CN106452386B - 声表面波器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开的声表面波器件低损耗且具有迅速并高衰减的特性，其特征在于，包括：第1输入用布线；第1IDT，连接到该第1输入用布线；第2输入用布线；第2IDT，连接到该第2输入用布线；输出用布线；第3IDT，连接到该输出用布线，设置于所述第1IDT与所述第2IDT之间，所述第1输入用布线、所述第2输入用布线及所述输出用布线是邻接的，向相同的方向引出；所述第1IDT与所述第3IDT之间及所述第2IDT与所述第3IDT之间的至少一个地方，具备附加静电电容的电容模式。

Description

声表面波器件
技术领域
本发明涉及声表面波器件。
背景技术
便携式终端等通讯设备的天线共用器通过搭载声表面波(SAW：Surface AcousticWave)器件而使特定频率波段的信号通过。公知的这种声表面波器件为由多个叉指式换能器(IDT：Interdigital Transducer)构成的纵向模式结合型声表面波器件。
通常，便携式终端等采用的通讯方式为：在接收(Rx)信号的频率波段(以下称接收波段)高于发送(Tx)信号的频率波段(以下称发送波段)的频率波段下进行通讯的方式。但是，最近还出现了接收波段与发送波段相邻且用发送波段高于接收波段的频率信号进行通讯的通讯方式。
如所述，接收波段高于发送波段且相邻的状态下，为了实现稳定的通讯，对于声表面波器件的要求为：接收波段的高波段部分衰减迅速且具有高衰减的特性。并且，用一个天线公用2个以上波段的通讯的情况下，除了接收波段的高波段部分之外，低波段部分的衰减波段也需要衰减迅速且具有高衰减的特性。
专利文献1及2中记载了低损耗且具有迅速的截止特性的声表面波滤波器。该声表面波滤波器为DMS(Double Mode SAW-双模声表面波器件)滤波器，能够向相同方向引出输入端子与输出端子，实现了低损耗且迅速的截止特性。并且可通过减少IDT的开口长度而能够提高声表面波滤波器的截止特性。
在先专利文献
(专利文献1)日本公开专利特开2004-194269号公报
(专利文献2)日本公开专利特开2006-42398号公报
发明内容
(要解决的技术问题)
根据专利文献1及2中记载的声表面波滤波器，若减少IDT的开口长度，则因输入阻抗与输出阻抗产生不整合而导致插入损耗增加的问题。并且，专利文献1及2中为了解决输入阻抗与输出阻抗的不整合问题，提出了并联连接DMS滤波器的结构。但是，专利文献1及2未考虑到利用DMS滤波器之外的声表面波器件来解决输入阻抗及输出阻抗的不整合问题。
本发明的目的在于，提供一种并不限定于DMS滤波器、低损耗且具有迅速及高衰减特性的声表面波器件。
(解决问题的手段)
本发明的一样态的声表面波器件，包括：第1输入用布线；第1IDT，连接到该第1输入用布线；第2输入用布线；第2IDT，连接到该第2输入用布线；输出用布线；第3IDT，连接到该输出用布线，设置于所述第1IDT与所述第2IDT之间，并且，所述第1输入用布线、所述第2输入用布线及所述输出用布线是邻接的，向相同的方向引出；所述第1IDT与所述第3IDT之间及所述第2IDT与所述第3IDT之间的至少一个地方，具备附加静电电容的电容模式。
本发明的另一样态的声表面波器件，包括：第1输入用布线；第1IDT，连接到该第1输入用布线；第2输入用布线；第2IDT，连接到该第2输入用布线；输出用布线；第3IDT，连接到该输出用布线，设置于所述第1IDT与所述第2IDT之间；第1反射器及第2反射器，第1反射器设置于所述第1IDT的左侧，第2反射器设置于所述第2IDT的右侧；并且，所述第1输入用布线、所述第2输入用布线及所述输出用布线是邻接的，向相同的方向引出；所述第1反射器连接到所述第1输入用布线，所述第2反射器连接到所述第2输入用布线。
本发明的另一样态的声表面波器件，包括：第1输入用布线；第1IDT，连接到该第1输入用布线；第2输入用布线；第2IDT，连接到该第2输入用布线；输出用布线；第3IDT，连接到该输出用布线，设置于所述第1IDT与所述第2IDT之间，并且，所述第1输入用布线、所述第2输入用布线及所述输出用布线是邻接的，向相同的方向引出；所述第1IDT与所述第3IDT之间及所述第2IDT与所述第3IDT之间的至少一个地方，具备附加静电电容的电容模式，与至少1个共振器连接。
本发明的又一样态的声表面波器件，包括：第1输入用布线；第1IDT，连接到该第1输入用布线；第2输入用布线；第2IDT，连接到该第2输入用布线；输出用布线；第3IDT，连接到该输出用布线，设置于所述第1IDT与所述第2IDT之间；第1反射器及第2反射器，第1反射器设置于所述第1IDT的左侧，第2反射器设置于所述第2IDT的右侧；并且，所述第1输入用布线、所述第2输入用布线及所述输出用布线是邻接的，向相同的方向引出；所述第1反射器连接到所述第1输入用布线，所述第2反射器连接到所述第2输入用布线，与至少1个共振器连接。
(发明的效果)
根据本发明，并不限定于DMS滤波器，低损耗且具有迅速并高衰减的特性。
附图说明
图1是呈现根据本发明的第1实施形态的声表面波器件所包括的IDT构成的模式图。
图2是呈现接收波段与发送波段的频率特性关系的模式图。
图3是呈现传统的声表面波器件的接收波段的频率特性及根据本发明的声表面波器件的接收波段的频率特性的图表。
图4时呈现2个波段的接收波段与发送波段的频率特性关系的模式图。
图5是呈现根据本发明的第1实施形态的第1变形例的IDT的构成的模式图。
图6是呈现根据本发明的第1实施形态的第2变形例的IDT的构成的模式图。
图7是呈现根据本发明的第1实施形态的第3变形例的IDT的构成的模式图。
图8是呈现根据本发明的第2实施形态的声表面波器件的构成的模式图。
图9是呈现根据本发明的第2实施形态的第1变形例的声表面波器件的构成的模式图。
图10是呈现根据本发明的第2实施形态的第2变形例的声表面波器件的构成的模式图。
图11是呈现根据本发明的第2实施形态的第3变形例的声表面波器件的构成的模式图。
图12是呈现根据本发明的第2实施形态的第4变形例的声表面波器件的构成的模式图。
图13是呈现根据第3实施形态的天线收发转换开关的构成的框图。
图14是呈现根据本发明的第3实施形态的声表面波器件的构成的模式图。
图15是呈现传统的声表面波器件的绝缘特性及根据第3实施形态的声表面波器件的绝缘特性的图表。
图16是呈现传统的天线收发转换开关的发送波段的频率特性及根据第3实施形态的天线收发转换开关的发送波段的频率特性的图表。
图17是呈现根据本发明的第3实施形态的第1变形例的声表面波器件的构成的模式图。
图18是呈现根据本发明的第3实施形态的第2变形例的声表面波器件的构成的模式图。
图19是呈现根据本发明的第3实施形态的第3变形例的声表面波器件的构成的模式图。
图20是呈现根据本发明的第3实施形态的第4变形例的声表面波器件的构成的模式图。
符号说明
1：第1接收频率特性
2：第2接收频率特性
3：第1绝缘特性
4：第2绝缘特性
5：第1发送频率特性
6：第2发送频率特性
10：第1IDT
11：第1输入用布线
12：第1接地布线
20：第2IDT
21：第2输入用布线
22：第2接地布线
30：第3IDT
31：输出用布线
32：第3接地布线
41：第1电极
42：第2电极
43：第1垂直IDT
44：第2垂直IDT
45：第1平行IDT
46：第2平行IDT
51：第1反射器
52：第2反射器
61：第1串联共振器
62：第2串联共振器
63：第3串联共振器
64：第4串联共振器
65：第5串联共振器
66：第6串联共振器
71：第1并联共振器
72：第2并联共振器
73：第3并联共振器
74：第4并联共振器
75：第5并联共振器
81：第1感应器
82：第2感应器
83：第3感应器
84：第4感应器
85：第5感应器
91：第1共振器
92：第2共振器
93：第3共振器
100、100A、100B、100C：声表面波器件
101：接收波段
102：发送波段
200，200A、200B、200C、200D：声表面波器件
201：发送波段
202：接收波段
203：发送波段
204：接收波段
300，300A、300B、300C、300D：声表面波器件
400：声表面波器件
500：天线收发转换开关
具体实施方式
以下，参照附图而详细说明本发明的实施形态。并且，为了避免反复杂乱，各附图中相同且相当的部分附加相同的符合并适当地省略了说明。
[1.第1实施形态]
图1是呈现根据本发明的第1实施形态的声表面波器件100的IDT构成的模式图。
图示的声表面波器件100包括：第1IDT10、第2IDT20、第3IDT30、第1电极41及第2电极42。
第1IDT10是连接到用于输入输入信号的第1输入用布线11的输入用IDT。并且，在第1IDT10的与第1输入用布线11连接的相反侧，连接第1接地布线12。
第2IDT20是连接到用于输入与第1输入用布线11相同的输入信号的第2输入用布线21的输入用IDT。并且，在第2IDT20的与第2输入用布线21连接的相反侧，连接第2接地布线22。
第3IDT30是连接到输出用布线31的输出用IDT。并且，在第3IDT30的与输出用布线31连接的相反侧，连接第3接地布线32。
即，声表面波器件100包括：1个输出用IDT与2个输入用IDT。
下面说明包括1个输出用IDT与2个输入用IDT的声表面波器件，但这只是例示，并不限定声表面波器件所包括的IDT数量。举例来说，本发明也可适用于包括1个输出用IDT与4个输入用IDT的声表面波器件。
第1输入用布线11、第2输入用布线21及输出用布线31是相互邻接的，并且向相同的方向引出(图1中向下方引出)。该构成是在邻接的第1输入用布线11与输出用布线31之间及邻接的第2输入用布线21与输出用布线31之间，特意产生静电电容(寄生电容)。产生的静电电容的值根据第1输入用布线11、第2输入用布线21及输出用布线31各自的形状及材料等而产生变化。即，设计者等可通过变更第1输入用布线11、第2输入用布线21及输出用布线31的形状及材料等而调整静电电容的值。第1输入用布线11与输出用布线31之间及第2输入用布线21与输出用布线31之间的静电电容的可相同或不同，根据标的特性而设计静电电容的值。
第1接地布线12、第2接地布线22及第3接地布线32可向相同的方向引出(图1中是上方)，连接到相同的接地装置。
举例来说，第1电极41及第2电极42是由2个金属导体相对而形成的电极，是具有静电电容的电容模式。
第1电极41连接到第1IDT10的输入用布线11及第3IDT30的输出用布线31。即，第1电极41向第1IDT10与第3IDT30之间附加静电电容。
第2电极42连接到第2IDT20的输入用布线21及第3IDT30的输出用布线31。即，第2电极42向第2IDT20与第3IDT30之间附加静电电容。
第1电极41及第2电极42的静电电容根据金属导体之间的宽度或金属导体的形状等而产生变化。即，设计者等可通过变更第1电极41及第2电极42的金属导体之间的宽度或金属导体的形状等而调整静电电容的值。第1电极41及第2电极42的静电电容的值可相同或不同。
并且，声表面波器件100无需同时包括第1电极41及第2电极42，只需包括第1电极41及第2电极42中的至少一个。
图2是呈现可适用本发明的声表面波器件的接收波段与发送波段的频率特性的关系的一例的模式图。图2中，横轴为频率(MHz)，竖轴为插入损耗(dB)，发送波段102的频率高于接收波段101的频率。
接收波段101与发送波段102处于如图2的关系时，要增大接收波段101的高波段部分的衰减波段的衰减量。本发明可通过向声表面波器件的IDT之间附加静电电容而增大接收波段101的高波段侧的衰减波段的衰减量。
图3是呈现根据本发明的声表面波器件100的接收波段的频率特性及一般声表面波器件的接收波段的频率特性的图表。并且，传统的声表面波器件是指未附加静电电容的声表面波器件。第1频率特性1是传统的声表面波器件的频率特性，第2频率特性2是声表面波器件100的频率特性，横轴为频率(MHz)，竖轴为插入损耗(dB)。并且，图3的横轴约720～930MHz，竖轴约-80～0dB。
如图3所图示，声表面波器件100具有约780～830MHz的接收波段。并且，声表面波器件100在约840～850MHz的高波段侧的衰减波段中，相比传统的声表面波器件，衰减约26dB的频率。其原因在于，因附加静电电容而在接收波段的高波段侧的衰减波段产生了共振，从而抑制了插入损耗。即，根据本发明的一实施形态的声表面波器件100通过附加静电电容而使得接收波段的高波段侧的衰减波段产生共振，在接收波段的高波段侧的衰减波段获得迅速且高衰减的特性。
并且，声表面波器件100具有约780～830MHz范围的接收波段，但这只是例示性的，并不是限定声表面波器件的接收波段。本发明也可适用于在不同频率波段具有接收波段的声表面波器件。
图4是呈现利用2个以上波段的通讯共用一个天线时的频率特性的关系的模式图。图4呈现了发送波段201、接收波段202、发送波段203、接收波段204的2个波段的通讯波段。并且，图4中横轴为频率(MHz)，竖轴为插入损耗(dB)。
接收波段202存在于发送波段(201及203)之间的频率波段。这种情况下，对应于迅速且大大衰减接收波段202的高波段侧的衰减波段，需要迅速且大大衰减低波段侧的衰减波段。根据本发明，图4的情况下，通过附加静电电容而使得接收波段202的低波段侧的衰减波段产生共振，能够在接收波段202的低波段侧的衰减波段获得迅速且高衰减的特性。
并且，声表面波器件100通过变更布线的形状或在IDT之间附加静电电容，能够实现低损耗且获得迅速且高衰减的特性，相比传统的声表面波器件，有利于装置的小型化。
[2.第1实施形态的变形例]
(2-1.第1变形例)
图5是呈现根据本发明的声表面波器件100的第1变形例的声表面波器件100A的IDT的构成的模式图。
声表面波器件100A包括第1IDT10、第2IDT20、第3IDT30、第1垂直IDT43与第2垂直IDT44。
声表面波器件100A与声表面波器件100的不同点在于：第1IDT10与第3IDT30之间连接第1垂直IDT43，第2IDT20与第3IDT30之间连接第2垂直IDT44。
第1垂直IDT43及第2垂直IDT44是向与声表面波传播方向的垂直的方向形成电极的IDT(即，垂直IDT)。即，第1IDT10与第3IDT30之间及第2IDT与第3IDT30之间，除了由2个金属导体构成的电极之外，也可通过连接图5中图示的垂直IDT43及44而向声表面波器件100附加静电电容。
第1垂直IDT43及第2垂直IDT的静电电容的值分别根据电极的节宽及电极的对数(對數)等而产生变化。即，设计者等可通过变更第1垂直IDT43及第2垂直IDT的电极的节宽及电极的对数等而调整静电电容的值。第1垂直IDT43及第2垂直IDT44的静电电容的值可相同或不同。
并且，声表面波器件100A无需同时包括第1垂直IDT43及第2垂直IDT44，只需包括第1垂直IDT43及第2垂直IDT44中的至少一个。
(2-2.第2变形例)
图6是呈现根据本发明的声表面波器件100的第2变形例的声表面波器件100B的IDT的构成的模式图。
根据第2变形例的声表面波器件100B包括第1IDT10、第2IDT20、第3IDT30、第1平行IDT45与第2平行IDT46。
声表面波器件100B与声表面波器件100的不同点在于：第1IDT10与第3IDT30之间连接第1平行IDT45，第2IDT20与第3IDT30之间连接第2平行IDT46。
第1平行IDT45及第2平行IDT46是向与声表面波的传播方向平行的方向形成电极的IDT(即，平行IDT)。
第1平行IDT45及第2平行IDT46的静电电容的值根据电极的节宽及电极的对数等而产生变化。即，设计者等可通过变更第1平行IDT45及第2平行IDT46的电极的节宽及电极的对数而调整静电电容的值。第1平行IDT45及第2平行IDT46的静电电容的值可相同或不同。
并且，声表面波器件100B无需同时包括第1平行IDT45及第2平行IDT46，只需包括第1平行IDT45及第2平行IDT46中的至少一个。
(2-3.第3变形例)
图7是呈现本发明的声表面波器件100的第3变形例即声表面波器件100C的IDT的构成的模式图。
声表面波器件100C包括第1IDT10、第2IDT20、第3IDT30、第1电极41与第2垂直IDT44。
声表面波器件100C与声表面波器件100的不同点在于：第1IDT10与第3IDT30之间连接第1电极41，第2IDT20与第3IDT30之间连接第2垂直IDT44。
即，第1IDT10与第3IDT30之间及第2IDT20与第3IDT30之间可连接不同形状的电容模式。即，根据声表面波器件100C，连接的2个电容模式可根据设计而自由地组合第1电极41、第2电极42、第1垂直IDT43、第2垂直IDT44、第1平行IDT45及第2平行IDT46。
并且，作为电容模式的形状，说明了第1电极41、第2电极42、第1垂直IDT43、第2垂直IDT44、第1平行IDT45及第2平行IDT46，但这只是例示，并不是为了限定本发明。对于本发明的电容模式的形状，只要是能够向声表面波器件附加静电电容的形状，可不同于所述的形状。
因此，对于声表面波器件(100A～100C)，通过向声表面波器件附加静电电容而使得接收波段的高波段侧的衰减波段产生共振，在接收波段的高波段侧的衰减波段获得迅速且高衰减的特性。并且，对于声表面波器件(100A～100C)，通过变更布线的形状或在IDT之间附加静电电容而能够实现低损耗且获得迅速且高衰减的特性，相比传统的声表面波器件，有利于装置的小型化。
[3.第2实施形态]
图8是呈现根据本发明的第2实施形态的声表面波器件200的构成的模式图。
声表面波器件200包括第1IDT10、第2IDT20、第3IDT30、第1反射器51与第2反射器52。
第1IDT10是连接到用于输入输入信号的第1输入用布线11的输入用IDT。并且，第1IDT10的与第1输入用布线11连接的相反侧，连接第1接地布线12。
第2IDT20是连接到用于输入与第1输入用布线11相同的输入信号的第2输入用布线21的输入用IDT。并且，第2IDT20的与第2输入用布线21连接的相反侧，连接第2接地布线22。
第3IDT30是连接到输出用布线31的输出用IDT。并且，第3IDT30的与输出用布线31连接的相反侧，连接第3接地布线32。
即，声表面波器件100包括1个输出用的IDT与2个输入用IDT。
以下说明包括1个输出用的IDT与2个输入用IDT的声表面波器件，但这只是例示，并不是限定声表面波器件所包括的IDT的数量。本发明也可适用于包括1个输出用的IDT与4个输入用IDT的声表面波器件。
第1输入用布线11、第2输入用布线21及输出用布线31是邻接的，并且向相同的方向引出(图8中向下方引出)。该构成是在邻接的第1输入用布线11与输出用布线31之间及邻接的第2输入用布线21与输出用布线31之间，特意产生静电电容(寄生电容)。产生的静电电容的值根据第1输入用布线11、第2输入用布线21及输出用布线31各自的形状及材料等而产生变化。即，设计者等可通过变更第1输入用布线11、第2输入用布线21及输出用布线31的形状及材料等而调整静电电容的值。第1输入用布线11与输出用布线31之间及第2输入用布线21与输出用布线31之间的静电电容的可相同或不同，根据标的特性而设计静电电容的值。
第1接地布线12、第2接地布线22及第3接地布线32分别向相同的方向引出(图8中是上方)而连接到相同的接地装置。
第1反射器51及第2反射器52设置成沿着声表面波的传播方向插入第1IDT10、第2IDT20及第3IDT30。并且，第1反射器51连接到第1输入用布线11，第2反射器52连接到第2输入用布线21。
具体地说，第1反射器51上连接第1输入用布线11，使得输出用布线31与第1反射器51之间产生静电电容，第2反射器52上连接第2输入用布线21，使得输出用布线31与第2反射器52之间产生静电电容。
即，声表面波器件200中，输出用布线31与第1反射器51之间及输出用布线31与第2反射器52之间也产生静电电容。
输出用布线31与第1反射器51之间产生的静电电容的值根据输出用布线31的形状、第1反射器51的电极的对数及第1反射器51的节宽等而产生变化。即，设计者等可通过变更输出用布线31的形状、第1反射器51的电极的对数及第1反射器51的节宽等而调整静电电容的值。
与此相同，输出用布线31与第2反射器52之间产生的静电电容的值根据输出用布线31的形状、第2反射器52的电极的对数及第2反射器52的节宽等而产生变化。即，设计者等可通过变更输出用布线31的形状、第2反射器52的对数及第2反射器52的节宽等而调整静电电容的值。
输出用布线31与第1反射器51之间产生的静电电容的值及输出用布线31与第2反射器52之间产生的静电电容的值可相同或不同。
因此，声表面波器件200通过附加静电电容而能够实现低损耗且在接收波段的高波段侧获得迅速且高衰减的特性。并且，声表面波器件200通过变更布线的形状或在IDT之间附加静电电容，能够实现低损耗且获得迅速且高衰减的特性，相比传统的声表面波器件，有利于装置的小型化。
[4.第2实施形态的变形例]
(4-1.第1变形例)
图9是呈现声表面波器件200的第1变形例即声表面波器件200A的构成的模式图。
声表面波器件200A包括第1IDT10、第2IDT20、第3IDT30、第1电极41、第2电极42、第1反射器51、第2反射器52。
声表面波器件200A与声表面波器件200的不同点在于：第1IDT10与第3IDT30之间连接第1电极41，第2IDT20与第3IDT30之间连接第2电极42。
即，声表面波器件200A中，第1IDT10与第3IDT30之间及第2IDT20与第3IDT30之间也通过第1电极41及第2电极42而附加静电电容。
因此，声表面波器件200A可通过变更第1电极41及第2电极42的静电电容的值而实现低损耗且在接收波段的高波段侧获得迅速且高衰减的特性。
(4-2.第2变形例)
图10是呈现声表面波器件200的第2变形例即声表面波器件200B的构成的模式图。
声表面波器件200B包括第1IDT10、第2IDT20、第3IDT30、第1垂直IDT43、第2垂直IDT44、第1反射器51、第2反射器52。
声表面波器件200B与声表面波器件200的不同点在于：第1IDT10与第3IDT30之间连接第1垂直IDT43，第2IDT20与第3IDT30之间连接第2垂直IDT44。
即，比较声表面波器件200B与声表面波器件200，第1IDT10与第3IDT30之间及第2IDT20与第3IDT30之间也附加了静电电容。
因此，声表面波器件200B可通过变更第1垂直IDT43及第2垂直IDT44的静电电容的值而实现低损耗且在接收波段的高波段侧获得迅速且高衰减的特性。
(4-3.第3变形例)
图11是呈现声表面波器件200的第3变形例即声表面波器件200C的构成的模式图。
声表面波器件200C包括第1IDT10、第2IDT20、第3IDT30、第1平行IDT45、第2平行IDT46、第1反射器51、第2反射器52。
声表面波器件200C与声表面波器件200的不同点在于：第1IDT10与第3IDT30之间连接第1平行IDT45，第2IDT20与第3IDT30之间连接第2平行IDT46。
即，比较声表面波器件200C与声表面波器件200，第1IDT10与第3IDT30之间及第2IDT20与第3IDT30之间也附加了静电电容。
因此，声表面波器件200C可通过变更第1平行IDT45及第2平行IDT46的静电电容的值而实现低损耗且在接收波段的高波段侧获得迅速且高衰减的特性。
(4-4.第4变形例)
图12是呈现声表面波器件200的第4变形例即声表面波器件200D的构成的模式图。
声表面波器件200D包括第1IDT10、第2IDT20、第3IDT30、第1电极41、第2垂直IDT44、第1反射器51、第2反射器52。
声表面波器件200D与声表面波器件200的不同点在于：第1IDT10与第3IDT30之间连接第1电极41，第2IDT20与第3IDT30之间连接第2垂直IDT44。
即，声表面波器件200D中，第1IDT10与第3IDT30之间及第2IDT20与第3IDT30之间可连接不同形状的电容模式。并且，根据声表面波器件200D中连接的2个电容模式，可根据设计而自由组合第1电极41、第2电极42、第1垂直IDT43、第2垂直IDT44、第1平行IDT45及第2平行IDT46。在此，连接到第1IDT10与第3IDT30之间及第2IDT20与第3IDT30之间的电容模式的静电电容的值可相同或不同。
并且，作为附加静电电容的电容模式，说明了第1电极41、第2电极42、第1垂直IDT43、第2垂直IDT44、第1平行IDT45及第2平行IDT46，但这只是例示，并不是为了限定本发明。对于本发明的电容模式的形状，只要是能够向声表面波器件附加静电电容的形状，可不同于所述的形状。
因此，对于声表面波器件200A～200D，通过附加静电电容而使得接收波段的高波段侧的衰减波段产生共振，从而能够在接收波段的高波段侧的衰减波段容易地获得迅速且高衰减的特性。并且，对于声表面波器件200A～200D，可通过变更布线的形状或在IDT之间附加静电电容，能够实现低损耗且获得迅速且高衰减的特性，相比传统的声表面波器件，有利于装置的小型化。
[5.第3实施形态]
根据本发明的第3实施形态的声表面波器件是搭载到天线公用器等的构成天线收发转换开关的接收侧的声表面波器件。
在此，参照图13，说明适用本发明的天线收发转换开关500的一例。
天线收发转换开关500包括接收侧的声表面波器件300与发送侧的声表面波器件400，两者连接到天线端子Ant端子。并且，天线收发转换开关500的Ant端子上连接第1感应器81，发送侧(Tx)端子上连接第2感应器82，接收侧(Rx)端子上连接第3感应器83。第1感应器81～第3感应器83可由一般的感应器构成。
接收侧的声表面波器件300包括声表面波器件200、第5串联共振器65、第6串联共振器66、第5并联共振器75。根据声表面波器件300，声表面波器件200具有第1IDT10与第3IDT30之间连接电容模式的构成。
举例来说，第5串联共振器65、第6串联共振器66及第5并联共振器75可由一般的1-Port的SAW共振器构成。第5串联共振器65、第6串联共振器66、第5并联共振器75以梯形连接。
即，声表面波器件300是第2实施形态的声表面波器件200上连接以梯形结合的SAW共振器的声表面波器件。
并且，第5串联共振器65、第6串联共振器66及第5并联共振器75并不限定连接到声表面波器件200的SAW共振器的数量。根据本发明，并不特别限定连接到声表面波器件200的SAW共振器的数量，举例来说，声表面波器件300可设计成仅将第5串联共振器66连接到声表面波器件200的构成。
并且，如后述，因声表面波器件300是用于天线收发转换开关500的接收侧的声表面波器件，对于从Tx端子到Rx端子的绝缘，也具有迅速且高衰减的特性。
发送侧的声表面波器件400包括第1串联共振器61、第2串联共振器62、第3串联共振器63、第4串联共振器64、第1并联共振器71、第2并联共振器72、第3并联共振器73、第4并联共振器74、第4感应器84、第5感应器85。
举例来说，第1串联共振器61～第4串联共振器64可由一般的1-Port的SAW共振器构成。与此相同，第1并联共振器71～第4并联共振器74可由一般的SAW共振器构成。第4感应器84及第5感应器85可由一般的感应器构成。
发送侧的声表面波器件400是由第1串联共振器61～第4串联共振器64、第1并联共振器71～第4并联共振器74、第4感应器84及第5感应器85以梯形结合的梯形声表面波器件。
图14是呈现声表面波器件300的具体构成的模式图。
声表面波器件300包括声表面波器件200、第1共振器91、第2共振器92与第3共振器93。
第1共振器91、第2共振器92及第3共振器93可构成为如1-Port的SAW共振器。根据图14，声表面波器件200上连接以梯形连接的第1共振器91、第2共振器92及第3共振器93。并且，如上所述，第1共振器91、第2共振器92及第3共振器93并不限定连接到声表面波器件200的SAW共振器。举例来说，声表面波器件300可以是声表面波器件200上仅连接第1共振器91的构成。
因声表面波器件300是搭载到天线共用器，因附加接收侧的高波段侧的迅速且高衰减的特性，对于从发送侧到声表面波器件200的绝缘，也需具有迅速且高衰减的特性。
图15是呈现未附加静电电容的声表面波器件及附加静电电容的根据本发明的声表面波器件300的绝缘特性的图表。根据图15，第1绝缘特性3是未附加静电电容的声表面波器件的绝缘特性，第2绝缘特性4是根据本发明的声表面波器件300的绝缘特性，横轴为频率(MHz)，竖轴为插入损耗(dB)。
比较第1绝缘特性3与第2绝缘特性4，第2绝缘特性4在约840～850MHz的高波段侧具有迅速且高衰减的特性。这是因为声表面波器件200上附加了静电电容，对于绝缘，也抑制了插入损耗。
图16是呈现未附加静电电容的声表面波器件及根据本发明的声表面波器件300的发送侧的频率特性的图表。根据图16，第1发送侧频率特性5是未附加静电电容的声表面波器件的发送侧的频率特性，第2发送侧频率特性6是根据本发明的声表面波器件300的发送侧的频率特性，横轴为频率(MHz)，竖轴为插入损耗(dB)。
参照图16，第1发送侧频率特性5及第2发送侧频率特性6是大部分重叠的，即使向接收侧的声表面波器件300附加静电电容，对发送侧也不会造成影响。并且，对于接收侧的频率特性，因与图3相同，省略对其的说明。
即，根据本发明的声表面波器件300除了接收波段的高波段侧之外，绝缘特性上也具有迅速且高衰减的特性。
[6.第3实施形态的变形例]
(6-1.第1变形例)
图17是呈现根据声表面波器件300的第1变形例的声表面波器件300A的构成的模式图。
声表面波器件300A与声表面波器件300的不同点在于：第1共振器91、第2共振器92及第3共振器93上连接了声表面波器件200A。
因向声表面波器件200A附加静电电容，声表面波器件300A除了接收波段的高波段侧之外，在绝缘特性上也具有迅速且高衰减的特性。
(6-2.第2变形例)
图18是呈现根据声表面波器件300的第2变形例的声表面波器件300B的构成的模式图。
声表面波器件300B与声表面波器件300的不同点在于：第1共振器91、第2共振器92及第3共振器93上连接了声表面波器件200B。
因向声表面波器件200B附加静电电容，声表面波器件300B除了接收波段的高波段侧之外，在绝缘特性上也具有迅速且高衰减的特性。
(6-3.第3变形例)
图19是呈现声表面波器件300的第3变形例即声表面波器件300C的构成的模式图。
声表面波器件300C与声表面波器件300的不同点在于：第1共振器91、第2共振器92及第3共振器93上连接了声表面波器件200C。
因向声表面波器件200C附加静电电容，声表面波器件300C除了接收波段的高波段侧之外，在绝缘特性上也具有迅速且高衰减的特性。
(6-4.第4变形例)
图20是呈现声表面波器件300的第4变形例即声表面波器件300D的构成的模式图。
声表面波器件300D与声表面波器件300的不同点在于：第1共振器91、第2共振器92及第3共振器93上连接了声表面波器件200D。
因向声表面波器件200D附加静电电容，声表面波器件300D除了接收波段的高波段侧之外，在绝缘特性上也具有迅速且高衰减的特性。

Claims (18)

1.一种声表面波器件，其特征在于，
包括：第1输入用布线；
第1IDT，连接到该第1输入用布线；
第2输入用布线；
第2IDT，连接到该第2输入用布线；
输出用布线；
第3IDT，连接到该输出用布线，设置于所述第1IDT与所述第2IDT之间，
所述第1输入用布线、所述第2输入用布线及所述输出用布线是邻接的，向相同的方向引出；
所述第1IDT与所述第3IDT之间及所述第2IDT与所述第3IDT之间的至少一个地方，具备附加静电电容的电容模式；
所述电容模式根据使衰减波段产生共振的共振点而决定。
2.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，
所述电容模式为相对布置2个金属导体的电极、向与声表面波的传播方向垂直的方向形成电极的IDT及向与声表面波的传播方向平行的方向形成电极的IDT中的其中一个。
3.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，
所述电容模式根据使通过波段的高波段侧的衰减波段产生共振的共振点而决定。
4.根据权利要求3所述的声表面波器件，其特征在于，
所述通过波段为接收侧的接收波段。
5.一种声表面波器件，其特征在于，
包括：第1输入用布线；
第1IDT，连接到该第1输入用布线；
第2输入用布线；
第2IDT，连接到该第2输入用布线；
输出用布线；
第3IDT，连接到该输出用布线，设置于所述第1IDT与所述第2IDT之间；
第1反射器及第2反射器，第1反射器设置于所述第1IDT的左侧，第2反射器设置于所述第2IDT的右侧；
所述第1输入用布线、所述第2输入用布线及所述输出用布线是邻接的，向相同的方向引出；
所述第1反射器连接到所述第1输入用布线，所述第2反射器连接到所述第2输入用布线；
向所述第1IDT与所述第3IDT之间及所述第2IDT与所述第3IDT之间中的至少一个，连接附加静电电容的电容模式；
所述电容模式根据使衰减波段产生共振的共振点而决定。
6.根据权利要求5所述的声表面波器件，其特征在于，
所述第1反射器与所述第1输入用布线之间及所述第2反射器与所述第2输入用布线之间以分别产生静电电容地连接。
7.根据权利要求5所述的声表面波器件，其特征在于，
所述电容模式为相对布置2个金属导体的电极、向与声表面波的传播方向垂直的方向形成电极的第1垂直IDT及向与声表面波的传播方向平行的方向形成电极的第2垂直IDT中的其中一个。
8.根据权利要求5所述的声表面波器件，其特征在于，
所述电容模式根据使通过波段的高波段侧的衰减波段产生共振的共振点而决定。
9.根据权利要求8所述的声表面波器件，其特征在于，
所述通过波段为接收波段。
10.一种声表面波器件，其特征在于，
包括：第1输入用布线；
第1IDT，连接到该第1输入用布线；
第2输入用布线；
第2IDT，连接到该第2输入用布线；
输出用布线；
第3IDT，连接到该输出用布线，设置于所述第1IDT与所述第2IDT之间，
所述第1输入用布线、所述第2输入用布线及所述输出用布线是邻接的，向相同的方向引出；
所述第1IDT与所述第3IDT之间及所述第2IDT与所述第3IDT之间的至少一个地方，具备附加静电电容的电容模式；
所述声表面波器件与至少1个共振器连接；
所述电容模式根据使衰减波段产生共振的共振点而决定。
11.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，
所述电容模式为相对布置2个金属导体的电极、向与声表面波的传播方向垂直的方向形成电极的第1垂直IDT及向与声表面波的传播方向平行的方向形成电极的第2垂直IDT中的其中一个。
12.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，
所述电容模式根据使通过波段的高波段侧的衰减波段产生共振的共振点而决定。
13.根据权利要求12所述的声表面波器件，其特征在于，
所述通过波段为接收侧的接收波段。
14.一种声表面波器件，其特征在于，
包括：第1输入用布线；
第1IDT，连接到该第1输入用布线；
第2输入用布线；
第2IDT，连接到该第2输入用布线；
输出用布线；
第3IDT，连接到该输出用布线，设置于所述第1IDT与所述第2IDT之间；
第1反射器及第2反射器，第1反射器设置于所述第1IDT的左侧，第2反射器设置于所述第2IDT的右侧；
所述第1输入用布线、所述第2输入用布线及所述输出用布线是邻接的，向相同的方向引出；
所述第1反射器连接到所述第1输入用布线，所述第2反射器连接到所述第2输入用布线；
所述声表面波器件与至少1个共振器连接；
向所述第1IDT与所述第3IDT之间及所述第2IDT与所述第3IDT之间中的至少一个，连接附加静电电容的电容模式；
所述电容模式根据使衰减波段产生共振的共振点而决定。
15.根据权利要求14所述的声表面波器件，其特征在于，
所述第1反射器与所述第1输入用布线之间及所述第2反射器与所述第2输入用布线之间以分别产生静电电容地连接。
16.根据权利要求14所述的声表面波器件，其特征在于，
所述电容模式为相对布置2个金属导体的电极、向与声表面波的传播方向垂直的方向形成电极的第1垂直IDT及向与声表面波的传播方向平行的方向形成电极的第2垂直IDT中的其中一个。
17.根据权利要求14所述的声表面波器件，其特征在于，
所述电容模式根据使通过波段的高波段侧的衰减波段产生共振的共振点而决定。
18.根据权利要求17所述的声表面波器件，其特征在于，
所述通过波段为接收波段。
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