CN106575065A - 利用加热的离子写入单元 - Google Patents

Abstract

一种离子写入单元包括：壳体、电极组件以及加热机构。所述壳体包括至少部分地容纳离子生成器的腔室。所述电极组件包括电极喷嘴阵列，所述电极喷嘴阵列位于所述壳体的一个暴露的外表面上并且被对准用以接收和引导所产生的离子。所述加热机构把热施加到所述腔室和至少一部分电极喷嘴阵列中的至少一个。

Description

利用加热的离子写入单元

背景

电子纸(“e纸”)是一种设计成用于在普通纸上再现墨水外观的显示技术。e纸的一些示例像普通纸一样反射光，并且可能能够显示文本和图像。某种e纸被实现为柔性的薄片，像纸一样。一种熟悉的e纸实现方式包括电子读取器。

附图说明

图1是示意性地示出根据本公开的一个示例的用于对无源e纸成像的离子写入单元的框图。

图2是示意性地示出根据本公开的一个示例的利用空气流控制的离子写入单元的框图。

图3是示意性地示出根据本公开的一个示例的利用热控制的离子写入单元的框图。

图4是示意性地示出根据本公开的一个示例的利用流量控制的离子写入单元的框图。

图5是示意性地示出根据本公开的一个示例的利用多个腐蚀控制形式(modality)的离子写入单元的框图。

图6是示意性地示出根据本公开的一个示例的离子生成器的框图。

图7是包括示意性地示出根据本公开的一个示例的离子写入单元的侧视图的示意图。

图8是包括示出根据本公开的一个示例的用于成像e纸的可寻址离子写入单元的侧视图的示意图。

图9A是示出根据本公开的一个示例的在“开”状态中离子写入单元的操作的示意图。

图9B是示出根据本公开的一个示例的在“关”状态中离子写入单元的操作的示意图。

图10A是包括根据本公开的一个示例的沿着图10B中的线10A--10A截取的电极阵列的截面图的示意图。

图10B是包括示意性地示出根据本公开的一个示例的具有在电介质材料层上的第一层中形成的喷嘴的各个电极的平面示图的示意图。

图11A是包括沿着图11B中的线11A-11A截取并且示意性地示出根据本公开的一个示例的离子写入单元的截面图的示意图。

图11B是包括示意性地示出根据本公开的一个示例的离子写入单元的侧视图的示意图。

图11C是包括示意性地示出根据本公开的一个示例的离子写入单元的端视图的示意图。

图12A是包括示意性地示出根据本公开的一个示例的包括空气流控制的离子写入单元的截面图的示意图。

图12B是包括根据本公开的一个示例的具有空气流控制的离子写入单元的部分截面图的示意图。

图12C是示意性地示出根据本公开的一个示例的一种制造包括空气流控制的离子写入单元的方法的流程图。

图12D是示意性地示出根据本公开的一个示例的具有空气流控制的离子写入单元的示意图。

图13A是示意性地示出根据本公开的一个示例的包括热控制机构的离子写入单元的示意图。

图13B是包括示意性地示出根据本公开的一个示例的包括在壳体的外部上的加热元件的离子写入单元的侧视图的示意图。

图13C是包括示意性地示出根据本公开的一个示例的包括在壳体之内的加热元件的离子写入单元的侧视图的示意图。

图14A是包括示意性地示出根据本公开的一个示例的包括在壳体的外部的电极阵列上的加热元件的离子写入单元的侧视图的示意图。

图14B是包括根据本公开的一个示例的沿着图14C中的线14A-14A所截取的、包括加热元件的电极阵列的截面图的示意图。

图14C是包括示意性地示出根据本公开的一个示例的具有在电介质材料层上的第一层中形成的喷嘴的各个电极且加热元件延伸跨过各个电极的部分的平面示图的示意图。

图15A是包括示意性地示出根据本公开的一个示例的包括并入到电极阵列的加热元件的离子写入单元的侧视图的示意图。

图15B是包括根据本公开的一个示例的图15A的放大的局部截面图的示意图。

图15C是包括根据本公开的一个示例的包括形成一个电极层的一部分的加热元件的电极阵列的截面图的示意图。

图16是示意性地示出根据本公开的一个示例的一种制造包括热控制的离子写入单元的方法的流程图。

图17是示意性地示出根据本公开的一个示例的用于图像写入单元的控制部分的框图。

图18A是示意性地示出根据本公开的一个示例的包括离子生成控制模块的流量控制管理器的框图。

图18B是示意性地示出根据本公开的一个示例的包括电极喷嘴控制模块的流量控制管理器的框图。

图18C是示意性地示出根据本公开的一个示例的在第一状态或第二状态中正被操作的离子写入单元的电极喷嘴的图案的示意图。

图19是示意性地示出根据本公开的一个示例的一种制造包括流量控制的离子写入单元的方法的流程图。

详细说明

在下面的详细描述中，参考形成本描述的一部分的附图，并且其中通过说明的方式示出了可以实践本公开的特定示例。应当理解：在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其他示例并且可以进行结构或逻辑改变。因此，下面的详细描述不要从限制的意义上去理解。

本公开的至少一些示例涉及向离子写入单元提供耐腐蚀，离子写入单元被用于非接触地施加电荷(例如离子)到间隔开的无源e纸介质上。在一些示例中，离子写入单元包括电荷生成器和电极阵列，一些示例包括充当电荷生成器的电晕线。电极阵列包括延伸通过电介质材料的喷嘴，其中，所述喷嘴可被单独寻址以分开地控制来自电荷生成器的电荷。在一个方面，通过控制电极阵列的喷嘴的开/关状态，喷嘴充当阻挡或允许电荷穿过喷嘴的闸门。

一般而言，在一些示例中，对电极阵列的腐蚀保护通过旨在减少或消除水分和/或旨在防止携带水分的离子的迁移的至少一种形式来实现。特别地，当无源e纸在经由离子写入单元的写入操作期间(或正好之前，或正好之后)被电偏置，产生二次离子，二次离子具有与从电晕线产生的一次离子相反的电荷。随着这些二次离子朝着离子写单元的被暴露的电极阵列迁移，这些二次离子携带可获得的水分。因此，在本公开的一些示例中，经由消除水分和/或防止二次离子向离子写入单元的电极阵列迁移来实现腐蚀保护。通过这样做，所述电极阵列和/或电晕线的寿命被显著增加。

在一些示例中，对离子写入单元的腐蚀保护通过空气流控制机构来提供，空气流控制机构在电极阵列上和/或在电荷生成器(即离子生成器)被容纳在其中的腔室之内提供空气流。在一些示例中，空气流也使在离子生成器上的枝状生长(dendritic growth)最小化，从而有助于离子生成器的寿命和性能。

在一些示例中，对离子写入单元的腐蚀保护通过热控制机构来提供，所述热控制机构提供热给电极阵列和/或在电荷生成器被容纳在其中的腔室之内提供热。

在一些示例中，腐蚀保护经由流量控制机构来提供，流量控制机构控制来自离子写入单元的离子的流速，以确保至少低流速的离子正被发出以防止二次离子朝向电极阵列迁移/二次离子迁移到电极阵列上。

在一些示例中，经由空气流、热和/或流量控制的某种组合来实现腐蚀保护。

这些示例和附加示例在本公开全文并与至少图1-19关联地加以描述。

图1是示意性地示出根据本公开的一个示例的用于在无源e纸14上引起图像形成的离子写入单元12的框图。如图1中所示，在这种图像形成期间，离子写入单元12和无源e纸14能够按照方向箭头Y所表示的相对于彼此运动。在一个方面，所述离子写入单元将空气传播的电荷(例如带电离子)以有向图案导向到无源e纸的成像表面上，无源e纸通过基于在成像表面上接收的电荷的位置切换着色颗粒来作出响应。在一个方面，在e纸介质可被重写并且e纸介质在写入过程期间和/或在写入完成之后保持图像而不用被连接到活动电源的意义上来讲，e纸介质是无源的。在另一个方面，e纸介质缺乏内部电路和不具有内部电源。

在至少一些示例中，e纸介质包括电荷响应层，电荷响应层包括这样的部件，当场或电荷被施加到电荷响应层时，所述部件切换颜色。在一些示例中，e纸包括电荷响应层和导电层，所述导电层充当e纸的一侧上的反电极。在一些示例中，电荷响应层之内的颜色切换部件包括颜料/染料元件，颜料/染料元件被包含在以树脂/聚合物材料存在的微胶囊中。在一些示例中，附加功能性涂层被包含在电荷响应层的顶部上。

在一些示例中，电极阵列包括可单独寻址的喷嘴的二维阵列，所述喷嘴用以提供电荷的高速导向，而各个喷嘴被策略地图案化(例如，位置和间隔)，以在成像基底(例如e-纸介质)上防止否则会妨碍高质量成像的不想要的电荷沉积图案。关于这些结构的进一步细节稍后与至少图7-9B相关联地描述。

本公开的至少一些示例涉及减少或消除离子写入单元12的喷嘴上的腐蚀。图2-5提供对用于减少或消除这种腐蚀的若干形式的介绍，而图11A-19提供关于这种形式更大量的细节。

图2是示意性地示出根据本公开的一个示例的包括空气流控制机构的离子写入单元的框图。如图2中所示，离子写入组件20包括离子写入单元21和空气流控制机构40。离子写入单元21包括：包含并至少部分包围离子生成器24的壳体22。电极阵列30位于壳体22的一个外部部分26。电极阵列30包括离子通过喷嘴32的阵列，离子通过喷嘴32被选择性激活以便开或者关，开着的喷嘴允许离子从其通过，并且关着的喷嘴阻挡离子通过，如稍后与至少图7-9B相关联地进一步描述的。离子生成器24定位在壳体22内以与电极阵列30间隔开并且与限定壳体22的壁间隔开。

如图2中进一步所示，空气流控制机构40包括第一空气流路径42和第二空气流路径43中的至少一个。在一些示例中，第一空气流路径42导向空气流进入壳体22的内部以在至少在离子生成器24附近行进或者经过离子生成器24。在一些示例中，第二空气流路径43导向空气流跨过电极阵列30的外表面上的喷嘴32。在一些示例中，空气流控制机构40包括处理元件，用以干燥和/或过滤空气，如稍后与至少图12A-12E相关联地进一步描述的。

在一个方面，经由空气流机构40所产生的空气流减少壳体22内的水分，从而使壳体22之内的至少导电元件和/或邻近的导电元件(诸如朝内面向壳体22内部的电极阵列30的任何暴露部分)的腐蚀最小化了。

通过减少这种潜在的腐蚀，空气流控制机构40增加电极阵列30和任何相关的导电元件的寿命，从而延长了离子写入组件20的使用寿命。此外，在离子生成器24包括电晕线的示例中，壳体22之内的空气流抑制电晕线上的枝状生长，从而增加电晕线的寿命和性能。关于空气流控制机构的至少一些示例的进一步细节稍后与至少图12A-12E相关联地描述。

图3是示意性地示出根据本公开的一个示例的包括热控制机构60的离子写入组件50的框图。在一些示例中，所述离子写入组件50包括与离子写入组件20(图2)基本相同的特征和属性，除了包括热控制机构60而不是图2的空气流控制机构40之外。

如图3中所示，热控制机构60包括第一加热位置62和第二加热位置64中的至少一个。在一些示例中，第一加热位置62引发对作为一个整体的壳体22的加热或对壳体22的部分加热。在一些示例中，第一加热位置62引发对壳体22的内部之内的其它部件的加热。与此同时，在一些示例中，第二加热位置64引发对电极阵列30的至少一些部分的加热。

通过在第一和/或第二加热位置62，64产生的热，所述热控制机构60减少壳体22内的水分，从而使壳体22之内的至少导电元件和/或邻近的导电元件(诸如电极阵列30的任何暴露部分)的腐蚀最小化了。

通过减少这种潜在的腐蚀，热控制机构60增加了电极阵列30和任何相关导电元件的寿命，从而延长了离子写入组件50的使用寿命。关于热控制机构的一些示例的进一步细节稍后与至少图13A-15C相关联地描述。

图4是示意性地示出根据本公开的一个示例的具有流量控制机构80的离子写入组件70的框图。在一些示例中，所述离子写入组件70包括与离子写入组件20(图2)基本上相同的特征和属性，除了包括流量控制机构80而不是图2的空气流控制机构40之外。

一般来说，每当在接收到来自离子写入单元101的离子时无源e纸被电偏置以形成图像时，流量控制机构80确保来自离子写入单元101的离子有规律的流动。所述离子中和否则会倾向于携带水分朝向和到电极阵列30上的二次离子(二次离子在无源成像过程期间产生并且具有与生成的一次离子相反的电荷)，从而减少或消除电极阵列30的腐蚀。在一个方面中，正常写入过程(正常写入过程将离子朝向无源e纸导向)提供这种类型的腐蚀保护。然而，当活动成像操作没有正发生着但无源e纸仍然为了成像而被电偏置之时，这种腐蚀就能够发生。在这种情况下，流量控制机构80指示离子写入组件70按照以下速率朝向无源e纸发出离子，所述速率要高到足以压制“携带水分的”二次离子朝向电极阵列30迁移，但是所述速率还要低到足以避免引发无源e纸的成像。

如图4中所示，流量控制机构80包括第一流量控制82和第二流量控制84中的至少一个。第一流量控制82通过控制离子生成器24的操作方面来产生所需维持的离子流速。与此同时，第二流量控制84通过控制电极阵列30的操作方面而产生所需维持的离子流速。在一些示例中，让第一和第二流量控制82，84这二者都参与来提供腐蚀保护。

经由第一和/或第二流量控制82，84，流量控制机构80防止水分被携带到电极阵列30，从而使电极阵列30以及壳体22内的任何暴露的导电元件的腐蚀最小化。

通过减少这种潜在的腐蚀，所述流量控制机构80增加了电极阵列30和任何相关的导电元件的寿命，从而延长了离子写入组件70的使用寿命。关于流量控制机构的一些示例的进一步细节稍后与至少图18A-19相关联地描述。

图5是示意性地示出根据本公开的一个示例的包括多个腐蚀保护形式的组合110的离子写入组件100的框图。在一些示例中，所述离子写入组件100包括与离子写入组件20(图2)基本上相同的特征和属性，除了包括选自空气流控制机构40、热控制机构60和流量控制机制80的组的多于一种的腐蚀保护形式之外。

在一些示例中，空气流控制机构40的空气流路径42与热机构的热控制64结合地操作。在一些示例性中，流量控制机构80与空气流控制机构40或热控制机构60结合地操作。当然，其他组合能够被实现。在一些示例中，所有三种腐蚀保护形式(例如空气流、热、和流量控制)的各方面都在一个离子写入组件中实现。

通过防止或最小化离子写入单元的电极阵列的潜在腐蚀，腐蚀保护形式的组合增加了电极阵列30和任何相关的导电元件的寿命，从而延长了离子写入组件100的使用寿命。

图6是示意性地示出根据本公开的一个示例的离子生成器的框图。如图6中所示，离子生成器112包括电晕线114。在一些示例中，所述离子生成器112能够用作前面与图1-5相关联地描述的任何一个示例的离子生成器24。关于包括电晕线的离子生成器的至少一个示例的进一步细节稍后与至少图7-9B相关联地描述。

图7是示意性地示出在本公开的一个示例中的离子写入单元120的示意图，离子写入单元120能够被使用来写入标记材料(诸如e纸)。在一个示例中，离子写入单元120对应于与至少图6关联地描述的离子生成器112。离子写入单元120包括产生电荷的装置122和电极栅格阵列124。如本文所使用的术语“电荷”是指离子(+/-)或自由电子，并且在图7中装置122产生正电荷126。电极阵列124被保持成与装置122间隔开距离D1的关系。在一些示例中，装置122是产生电晕的装置(诸如直径小于100微米并且在它的产生电晕的电势以上操作的细线)。在一些示例中，虽然没有在图7中示出，装置122生成在现有的电场下移动的负电荷。

在一些示例中，电极阵列124包括电介质膜128、第一电极层132和第二电极层130。电介质膜128具有第一侧134和第二侧136，第二侧136与第一侧134相对。电介质膜128有孔138A和138B，孔138A和138B通过电介质膜128从第一侧134延伸至第二侧136，各个孔充当喷嘴。在一些示例中，孔138A和138B中的每一个都能被单独寻址来分开地控制电子流动通过孔138A和138B的每一个。

第一电极层132位于电介质膜128的第一侧136上，第二电极层130位于电介质膜128的第二侧134上，从而电介质膜128被夹在分别的两个层132、134之间。在一些示例中，第二电极层130是总体上连续的电极材料并且围绕孔138A和138B的周缘而形成以包围第二侧134上的孔138A和138B。第一电极层132被形成为分离的电极132A和132B，其中围绕孔138A的周缘形成电极132A以包围第一侧136上的孔138A，并且围绕孔138B的周缘形成电极132B以包围第一侧136上的孔138B。

在操作中，第一电极层132和第二电极层130之间的电势控制来自装置122的电荷126流动通过电介质膜128中的孔138。在一些示例中，电极132A比第二电极层130处于更高的电势，并且正电荷126被阻碍或阻挡流过孔138A。在一些示例中，电极132B比第二电极层130处于更低的电势，并且正电荷126流动通过孔138B到达集电器(未示出)。

图8是示意性地示出在本公开的一个示例中的离子写入单元151的示意图，离子写入单元151包括可寻址电晕，离子写入单元150用于使e纸152成像。离子写入单元150使用正或负电荷来使e纸152上的数字介质成像。e纸152是双稳态的，从而跨过e纸152吸收光和反射状态的集合保持不变，直到向e纸152施加了充足的电荷或电场。在一些示例中，e纸152是无源e纸，无源e纸不包括用于改变e纸的状态的电子器件。

一般来讲，离子写入单元150被保持成与e纸152间隔开距离D2的关系。特别地，如图8中进一步所示，在一些示例中，离子写入单元151包括支撑体190来(至少在离子写入单元150与e纸152之间的相对运动期间)可释放地支持e纸152，以使e纸152能够定位e纸152以接收被导向通过离子写入单元150的孔180A和180B的电荷。在一个方面，支撑体190被布置成作为定位机构的一部分，所述定位机构控制离子写入单元150和支撑体190之间按照经由方向箭头Y所表示的相对运动。在另一个方面，支撑体190的顶表面191被与电极阵列的底表面(即孔180A，180B的位置)间隔开距离D2。

在一些示例中，e纸152包括电荷响应层154和反电极层156。电荷响应层154包括带电颜色部件，当电荷158被施加到e纸152的成像表面160时，带电颜色部件切换颜色。反电极层156是固定到电荷响应层154的导电层，并且是e纸152的非成像表面162，非成像表面162与e纸152的成像表面160相对。在一些示例中，附加涂层被包括在电荷响应层154上，并且这个附加涂层包括e纸152的成像表面160。在一些示例中，电荷响应层154的颜色可切换部件包括颜料/染料元件，树脂或聚合物封装的微胶囊包含电荷响应层154的颜色可切换部件。进一步参考图8中，在一些示例中，离子写入单元150包括生成电荷的生成电晕的装置166(诸如电晕线)和非生成电荷的可寻址电极栅格阵列168。在图8中，生成电晕的装置166生成正电荷158，然而，在一些示例中，生成电晕的装置166能够产生正电荷或负电荷。非生成电荷的可寻址电极阵列168被保持成与生成电晕的装置166间隔开距离D1的关系。在一些例子中，生成电晕的装置166是直径小于100微米并且在它的生成电晕的电势以上(诸如3千伏以上)操作的细线。在一些例子中，生成电晕的装置166是细线，例如涂覆有金的直径70微米的钨丝。

非生成电荷的可寻址电极阵列168沿着生成电晕的装置166的长度提供空间变化的电势，以选择性地阻挡或允许电荷158穿过可寻址电极阵列168。可寻址电极阵列168提供电荷158在e纸152上的时间和空间控制。

电极阵列168包括电介质膜170、第一电极层174和第二电极层172。电介质膜170具有第一侧178和第二侧176，第二侧176与第一侧面178相对。电介质膜70具有孔180A和180B，孔180A和180通过电介质膜170从第一侧178延伸到第二侧176，其中孔充当喷嘴。每个孔180A和180B都可被单独寻址以分开地控制电子通过孔180A和180B的每一个的流动。

第一电极层172位于电介质膜70的第一侧178上，第二电极层174位于电介质膜70的第二侧176上。第二电极层174围绕孔180A和180B的周缘而形成以包围第二侧176上的孔180A和180B。第一电极层172被形成为分离的电极174A和174B，其中围绕孔180A的周缘形成电极174A以包围第一侧178上的孔180A，并且围绕孔180B的周缘形成电极174B以包围第一侧178上的孔180B。

在操作中，离子写入单元150的可寻址电晕生成器166生成电荷158，电荷158朝向可寻址电极阵列168的喷嘴漂移并通过可寻址电极阵列168的喷嘴，然后行进穿过空气以沉积到e纸152上来选择性地切换e纸152中的颜料/染料的光学状态。e纸152的成像表面160与导电反电极156相对，并且连接到反电极156的接地返回路径提供了供反电荷流到反电极156的路径，这使e纸152保持基本上电荷中性，而不管成像表面160上的电荷158是怎样的。在一些示例中，反电极156处于接地。在一些示例中，反电极156处于用以提供适合于从生成电晕的装置166提取电荷158的场的任何合适的参考电势。

第一电极层172和第二电极层174之间的电势控制来自生成电晕的装置166的电荷158流动通过电介质膜170中的孔180A，180B。在一些示例中，电极174A比第二电极层174处于更高的电势，并且正电荷158被阻碍或阻挡流过孔180A。然而，在一些示例中，电极174B比第二电极层174处于更低的电势，并且正电荷158流动通过孔180B到达e纸152。

图9A和图9B是包括示意性示出根据本公开的一个示例的离子写入单元200的操作的侧视图的示意图，离子写入单元200包括可寻址电晕离子写入单元202和e纸204。在一个示例中，离子写入单元200对应于与至少图6相关联地描述的离子生成器112。离子写入单元202被保持成与e纸204间隔开距离D2的关系，e纸204和离子写入单元202被布置成彼此相对运动，从而离子写入单元202引发在e纸104上的图像形成。尽管在图9A，9B中未示出，但是应当理解：在一些示例中，e纸204被支撑体190可释放地支持，这与在图2中一样，支撑体190维持间隔开距离D2。在一些示例中，距离D2为0.5毫米。

采用这样的布置，离子写入单元202控制正电荷到e纸204上的时间和空间转移，以在e纸204上提供数字介质图像。e纸204是双稳态的，从而e纸204保持图像，直到施加充足的电荷或电场来擦除所述图像。在一些示例中，e纸204是无源e纸，无源e纸不包括用于改变e纸状态的电子器件。

应该理解的是：虽然图9A，9B示出了仅仅一个孔240(即喷嘴)，但是这些图都表示具有许多这样的孔的电极阵列的操作，每个孔在“开”或“关”状态下都能够被单独控制。

在一些示例中，e纸204包括功能性涂层206、电荷响应层208和反电极层210。功能性涂层206位于电荷响应层208的一侧上并且包括成像表面212。在一些示例中，当电荷被施加到成像表面212时，电荷响应层208之内的带电部件切换颜色。反电极层210是电荷响应层208的另一侧上的导电层，与功能性涂层206相对。在一个方面中，反电极层210是e纸204的非成像表面，e纸204的非成像表面与成像表面212相对。

在一些示例中，电荷响应层208包括胶囊214，胶囊214包含在电介质油中分散的带电颜色颗粒(例如颜料或染料)。这种分散的带电颜色颗粒包括黑色或深色的光吸收颗粒216和白色的光反射颗粒218。树脂或聚合物粘合剂220封装电荷响应层208的颜料胶囊214。在一些示例中，在正电荷被置于成像表面212之后，黑色颗粒216朝向功能性涂层206漂移和白色颗粒218朝向反电极层210漂移。在一些示例中，在正电荷被置于成像表面212之后，白色颗粒218朝向功能性涂层206漂移和黑色颗粒216朝向反电极层210漂移。应当理解的是：一个代替的范例能够被利用，其中在正电荷被置于成像表面212之后，黑色颗粒216朝向电极层210漂移和白色颗粒218朝向功能性涂层206漂移。

在一些示例中，可寻址离子写入单元202生成正电荷，所述正电荷被选择性地施加到成像表面212以在e纸204上对数字介质图像成像。连接到反电极层210的接地返回路径提供用于反电荷流向反电极层210的路径，这使e纸204保持基本上电荷中性的，而不管放置在成像表面212上的正电荷是怎样的。反电极层210处于用以提供从可寻址电晕离子写入单元202提取正电荷的适当场的任何合适的参考电势。

在一些示例中，离子写入单元202包括：电晕线222、可寻址电极栅格阵列224和壳体226。电极阵列224被保持成与电晕线222间隔开距离D1的关系，并且电晕线222工作在3000-5000伏，以产生正电荷228。在一些示例中，电晕线222的直径是70微米。在一些示例中，电晕线222是涂覆有金的钨丝。在一些示例中，距离D1为1.5毫米。

电极阵列224沿着电晕线222的长度提供在时间上和空间上变化的电势，以选择性地阻止或允许电荷228行进穿过电极阵列224并到e纸204上。

在一些示例中，可寻址电极阵列224包括电介质材料230、第一电极层234和第二电极层232。电介质材料230具有T1的厚度并且具有第一侧238和相对的第二侧236。电介质材料230具有孔或喷嘴240，孔或喷嘴240通过电介质材料230从第一侧238延伸到第二侧236。在一些示例中，厚度T1为50微米。

第一电极层234位于第一侧238上，第二电极层232位于第二侧236上。第一电极层234围绕孔240的周缘而形成以包围第一侧238上的孔240，并且第二电极层232围绕第二侧236上的孔240的周缘而形成。

图9A为示意性地示出在本公开的一个示例中的处于“开”状态中的离子写入单元202的操作的示意图，其中正电荷228被从离子写入单元202转移到成像表面212，成像表面212有时被称为集电极。在一些示例中，电晕线222被保持在3000-8000伏(用V1表示)，以产生正电荷228，并且壳体226被保持在0伏(接地)。第二电极层232被保持在处于V1和V2之间的范围中的中间电势(用V3表示)。在一些示例中，V3被计算为V3＝V2+α(V2-V1)，其中α是0和1之间的数，所述数表示V1和V2之间的总ΔV的分数，范围从0.65到0.75的α的典型值取决于几何形状并且引发正电荷228从电晕线222漂移到电极阵列224和第二电极层232。第一电极层234被切换到相对于第二电极的负电势(用V4表示)并被保持在相对于第二电极的负电势(用V4表示)，并且正电荷228穿过被第二电极层232和第一电极层234之间的电场偏置的电介质材料230中的孔240。

在一个方面，e纸204被利用e纸204的集电极电偏置，e纸204的集电极被保持在处于500-4000伏的范围内的负电势(由V2表示)，这拉过来正电荷228，正电荷228穿过孔24到达成像表面212。成像表面212上的正电荷228朝向成像表面212偏置颗粒(诸如黑色颗粒216)以在e纸图像204上提供数字介质图像。在一些示例中，负电荷被使用来偏置适当地着色的颗粒。

图9B为图示在本公开的一些示例中的处于“关”状态中的离子写入单元202的操作的示意图，其中来自离子写入单元202的正电荷228被电极阵列224阻挡从而不被转移到成像表面212。在一些示例中，电晕线222被保持在3000-8000伏的范围内的电势(由V1表示)以产生正电荷228，并且壳体226被保持在处于电晕线222和e纸电极204之间的中间电势。第二电极层232被保持在V1和V2之间的范围中。在一些示例中，V3被计算为V3＝V2+α(V2-V1)，其中α是0和1之间的数，所述数表示V1和V2之间的总ΔV的分数，范围从0.65到0.75的α的典型值取决于几何形状并且引发正电荷228从电晕线222漂移到电极阵列224和第二电极层232。然而，第一电极层234被切换到相对于第二电极层232的电势差(ΔV)并且保持相对于第二电极层的232的电势差，所述电势差处于50-300伏的范围中，取决于几何结构，从而正电荷228被第一电极层234和第二电极层232之间的电场阻挡穿过电介质材料230中的孔240。

在这种情况下，尽管e纸204被经由e纸204的集电极电偏置，e纸204的集电极被保持在大的负电势，但是正电荷228并不穿过孔240而到达成像表面212。先前可能已经被朝向成像表面212偏置了颗粒(诸如白色颗粒218)依然留在那个表面以在e纸上提供数字介质图像。在一些示例中，负电荷被使用来偏置适当地着色的颗粒。

在离子写入单元200的一些示例中，在开状态和关状态这两种状态下，第二电极层232都被保持在相对于壳体的正电势差，并且第一电极层234被在相对于第二电极层232的负电势和正电势之间切换以分别在开状态和关状态之间切换。

虽然图9A-9B的离子写入单元已经在根据生成正离子的模式的一个示例中描述了，但是应该理解的是：在一些示例中，图9A-9B的离子写入单元202被操作以生成负离子。

图10A-10B是示出根据本公开的至少一些示例的非电荷生成的可寻址电极栅格阵列的示例的示意图，非电荷生成的可寻址电极栅格阵列能够被使用在图7-9B的离子写入单元120、150、及202中。所述电极栅格阵列允许无源e纸介质的高分辨率成像。

总体而言，至少一些所述电极阵列包括多个喷嘴或孔，所述多个喷嘴或孔延伸穿过电介质材料层并穿过由所述电介质材料层分隔开的至少两个导电材料层，所述电介质材料层的厚度为T。在一些示例中，所述导电层是铜制的并且包括至少一个附加镀层(诸如化学镀镍和金或浸锡)。在一个方面中，这种布置在铜上提供薄的保护性精加工层并且防止铜在电荷等离子体环境中的腐蚀。

在一个方面，孔在电极阵列中的尺寸限制了用于成像数字介质图像的点的最小尺寸。圆形孔的直径为Dm，但所述孔能够是其它合适的形状，例如矩形。在一些示例中，每个孔都是圆形的，并且直径小于150微米。在一些示例中，每个孔都是圆形的并且直径小于100微米，用以提供每英寸300点和更高的分辨率。

在每个电极阵列中，存在纵横比T/Dm的范围，在所述范围下存在条件，其中能够阻挡电荷和让电荷穿过电极阵列。如果纵横比T/Dm比1大得多，那么难以让电荷穿过电极阵列中的孔，如果纵横比T/Dm比1小得多，则难以防止电荷穿过电极阵列。在一些示例中，最优纵横比T/Dm是大约1，从而对于高分辨率成像而言，所述电介质材料层就比较薄并且厚度T在大约25-100微米。在一些示例中，所述电介质材料层是柔性电路材料。在一些示例中，所述电介质材料层是一种聚酰亚胺，所述聚酰亚胺具有高电介质强度并允许化学蚀刻或激光烧蚀来开立出具有非导电壁的精确的小孔。

图10A和10B是示意性地示出根据本公开的一个示例的非生成电荷的可寻址电极栅格阵列300的示意图。阵列300包括多个孔或喷嘴302，所述多个孔或喷嘴302延伸穿过电介质材料层304、第一导电电极层306和第二导电电极层308。在一些示例中，电介质材料层304是电介质膜。在一些示例中，第一和第二导电电极层306和308中的每个包括铜。

图10A是沿着图10B中的线10A-10A截取的电极阵列300的横截面图。电介质材料层304厚度为T并且具有第二侧310和第一侧312，第一侧312与第二侧310相对。第二电极层306在电介质材料层304的第二侧310上，并且第一电极层308在电介质材料层304的第一侧312上。电介质材料层304包括孔302，孔302通过电介质材料层304从第二侧310延伸到第一侧312并且延伸穿过第二电极层306和第一电极层308。第二电极层306围绕每个孔302的周缘而形成以包围第二侧310的孔302并且为孔302提供公共电极。每孔302的直径为Dm。

图10B是图示在本公开的一个示例中的形成在电介质材料层304上的第二电极层308中的指状电极308-308H的示意图。每个指状电极308A-308H具有在第二侧312上的孔302A-302H中的对应的一个孔的周缘形成的圆形焊区焊盘(landing pad)，从而指状电极308A围绕孔302A的周缘形成，指状电极308B围绕孔302B的周缘形成，依此类推。每个指状电极308A-308H包围孔302A-302H中一个相应的孔，用以给孔302A-302H中一个相应的孔提供单个指状电极308A-308H。此外，每个指状电极的308A-308都能被单独寻址，从而每个孔302A-302H能被单独寻址来分开地控制电荷通过每个孔302A-302H的流动。

在操作中，通过单独地寻址指状电极308A-308H来实现流动通过电极阵列300的电荷的时间和空间控制，以在第二电极层306的公共电极和指状电极308A-308H之间施加开状态或关状态的电势。

尽管图7-10B提供了本公开关于包括电晕线的离子生成器的至少一些示例，所述电晕线被至少部分地包含在壳体内，但可以理解：在本公开的示例中的离子生成器能够采取许多形式，并且在图7-10B中所示的壳体的形式并不严格限制本公开示例中的腐蚀控制形式(例如，图2-6)相对于电极阵列和/或电晕线而实现的方式。特别是，壳体不必采取为图9A-9B中的壳体226所示的形式。在一些示例中，这样的壳体反而有非圆形的横截面形状，部分圆形的横截面形状等。

一旦这样的示例在图11A中示出，图11A是示意性地示出根据本公开的一个示例的离子生成器350的截面图。如图11A所示，离子生成器350包括第一部分352和壳体362，第一部分352包括电极喷嘴356的阵列354，壳体362由至少一个壁364形成。电晕线360被定位成邻近电极阵列354。在一些示例中，壳体362限定围绕电晕线360的腔室。

如图11A所示，在一些示例中，至少一个壁364限定了大体上成矩形的横截面形状。然而，在一些示例中，所述至少一个壁364限定其他横截面形状，诸如不规则形状、三角形形状、多边形形状等等。此外，在一些示例中，壳体362的尺寸和/或形状沿着壳体362的长度(图11B中的L1)变化，使得壳体362的宽度(W1)和高度(H1)沿着壳体362的长度(L1)未必是均匀的。

在一些示例中，壳体362的至少一些壁364是导电的并保持固定电势。在一些示例中，壳体362的至少一些壁364是导电并且显现出浮动电势。在一些示例中，壳体362的至少一些壁364是电绝缘的，诸如聚合物材料。

在一些示例中，离子生成器350的壳体362的至少一些壁364包括多个孔缝。在一些示例中，所述至少一个壁364形成部分外壳。

考虑到这一点，在本公开的一些示例中，如图11C中所示出的离子生成器370有一个敞开的结构，其中所述电晕线360被定位成邻近电极阵列354，但没有任何正式结构相对于限定所述电极阵列354的第一部分352包围电晕线360。

考虑到这一点，与图12A-19相关联地描述的腐蚀控制形式的更多示例中的至少一些并不严格受限于那些图中所示壳体的特定结构，而是能够采取与至少图11A-11C相关联地描述的示例相一致的其它形式。

图12A是包括示意性示出根据本公开的一个示例的包括空气流控制机构440的离子写入组件400的截面图的示意图。在一些示例中，离子写入组件400包括先前与图7-9B相关联地描述的离子写入单元的部件以及和先前与图2相关联地描述的离子写入组件20基本相同的特征和属性的至少一些。

如图12A所示，离子写入组件400包括离子写入单元401，离子写入单元401包括壳体402，壳体402具有限定腔室407的主体404和具有第一外表面408。在一些示例中，腔室407至少部分地包围离子生成器并在壳体的第一外表面408处包括开口409。在一些示例中，离子生成器包括电晕线424，并且腔室407至少部分地包围所述电晕线424。包括(具有电极喷嘴的)电极阵列的柔性电路430被安装在所述第一外表面408上，电极喷嘴与开口409对齐以便选择性地允许离子穿过选择的电极喷嘴而流向无源e纸410的成像表面410。

在一些示例中，如图12A所示，离子写入组件400包括空气流控制机构440，空气流控制机构440包括空气源442(诸如空气泵)和处理元件444。在一些示例中，所述处理元件444包括干燥元件，诸如干燥器，用于从经由空气源442提供的空气中除去水分，从而最大限度地减小了腐蚀的潜在性。在一些示例中，所述干燥器用硅胶或分子筛材料形成。在一些示例中，所述干燥器被划分成两部分，从而在任何给定时间，一部分被积极地采用来干燥空气，而另一部分被经由加热(例如摄氏150度)再生。

在一些示例中，处理元件444包括过滤器，用以从经由空气源442提供的空气中除去有机污染物，从而最大限度地减少在离子生成器的电晕线424上枝状生长的潜在性。在一些示例中，所述污染物过滤器包括木炭或活性炭。在一些示例中，处理元件444包括干燥部件和过滤器部件这二者。

在一些示例中，如图12A中所进一步示出的，空气流控制机构440包括第一空气流路径445，第一空气流路径445经由具有端口448(例如气刀)的定向器446为跨过电极阵列430的通路导向，用以除去水分和/或防止水分积聚在柔性电路430的电极阵列上。一般来说，空气流被导向以行进到邻近电极阵列。在一些示例中，空气流沿着第一方向(经由方向箭头F表示)而被导向，第一方向大体上平行于(所述柔性电路430的)电极阵列延伸通过的平面P1。在一些示例中，空气流沿着第一方向(经由定向箭头F表示)而被导向，第一方向大致上垂直开口409(诸如电极喷嘴)延伸通过的平面P2。在一些示例中，空气流被以其它方向导向以使空气移动跨过柔性电路430的电极阵列或使空气移动到柔性电路430的电极阵列上。

在一些示例中，如图12A中进一步示出的，空气流控制机构440包括第二空气流路径450，第二空气流路径450被导向来运送空气通过在壳体402的主体404内延伸的导管452而离开并进入腔室407。这个空气有助于去除水分或防止水分主要在腔室407之内和电极阵列430附近/上的积聚。另外，这空气流在电晕线424周围行进并且流过电晕线424。通过这样做，在一些示例中，第二空气流路径450还限制电晕线424上不希望的枝状生长，从而有助于电晕放电的长期稳定性。

一般而言，经由空气流控制机构产生的空气流以低流速发生。在一些示例中，第一和第二空气流路径445，450均分别在电极阵列430处和/或电晕线424附近产生大约0.2升/分钟的空气流速。

在一些示例中，空气流机构440保护腔室407，而不用第二空气流路径450，从而没有导管452被提供穿过壳体402，472。在这种情况下，第一空气流路径445提供足够的空气流经过开口409以便有效地密封腔室407以防止外部水分，从而为电晕线424和/或暴露的导电元件(例如，内部电极部分)建立了腐蚀防护屏障。

在一些示例中，通过把(第二空气流路径450的)端口454定位在腔室407的后部，所导向的空气流就朝向邻近开口409的腔室407的前部移动，以便有效地密封开口409并防止充满有机物的水分进入腔室407，并从而抑制电晕线424上的枝状生长。在一些示例中，引入到腔室407中的空气提供内部空气压力，所述内部空气压力产生有效的密封和/或增强由流动通过开口409的空气所产生的密封。此外，如前面所描述的，在电晕线424周围和上导向的空气流也抑制这种枝状生长。通过抑制这种潜在的枝状生长，电晕线424的寿命和有效性被增加。

图12B是包括示意性地示出根据本公开的一个示例的离子写入组件471的部分侧视图的示意图。在一些示例中，离子写入单元471包括与图12A中的离子写入单元401基本上相同的特征和属性的至少一些，除了具有限定至少部分中空的内部477的壳体472之外，至少部分中空的内部477由壁475限定，空气导管452行进通过内部477。此外，腔室407由延伸通过壳体472的内部477的管476限定，空气导管473耦合到管476，以允许空气经由导管452的出口端口478进入管476。在一些示例中，空气经由与空气导管473相关联的多个出口端口478穿过多个位置进入管476。

一般而言，管476是一个薄壁的结构，所述薄壁的结构具有至少一个开口，以使(由电晕线424产生的)离子能够退出。然而，在一些示例中，管476具有附加开口。在一些示例中，如图12B所示的，管476为大致圆形的横截面形状。然而，在一些示例中，管476具有不同的横截面形状，诸如矩形、多边形、半圆形状等等。另外，在一些示例中，所述管476的横截面形状和/或尺寸沿着所述管的长度(即大致平行于电晕线424的长度的方向)而变化。在一些示例中，管476的形状类似于限定包围管476的腔室的壳体壁的形状，而在一些示例中，管476的形状不同于限定包围管476的腔室的所述壁的形状。

在一些示例中，管476不被腔室壁包围，诸如当离子生成器采取与图11C中所示的示例的离子生成器相一致的形式之时就是这样。在这样的示例中，管476至少部分地包围电晕线424，但离子生成器却另外省略了用以包围所述管476和电晕线424的正式壳体。

尽管这种管-腔室的布置不直接影响空气经由导管454传输到腔室407(它至少部分地包围电晕线424)中，但是这种布置使得能够实现附加的形式，诸如(但不限于)稍后更详细地(例如，图13C)描述的那些形式，其中加热元件被施加到管476的外表面，用于向腔室407施加热，而不加热壳体的整个主体。

图12C是图示在本公开的一个示例中的制造离子写入单元的方法481的流程图480。在一些示例中，方法491使用前面与至少图1、2、7-9B和图12A-12B相关联地描述的部件、组件、阵列和系统中的至少一些来执行。在一些示例中，方法481使用和前面与至少图1-2、7-9B和图12A-12B相关联地描述的部件、组件、阵列和系统不同的部件、组件、阵列和系统中的至少一些来执行。

如在图12C中的482处所示的，在一些示例中，方法481包括：提供壳体，壳体包括腔室，腔室用以至少部分地包围电晕线。电极阵列(包括电极喷嘴)被固定到所述壳体的外表面，同时布置电极喷嘴来接收(由电晕线产生的)离子并且把所述离子引导到壳体外部的目标，如在图12C中的484所示。在486，方法481包括定位空气流机构的喷嘴以引发跨过各个电极喷嘴的空气流和腔室之内的空气流中的至少一个。然而，应该理解的是：在一些示例中，离子生成经由不同于电晕线的其它机构而提供，并且离子生成可以包括或可以不包括包围离子生成器的壳体。在这样的示例中，空气流机构仍然引发跨过各个电极喷嘴的空气流。在一些示例中，空气流被导向通过至少部分地包围非电晕的离子生成器的壳体的腔室。然而，在一些示例中，空气流不被导向成邻近非电晕的离子生成器，而只被导向成跨过电极喷嘴或邻近电极喷嘴。

图12D是示意性示出根据本公开的一个示例的具有再循环空气流机构492A的离子写入单元491的示意图490A。在一些示例中，所述离子写入单元491A包括和与至少图2、7-10B和图12A-12B相关联地描述的离子写入单元(和它们相关联的空气流机构)基本上相同的特征和属性中的至少一些。

如在图12D中所示，离子写入单元491A包括限定腔室493B的壳体493A，腔室493B至少部分地包围离子生成器，并且所述离子生成器延伸穿过所述腔室493B。在一些示例中，所述离子生成器包括电晕线。如在图12D进一步示出的，在一些示例中，空气流再循环机构492A包括：输入导管492B，输入导管492B耦合到所述腔室的第一部分496A(诸如，但不限于第一端部)；和输出管道492C，输出管道492C耦合到所述腔室的相对的第二部分496B(诸如，但不限于第二端部)。输入导管492B按照方向箭头Qin所表示的把空气引导进入腔室493B，而输出导管492C按照方向箭头Qout所表示的把空气引导出腔室493B。空气移动器494A和处理元件444被插入在输出导管492C与输入导管492B之间，使得空气沿着再循环路径495连续地再循环，再循环路径495包括腔室493B、输出导管492C、空气移动器494A、处理元件444和输入导管492B。

在一些示例中，空气移动器494A包括泵或风扇。在一些示例中，处理元件444包括和前面与图12A-12B相关联地描述的处理元件444基本上相同的特征和属性中的至少一些，诸如干燥器部件和/或污染物过滤器。

在一些示例中，空气流再循环机构492A还包括空气进入口496A，空气进入口496A被沿着腔室493B和空气移动器494A之间的输出导管492C定位，用以按照Qinlet所表示的以第一流速把空气引入再循环路径495中。在一些示例中，至少一些电极喷嘴493C充当空气出口，以允许空气以大致匹配第一流速的第二流速按照Qnozzles所表示的离开再循环路径495。

利用这一布置，空气从腔室493B流动并且流出电极喷嘴493C，用以采用和上面与至少图12A-12C相关联地描述的基本上相同的方式防止腐蚀和/或枝状生长。然而，通过提供再循环路径，相同体积的空气被有效地一遍又一遍反复地使用，总体上保持了空气的纯度，代替了系统必须连续地净化环境空气，环境空气包含污染物和/或水分。在一些示例中，这种效果转而又延长了处理元件的寿命。在一些示例中，这个再循环机构492A还提供了在腔室493B内总体上更大的空气流，以便更容易地把污染物(例如有机物，离子)从腔室493B中的离子生成器携带走，同时仍然提供足够的空气流通过电极喷嘴493C，以抑制在电极上的腐蚀。

在一些示例中，通过提供更大体积的空气移动通过腔室493B，再循环机构492A有助于在腔室493B之内形成内部空气压力，所述内部空气压力有效地密封腔室493B的开口(例如电极喷嘴)来防止水分和/或污染物进入到腔室493B中。

图13A-13C，14A和15A是包括分别示意性地示出根据本公开的示例的离子写入组件500、510、550、600、650的截面图的示意图，所述离子写入组件包括热控制机构。在一些示例中，离子写组件500、510、550、600、650包括与图7-9B相关联地描述的离子写入组件的部件以及和先前与图3相关联地描述的离子写入组件50基本相同的特征和属性的至少一些。

图13A是示意性地示出根据本公开的一个示例的包括热控制机构的离子写入组件500的框图，所述热控制机构用于施加热504。在一些示例中，用于施加热504的热控制机构对应于图3中的热控制机构60的热控制62，并因此，防止水分在离子写入单元的各个部件上累积。在一些示例中，热控制机构被配置和相对于离子写入单元502定位，用以将热504施加到离子写入单元502的至少电极阵列和/或施加到邻近电极阵列的结构，诸如但不限于与离子写入单元502的电晕线相关联的结构。在一些示例中，热504经由辐射505施加，诸如但不限于：加热目标部件的外部灯。

在一些示例中，热504经由传导506施加，诸如但不限于：与图13B-15C相关联地提供的示例中的至少一些，其中，加热元件直接接触与离子写入单元相关联的至少一些部件。

在一些示例中，热通过对流507施加，其中加热的空气流在目标部件周围/跨过目标部件循环。因此，在一些示例中，对流507经由热控制机构与本公开的示例中的空气流机构(例如图12A-12C)以互补的方式组合的形态来实现。在一些示例中，经由对流507施加热经由与图12A-12C关联地描述的示例空气流机构相独立的结构和部件来实现。

在一些示例中，热504经由热形式505-507的各种组合而被施加。

图13B是包括根据本公开的一个示例的离子写入组件510的侧视图的示意图，离子写入组件510包括热控制机构528，热控制机构528经由传导506施加热。如图所示13B所示，离子写入组件510包括壳体522，壳体522包括限定至少一个腔室527(具有壁526)的实心主体525，第一外表面521和相对的外表面529。包括具有可寻址喷嘴的电极阵列的柔性电路530被安装在壳体522的外表面521上。被至少部分地包围在腔室527之内的电晕线524充当离子生成器，离子经由延伸通过壳体522的外表面521和柔性电路530的电极阵列的间隙526而发出。在一些示例中，柔性电路530的电极阵列、电晕线524和腔室527包括和前面与附图7-9B关联地描述的电极阵列、电晕线和腔室基本上相同的特征和属性中的至少一些。在一些示例中，腔室527的直径在大约4至8毫米。

如图13B中进一步示出的，加热元件528被安装到壳体522的主体525的外表面529。在一些示例中，加热元件528是基于电阻的加热元件，它被激活时加热壳体522的整个主体525。通过这样做，柔性电路530的整个电极阵列被加热到足以防止和/或克服在电极阵列的导电元件(和腔室527之内或者附件的任何相关结构)上积聚水分的温度，这进而又防止了柔性电路530的电极阵列的腐蚀。

在一些示例中，用于加热壳体522(并因此加热电极阵列)到所希望的温度的典型启动时间是大约30到60秒，例如当壳体是由铝制的并且电极阵列的成像部分大约20毫米宽时就是这样。因此，在一个方面中，这个示例非常适合于成像无源e纸(诸如但不限于：数量高的金融或信息交易介质)的较高批量的生产性运行。

在一些示例中，热控制机构528对应于在图3中的热控制机构60的热控制62。

图13C是包括根据本公开的一个示例的含有热控制机构590的离子写入组件550的侧视图的示意图。如图13C所示，离子写入组件550包括和离子写入组件510(图13B)基本上相同的特征和属性中的至少一些，除了包括热控制机构590而不是热控制机构528，同时还包括对壳体552的内部的适配之外。

如在图13C中所示的，壳体552包括第一外表面558和第二外表面559，主体554具有第一内表面555。柔性电路580被安装到壳体552的主体554的两个间隔开的支撑体560，从而限定第一腔室562，在第一腔室562中管556被安装。在一个方面中，壳体552能够说是形成限定第一腔室562的壳，本公开的示例并不限于在图13中所示的主体554的特定形状。在一个方面中，管556与壳体的主体554的第一内部表面555总体上间隔开，并且与柔性电路的内表面581总体上也间隔开，除了在管556的上部分558接触柔性电路580的中央部分585的地方之外。

一般而言，热控制机构590被定位在壳体552的第一腔室中562之内并至少部分地包围所述管556以便把热直接提供给管556，而不是去试图加热壳体的整个主体，就像在图13B的示例中那样。在一些示例中，热控制机构590包括若干加热元件591，若干加热元件591被定位成彼此相邻和相对于管556的外表面被固定。在一些示例中，代替使用分开的元件591，单个弓形加热元件被使用来至少部分地包围管556。

在一些示例中，热控制机构590对应于在图3中的热控制机构60的热控制62。

在一个方面，因为管556的热质量的数量级小于实心壳体(诸如在图13B中的主体525)的热质量，并且因为热控制机构590直接加热管556，所以把电极阵列580加热至(足以防止水分积聚的)足够温度的典型启动时间是大约1至2秒。因此，这个示例是非常适合小批量的生产运行，对于每次所需要的使用，热控制机构590适合于快速启动和关闭。

在一些示例中，在激活电晕线574之前的第一时间段，热控制机构590被接通，以确保有足够的时间来使柔性电路580的电极阵列变热从而防范水分积聚和相关腐蚀。在电晕线574去激活后的第二时间段之后，热控制机构590然后被关断，第二时间段是充足的，要足以让任何潜在的腐蚀性离子形式已经重组或已经扩散到腔室557之外和/或已经扩散而远离了柔性电路580的电极阵列。通过把对柔性电路(以及周围的/暴露的易腐蚀元件)的加热限制到相对短的时间段，腔室557内的温度就根本不被提升到高温和/或被提升到高温持续充分地短的时间段，从而电晕线574上的枝状生长就被最小化了。

在一些示例中，为致力于解决在其中热控制机构590连续地活动并持续较长的时间段或者在高占空比下连续地活动的情况，离子写入组件550的一种实现方式进一步并入了空气流机构(诸如空气流机构440(图12A-12B))以引发小的空气流动通过腔室557，从而防止了相当大量的热从管556通过所述空气扩散到电晕线574，并由此使在电晕线574上不期望的枝状生长最小化了。

图14A是包括根据本公开的一个示例的离子写入组件600的侧视图的示意图，离子写入组件600包括热控制机构640。如在图14A中所示，离子写入组件600包括与离子写入组件550(图13)基本上相同的特征和属性中的至少一些，除了包括热控制机构640而不是热控制机构590之外。如图14A中所示，热控制机构640包括固定到柔性电路630的电极阵列的外表面上的至少一个加热元件641。一般而言，加热元件641包括电阻加热元件，电阻加热元件直接加热柔性电路630的电极阵列部分。

在一个方面，热控制机构640对应于图3中的热控制64。

热控制机构640的一个示例与图14B-14C关联地描述，图14B-14C描出了电极组件635，电极组件635具有与图7-9B的电极阵列基本上相同的特征和属性，除了还包括至少一个加热元件641之外。图14B是包括根据本公开的一个示例的沿着图14C中的线14B-14B所截取的电极阵列635的截面图的示意图，而图14C是包括示意性地图示根据本公开的一个示例的在电介质材料层上形成为第一层的各个电极的平面图的示意图。

如在图14B-14C中所示，加热元件641被安装在第一电极层308上，使得加热元件641接触各个指状电极308A，308B，308C，308D等等的全部。因此，激活加热元件641就同时加热了第一电极层308的所有指状电极。在一些示例中，加热元件641也引发与层308物理连贯的附加电极层(诸如层306)的加热，从而也防止了在那些附加层上的水分积聚和相关联的腐蚀。

通过激活加热元件641，水分就不能够聚积在第一电极层308上和/或第二电极层306上，并且因此，各个电极308A，308B等等的腐蚀就被防止了。在一些示例中，加热元件641始终被激活，以确保对腐蚀的防范。在一些示例中，加热元件641的激活被限制到当离子写入系统在成像操作器件动作以电偏置无源e纸之时的时间段和相关的时间段。

图15A是包括根据本公开的一个示例的含有热控制机构690的离子写入组件650的侧视图的示意图。如在图15A中所示，离子写入组件650包括与离子写入组件650(图14A)基本上相同的特征和属性中的至少一些，除了包括热控制机构690而不是热控制机构640之外。如图15A和图15B的放大的部分截面图中所示，热控制机构690被并入到邻近开口692的、柔性电路680的电极阵列683的部分之内，并且因此，没有被暴露在柔性电路680的外表面681上。一般而言上，热控制机构690包括电阻加热结构，所述电阻加热结构直接加热电极阵列683的一部分。将进一步理解的是：开口692提供了电极阵列683的至少一些电极喷嘴的一般化表示，这进一步与至少图15C关联地更详细的加以说明。

在一个方面，热控制机构690对应于图3中的热控制64。

热控制机构690的一个示例与图15C关联地加以描述，图15C绘出了电极组件683，电极组件683具有与图7-9B的电极阵列基本上相同的特征和属性，除了第二电极层306并入或限定热控制机构690之外。在一些示例中，热控制机构690是经由一般地至少部分地用电阻加热元件来形成整个第二电极层306而实现。在一些示例中，使用来形成第二电极层306的材料是镍铬合金材料(例如，至少镍和铬的非磁性合金)，适合用作加热元件的材料。在一些示例中，仅有部分第二电极层306用电阻加热元件(诸如但不限于镍铬合金)来形成。

相应地，热控制机构690(包含在第二电极层306中)的激活加热整个第二电极层306，并在一般情况下加热电极阵列683，包括第一电极层308。

通过激活热控制机构690，水分就不能够聚积在第一电极层308和第二电极层306(以及任何相关的导电部件)上，并因此防止了电极阵列的腐蚀。在一些示例中，热控制机构90总是被激活，以确保对腐蚀的防范。在一些示例中，热量控制机构690的激活被限制于当离子写入系统在成像操作期间电偏置无源e纸之时的时间段和相关的时间段，包括上述在激活电晕线674之前和之后的第一和第二时间段。

相应地，与图12-15C相关联的示例动作以通过消除否则可能导致腐蚀的水分来显著地增加离子写入单元的电极阵列的寿命。

如先前与至少图5关联地提到的，在一些示例中，各种腐蚀控制形式被结合。在一些示例中，热控制机构以互补方式与空气流控制机构相结合。例如，热被施加到离子写入单元的电极阵列的喷嘴，以避免有意或不必要地加热所述离子写入单元的电晕线，加热所述离子写入单元的电晕线否则可能潜在地导致在电晕线上的枝状生长。同时，空气流源被耦合到所述离子写入单元以使空气流至少邻近电晕线，从而抑制在电晕线上的这种枝状生长。此外，在任何热能都变得被无意转移到电晕线(或它的周围环境)这个意义上来讲，围绕电晕线的空气流也将动作起来以抑制在电晕线上潜在的枝状生长。此外，如先前结合与图12A-12C关联的空气流控制示例所提到的，空气流控制还能被实现来防止或抑制有机污染物进入腔室，所述腔室至少部分地包围电晕线。

图16是示出在本公开的一个示例中的制造离子写入单元的方法701的流程图700。在一些示例中，方法701使用前面与至少图1、3、7-9B和图13A-15C相关联地描述的部件、组件、阵列和系统中的至少一些来执行。在一些示例中，方法701使用和前面与至少图1、3、7-9B和图13A-15C相关联地描述的部件、组件、阵列和系统不同的部件、组件、阵列和系统中的至少一些来执行。

如图16中所示，在702，方法701包括：提供包括壳体的离子生成器，所述壳体包括至少部分地包围电晕线的腔室。包括电极喷嘴的电极阵列被安置成被暴露在壳体的外表面上并且被对准用以接收电晕线产生的离子并把所述离子朝向壳体外部的无源e纸引导，如在704所示的。

如在705所示，加热机构被提供用以加热腔室和电极喷嘴中的中的至少一个。在一些示例中，如先前结合至少图13A所指出的，加热机构经由以下三个基本传递模式中的至少之一把能量转移到目标腔室或喷嘴阵列：传导、对流或辐射。偏置机构被布置成用以可释放地耦合到无源e纸并且电偏置无源e纸，如在706处所示。

如在708处示出，至少当偏置机构活动时，控制器到加热元件，用于引发加热。

图17是示意性地示出根据本公开的一个示例的控制部分720的框图。在一些示例中，控制部分720包括控制器722、存储器724和用户接口726。

一般而言，控制部分720的控制器722包括至少一个处理器723和与存储器724通信的相关联存储器，用以产生控制信号，所述控制信号指示在本公开全文所描述的系统和部件中的至少一些部件的操作。在一些示例中，这些产生的控制信号包括但不限于：经由腐蚀控制管理器725激活和控制腐蚀保护形式(例如空气流、热、流量控制)。在一些示例中，控制部分720分别存在于图2-5中的离子写入组件20、50、70、100和与图7-16相关联的离子写入组件中，用于控制离子生成、离子流和腐蚀保护形式。

特别地，响应于或基于经由用户接口726接收的命令和/或机器可读指令(包括软件)，控制器722根据本公开前面描述的示例和/或稍后描述的示例中的至少一些生成控制信号用以执行无源e纸(包括但不限于交易介质)的成像。在一些示例中，控制器722被包括在通用计算机中，而其它示例中，控制器722被包括在本公开全文所描述的各个离子写入组件中。

为了本申请的目的，在对控制器722的参考中，术语“处理器”的意思应是：当前开发的或将来开发的处理器(或处理资源)，所述处理器执行包含在存储器中的机器可读指令序列(诸如但不限于软件)。在一些示例中，机器可读指令序列(诸如经由控制部分720的存储器724所提供的那些)的执行使所述处理器按照本公开的至少一些示例中所一般地描述的那样(或者与本公开的至少一些示例相一致的那样)执行动作，诸如操作控制器720来执行成像，同时防止腐蚀。机器可读指令可以被从它们在用存储器724所表示的只读存储器(ROM)、大容量存储装置或某个其它持久性储存器(例如，非暂时性有形介质或者或非易失性有形介质)中的被存储的存储单元加载到随机存取存储器(RAM)中以供处理器执行。在一些示例中，存储器724包括计算机可读有形介质，计算机可读有形介质提供对可由控制器722的过程执行的机器可读指令的非易失性存储。在其它示例中，硬接线电路可以被使用来代替机器可读指令(包括软件)或者与其组合地使用，用以实现所描述的功能。例如，控制器722可以作为至少一个专用集成电路(ASIC)的一部分而被包括。在至少一些示例中，控制器722并不限于硬件电路和机器可读指令(包括软件)的任何特定组合，也不限于由控制器722执行的机器可读指令的任何特定源。

在一些示例中，用户接口726包括用户接口或其他显示器，用户接口或其他显示器提供各个部件、功能、特征中的至少一些、控制部分720和/或离子写入组件的同时显示、激活和/或操作，如本公开全文所描述的。在一些示例中，用户接口726的至少一些部分或方面经由图形用户界面(GUI)提供。

图18是示意性地示出根据本公开的一个示例的流量控制管理器740的框图。在一些示例中，流量控制管理器740充当图17中用于控制部分720的腐蚀控制管理器725。

一般来讲，所述流量控制管理器740操作以控制离子写入组件(诸如在前面结合至少图1，图4和7-9B所描述的那些)用以防止腐蚀。

因此，与前面的那些示例相一致，在一些示例中，具有流量控制管理器740的离子写入组件包括离子写入单元以及(包括电极喷嘴的)电极阵列，所述离子写入单元包括壳体，所述壳体至少部分地包含离子生成器，所述电极阵列位于所述壳体的一个暴露的外表面上并且被对准用以接收和引导产生的离子。

特别地，流量控制管理器740确保：每当为了图像形成而电偏置无源e纸之时，电极阵列的至少一些电极喷嘴以一定速率发出离子流，所述速率要充足到足以防止腐蚀，但也要足够低，低到足以避免在无源e纸上形成不需要的图像。

在一些示例中，如图18A所示的，流量控制管理器740包括离子生成控制模块742，离子生成控制模块742包括第一模式744和第二模式746，其中离子写入单元在第一模式744和第二模式746之间可交换地操作。

在第一模式744中，离子以第一流速从离子生成器(例如电晕线)流动通过选择的喷嘴，第一流速用以引发在与电极喷嘴间隔开且被电偏置的无源e纸上的图像形成。在第二模式746中，离子以(小于第一流速的)第二流速从离子生成器(例如电晕线)流动通过至少一些电极喷嘴，第二流速不引发在被电偏置的无源e纸上的图像形成。在一些示例中，当第一模式不活动之时，使第二模式自动参与。在一些示例中，第二流速要比第一流速小至少一个数量级。

在根据第二流速的第二模式746中的操作提供充足的离子流以中和二次离子。在一个方面中，二次离子具有与所生成的一次离子相反的电荷并且二次离子被在图像形成期间产生，同时无源e纸被电偏置。在没有这样的中和的情况下，二次离子否则会把水分携带到电极阵列。以这种方式，随着所产生的离子流出电极阵列，通过利用所产生的离子的自然动作，在第二模式746中的操作防止或减轻在离子写入头上的电极阵列的腐蚀。

在一些示例中，经由以比第一模式744(即图像形成写入模式)低的电压操作离子生成器(例如电晕线)产生第二模式746中的第二流速，以便产生更小体积的离子，这又导致较少的离子可用来被导向通过电极阵列的电极喷嘴。例如，进一步参考图9A-9B，在第二模式746中，让电晕线在较低的电压下操作，较低的电压诸如是3000伏而不是5000伏，用以产生较低流速的正离子。

因此，在这个示例中，在第二模式746中产生非写入的较低流速的特征通过操纵离子生成器(例如壳体中的电晕线)产生所述体积或者强度的离子来完成。在一个方面中，通过离子发生控制模块742，第二模式746就不与第一模式744同时操作。

在一些示例中，离子写入头在第三模式中工作，在第三模式中没有离子流动并且e纸不被电偏置。在这个示例中，当无源e纸不被电偏置时，腐蚀性的二次离子就不被产生。因此，在没有不期望的二次离子流向电极阵列的情况下，第二模式746中的操作就可以被省略。

在一些示例中，如在图18B中所示，流量控制管理器741包括电极喷嘴控制模块750，电极喷嘴控制模块750包括第一状态754和第二状态756。

在第一状态754中，离子写入单元允许离子流以第一流速流动通过选择性地激活的电极喷嘴，以便引发与电极喷嘴间隔开且电偏置了的无源e纸上的图像形成。在第二状态756中，在任何给定时间点，离子写入单元允许离子流通过未被选择用于写入的至少一些电极喷嘴。然而，这一离子流以(小于第一流速的)第二流速发生，第二流速不引起在无源e纸上的图像形成。因此，为了提供腐蚀保护，所述离子写入单元自动地使至少一些未被激活的电极喷嘴(没有被选择用于写入的那些)在第二状态中操作。当然，随着离子写入头和无源e纸在写入操作期间相对于彼此移动以在无源e-纸上形成图像，所选择的写入电极喷嘴和非写入电极喷嘴的身份将迅速改变。

在一些示例中，在第二状态中的较低流速通过操纵所述电极阵列的第一和第二电极层的各自电压来实现。特别是，在一些示例中，第二电极层(例如图9A-9B中的层232)的电压通常保持在V1和V2之间的中间电势。在一些示例中，V3可以被计算为V3＝V2+α(V2-V1)，其中α是0和1之间的数，所述数表示V1和V2之间的总ΔV的分数，范围从0.65到0.75的α的典型值取决于几何形状。在一个方面中，所述第一电极层(例如，图9A-9B中的层234)的电压通常相对于第二电极处于这样的电势，所述电势为正(图9B)用以关闭喷嘴，并且所述电势为负(图9A)用于以第一流速打开喷嘴。因此，为了实现较低流速，诸如第二流速，在一些示例中，第一电极层被设置到这两个电平之间的电压。在一些示例中，第二流速经由设置第一电极层的电压处于写入电势和阻挡电势之间的中点处来实现。其他电压电平(例如写入和阻挡电势之间的操作范围的15％、30％、50％、70％、85％等等)能够根据所希望的流速而被设定。然而，所述电压要被选择来实现使得离子流通过至少一些电极喷嘴，但是并不引发在目标无源e纸上的图像形成。

在一些示例中，在准备写入操作期间或在完成写入操作之后，无源e纸将被电偏置，但没有电极喷嘴正在根据用于引发在e纸上成像的第一状态发出离子。在这种情况下，离子写入单元使至少一些电极喷嘴在第二状态下操作以发出低流速的离子，以便为电极阵列提供腐蚀保护，由此增加了电极阵列和离子写入单元的寿命。

在一些示例中，离子写入单元确定电极阵列的哪些喷嘴(在任何给定时间点)将在第二状态756中操作。

在一些示例中，当离子写入单元没有正活动地引发在e纸上的图像形成但e纸被电偏置之时，离子写入单元确定哪些喷嘴将在第二状态中操作的图案。在一些示例中，如图18C所示，一个这样的图案770涉及每隔一列的电极喷嘴在第二状态中操作(如黑点771A表示)，同时其余列中的电极喷嘴处于休眠状态，如白点771B表示的。以这种方式，足够体积的离子流发生以取得防腐蚀的效果，但没有涉及全部的电极喷嘴。在一些示例中，离子写入单元周期性地调换电极喷嘴的哪些列在所述第二状态中是活动的和哪些列是休眠的。

在一些示例中，如图18C中所示，另一种这样的图案772在第二状态中的非休眠喷嘴之间散置休眠喷嘴。

在其它示例中，一些电极喷嘴在其他电极喷嘴正在第一状态中操作以引起在无源e纸上的图像形成的同时在第二状态756中操作。因此，在一些示例中，如图18C中所示，图案774表示一些电极喷嘴在第二状态中操作(通过用于非写入的标识符NW表示)，一些电极喷嘴在第一状态中操作以引发图像形成(通过用于写入的标识符W表示)，并且其它电极喷嘴既不在第一状态也不在第二状态中操作(通过用于休眠的标识符D表示)。如前面所指出的，随着离子写入单元和无源e纸在写入操作期间相对于彼此运动，这些指派随着时间快速变化。

在一些示例中，相应流量控制管理器740(图18A)和741(图18B)的功能和部件这二者都被包括在单个流量控制管理器中，使得操作者(或自动控制器)能够操作或者离子生成控制模块742(图18A)或者电极喷嘴控制模块750(图18B)。在一些示例中，所述离子生成控制模块740(图18A)和电极喷嘴控制模块741(图18B)的特征部署在一起。例如，在一种安排中，非写入的保护性离子流通过在第二模式746中操作并且通过在第二状态756中操作至少一些电极喷嘴来实现。

图19是图示根据本公开的一个示例的制造离子写入单元的方法801的流程图800。在一些示例中，方法801使用前面与至少图1、4、7-9B和图18A-18B相关联地描述的部件、组件、阵列和系统中的至少一些来执行。在一些示例中，方法801使用和前面与至少图1、4、7-9B和图18相关联地描述的部件、组件、阵列和系统不同的部件、组件、阵列和系统中的至少一些来执行。

在802，方法801包括：提供包括壳体的离子生成器，所述壳体包括至少部分地包围电晕线的腔室。包括可寻址电极喷嘴的电极阵列被安置成被暴露在壳体的外表面上并且被对准用以接收(电晕线产生的)离子并把所述离子朝向壳体外部的无源e纸引导，如在804出所示的。

在806，方法801包括布置偏置机构用以电偏置无源e纸。控制器被耦合到所述离子生成器以在当偏置机构是活动的之时引发至少离子流的第一流速，其中，第一流速小于用于在无源e纸上形成图像的离子流的第二流速，如808所示。在一些示例中，第一流速比第二流速小一个数量级。

在810处，方法801包括当不应用第二流速时布置所述控制器以自动地引发根据第一流速的操作。

如先前与至少图5相关联地提到的，腐蚀保护形式的组合能够以互补的方式被实现在单一离子写入单元上。在一些示例中，热控制机构的热控制62被实现在电极阵列上，而空气流控制机构的空气流路径42被实现在腔室之内，所述腔室至少部分地包围电晕线。特别地，所述腔室之内的空气流动作以使电晕线上的枝状生长最小化。与此同时，电极阵列的加热最小化或防止了电极阵列的各个部件上的腐蚀，而不用加热在壳体的腔室中的电晕线，加热电晕线否则可能导致在电晕线上的不希望的枝状生长。

本公开的至少一些示例涉及通过使电极阵列上的腐蚀最小化和/或使电晕线上的枝状生长最小化而使离子写入单元的寿命增加。

尽管特定示例在本文已经被说明和描述了，但是在不脱离本公开的范围的情况下，各种替代和/或等效实现方式可以代替所示出和所描述的特定示例。本申请旨在覆盖本文讨论的特定示例的任何适配或变化。

Claims (15)

1.一种离子写入单元，包括：

壳体，所述壳体包括至少部分地包含离子生成器的腔室；

电极组件，电极组件包括电极喷嘴阵列，电极喷嘴阵列位于所述壳体的一个暴露的外表面上并且被对准以接收和引导生成的离子；和

加热机构，加热机构用于加热以下项中的至少一个：

所述腔室；和

至少部分电极喷嘴阵列，

其中，所述加热机构与离子生成器分开并且独立于离子生成器。

2.如权利要求1所述的离子写入单元，其中所述腔室包括管，并且所述加热机构包括固定到所述管的外表面上的加热元件。

3.如权利要求2所述的离子写入单元，其中所述壳体包括壁，所述壁至少部分地包围所述管并且与所述管间隔开。

4.如权利要求3所述的离子写入单元，其中所述离子生成器包括：

电晕线，所述电晕线与所述管的壁间隔开并与所述电极喷嘴对准，用以产生离子以行进穿过电极喷嘴。

5.如权利要求1所述的离子写入单元，其中所述电极喷嘴阵列由电极组件的第一环形电极层形成，所述电极组件还包括具有与环电极对准的孔的第二电极层以及夹在相应的第一和第二层之间的电介质层。

6.如权利要求5所述的离子写入单元，其中所述加热机构包括以下项中的至少一个：

限定第二电极的部分的至少一个的加热元件；和

附着到第一环形电极层加热元件。

7.如权利要求1所述的离子写入单元，其中离子生成器包括电晕线，其中，所述加热机构被实施用以排除把热施加到所述腔室，并且所述离子写入单元包括：

空气流源，空气流源耦合到所述离子写入单元，用以引起至少邻近电晕线的空气流。

8.如权利要求1所述的离子写入单元，其中写入单元形成系统的一部分，所述系统包括：

介质支撑体，用于可释放地支持处于相对于电极喷嘴的可固定距离处的无源e纸，其中，所述介质支撑体和离子写入单元能够至少在无源e纸上的写入操作期间相对于彼此受控地运动。

9.一种e纸写入单元，包括：

壳体，所述壳体包括壳，所述壳含有管，所述管与所述壳的壁间隔开，所述管至少部分地包围用于产生离子流的电晕线；

第一可选择性激活的环形电极层，位于所述壳体的一个暴露的外表面并与电晕线对准，用以接收和导向正离子流；和

加热元件，耦合到所述管和第一环形电极层中的至少一个。

10.如权利要求9所述的e纸写入单元，其中所述加热元件围绕所述管的外表面的至少部分周缘延伸。

11.如权利要求9所述的e纸写入单元，其中所述加热元件被固定到第一环形电极层上。

12.如权利要求9所述的e纸写入单元，其中第一环电极层形成电极组件的一部分，所述电极组件包括第二连续电极材料层和电介质层，第二连续电极材料层具有与所述环形电极对准的孔，所述电介质层被夹在相应的第一和第二层之间，其中所述加热元件形成第二层的一部分。

13.一种制造方法，包括：

提供包括壳体的离子生成器，所述壳体具有至少部分地包围电晕线的腔室；

布置环形电极阵列以被暴露在所述壳体的外表面上并且被对准，用以接收电晕线所生成的离子并且把所述离子引导向所述壳体外部的无源e纸；

安排加热机构来加热所述腔室和所述环形电极中的至少一个；

安排偏置机构以可释放地耦合到无源e纸并且电偏置所述无源e纸；和

把所述控制器耦合到所述加热机构，以使至少在所述偏置机构活动时引起加热。

14.如权利要求13所述的方法，包含以下项中的至少一个：

安排所述腔室作为管，并且其中耦合所述加热元件包括把加热元件固定到所述管的外表面上，并且安排壳体作为壳，所述壳至少部分地包围所述管并且与所述管间隔开；和

安排环形电极阵列作为电极组件的第一电极层，所述电极组件包括第二电极层和电介质层，所述第二电极层具与相应环形电极对准的孔并且所述电介质层夹在相应的第一和第二层之间，其中耦合所述加热元件包括以下项中的中的至少一个：把加热元件连接到所述第一电极层和使所述加热元件形成为第二电极层的至少一部分。

15.如权利要求13所述的方法，包括：

把所述加热机构定位成邻近所述腔室和所述环形电极阵列中的至少一个；和

提供所述加热机构作为辐射热源和对流热源中的至少一个。