CN106571616B - 电源休眠与唤醒电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种电源休眠与唤醒电路,属于电子技术领域。其中,电源休眠与唤醒电路,包括电压比较模块、逻辑控制模块、开关元件、电压检测模块、开关检测模块和处理器。电压比较模块,用于比较电源电压与预设的低压阈值,并根据比较结果控制逻辑控制模块;电压检测模块,用于检测电源电压是否低于预设阈值;开关检测模块,用于检测开关元件的状态;处理器,用于根据电压检测模块和开关检测模块的检测结果控制逻辑控制模块;逻辑控制模块用于在电压比较模块和处理器的控制下驱动开关元件关断电源的供电回路,或驱动开关元件开启电源的供电回路。本发明的技术方案能够实现电源欠压保护、电源关断后低于微瓦级超低功耗的节能目的。

Description

电源休眠与唤醒电路
技术领域
本发明涉及电子技术领域,特别是指一种电源休眠与唤醒电路。
背景技术
在电源(通常为电池)供电需要节电和保护的系统中,为了避免电源过渡放电导致电源损坏,影响系统安全运行,则需要对电源输入加以控制,以便能及时切断电源,使设备不再耗电以达到节能或保护电源的目的。
一般的电源休眠方法,是以一定的逻辑电路工作来关闭部分电源模块,或者关闭部分逻辑电路来实现。这些方法休眠后由于仍有部分逻辑电路工作,所以仍有相对较大的功耗存在,节能和保护电源的效果不能达到最佳。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种电源休眠与唤醒电路,能够实现电源欠压保护、电源关断后低于微瓦级超低功耗的节能目的。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种电源休眠与唤醒电路,包括电压比较模块、逻辑控制模块、开关元件、电压检测模块、开关检测模块和处理器,所述电压比较模块、开关元件和处理器分别与逻辑控制模块连接,所述电压检测模块和开关检测模块分别与处理器连接,其中,
所述电压比较模块,用于比较电源电压与预设的低压阈值,并根据所述比较结果控制所述逻辑控制模块;
所述电压检测模块,用于检测电源电压是否低于预设阈值;
所述开关检测模块,用于检测开关元件的状态;
所述处理器,用于根据所述电压检测模块和所述开关检测模块的检测结果控制所述逻辑控制模块;
所述逻辑控制模块用于在所述电压比较模块和所述处理器的控制下驱动所述开关元件关断电源的供电回路,或驱动开关元件开启电源的供电回路。
进一步地,所述逻辑控制模块具体用于在电源电压低于低压阈值时,电路驱动所述开关元件关断电源的供电回路;在电源电压高于低压阈值时,电路驱动开关元件开启电源的供电回路;或
在电源电压低于预设阈值时,使所述处理器控制开关元件关断电源的供电回路;在电源电压高于预设阈值时,使所述处理器控制开关元件开启电源的供电回路。
进一步地,所述预设阈值大于低压阈值。
进一步地,在电源电压高于预设阈值时,所述处理器还用于接收输入的关断电源指令,控制所述逻辑控制模块,进而使得所述逻辑控制模块控制开关元件关断电源的供电回路。
进一步地,在关断电源的供电回路后,所述处理器还用于接收输入的开启电源指令,控制所述逻辑控制模块,进而使得所述逻辑控制模块控制开关元件开启电源的供电回路。
进一步地,所述逻辑控制模块包括第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3,第一开关S1的一端与电源相连,第一开关S1另一端与第二开关S2串联,第二开关S2另一端与驱动开关元件的驱动电路相连,第三开关S3与第二开关S2并联,第三开关S3为手动复位式开关;
所述电压比较模块两端分别与电源连接,所述电压比较模块的比较结果输出端与第一开关S1的控制端连接;
所述电压检测模块与所述电源连接,检测结果输出端与所述处理器连接;
所述开关检测模块具体用于检测所述第三开关S3的状态,检测结果输出端与所述处理器连接;
所述处理器的运算结果输出端与第二开关S2的控制端连接;
所述逻辑控制模块的输出端与所述驱动电路连接,所述驱动电路与所述开关元件连接。
进一步地,所述电源包括辅助供电电源Y1和主供电电源Y2,当主供电电源Y2断电的时候,辅助供电电源Y1的供电回路在所述处理器的控制下开启或者关断;当主供电电源Y2供电的时候,所述处理器接通第二开关S2,开启辅助供电电源Y1的供电回路。
进一步地,所述电压比较模块包括:电阻R1、R2和稳压管VD1,其中,电阻R1一端与电源正极相连,另一端与稳压管VD1阴极相连,电阻R2一端与电源负极相连,另一端与稳压管VD1阳极相连;
所述逻辑控制模块包括pnp三极管S1、四端口光耦S2、双联复位开关S3、电阻R3、R4和R5,S1的基极,与R1和VD1的连接点相连;S1的发射极,与电源的正极相连;四端口光耦S2,第4脚集电极与S1的集电极相连,该连接点同时与双联复位开关S3的第2脚相连;双联复位开关S3的2脚和4脚为一个复位开关的触点两端,双联复位开关S3的1脚和3脚为另一个复位开关的触点两端;四端口光耦S2的第3脚发射极与双联复位开关S3的第4脚相连,该连接点与R3一端相连;四端口光耦S2的第1脚和第2脚为光耦的光电二极管两端,由处理器输出信号控制该光电二极管的导通与关断;双联复位开关S3的第1脚和第3脚与处理器相连,所述处理器检测双联复位开关S3导通状态或断开状态;R3的另一端与R4一端相连,该连接点与R5一端相连;R4的另一端与电源负极相连;
开关元件S4为NMOSFET开关,R5的另一端与开关元件S4的栅极相连,开关元件S4的源极与电源负极相连。
进一步地,所述电压比较模块包括:电阻R1、R2和稳压管VD1,其中,电阻R1一端与电源负极相连,另一端与稳压管VD1阳极相连,电阻R2一端与电源正极相连,另一端与稳压管VD1阴极相连;
所述逻辑控制模块包括npn三极管S1、四端口光耦S2、双联复位开关S3、电阻R3、R4和R5,三极管S1的基极,与R1和VD1的连接点相连;三极管S1的发射极,与电源的负极相连;四端口光耦S2,第3脚发射极与三极管S1的集电极相连,该连接点与双联复位开关S3的第4脚相连;双联复位开关S3的2脚和4脚为一个复位开关的触点两端,双联复位开关S3的1脚和3脚为另一个复位开关的触点两端;四端口光耦S2的第4脚集电极与双联复位开关S3的第2脚相连,该连接点与R3一端相连;四端口光耦S2的第1脚和第2脚为光耦的光电二极管两端,由处理器控制该光电二极管的导通与关断;双联复位开关S3的第1脚和第3脚与处理器相连,所述处理器检测双联复位开关S3的导通状态或断开状态;R3的另一端与R4一端相连,该连接点与R5一端相连;R4的另一端与电源正极相连;
开关元件S4为PMOSFET开关,R5的另一端与开关元件S4的栅极相连,开关元件S4的源极与电源正极相连。
本发明的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,电源休眠与唤醒电路具有低压硬件自动关断、低压程序控制自动关断,实现了对电源的保护;本发明电源关断后主要在电压比较模块处有nA级电流消耗,功耗极低,节能效果好,能够实现电源欠压保护、电源关断后低于微瓦级超低功耗的节能目的。
附图说明
图1为本发明实施例一电源休眠与唤醒电路的结构示意图;
图2为本发明实施例二电源休眠与唤醒电路的结构示意图;
图3为本发明实施例三主辅供电电源休眠与唤醒的结构示意图;
图4为本发明实施例四电源休眠与唤醒电路的结构示意图;
图5为本发明实施例五电源休眠与唤醒电路的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明的实施例提供一种电源休眠与唤醒电路,能够实现电源欠压保护、电源关断后低于微瓦级超低功耗的节能目的。
实施例一
本实施例提供了一种电源休眠与唤醒电路,如图1所示,包括电压比较模块10、逻辑控制模块20、开关元件30、电压检测模块40、开关检测模块50和处理器60,所述电压比较模块、开关元件和处理器分别与逻辑控制模块连接,所述电压检测模块和开关检测模块分别与处理器连接,其中,
所述电压比较模块,用于比较电源电压与预设的低压阈值,并根据所述比较结果控制所述逻辑控制模块;
所述电压检测模块,用于检测电源电压是否低于预设阈值;
所述开关检测模块,用于检测开关元件的状态;
所述处理器,用于根据所述电压检测模块和所述开关检测模块的检测结果控制所述逻辑控制模块;
所述逻辑控制模块用于在所述电压比较模块和所述处理器的控制下驱动所述开关元件关断电源的供电回路,或驱动开关元件开启电源的供电回路。
本实施例电源休眠与唤醒电路具有低压硬件自动关断、低压程序控制自动关断,实现了对电源的保护;本发明电源关断后主要在电压比较模块处有nA级电流消耗,功耗极低,节能效果好,能够实现电源欠压保护、电源关断后低于微瓦级超低功耗的节能目的。
进一步地,所述逻辑控制模块具体用于在电源电压低于低压阈值时,电路驱动所述开关元件关断电源的供电回路;在电源电压高于低压阈值时,电路驱动开关元件开启电源的供电回路;或
在电源电压低于预设阈值时,使所述处理器控制开关元件关断电源的供电回路;在电源电压高于预设阈值时,使所述处理器控制开关元件开启电源的供电回路。
进一步地,所述预设阈值大于低压阈值。
进一步地,在电源电压高于预设阈值时,所述处理器还用于接收输入的关断电源指令,控制所述逻辑控制模块,进而使得所述逻辑控制模块控制开关元件关断电源的供电回路。
进一步地,在关断电源的供电回路后,所述处理器还用于接收输入的开启电源指令,控制所述逻辑控制模块,进而使得所述逻辑控制模块控制开关元件开启电源的供电回路。
本发明的技术方案中,当电源供电回路被关断后,不允许自动恢复供电;只有当输入电压高于预设阈值,才可以人工操作手动恢复供电,对电源保护可靠性高。
实施例二
如图2所示,本实施例的电源休眠与唤醒电路包括:第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3,第一开关S1的一端与电源相连,S1另一端与第二开关S2串联,S2另一端与驱动电路相连,第三开关S3与S2并联,S3为手动复位式开关。逻辑上,S1和S2是串联关系,S2和S3是并联关系。
电压比较模块U1两端连接输入电源,比较结果输出端连接第一开关S1的控制端。
电压检测模块D1与电源连接,检测结果输出端与处理器M1相连。开关检测模块D2,检测第三开关S3复位开关的状态,检测结果输出端与处理器M1相连。处理器M1运算结果输出一控制信号与第二开关S2的控制端连接。
逻辑控制模块输出端与驱动电路U2连接,驱动电路U2与开关元件S4连接。开关元件S4为电源回路主开关。
本实施例当电源供电回路被关断后,不允许自动恢复供电;只有当输入电压高于预设阈值,才可以人工操作手动恢复供电。对电源保护可靠性高。本发明电源关断后主要在电压比较部分有nA级电流消耗,功耗极低,节能效果好。
实施例三
如图3所示,本发明的技术方案还可以应用在多电源并联供电的场景,包括有两个电源Y1和Y2,Y1为辅助供电电源,Y2为主供电电源,二极管VD1和VD2构成双路供电。当主供电电源Y2断电的时候,辅助供电Y1回路具有跟上述图2技术方案全部相同的功能;当主供电电源Y2供电的时候,处理器自动接通第二开关S2,接通辅助供电Y1回路。
实施例四
如图4所示,本实施例的电源休眠与唤醒电路包括:电阻R1,一端与电源正极相连,另一端与稳压管VD1阴极相连;电阻R2,一端与电源负极相连,另一端与稳压管VD1阳极相连;R1、VD1、R2构成电压比较模块;pnp三极管S1的基极,与R1和VD1的连接点相连;S1的发射极,与电源的正极相连;四端口光耦S2,第4脚集电极与S1的集电极相连,该连接点同时与双联复位开关S3的第2脚相连;S3的2脚和4脚为一个复位开关的触点两端,S3的1脚和3脚为另一个复位开关的触点两端,两个复位开关联动故称为双联复位开关;S2的第3脚发射极与S3的第4脚相连,该连接点同时与R3一端相连;S2的第1脚和第2脚为光耦的光电二极管两端,由处理器M1输出信号控制该光电二极管的导通与关断;S3的第1脚和第3脚都与处理器M1的状态检测部分相连,可以检测到双联复位开关S3的动作,得知是导通状态还是断开状态;R3的另一端与R4一端相连,该连接点同时与R5一端相连;R4的另一端与电源负极相连;R5的另一端与NMOSFET开关S4的栅极相连,R5为驱动限流作用;S4的源极与电源负极相连;电源正极与S4的漏极构成了本实施例的输出,形成电源负端开关功能;R3和R4构成分压电路,根据S4的栅源极驱动电压来确定电阻数值;电压检测模块D1是一个检测电源电压值的本领域通用电压检测方案示意图,本实施例不做叙述。
图4所示电路中,当电源Y1电压低于稳压管VD1的阈值Vz,关断三极管S1,从而关断NMOS管S4供电回路;只有Y1电压高于稳压管VD1的阈值Vz,才能驱动S1导通并开启S4供电回路。
通过电压检测模块D1,当电源Y1电压低于预设阈值VL,处理器M1控制驱动光耦S2关断供电,从而关断NMOS管S4供电回路;只有电压高于预设阈值VL,处理器M1控制才驱动光耦S2导通并开启S4供电回路。
一般地,上述电源电压预设阈值VL大于低压阈值Vz。
当电源Y1电压高于预设阈值VL,处理器M1控制驱动光耦S2导通,并开启S4供电回路;在这种情况下,若需要切断电源,可以人工按复位开关S3,处理器M1控制驱动光耦S2关断,从而关断S4供电回路。
当关断S4电源回路后,主要在电压比较电路部分R1、VD1、R2回路有nA级微小电流消耗,功耗低至微瓦级。
当电源Y1供电回路被关断后,不允许自动恢复供电;但是若电源Y1电压高于预设阈值VL,可以人工操作恢复供电。
当电源Y1供电回路被关断后,并且电压高于预设阈值Vl,在这种情况下,若需要恢复供电,可以人工按复位开关S3发出信号,处理器M1控制驱动光耦S2导通,并开启S4供电回路。
逻辑上,S1与S2是串联关系,S2与S3是并联关系。
各个开关S1、S2、S3、S4不限于是例中所述的器件,还可以是其他能实现相同功能的开关,也属于本发明的范围。例如S2是具有隔离功能的控制开关,这使得控制起来很容易,S2还可以是电磁继电器;又例如S4还可以是双极性晶体三极管BJT,还可以是IGBT等。
实施例五
实施例四是电源负端控制,稍加变形以电源正端控制,即实施例五。如图5所示,本实施例的电源休眠与唤醒电路包括:电阻R1,一端与电源负极相连,另一端与稳压管VD1阳极相连;电阻R2,一端与电源正极相连,另一端与稳压管VD1阴极相连;R1、VD1、R2构成电压比较模块;npn三极管S1的基极,与R1和VD1的连接点相连;S1的发射极,与电源的负极相连;四端口光耦S2,第3脚发射极与S1的集电极相连,该连接点同时与双联复位开关S3的第4脚相连;S3的2脚和4脚为一个复位开关的触点两端,S3的1脚和3脚为另一个复位开关的触点两端,两个复位开关联动故称为双联复位开关;S2的第4脚集电极与S3的第2脚相连,该连接点同时与R3一端相连;S2的第1脚和第2脚为光耦的光电二极管两端,由处理器M1输出信号控制该光电二极管的导通与关断;S3的第1脚和第3脚都与处理器M1的状态检测部分相连,可以检测到双联复位开关S3的动作,得知是导通状态还是断开状态;R3的另一端与R4一端相连,该连接点同时与R5一端相连;R4的另一端与电源正极相连;R5的另一端与PMOSFET开关S4的栅极相连,R5为驱动限流作用;S4的源极与电源正极相连;电源负极与S4的漏极构成了本实施例的输出,形成电源正端开关功能;R3和R4构成分压电路,根据S4的栅源极驱动电压来确定电阻数值;电压检测模块D1是一个检测电源电压值的本领域通用电压检测方案示意图,本实施例不做叙述。
图5所示的电路中,当电源Y1电压低于稳压管VD1的阈值Vz,关断三极管S1,从而关断PMOS管S4供电回路;只有Y1电压高于稳压管VD1的阈值Vz,才能驱动S1导通并开启S4供电回路。
通过电压检测模块D1,当电源Y1电压低于预设阈值VL,处理器M1控制驱动光耦S2关断供电,从而关断PMOS管S4供电回路;只有电压高于预设阈值VL,处理器M1控制才驱动光耦S2导通并开启S4供电回路。
一般地,上述电源电压预设阈值VL大于低压阈值Vz。
当电源Y1电压高于预设阈值VL,处理器M1控制驱动光耦S2导通,并开启S4供电回路;在这种情况下,若需要切断电源,可以人工按复位开关S3,处理器M1控制驱动光耦S2关断,从而关断S4供电回路。
当关断S4电源回路后,主要在电压比较电路部分R1、VD1、R2回路有nA级微小电流消耗,功耗低至微瓦级。
当电源Y1供电回路被关断后,不允许自动恢复供电;但是若电源Y1电压高于预设阈值VL,可以人工操作恢复供电。
当电源Y1供电回路被关断后,并且电压高于预设阈值Vl,在这种情况下,若需要恢复供电,可以人工按复位开关S3发出信号,处理器M1控制驱动光耦S2导通,并开启S4供电回路。
逻辑上,S1与S2是串联关系,S2与S3是并联关系。
各个开关S1、S2、S3、S4不限于是例中所述的器件,还可以是其他能实现相同功能的开关,也属于本发明的范围。例如S2是具有隔离功能的控制开关,这使得控制起来很容易,S2还可以是电磁继电器;又例如S4还可以是双极性晶体三极管BJT,还可以是IGBT等。
此说明书中所描述的许多功能部件都被称为模块,以便更加特别地强调其实现方式的独立性。
本发明实施例中,模块可以用软件实现,以便由各种类型的处理器执行。举例来说,一个标识的可执行代码模块可以包括计算机指令的一个或多个物理或者逻辑块,举例来说,其可以被构建为对象、过程或函数。尽管如此,所标识模块的可执行代码无需物理地位于一起,而是可以包括存储在不同物理上的不同的指令,当这些指令逻辑上结合在一起时,其构成模块并且实现该模块的规定目的。
实际上,可执行代码模块可以是单条指令或者是许多条指令,并且甚至可以分布在多个不同的代码段上,分布在不同程序当中,以及跨越多个存储器设备分布。同样地,操作数据可以在模块内被识别,并且可以依照任何适当的形式实现并且被组织在任何适当类型的数据结构内。所述操作数据可以作为单个数据集被收集,或者可以分布在不同位置上(包括在不同存储设备上),并且至少部分地可以仅作为电子信号存在于系统或网络上。
在模块可以利用软件实现时,考虑到现有硬件工艺的水平,所以可以以软件实现的模块,在不考虑成本的情况下,本领域技术人员都可以搭建对应的硬件电路来实现对应的功能,所述硬件电路包括常规的超大规模集成(VLSI)电路或者门阵列以及诸如逻辑芯片、晶体管之类的现有半导体或者是其它分立的元件。模块还可以用可编程硬件设备,诸如现场可编程门阵列、可编程阵列逻辑、可编程逻辑设备等实现。
在本发明各方法实施例中,所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种电源休眠与唤醒电路,其特征在于,包括电压比较模块、逻辑控制模块、开关元件、电压检测模块、开关检测模块和处理器,所述电压比较模块、开关元件和处理器分别与逻辑控制模块连接,所述电压检测模块和开关检测模块分别与处理器连接,其中,
所述电压比较模块,用于比较电源电压与预设的低压阈值,并根据比较结果控制所述逻辑控制模块;
所述电压检测模块,用于检测电源电压是否低于预设阈值;
所述开关检测模块,用于检测逻辑控制模块中双联复位开关的状态;
所述处理器,用于根据所述电压检测模块和所述开关检测模块的检测结果控制所述逻辑控制模块;
所述逻辑控制模块用于在所述电压比较模块和所述处理器的控制下驱动所述开关元件关断电源的供电回路,或驱动开关元件开启电源的供电回路。
2.根据权利要求1所述的电源休眠与唤醒电路,其特征在于,
所述逻辑控制模块具体用于在电源电压低于低压阈值时,电路驱动所述开关元件关断电源的供电回路;在电源电压高于低压阈值时,电路驱动开关元件开启电源的供电回路;或
在电源电压低于预设阈值时,使所述处理器控制开关元件关断电源的供电回路;在电源电压高于预设阈值时,使所述处理器控制开关元件开启电源的供电回路。
3.根据权利要求2所述的电源休眠与唤醒电路,其特征在于,所述预设阈值大于低压阈值。
4.根据权利要求2所述的电源休眠与唤醒电路,其特征在于,
在电源电压高于预设阈值时,所述处理器还用于接收输入的关断电源指令,控制所述逻辑控制模块,进而使得所述逻辑控制模块控制开关元件关断电源的供电回路。
5.根据权利要求2所述的电源休眠与唤醒电路,其特征在于,
在关断电源的供电回路后,所述处理器还用于接收输入的开启电源指令,控制所述逻辑控制模块,进而使得所述逻辑控制模块控制开关元件开启电源的供电回路。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的电源休眠与唤醒电路,其特征在于,
所述逻辑控制模块包括第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3,第一开关S1的一端与电源相连,第一开关S1另一端与第二开关S2串联,第二开关S2另一端与驱动开关元件的驱动电路相连,第三开关S3与第二开关S2并联,第三开关S3为手动复位式开关;
所述电压比较模块两端分别与电源连接,所述电压比较模块的比较结果输出端与第一开关S1的控制端连接;
所述电压检测模块与所述电源连接,检测结果输出端与所述处理器连接;
所述开关检测模块具体用于检测所述第三开关S3的状态,检测结果输出端与所述处理器连接;
所述处理器的运算结果输出端与第二开关S2的控制端连接;
所述逻辑控制模块的输出端与所述驱动电路连接,所述驱动电路与所述开关元件连接。
7.根据权利要求6所述的电源休眠与唤醒电路,其特征在于,所述电源包括辅助供电电源Y1和主供电电源Y2,当主供电电源Y2断电的时候,辅助供电电源Y1的供电回路在所述处理器的控制下开启或者关断;当主供电电源Y2供电的时候,所述处理器接通第二开关S2,开启辅助供电电源Y1的供电回路。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的电源休眠与唤醒电路,其特征在于,
所述电压比较模块包括:电阻R1、R2和稳压管VD1,其中,电阻R1一端与电源正极相连,另一端与稳压管VD1阴极相连,电阻R2一端与电源负极相连,另一端与稳压管VD1阳极相连;
所述逻辑控制模块包括pnp三极管S1、四端口光耦S2、双联复位开关S3、电阻R3、R4和R5;S1的基极,与R1和VD1的连接点相连;S1的发射极,与电源的正极相连;四端口光耦S2,第4脚集电极与S1的集电极相连,该连接点同时与双联复位开关S3的第2脚相连;双联复位开关S3的2脚和4脚为一个复位开关的触点两端,双联复位开关S3的1脚和3脚为另一个复位开关的触点两端;四端口光耦S2的第3脚发射极与双联复位开关S3的第4脚相连,该连接点与R3一端相连;四端口光耦S2的第1脚和第2脚为光耦的光电二极管两端,由处理器输出信号控制该光电二极管的导通与关断;双联复位开关S3的第1脚和第3脚与处理器相连,所述处理器检测双联复位开关S3导通状态或断开状态;R3的另一端与R4一端相连,该连接点与R5一端相连;R4的另一端与电源负极相连;
开关元件S4为NMOSFET开关,R5的另一端与开关元件S4的栅极相连,开关元件S4的源极与电源负极相连。
9.根据权利要求1-5中任一项所述的电源休眠与唤醒电路,其特征在于,
所述电压比较模块包括:电阻R1、R2和稳压管VD1,其中,电阻R1一端与电源负极相连,另一端与稳压管VD1阳极相连,电阻R2一端与电源正极相连,另一端与稳压管VD1阴极相连;
所述逻辑控制模块包括npn三极管S1、四端口光耦S2、双联复位开关S3、电阻R3、R4和R5,三极管S1的基极,与R1和VD1的连接点相连;三极管S1的发射极,与电源的负极相连;四端口光耦S2,第3脚发射极与三极管S1的集电极相连,该连接点与双联复位开关S3的第4脚相连;双联复位开关S3的2脚和4脚为一个复位开关的触点两端,双联复位开关S3的1脚和3脚为另一个复位开关的触点两端;四端口光耦S2的第4脚集电极与双联复位开关S3的第2脚相连,该连接点与R3一端相连;四端口光耦S2的第1脚和第2脚为光耦的光电二极管两端,由处理器控制该光电二极管的导通与关断;双联复位开关S3的第1脚和第3脚与处理器相连,所述处理器检测双联复位开关S3的导通状态或断开状态;R3的另一端与R4一端相连,该连接点与R5一端相连;R4的另一端与电源正极相连;
开关元件S4为PMOSFET开关,R5的另一端与开关元件S4的栅极相连,开关元件S4的源极与电源正极相连。
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