CN106609364A - 带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘 - Google Patents

带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘 Download PDF

Info

Publication number
CN106609364A
CN106609364A CN201510696552.5A CN201510696552A CN106609364A CN 106609364 A CN106609364 A CN 106609364A CN 201510696552 A CN201510696552 A CN 201510696552A CN 106609364 A CN106609364 A CN 106609364A
Authority
CN
China
Prior art keywords
disk body
baffle plate
medium
boss
upper disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510696552.5A
Other languages
English (en)
Inventor
吕光泉
吴凤丽
郑英杰
张建
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Piotech Inc
Original Assignee
Piotech Shenyang Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Piotech Shenyang Co Ltd filed Critical Piotech Shenyang Co Ltd
Priority to CN201510696552.5A priority Critical patent/CN106609364A/zh
Publication of CN106609364A publication Critical patent/CN106609364A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

本发明属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，具体涉及一种带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘，在加热底盘的上盘体和下盘体之间通过媒介导流槽盖板和媒介挡板的固定配合形成所述循环媒介自动控温结构，通过循环媒介的自动控温，可以实现加热底盘温度的自动调节，能够精确的控制加热底盘的温度，解决了现有技术中设备产能低，晶圆和加热底盘升温较快降温较慢的问题。

Description

带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘
技术领域
本发明属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域，具体涉及一种带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘。
背景技术
半导体设备在进行沉积反应时往往需要使晶圆及腔室加热或维持在沉积反应所需要的温度，所以加热底盘必需具备加热结构以满足给晶圆预热的目的。大多数半导体薄膜沉积设备，在沉积过程中还会有等离子体参与沉积反应，因等离子体能量的释放以及化学气体间反应的能量释放，加热底盘及晶圆的温度会随着射频及工艺时间的增加温度会不断的上升，如果在进行相同温度下的工艺，需要等待加热盘降到相同的温度后才能进行，这样会耗费大量的时间，设备的产能相对比较低，如果晶圆和加热底盘的温度升温过快，温度会超出薄膜所需承受的温度，致使薄膜失败。
为了解决工艺过程中加热盘温升过快降温慢的问题，我们需要有能够自动调节加热底盘温度的系统，来保证加热底盘的温度。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘，通过循环媒介的自动控温，可以实现加热底盘温度的自动调节，能够精确的控制加热底盘的温度。
本发明是这样实现的，带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘，，在加热底盘的上盘体和下盘体之间通过媒介导流槽盖板和媒介挡板的固定配合形成循环媒介自动控温结构，上盘体的下表面边缘有外侧凸台和内侧凸台，两圈凸台之间形成环形沟槽，内侧凸台分布有三个导流口，上盘体上还设置有陶瓷柱孔和热电偶孔；
媒介挡板为一个圆盘结构，从边缘向上下两侧有凸起，在一侧突起上分布有三个挡板媒介出口，挡板媒介出口与上盘体内侧凸台的导流口位置对应，媒介挡板上还设有媒介流通孔和挡板通孔，挡板通孔位置与上盘体陶瓷柱孔的位置对应；
下盘体盘面上设有与上盘体陶瓷柱孔对应的螺纹孔以及与热电偶孔对应的热电偶安装螺纹孔，在下盘体盘面靠近中心的位置设有媒介入口和媒介出口，以媒介入口为中心，在下盘体盘面上向外辐射三个导流槽，导流槽两侧设凸台，用于和导流槽盖板焊接，形成媒介流道，导流槽终端有终端孔，当上盘体和下盘体固定一体后，终端孔对应在环形沟槽的范围内。
进一步地，上盘体内侧凸台的三个导流口均匀分布，将内侧凸台的圆周分成三个相等的圆弧。
进一步地，导流槽盖板的端部设有端孔，端孔与导流槽的终端孔位置对应。
进一步地，将媒介挡板焊接在上盘体上时，上盘体外侧凸台与媒介挡板不设媒介出口一侧的突起高度在一个平面上。
与现有技术相比，本发明的优点在于，通过循环媒介的自动控温，可以实现加热底盘温度的自动调节，能够精确的控制加热底盘的温度，解决了现有技术中设备产能低，晶圆和加热底盘升温较快降温较慢的问题。
附图说明
下面结合附图及实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1为加热底盘爆炸结构示意图；
图2为加热底盘上盘体结构示意图；
图3为媒介挡板结构示意图；
图4为导流槽盖板结构示意图；
图5为加热底盘下盘体结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合实施例及附图，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
参考图1-图5，本发明提供了一种带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘，是通过在加热底盘的上盘体1和下盘体5之间通过媒介导流槽盖板4和媒介挡板3的固定配合形成循环媒介自动控温结构。
上盘体1的下表面边缘有外侧凸台和内侧凸台，两圈凸台之间形成环形沟槽9，内侧凸台分布有三个导流口11，上盘体1上还设置有陶瓷柱孔8和热电偶孔10；
媒介挡板3为一个圆盘结构，从边缘向上下两侧有凸起，在一侧突起上分布有三个挡板媒介出口20，挡板媒介出口20与上盘体1内侧凸台的导流口11位置对应，媒介挡板3上还设有媒介流通孔19和挡板通孔18，挡板通孔18位置与上盘体陶瓷柱孔8的位置对应；
下盘体5盘面上设有与上盘体1陶瓷柱孔8对应的螺纹孔7以及与热电偶孔10对应的热电偶安装螺纹孔16，在下盘体5盘面靠近中心的位置设有媒介入口13和媒介出口12，以媒介入口13为中心，在下盘体5盘面上向外辐射三个导流槽14，导流槽14两侧设凸台，用于和导流槽盖板4焊接，形成媒介流道，导流槽14终端有终端孔15，当上盘体1和下盘体5固定一体后，终端孔15对应在环形沟槽9的范围内。
上盘体1内侧凸台的三个导流口优选均匀分布，将内侧凸台的圆周分成三个相等的圆弧。
为了使媒介流动更畅通，作为技术方案的改进，在导流槽盖板的端部设有端孔17，端孔17与导流槽的终端孔15位置对应。
为了使上盘体1和下盘体5能够精准对接，保证焊接的效果，作为技术方案的改进，将媒介挡板3焊接在上盘体1上时，上盘体1外侧凸台与媒介挡板3不设媒介出口一侧的突起高度在一个平面上。
在进行安装时，首先将加热底盘下盘体5与导流槽盖板4焊接，然后将媒介挡板3各开孔位置与加热底盘上盘体1各结构相对应并焊接于加热底盘上盘体1上；焊接完成后再将加热底盘上盘体1与加热底盘下盘体5通过真空钎焊的方式进行焊接，然后将陶瓷柱2，安装在陶瓷柱孔8内，通过陶瓷柱安装螺母6对陶瓷柱2进行固定，完成整个控温盘的加工。

Claims (4)

1.带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘，其特征在于，在所述加热底盘的上盘体和下盘体之间通过媒介导流槽盖板和媒介挡板的固定配合形成所述循环媒介自动控温结构，所述上盘体的下表面边缘有外侧凸台和内侧凸台，两圈凸台之间形成环形沟槽，内侧凸台分布有三个导流口，所述上盘体上还设置有陶瓷柱孔和热电偶孔；
所述媒介挡板为一个圆盘结构，从边缘向上下两侧有凸起，在一侧突起上分布有三个挡板媒介出口，挡板媒介出口与所述上盘体内侧凸台的导流口位置对应，所述媒介挡板上还设有媒介流通孔和挡板通孔，挡板通孔位置与所述上盘体陶瓷柱孔的位置对应；
所述下盘体盘面上设有与所述上盘体陶瓷柱孔对应的螺纹孔以及与热电偶孔对应的热电偶安装螺纹孔，在下盘体盘面靠近中心的位置设有媒介入口和媒介出口，以媒介入口为中心，在下盘体盘面上向外辐射三个导流槽，导流槽两侧设凸台，用于和所述导流槽盖板焊接，形成媒介流道，导流槽终端有终端孔，当所述上盘体和下盘体固定一体后，所述终端孔对应在所述环形沟槽的范围内。
2.根据权利要求1所述的带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘，其特征在于，所述上盘体内侧凸台的三个导流口均匀分布，将所述内侧凸台的圆周分成三个相等的圆弧。
3.根据权利要求1所述的带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘，其特征在于，所述导流槽盖板的端部设有端孔，端孔与所述导流槽的终端孔位置对应。
4.根据权利要求1所述的带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘，其特征在于，将所述媒介挡板焊接在所述上盘体上时，上盘体外侧凸台与媒介挡板不设媒介出口一侧的突起高度在一个平面上。
CN201510696552.5A 2015-10-22 2015-10-22 带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘 Pending CN106609364A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510696552.5A CN106609364A (zh) 2015-10-22 2015-10-22 带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510696552.5A CN106609364A (zh) 2015-10-22 2015-10-22 带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106609364A true CN106609364A (zh) 2017-05-03

Family

ID=58613802

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510696552.5A Pending CN106609364A (zh) 2015-10-22 2015-10-22 带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106609364A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114318304A (zh) * 2021-12-27 2022-04-12 拓荆科技股份有限公司 一种加热盘结构

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104835762A (zh) * 2015-04-27 2015-08-12 沈阳拓荆科技有限公司 一种窗花形表面结构的可控温加热盘
CN104878370A (zh) * 2015-05-29 2015-09-02 沈阳拓荆科技有限公司 一种分体式可控温加热盘结构
CN104911544A (zh) * 2015-06-25 2015-09-16 沈阳拓荆科技有限公司 控温盘
CN104928651A (zh) * 2015-04-27 2015-09-23 沈阳拓荆科技有限公司 一种温流室出气的可控温加热盘
CN104988472A (zh) * 2015-06-25 2015-10-21 沈阳拓荆科技有限公司 半导体镀膜设备控温系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104835762A (zh) * 2015-04-27 2015-08-12 沈阳拓荆科技有限公司 一种窗花形表面结构的可控温加热盘
CN104928651A (zh) * 2015-04-27 2015-09-23 沈阳拓荆科技有限公司 一种温流室出气的可控温加热盘
CN104878370A (zh) * 2015-05-29 2015-09-02 沈阳拓荆科技有限公司 一种分体式可控温加热盘结构
CN104911544A (zh) * 2015-06-25 2015-09-16 沈阳拓荆科技有限公司 控温盘
CN104988472A (zh) * 2015-06-25 2015-10-21 沈阳拓荆科技有限公司 半导体镀膜设备控温系统

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114318304A (zh) * 2021-12-27 2022-04-12 拓荆科技股份有限公司 一种加热盘结构
CN114318304B (zh) * 2021-12-27 2023-11-24 拓荆科技股份有限公司 一种加热盘结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10544508B2 (en) Controlling temperature in substrate processing systems
US20110180233A1 (en) Apparatus for controlling temperature uniformity of a showerhead
TWI658529B (zh) 提高溫度均勻性之基座加熱器局部溫度控制
US20130228323A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and method of changing substrate temperature setting region
CN104988472A (zh) 半导体镀膜设备控温系统
CN101903996A (zh) 用于控制衬底温度的方法和设备
CN104911544A (zh) 控温盘
US20110180243A1 (en) Apparatus for controlling temperature uniformity of a substrate
CN104878370A (zh) 一种分体式可控温加热盘结构
US20230113057A1 (en) Wafer Heater With Backside And Integrated Bevel Purge
CN105590880B (zh) 反应腔室
CN112466809A (zh) 半导体工艺设备及承载装置
TW201836056A (zh) 具有射頻隔離式加熱器的靜電吸盤
CN106609364A (zh) 带有循环媒介自动控温结构的薄膜沉积设备加热底盘
CN110556319B (zh) 加热器、半导体加工腔室及加工设备
CN109564845B (zh) 用于等离子体室的隔离栅网
CN105552014B (zh) 一种支撑装置以及等离子刻蚀设备
CN106611733B (zh) 一种多进口空腔加热支撑架
CN101345204B (zh) 被处理体的保持装置及其温度控制方法
CN106637132B (zh) 循环媒介自动控温、热传导气体传导温度的晶圆反应台
CN106609354A (zh) 一种半导体镀膜设备可控温基台
TWI725666B (zh) 電漿處理裝置及用於處理裝置的基片支座
CN111383885B (zh) 一种能提高控温精度的基片安装台及等离子体处理设备
CN108342691A (zh) 一种加热装置及一种真空镀膜系统
CN106653646A (zh) 一种冷热腔可控温加热支撑架

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170503

RJ01 Rejection of invention patent application after publication