觸點透過該等焊接線延伸連接至對應該接收晶片連接的該等 導電體形成訊號連接，該控制晶片連接的該等接觸點透過該等焊接線延伸連接至對應該接收晶片與該射頻處理晶片連接的該等導電體形成訊號連接，該第二天線連接的接觸點透過該等焊接線其中一焊接線延伸連接至對應該發射晶片連接的導電體形成訊號連接。
- 如申請專利範圍第7項所述之車用雷達偵測裝置，其中該基板為一印刷電路板或一玻璃基板，該控制晶片為一微處理器或一處理器。
- 如申請專利範圍第7項所述之車用雷達偵測裝置，其中該接收晶片與該發射晶片及該射頻處理晶片的表面被該模封層包覆的厚度為100um~700um。
- 如申請專利範圍第7項所述之車用雷達偵測裝置，其中該等導電體為一焊接墊或一焊接球，該等導電線路為一金屬導線。
- 如申請專利範圍第7項所述之車用雷達偵測裝置，其中該接收晶片具有至少一接收電路及一訊號處理電路，該訊號處理電路電性連接該至少一接收電路及該射頻處理晶片，用以處理該至少一接收電路接收該第一天線傳送的一接收訊號及該射頻處理晶片傳送的一本地振盪訊號。
- 如申請專利範圍第18項所述之車用雷達偵測裝置，其中該射頻處理晶片具有一電壓控制震盪電路，該電壓控制震盪電路電性連接該訊號處理電路，該電壓控制震盪電路用以提供該本地振盪訊號至該訊號處理電路及提供一偵測訊號，該發射晶片具有至少一發射電路，該發射電路電性連接該電壓控制震盪電路，透過該第二天線發射該偵測訊號，並該控制晶片接收該訊號處理電路處理後產生的一訊號接收結果，及控制該電壓控制震盪電路輸出該偵測訊號至該發射電路。
- 如申請專利範圍第7項所述之車用雷達偵測裝置，其中該第一、二天線分別的接收與發射為24GHZ、77GHZ或120GHZ中心頻率的毫米波訊 號，且24GHZ、77GHZ或120GHZ中心頻率的頻寬在-10GHZ~+10GHZ，並該接收訊號與偵測訊號為前述毫米波訊號。
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