CN106599974A - 一种电子标签的电源整流电路 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电子标签的电源整流电路，包括：控制电路、第一整流及电压调整电路、第二整流及电压调整电路、电源检测电路以及稳压电容；通过电源检测电路采集所述稳压电容的第一端的电压，根据所述稳压电容的第一端的电压向所述控制电路发送反馈信号；控制电路用于根据所述反馈信号、第一天线信号和第二天线信号控制所述第一整流及电压调整电路或所述第二整流及电压调整电路对所述稳压电容进行充电，通过电源检测电路控制稳压电容第一端的电压在芯片工作的所需范围内，电路结构简单并且减少芯片面积。

Description

一种电子标签的电源整流电路
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种电子标签的电源整流电路。
背景技术
电子标签又称射频标签、应答器、数据载体，电子标签是RFID(Radio FrequencyIdentification，射频识别)的俗称。通常与阅读器配合使用，用来实现能量的传递和数据交换。电子标签进入磁场后，接收解读器发出的射频信号，凭借感应电流所获得的能量发送出存储在芯片中的产品信息或者主动发送某一频率的信号。
电子标签主要包括芯片和天线。现有技术中，芯片中包括整流电路以及电压调整电路，整流电路接收天线的交流信号，对交流信号进行转化，并将输出电压传输给电压调整电路，电压调整电路根据芯片的工作电压范围对整流电路的输出电压进行调整，使用调整后的电压为芯片供电。
在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：现有的电路结构中，整流电路以及电压调整电路为独立的两部分电路，电路结构设计复杂，并且占用较大的芯片面积。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题是，如何提供一种电子标签的电源整流电路，能够简化电路结构进而减小芯片体积。
为解决以上技术问题，本发明在第一方面提供一种电子标签的电源整流电路，包括：控制电路、第一整流及电压调整电路、第二整流及电压调整电路、电源检测电路以及稳压电容；
所述控制电路的第一输入端用于接收第一天线信号，第二输入端用于接收第二天线信号，所述控制电路的第一输出端、第二输出端分别与所述第一整流及电压调整电路相连接；所述控制电路的第一输出端、第二输出端分别与所述第二整流及电压调整电路相连接；
所述第一整流及电压调整电路的输入端用于接收第一天线信号，所述第一整流及电压调整电路的控制端用于接收所述控制电路的第一输出端的第一输出信号；
所述第二整流及电压调整电路的输入端用于接收第二天线信号，所述第二整流及电压调整电路的控制端用于接收所述控制电路的第二输出端的第二输出信号；
所述稳压电容的第一端分别与所述第一整流及电压调整电路的输出端以及所述第二整流及电压调整电路的输出端相连接，所述稳压电容的第二端接地；
所述电源检测电路的输入端与所述稳压电容的第一端相连，用于采集所述稳压电容的第一端的电压，所述电源检测电路的输出端与所述控制电路的反馈端相连，用于根据所述稳压电容的第一端的电压向所述控制电路发送反馈信号；
所述控制电路用于根据所述反馈信号、第一天线信号和第二天线信号控制所述第一整流及电压调整电路或所述第二整流及电压调整电路对所述稳压电容进行充电；
其中，所述稳压电容的第一端的电压为所述电源整流电路的输出电压。
在一种可能的实现方式中，所述控制电路包括：第一非门、第二非门、第三非门、第四非门、第一与门以及第二与门；
所述第一非门用于接收第一天线信号，所述第二非门的输入端与所述第一非门的输出端相连接，所述第二与门的第一输入端与所述第二非门的输出端相连接；所述第二与门的输出信号为所述控制电路的第二输出端的第二输出信号；
所述第三非门用于接收第二天线信号，所述第四非门的输入端与所述第三非门的输出端相连接，所述第一与门的第一输入端与所述第四非门的输出端相连接；所述第一与门的输出信号为所述控制电路的第一输出端的第一输出信号。
在一种可能的实现方式中，所述第一整流及电压调整电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及第一电容；
所述第一晶体管输入端以及控制端用于接收第一天线信号，所述第一晶体管输出端分别与第一电容的第一端以及所述第二晶体管的输入端相连接；所述第二晶体管的控制端与所述控制电路的第一输出端相连接，所述第二晶体管的输出端与所述稳压电容的第一端相连接；
所述第一电容的第二端分别与所述第三晶体管输入端以及所述第四晶体管输入端相连接；所述第三晶体管输出端与所述稳压电容的第一端相连接；所述第三晶体管控制端与所述控制电路的第二输出端相连接；所述第四晶体管输出端接地，所述第四晶体管控制端与所述控制电路的第一输出端相连接。
在一种可能的实现方式中，所述第一整流及电压调整电路包括：第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管以及第二电容；
所述第五晶体管输入端以及控制端用于接收第二天线信号，所述第五晶体管输出端分别与第二电容的第一端以及所述第六晶体管的输入端相连接；所述第六晶体管的控制端与所述控制电路的第二输出端相连接，所述第六晶体管的输出端与所述稳压电容的第一端相连接；
所述第二电容的第二端分别与所述第七晶体管输入端以及所述第八晶体管输入端相连接；所述第七晶体管输出端与所述稳压电容的第一端相连接；所述第七晶体管控制端与所述控制电路的第一输出端相连接；所述第八晶体管输出端接地，所述第八晶体管控制端与所述控制电路的第二输出端相连接。
在一种可能的实现方式中，所述电源检测电路包括比较器、第一电阻和第二电阻；
所述第一电阻的一端与所述稳压电容的第一端相连，所述第一电阻另一端串接所述第二电阻后接地；
所述比较器第一输入端与所述第一电阻和所述第二电阻的公共端相连，所述比较器的第二输入端用于接收参考电压；所述比较器的输出端与所述控制电路的反馈端相连。
在一种可能的实现方式中，所述比较器的输出端与所述控制电路的反馈端相连，包括：所述比较器的输出端分别与所述第一与门的第二输入端以及所述第二与门的第二输入端相连接。
在一种可能的实现方式中，所述比较器为磁滞比较器。
在一种可能的实现方式中，包括：通过公式一计算所述电源整流电路的输出电压，所述公式一为：
其中，VDD为所述电源整流电路的输出电压，VREF为所述磁滞比较器的参考电压，VM-为向下翻转磁滞电压，VM+为向上翻转磁滞电压，R1为第一电阻的电阻值，R2为第二电阻的电阻值。
在一种可能的实现方式中，当所述晶体管为三极管时，晶体管的输入端、控制端、输出端依次对应三极管的集电极、基极、发射极。
在一种可能的实现方式中，当所述晶体管为场效应管时，晶体管的输入端、控制端、输出端依次对应场效应管的漏极、栅极、源极。
本发明提供的电子标签的电源整流电路，通过电源检测电路采集所述稳压电容的第一端的电压，根据所述稳压电容的第一端的电压向所述控制电路发送反馈信号。控制电路用于根据所述反馈信号、第一天线信号和第二天线信号控制所述第一整流及电压调整电路或所述第二整流及电压调整电路对所述稳压电容进行充电，通过电源检测电路控制稳压电容第一端的电压在芯片工作的所需范围内，电路结构简单并且减少芯片面积。
根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本发明的其它特征及方面将变得清楚。
附图说明
包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本发明的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本发明的原理。
图1示出本发明一实施例提供的电子标签的电源整流电路的结构示意图；
图2示出本发明另一实施例提供的电子标签的电源整流电路的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。
另外，为了更好的说明本发明，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本发明同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件未作详细描述，以便于凸显本发明的主旨。
实施例1
图1示出本发明一实施例提供的电子标签的电源整流电路的结构示意图，如图所示，该方法包括：控制电路10、第一整流及电压调整电路20、第二整流及电压调整电路30、电源检测电路40以及稳压电容50。
控制电路10的第一输入端用于接收第一天线信号ANT1，第二输入端用于接收第二天线信号ANT2，所述控制电路10的第一输出端、第二输出端分别与所述第一整流及电压调整电路20相连接；所述控制电路10的第一输出端、第二输出端分别与所述第二整流及电压调整电路30相连接。
第一整流及电压调整电路20的输入端用于接收第一天线信号ANT1，所述第一整流及电压调整电路20的控制端用于接收所述控制电路10的第一输出端的第一输出信号。
第二整流及电压调整电路30的输入端用于接收第二天线信号ANT2，所述第二整流及电压调整电路30的控制端用于接收所述控制电路10的第二输出端的第二输出信号。
稳压电容50的第一端分别与所述第一整流及电压调整电路20的输出端以及所述第二整流及电压调整电路30的输出端相连接，所述稳压电容50的第二端接地。
电源检测电路40的输入端与所述稳压电容50的第一端相连，用于采集所述稳压电容50的第一端的电压即输出电压VDD，所述电源检测电路40的输出端与所述控制电路10的反馈端相连，用于根据所述稳压电容50的第一端的电压向所述控制电路10发送反馈信号。
所述稳压电容的第一端的电压为所述电子标签的电源整流电路的输出电压。
控制电路10用于根据所述反馈信号、第一天线信号ANT1和第二天线信号ANT2控制所述第一整流及电压调整电路20或所述第二整流及电压调整电路30对所述稳压电容50进行充电。
其中，第一天线信号ANT1和第二天线信号ANT2不同时为高电平。具体的，第一天线信号ANT1和第二天线信号ANT2为电子标签接收到的电压信号，其具体可以为从读卡器耦合至电子标签的电压信号，即整流调整电路的两个输入端与电子标签天线的两端相连即可；此时电子标签耦合的信号为正弦波，即在半个周期内整流调整电路的第一输入端接收正向电压，在另半个周期内第二输入端接收正向电压。
VDD为电子标签的电源整流电路的输出电压，也就是为芯片提供的电压。
由此，本实施例提供的电子标签的电源整流电路，通过电源检测电路40采集所述稳压电容50的第一端的电压，根据所述稳压电容50的第一端的电压向所述控制电路10发送反馈信号。控制电路10用于根据所述反馈信号、第一天线信号ANT1和第二天线信号ANT2控制所述第一整流及电压调整电路20或所述第二整流及电压调整电路30对所述稳压电容50进行充电，通过电源检测电路控制稳压电容50第一端的电压在芯片工作的所需范围内，电路结构简单并且减少芯片面积。
实施例2
图2示出本发明另一实施例提供的电子标签的电源整流电路的结构示意图，本实施例在实施例一的基础上，进行进一步限定。
在一种可能的实现方式中，所述第一整流及电压调整电路20包括：第一晶体管M1a、第二晶体管M2a、第三晶体管M3a、第四晶体管M4a以及第一电容C1a。
具体地，第一晶体管M1a输入端以及控制端用于接收第一天线信号，所述第一晶体管M1a输出端分别与第一电容C1a的第一端以及所述第二晶体管M2a的输入端相连接；所述第二晶体管M2a的控制端与所述控制电路10的第一输出端相连接，所述第二晶体管M2a的输出端与所述稳压电容CL的第一端相连接。
第一电容C1a的第二端分别与所述第三晶体管M3a输入端以及所述第四晶体管M4a输入端相连接；所述第三晶体管M3a输出端与所述稳压电容CL的第一端相连接；所述第三晶体管M3a控制端与所述控制电路10的第二输出端相连接；所述第四晶体管M4a输出端接地，所述第四晶体管M4a控制端与所述控制电路10的第一输出端相连接。
在一种可能的实现方式中，所述第一整流及电压调整电路30包括：第五晶体管M1b、第六晶体管M2b、第七晶体管M3b、第八晶体管M4b以及第二电容C1b；
第五晶体管M1b输入端以及控制端用于接收第二天线信号ANT2，所述第五晶体管M1b输出端分别与第二电容C1b的第一端以及所述第六晶体管M2b的输入端相连接；所述第六晶体管M2b的控制端与所述控制电路10的第二输出端相连接，所述第六晶体管M2b的输出端与所述稳压电容CL的第一端相连接。
所述第二电容C1b的第二端分别与所述第七晶体管M3b输入端以及所述第八晶体管M4b输入端相连接；所述第七晶体管M3b输出端与所述稳压电容CL的第一端相连接；所述第七晶体管M3b控制端与所述控制电路10的第一输出端相连接；所述第八晶体管M4b输出端接地，所述第八晶体管M4b控制端与所述控制电路10的第二输出端相连接。
本发明实施例中，晶体管具体可以为三极管或场效应管。当晶体管为三极管时，晶体管的输入端、控制端、输出端依次为三极管的集电极、基极、发射极；当晶体管为场效应管时，晶体管的输入端、控制端、输出端依次为场效应管的漏极、栅极、源极。
由此，本实施例通过在整流及电压调整电路中使用DC-DC电路结构，可以增加输出效率。
在一种可能的实现方式中，所述控制电路10包括：第一非门N1、第二非门N2、第三非门N3、第四非门N4、第一与门A1以及第二与门A2；
具体地，第一非门N1用于接收第一天线信号，所述第二非门N2、的输入端与所述第一非门N1的输出端相连接，所述第二与门A2的第一输入端与所述第二非门N2的输出端相连接；所述第二与门A2的输出信号为所述控制电路的第二输出端的第二输出信号。
第三非门N3用于接收第二天线信号，所述第四非门N4的输入端与所述第三非门N3的输出端相连接，所述第一与门A1的第一输入端与所述第四非门N4的输出端相连接；所述第一与门A1的输出信号为所述控制电路的第一输出端的第一输出信号。
本发明通过第一天线信号ANT1以及第二天线信号ANT2通过两个非门，分别与第一与门A1以及第二与门A2相连接，可以将天线信号转换为较为标准的方波信号，避免天线信号中可能存在的误差。
在一种可能的实现方式中，电源检测电路40包括比较器COM、第一电阻R1和第二电阻R2；所述第一电阻R1的一端与所述稳压电容CL的第一端相连，所述第一电阻R1另一端串接所述第二电阻R2后接地。
比较器COM第一输入端与所述第一电阻R1和所述第二电阻R2的公共端相连，所述比较器COM的第二输入端用于接收参考电压；所述比较器COM的输出端与所述控制电路10的反馈端相连。
具体地，所述比较器COM的输出端与所述控制电路10的反馈端相连，包括：所述比较器COM的输出端分别与所述第一与门A1的第二输入端以及所述第二与门A2的第二输入端相连接。
其中，所述比较器COM可以为磁滞比较器。
电源检测电路中，第二电阻上的电压为稳压电容的分压，通过第二电阻的电压和参考电压VREF大小关系判断是否需要对电容CL充电。当第二电阻的电压小于参考电压VREF时，比较器输出高电平，对电容CL充电；当第二电阻的电压大于参考电压VREF时，比较器输出低电平，对电容CL放电。
其中，当时(R1和R2分别为第一电阻和第二电阻的阻值)，此时输出电压VDD过高，即电源检测电路输出反馈信号为低电平。当时，此时需要提高输出电压VDD，比较器输出高电平，由整流调整电路为CL充电。
具体地可以通过公式一计算所述VDD输出端电压的范围，所述公式一为：
其中，U为所述磁滞比较器的输出端电压，VREF为所述磁滞比较器的参考电压，VM-为向下翻转磁滞电压，VM+为向上翻转磁滞电压，R1为第一电阻的电阻值，R2为第二电阻的电阻值。
由此，可以通过设置比较器，当VDD大于充电阈值时停止对CL充电；当VDD小于放电阈值时对CL进行充电，将电路的输出电压VDD，控制在所需范围内，对输出电压更好的进行控制。
本实施例中，当比较器输出高电平时，电路的工作过程为：
若当ANT1为高电平，ANT2为低电平时，第一与门A1输出为低电平，第二与门A2输出为高电平。此时，M1a、M3a、M2b、M4b导通，CL、C1b并联，C1a串联并联后的CL以及C1b，ANT1通过M1a为C1a充电，C1b为CL充电。
若当ANT1为低电平，ANT2为高电平时，第一与门A1输出为高电平，第二与门A2输出为低电平。此时，M2a、M4a、M1b、M3b导通，CL、C1a并联，C1b串联并联后的CL以及C1a，ANT2通过M1b为C1b充电，C1a为CL充电。
本发明实施例中，整流调整电路将天线能量通过电容充放电的形式转移到VDD端稳压电容CL上，该电路利用天线电压信号ANT1和ANT2控制天线对C1a和C1b的充电和放电。若芯片射频信号频率为Fs时，电容搬移电荷的频率为2*Fs，电路的最大带负载能力为：
Imax＝2*Fs*C1*(Vant-Vth-2VDD) (2)
其中，C1为第一电容C1a或第二电容C1b的电容值，此处以C1a和C1b的电容值相同为例；Vant为天线电压，Vth为开启电压或阈值电压，本实施例中为M1a或M1b的开启电压。
对于同一场强和标签线圈环境，标签所能获得的功率固定。整流及电压调整电路上的损耗是导致效率下降的主要原因。设整流及电压调整电路上的压降为ΔV，假设流过相同的电流，整流效率为：
该结构中通过提高标签天线电压的方法提高整流电路效率，对于同样的ΔV，Vant越高，标签的整流效率越高。本实施例提供的电路可以将Vant电压提高到大于2VDD，以提高整流效率。
由此，本实施例提供的电子标签的电源整流电路，通过控制电路、第一整流及电压调整电路、第二整流及电压调整电路、电源检测电路以及稳压电容，将整流以及电压调整设置在一个电路中，不需要单独设置两个电路，减小体积，另外，在电源检测电路的控制下对稳压电容进行充电，使稳压电容第一端的电压VDD在所需范围内；在整流电路中使用DC-DC结构，提高了电路在低场强下的整流效率；芯片面积小，电路对C1电容要求较小，省去了大量高压稳压电容面积；工艺依赖性小，电路特性由电容的比例和开关的导通电阻决定，对工艺的要求低；电路集中了高频电子标签的整流和电压调整电路及稳压电容，结构简单，可保证标签整流输出电源稳定、负载响应快。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。

Claims (10)

1.一种电子标签的电源整流电路，其特征在于，包括：控制电路、第一整流及电压调整电路、第二整流及电压调整电路、电源检测电路以及稳压电容；
所述控制电路的第一输入端用于接收第一天线信号，第二输入端用于接收第二天线信号，所述控制电路的第一输出端、第二输出端分别与所述第一整流及电压调整电路相连接；所述控制电路的第一输出端、第二输出端分别与所述第二整流及电压调整电路相连接；
所述第一整流及电压调整电路的输入端用于接收第一天线信号，所述第一整流及电压调整电路的控制端用于接收所述控制电路的第一输出端的第一输出信号；
所述第二整流及电压调整电路的输入端用于接收第二天线信号，所述第二整流及电压调整电路的控制端用于接收所述控制电路的第二输出端的第二输出信号；
所述稳压电容的第一端分别与所述第一整流及电压调整电路的输出端以及所述第二整流及电压调整电路的输出端相连接，所述稳压电容的第二端接地；
所述电源检测电路的输入端与所述稳压电容的第一端相连，用于采集所述稳压电容的第一端的电压，所述电源检测电路的输出端与所述控制电路的反馈端相连，用于根据所述稳压电容的第一端的电压向所述控制电路发送反馈信号；
所述控制电路用于根据所述反馈信号、第一天线信号和第二天线信号控制所述第一整流及电压调整电路或所述第二整流及电压调整电路对所述稳压电容进行充电；
其中，所述稳压电容的第一端的电压为所述电源整流电路的输出电压。
2.根据权利要求1所述的电源整流电路，其特征在于，所述控制电路包括：
第一非门、第二非门、第三非门、第四非门、第一与门以及第二与门；
所述第一非门用于接收第一天线信号，所述第二非门的输入端与所述第一非门的输出端相连接，所述第二与门的第一输入端与所述第二非门的输出端相连接；所述第二与门的输出信号为所述控制电路的第二输出端的第二输出信号；
所述第三非门用于接收第二天线信号，所述第四非门的输入端与所述第三非门的输出端相连接，所述第一与门的第一输入端与所述第四非门的输出端相连接；所述第一与门的输出信号为所述控制电路的第一输出端的第一输出信号。
3.根据权利要求1所述的电源整流电路，其特征在于，所述第一整流及电压调整电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及第一电容；
所述第一晶体管输入端以及控制端用于接收第一天线信号，所述第一晶体管输出端分别与第一电容的第一端以及所述第二晶体管的输入端相连接；所述第二晶体管的控制端与所述控制电路的第一输出端相连接，所述第二晶体管的输出端与所述稳压电容的第一端相连接；
所述第一电容的第二端分别与所述第三晶体管输入端以及所述第四晶体管输入端相连接；所述第三晶体管输出端与所述稳压电容的第一端相连接；所述第三晶体管控制端与所述控制电路的第二输出端相连接；所述第四晶体管输出端接地，所述第四晶体管控制端与所述控制电路的第一输出端相连接。
4.根据权利要求1所述的电源整流电路，其特征在于，所述第一整流及电压调整电路包括：第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管以及第二电容；
所述第五晶体管输入端以及控制端用于接收第二天线信号，所述第五晶体管输出端分别与第二电容的第一端以及所述第六晶体管的输入端相连接；所述第六晶体管的控制端与所述控制电路的第二输出端相连接，所述第六晶体管的输出端与所述稳压电容的第一端相连接；
所述第二电容的第二端分别与所述第七晶体管输入端以及所述第八晶体管输入端相连接；所述第七晶体管输出端与所述稳压电容的第一端相连接；所述第七晶体管控制端与所述控制电路的第一输出端相连接；所述第八晶体管输出端接地，所述第八晶体管控制端与所述控制电路的第二输出端相连接。
5.根据权利要求2所述的电源整流电路，其特征在于，所述电源检测电路包括比较器、第一电阻和第二电阻；
所述第一电阻的一端与所述稳压电容的第一端相连，所述第一电阻另一端串接所述第二电阻后接地；
所述比较器第一输入端与所述第一电阻和所述第二电阻的公共端相连，所述比较器的第二输入端用于接收参考电压；所述比较器的输出端与所述控制电路的反馈端相连。
6.根据权利要求5所述的电源整流电路，其特征在于，所述比较器的输出端与所述控制电路的反馈端相连，包括：
所述比较器的输出端分别与所述第一与门的第二输入端以及所述第二与门的第二输入端相连接。
7.根据权利要求6所述的电源整流电路，其特征在于，所述比较器为磁滞比较器。
8.根据权利要求7所述的电源整流电路，其特征在于，包括：
通过公式一计算所述电源整流电路的输出电压，所述公式一为：
( V R E F - VM - ) * R 1 + R 2 R 2 < V D D < ( V R E F + VM + ) * R 1 + R 2 R 2
其中，VDD为所述电源整流电路的输出电压，VREF为所述磁滞比较器的参考电压，VM-为向下翻转磁滞电压，VM+为向上翻转磁滞电压，R1为第一电阻的电阻值，R2为第二电阻的电阻值。
9.根据权利要求3或4所述的电源整流电路，其特征在于，
当所述晶体管为三极管时，所述晶体管的输入端、控制端、输出端依次对应三极管的集电极、基极、发射极。
10.根据权利要求3或4所述的电源整流电路，其特征在于，
当所述晶体管为场效应管时，所述晶体管的输入端、控制端、输出端依次对应场效应管的漏极、栅极、源极。
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