CN106549115A - 异方性导电胶膜及异方性导电胶膜的剥离方法 - Google Patents

Abstract

本发明公布了一种异方性导电胶膜，所述异方性导电胶膜包括层叠设置的缓冲层和异方性导电胶层，所述缓冲层包括相对设置的第一表面与第二表面，所述第一表面用于直接粘贴于所述基板上，所述第二表面粘贴于所述异方性导电胶层上并完全覆盖所述异方性导电胶层在所述第二表面上的正投影，所述缓冲层包括氢化硅，用于被激光照射后产生气泡分离所述异方性导电胶层与所述基板，所述异方性导电胶层包括导电粒子，用于导通所述驱动芯片与所述基板。本发明还公布了一种异方性导电胶膜的剥离方法。激光照射异方性导电胶膜使缓冲层的氢化硅分解产生氢气气泡分离异方性导电胶层与基板，使异方性导电胶膜易于刮除干净，提高不良品的返工成功率。

Description

异方性导电胶膜及异方性导电胶膜的剥离方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种异方性导电胶膜及异方性导电胶膜的剥离方法。

背景技术

随着显示技术的不断进步，有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organiclight emitting diode，AMOLED)显示屏的应用越来越广泛。AMOLED显示屏主要使用异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)将覆晶薄膜(Chip On Flex/Chip OnFilm，COF)驱动芯片粘合在显示面板的基板上。由于现有的COF粘结制程良品率较低，不良品返工重做的情况也越来越多，介于COF芯片和显示面板成本较高，提高返工的质量显得尤为重要。如何设计易于返工过程中剥离的异方性导电胶膜，以及如何在不损坏基板的情况下剥离已固化并粘结在基板上的异方性导电胶膜是提高返工成功率最关键的一环。

现有技术中，异方性导电胶膜由环氧树脂和导电粒子混合形成，异方性导电胶膜直接粘贴于基板之上，对于需要返工的不良品，异方性导电胶膜难以刮除，如果使用刮胶棒用力刮磨，容易刮基板上的线路，无法用于返工重新粘结COF芯片。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种异方性导电胶膜及异方性导电胶膜的剥离方法，用以解决现有技术中异方性导电胶膜难以刮除，如果使用刮胶棒用力刮磨，容易刮基板上的线路，无法用于返工重新粘结COF芯片的问题。

为解决上述技术问题，一方面，本发明提供一种异方性导电胶膜，用于连接驱动芯片与显示面板的基板，所述异方性导电胶膜包括层叠设置的缓冲层和异方性导电胶层，所述缓冲层包括相对设置的第一表面与第二表面，所述第一表面用于直接粘贴于所述基板上，所述第二表面粘贴于所述异方性导电胶层上并完全覆盖所述异方性导电胶层在所述第二表面上的正投影，所述缓冲层包括氢化硅，所述氢化硅用于被激光照射后产生气泡分离所述异方性导电胶层与所述基板，所述异方性导电胶层包括导电粒子，所述导电粒子压合后用于导通所述驱动芯片与所述基板。

进一步，所述缓冲层中氢化硅的含量为10％～50％，以产生足够的所述气泡分离所述异方性导电胶层与所述基板。

进一步，所述缓冲层的厚度为5um～20um。

进一步，所述异方性导电胶膜还包括承载层，所述承载层可剥离的粘贴于所述异方性导电胶层上，用于所述异方性导电胶膜粘贴于所述基板之前保持所述异方性导电胶膜的粘性与形状。

另一方面，本发明还提供一种异方性导电胶膜的剥离方法，包括：

提供表面粘贴有所述异方性导电胶膜的基板，所述异方性导电胶膜包括层叠设置的缓冲层和异方性导电胶层，所述缓冲层包括相对设置的第一表面与第二表面，所述第一表面直接粘贴于所述基板上，所述第二表面粘贴于所述异方性导电胶层上并完全覆盖所述异方性导电胶层在所述第二表面上的正投影，所述缓冲层包括氢化硅；

激光照射粘贴于显示面板的基板上的所述异方性导电胶膜，使所述缓冲层的氢化硅受热分解产生氢气气泡分离所述异方性导电胶层与所述基板；

使用刮胶棒刮除残余的所述异方性导电胶膜。

进一步，所述“激光照射粘贴于显示面板的基板上的所述异方性导电胶膜，使所述缓冲层的氢化硅受热分解产生氢气气泡分离所述异方性导电胶层与所述基板”步骤包括：所述激光以不大于200mm/s的速度沿直线扫描所述异方性导电胶膜。

进一步，所述激光的功率不大于10W，以保证所述氢化硅分解产生足量的气泡而又不至于热量太大损坏基板。

进一步，所述激光照射于所述异方性导电胶膜上的光斑为圆形，以得到能量集中的所述激光。

进一步，所述光斑的直径为10um～308um。

进一步，所述“使用刮胶棒刮除残余的所述异方性导电胶膜”步骤之前，所述方法还包括：在残余的所述异方性导电胶膜上涂布清洗溶液，用于溶解所述异方性导电胶膜。

本发明的有益效果如下：缓冲层位于基板与异方性导电胶层之间，激光照射异方性导电胶膜使缓冲层的氢化硅分解产生氢气气泡分离异方性导电胶层与基板，从而使异方性导电胶膜易于刮除干净，且不损坏基板，对不良品的原材损坏小，提高不良品的返工成功率，降低AMOLED显示屏的生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的明显变形方式。

图1为本发明实施例提供的异方性导电胶膜的结构示意图。

图2为本发明实施例提供的异方性导电胶膜贴合于基板后的示意图。

图3为激光照射异方性导电胶膜过程的侧面示意图。

图4为激光照射异方性导电胶膜过程的正面示意图。

图5为涂布清洗溶液过程示意图。

图6为刮除异方性导电胶膜过程示意图。

图7为刮胶棒形状的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请一并参阅图1与图2，异方性导电胶膜10用于连接驱动芯片与基板20，异方性导电胶膜10包括相连的缓冲层102和异方性导电胶层104，缓冲层102直接粘贴于基板20上，异方性导电胶层104位于缓冲层102背离基板20的一侧，并用于粘连驱动芯片。具体的，缓冲层102包括相对设置的第一表面1020与第二表面1022，第一表面1020用于直接粘贴于基板20上，第二表面1022粘贴于异方性导电胶层104上并完全覆盖异方性导电胶层104在第二表面1022上的正投影。进一步的，基板20上设有多个相邻排列的芯片结合区200，驱动芯片通过异方性导电胶膜10粘贴于芯片结合区200上，并通过异方性导电胶膜10内的导电粒子1040导通驱动芯片和基板20，从而驱动芯片可驱动控制显示面板工作。其中，导电粒子1040主要分布于异方性导电胶层104中，当异方性导电胶膜10贴合于芯片结合区200上后，需要压合导电粒子1040使导电粒子1040接触芯片结合区200，使基板20与导电粒子1040导通，再贴合驱动芯片并按压驱动芯片，使驱动芯片与导电粒子1040导通，从而导通基板20与驱动芯片。

进一步的，缓冲层102包括环氧树脂与氢化硅的混合物，环氧树脂利用其粘性粘连基板20，氢化硅被激光照射后，由于瞬间接收到大量热量，氢化硅分解产生氢气，氢气在缓冲层102形成气泡，使异方性导电胶层104与基板20分离。氢气气泡分离异方性导电胶层104与基板20，使异方性导电胶膜10可以轻易的被剥离，且不损坏基板20，对于需要返工重做的AMOLED显示屏不良品，提高了原材料的重复利用率，降低了制造成本。

本实施例中，缓冲层102中氢化硅的质量比重约为10％～50％，一种较佳实施例中，氢化硅的质量比重选择30％。足量的氢化硅用以激光照射后产生充足的氢气气泡，充足的气泡克服异方性导电胶层104相对基板20的附着力，使异方性导电胶层104与基板20分离，残留于芯片结合区200上的异方性导电胶膜10少，即需要再刮除的残留异方性导电胶膜10，发生刮伤芯片结合区200的概率小，提高了原材料的重复利用率，降低了制造成本。

进一步的，缓冲层102的厚度为5um～20um，其中10um最佳。一方面，适宜厚度的缓冲层102提供足量的氢化硅，以用于不良品返工重做时，产生足量的氢气气泡分离异方性导电胶层104与基板20；另一方面，在异方性导电胶膜10贴合于驱动芯片与基板20之间时，适宜厚度的缓冲层102不影响异方性导电胶层104的导电粒子1040被压合而导通芯片结合区200。即该厚度的缓冲层102既不影响驱动芯片与基板20连通，又利于不良品玻璃异方性导电胶膜10。

本实施例中，异方性导电胶膜10还包括承载层106，承载层106可剥离的粘贴于异方性导电胶层104背离缓冲层102的一侧表面上，用于异方性导电胶膜10粘贴于基板20之前保持异方性导电胶膜10的粘性与形状。由于异方性导电胶膜10主要由环氧树脂与导电粒子1040形成，自身结构较软，形状不稳定，在贴合于基板20之前通过贴合承载层106使其保持一定的形状，贴合时再将承载层106剥离，方便贴合基板20过程，并且避免损坏异方性导电胶膜10，降低产品生产成本。

本发明的实施例还提供一种异方性导电胶膜10的剥离方法，用于剥离粘贴于基板20上的异方性导电胶膜10，具体的，异方性导电胶膜10包括层叠设置的缓冲层102和异方性导电胶层104，缓冲层102包括相对设置的第一表面1020与第二表面1022，第一表面1020直接粘贴于基板20上，第二表面1022粘贴于异方性导电胶层104上并完全覆盖异方性导电胶层104在第二表面1022上的正投影，缓冲层102包括氢化硅。

本实施例中，异方性导电胶膜10的剥离方法包括如下步骤：

步骤1、激光照射粘贴于显示面板的基板20上的异方性导电胶膜10，使缓冲层102的氢化硅受热分解产生氢气气泡分离异方性导电胶层104与基板20。

激光能够将极高的能量迅速地聚集在较小的作用区域上，即激光能量密度高，氢化硅瞬间接收到大量热量而分解产生氢气，氢气在缓冲层102形成气泡，使异方性导电胶层104与基板20分离。

一并参阅图4和图5，显示面板的基板20设有用于连接驱动芯片的芯片结合区200，芯片结合区200沿直线排列成一排，异方性导电胶膜10铺设于芯片结合区200上并覆盖各芯片结合区200。具体的，各芯片结合区200之间间隔约26um。激光头30发出激光照射异方性导电胶膜10，激光照射于异方性导电胶膜10表面上的位置形成光斑302，调节激光头30与异方性导电胶膜10表面的距离可以改变光斑302的大小。激光头30与异方性导电胶膜10表面的距离越接近焦距，则光斑302尺寸越小，光斑302上聚集的能量密度越高，当光斑302处于焦点位置处时，光斑302最小，且能量密度最大。激光头30通过使用不同的聚焦镜片可以得到不同形状的光斑302，一种实施方式中，光斑302的形状为圆形，圆形光斑302易于得到，且能量分布均匀，具体的，圆形光斑302采用直径为10um～308um时效果最佳；其他实施方式中，光斑302也可以为长条形，由于芯片结合区200表面一般为矩形，长条形光斑302对芯片结合区20030的覆盖面积大，激光扫描效率高。

本实施例中，激光头30沿直线方向水平匀速移动，激光匀速扫描异方性导电胶膜10表面，即光斑302沿水平方向匀速移动，使异方性导电胶膜10每个部分被激光照射的时间长度相同，故缓冲层102每个部分受热情况相同，缓冲层102各部分产生足够的氢气气泡，分离异方性导电胶层104与基板20。具体的，激光头30移动速度不大于200mm/s，激光功率不大于10W，该激光扫描速度与激光功率使氢化硅分解产生足量的气泡，又不至于由于热量过大损坏基板20，得到最佳的分离效果。

优选的，本实施例采用直径为50um的圆形光斑302，激光扫描速度为200mm/s，激光功率设置为10W。进一步的，激光扫描过程包括以下步骤：1、激光器输出激光，激光以第一方向沿直线从异方性导电胶膜1010表面的第一端向第二端扫描；2、激光器停止输出激光，激光头30以第二方向沿直线位移40um～50um；3、激光器输出激光，激光以与第一方向相反的方向沿直线从异方性导电胶膜10表面的第二端向第一端扫描；4、激光器停止输出激光，激光头30以第二方向沿直线位移40um～50um；5、重复以上步骤，直至异方性导电胶膜10全部表面均被激光扫描完毕。激光沿以上轨迹均匀扫描异方性导电胶膜10，扫描面积覆盖异方性导电胶膜10的全部表面，且异方性导电胶膜10各部分受热均匀，氢化硅分解得到足够的氢气气泡。

本实施例中，激光扫描过程中，同时对异方性导电胶膜10表面持续施加保护气体，用于防止扫描过程中产生的烟雾阻碍激光照射于异方性导电胶膜10上。激光照射于异方性导电胶膜10时，异方性导电胶膜10被扫描的同时表面会产生烟雾漂浮在异方性导电胶膜10与激光头30之间，保护气体将异方性导电胶膜10与激光头30之间的烟雾吹走，防止激光光束穿过烟雾的过程中部分能量被烟雾吸收而导致异方性导电胶膜10得到的激光能量不足或不均匀，提高激光利用率，降低加工成本。进一步的，保护气体使用氮气，氮气化学性质稳定，不易与异方性导电胶膜10发生反应，不影响扫描异方性导电胶膜10，且氮气成本低，从而降低加工过程整体成本。

激光照射异方性导电胶膜10使缓冲层102的氢化硅分解产生氢气气泡分离异方性导电胶层104与基板20，从而将异方性导电胶膜10从基板20剥离，且不损坏基板20，对不良品的原材损坏小，提高不良品的返工成功率，降低AMOLED显示屏的生产成本。

本实施例中，使用固体激光器作为激光源，固体激光器体积小、使用方便、光束质量好，固体激光器与数控机床装配组成加工系统，数控机床的夹具固定显示面板，设置显示面板的移动速度或激光头30的移动速度使激光扫描异方性导电胶膜10。固体激光器作为扫描异方性导电胶膜10的激光源，可控性强，激光功率和激光光束质量满足分解氢化硅的要求，且固体激光器体积小而方便组成加工系统，剥离异方性导电胶膜10的步骤易于实现。

步骤2、在残余的异方性导电胶膜10上涂布清洗溶液40。

结合图6，氢气气泡分离基板20和异方性导电胶层104后，基板20上依然存在残余的部分异方性导电胶膜10，残余的部分异方性导电胶膜10需要使用刮胶棒50刮除。具体的，将清洗溶液40均匀的涂布在残余的异方性导电胶膜10上，清洗溶液40部分溶解残余的异方性导电胶膜10，方便后续刮除残余的异方性导电胶膜10。具体的，清洗溶液40使用酒精或异丙醇(IPA)溶液。酒精和IPA溶液对异方性导电胶膜10的溶解能力强，方便后续残余的异方性导电胶膜10。

清洁溶液清洗溶解残余的异方性导电胶膜10后，残余的异方性导电胶膜10对基板20的附着力降低，容易在不刮伤芯片结合区200的情况下被刮除干净。

步骤3、使用刮胶棒50刮除残余的异方性导电胶膜10。

刮胶棒50与基板20呈45度，刮胶棒50的顶端500插入异方性导电胶膜10与芯片结合区200之间，从异方性导电胶膜10的一端刮除异方性导电胶膜10。进一步的，刮胶棒50的结构如图7，刮胶棒50包括相连的手持部分502与刮擦部分504，手持部分502为截面为圆形或方形的直杆，便于操作者手持；刮擦部分504为顶端500扁平且锋利的锥形，利于将顶端500插入异方性导电胶膜10与芯片结合区200之间刮除异方性导电胶膜10。清洗溶液40溶解后的异方性导电胶膜10在芯片结合区200上的附着力大大降低，刮胶棒50将异方性导电胶膜10彻底的刮除干净，且不损坏芯片结合区200，被去除异方性导电胶膜10的显示面板可直接用于再次涂覆新的异方性导电胶膜10进行COF粘结制程，重新制作AMOLED显示屏。

激光照射异方性导电胶膜10，使缓冲层102的氢化硅分解产生氢气气泡分离异方性导电胶层104与基板20，残余的异方性导电胶膜10再使用清洁溶液清洗及刮胶棒50刮除，在不刮伤芯片结合区200的情况下较容易的去除异方性导电胶膜10，提高不良品的返工成功率，降低AMOLED显示屏的生产成本。

以上所揭露的仅为本发明几种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种异方性导电胶膜，用于连接驱动芯片与显示面板的基板，其特征在于，所述异方性导电胶膜包括层叠设置的缓冲层和异方性导电胶层，所述缓冲层包括相对设置的第一表面与第二表面，所述第一表面用于直接粘贴于所述基板上，所述第二表面粘贴于所述异方性导电胶层上并完全覆盖所述异方性导电胶层在所述第二表面上的正投影，所述缓冲层包括氢化硅，所述氢化硅用于被激光照射后产生气泡分离所述异方性导电胶层与所述基板，所述异方性导电胶层包括导电粒子，所述导电粒子压合后用于导通所述驱动芯片与所述基板。

2.根据权利要求1所述的异方性导电胶膜，其特征在于，所述缓冲层中氢化硅的含量为10％～50％，以产生足够的所述气泡分离所述异方性导电胶层与所述基板。

3.根据权利要求2所述的异方性导电胶膜，其特征在于，所述缓冲层的厚度为5um～20um。

4.根据权利要求1所述的异方性导电胶膜，其特征在于，所述异方性导电胶膜还包括承载层，所述承载层可剥离的粘贴于所述异方性导电胶层上，用于所述异方性导电胶膜粘贴于所述基板之前保持所述异方性导电胶膜的粘性与形状。

5.一种异方性导电胶膜的剥离方法，其特征在于，包括：

提供表面粘贴有所述异方性导电胶膜的基板，所述异方性导电胶膜包括层叠设置的缓冲层和异方性导电胶层，所述缓冲层包括相对设置的第一表面与第二表面，所述第一表面直接粘贴于所述基板上，所述第二表面粘贴于所述异方性导电胶层上并完全覆盖所述异方性导电胶层在所述第二表面上的正投影，所述缓冲层包括氢化硅；

激光照射粘贴于显示面板的基板上的所述异方性导电胶膜，使所述缓冲层的氢化硅受热分解产生氢气气泡分离所述异方性导电胶层与所述基板；

使用刮胶棒刮除残余的所述异方性导电胶膜。

6.根据权利要求5所述的异方性导电胶膜的剥离方法，其特征在于，所述“激光照射粘贴于显示面板的基板上的所述异方性导电胶膜，使所述缓冲层的氢化硅受热分解产生氢气气泡分离所述异方性导电胶层与所述基板”步骤包括：所述激光以不大于200mm/s的速度沿直线扫描所述异方性导电胶膜。

7.根据权利要求6所述的异方性导电胶膜的剥离方法，其特征在于，所述激光的功率不大于10W，以保证所述氢化硅分解产生足量的气泡而又不至于热量太大损坏基板。

8.根据权利要求7所述的异方性导电胶膜的剥离方法，其特征在于，所述激光照射于所述异方性导电胶膜上的光斑为圆形，以得到能量集中的所述激光。

9.根据权利要求8所述的异方性导电胶膜的剥离方法，其特征在于，所述光斑的直径为10um～308um。

10.根据权利要求5所述的异方性导电胶膜的剥离方法，其特征在于，所述“使用刮胶棒刮除残余的所述异方性导电胶膜”步骤之前，所述方法还包括：在残余的所述异方性导电胶膜上涂布清洗溶液，用于溶解所述异方性导电胶膜。