CN106409660A - 一种半导体芯片表面沾污的处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体芯片表面沾污处理方法，包括下述步骤：将沾污芯片集中挑出，并按阵列排列；取一片外形完整的陪片，进行“井”字形分割处理；将分割后陪片中间区域剔除，把按阵列排列的沾污芯片依次填入其中；使用一种具有强黏附性的保护膜，对沾污芯片和陪片进行黏贴处理；将黏贴处理完毕的陪片放入烘箱烘烤；将烘烤完毕的圆片放置于自动刷洗设备上进行刷洗；将处理完毕的芯片进行镜检，挑出处理合格芯片；通过该方法，可以对芯片表面沾污进行处理，大大地改善了原先处理效果不理想的状态，极大地提高芯片表面镜检成品率，节约了成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体芯片表面沾污的处理方法，尤其是对中测后期引入的芯片表面沾污的一种处理方法，属于集成电路制造技术领域。
背景技术
中测后期引入的芯片表面沾污，一直是一个令封装厂比较困扰的问题。前期中测合格但是在后续工艺镜检过程中发现存在表面沾污的芯片会被视作不良品并将其剔除。由于芯片表面沾污的存在，导致原本合格的芯片无法流入下工序。芯片总体合格率的下降直接导致了生产成品率的下降，大大抬高了生产成本；同时，芯片的镜检效率也因此大打折扣。
由于引入沾污的因素和途径非常多：运输、传递及工艺过程中都有可能引入沾污。对于芯片表面沾污的现象，常规的处理手段是使用高压或者二流体方式进行清洗，这些方式可以清洗掉部分的表面外来物沾污。但在实际生产过程中，对于上述清洗处理无效的芯片表面沾污问题，我们往往没有比较行之有效的处理方法。
正如前面所言，引入沾污的因素和途径非常多，沾污的类型也多种多样：各类溶剂、胶、微观颗粒物等；同时，以晶圆为单位，沾污芯片也比较分散。要处理诸如此类的沾污，首先要分析各类沾污的成分及特性，然后再针对性地利用特定的化学试剂或采用擦拭、或采用浸泡等的方式对其进行处理。但实际上，上述的处理手段往往收效甚微。究其原因，上述方式通常是人工处理，人工处理的特点是灵活，但是过程也相对不可控，所以往往芯片表面原有的沾污没有完全被去除，反而导致了其他正常的芯片表面也容易出现异常，包括因操作不当或材料本身而造成的芯片二次沾污、表面蹭伤、腐蚀等问题的发生。
综上所述，寻找一种简单并且行之有效的处理方法对芯片表面沾污的问题进行整体处理是非常迫切的，彻底改善或者解决芯片表面的沾污问题，对提高生产成品率，降低生产成本是非常有好处的。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种适用于半导体芯片表面沾污的处理方法，该方法采用分选的方法，将表面沾污芯片挑出并集中放置，再利用一种强黏附性材料，粘贴于需要处理的沾污芯片的表面，然后使用自动刷洗设备对其进行整体刷洗，通过此方法，可以对芯片表面沾污进行处理，大大地改善了原先处理效果不理想的状态，极大地提高芯片表面镜检成品率。
为实现以上技术目的，本发明的技术方案是：一种半导体芯片表面沾污的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一. 将需要进行处理的沾污圆片集中挑出，并进行划片，形成若干个按阵列排列芯片；
步骤二. 取一片外形完整的陪片，对其进行井字形分割处理；
步骤三. 将分割后陪片的中心区域剔除，把步骤一按阵列排列的沾污芯片依次填入陪片的中心区域，形成一完整圆片；
步骤四. 在步骤三形成的完整圆片的未沾污面上黏贴一种具有强黏附性的保护膜，所述保护膜的厚度为150μm ~200μm；
步骤五. 将步骤四中黏贴保护膜的圆片放入烘箱中烘烤；
步骤六. 将步骤五中烘烤完毕的圆片取出，放置于自动刷洗设备上，对圆片的沾污面进行刷洗；
步骤七. 将刷洗完毕的芯片进行镜检，挑出没有沾污的合格芯片。
进一步地，所述陪片为硅晶圆。
进一步地，所述陪片分割后的中心区域的X方向长度为A，Y方向长度为B，按阵列排列的沾污芯片的X方向长度为a，Y方向长度为b；其中A≥a；B≥b。
进一步地，所述陪片“井”字中心区域的大小根据需要处理的沾污芯片的数量及大小设定。
进一步地，步骤五中烘箱的烘烤温度为60℃~90℃，烘烤的时间为15~30min。
进一步地，所述的自动刷洗设备为具有自动刷洗功能的全自动减薄设备。
进一步地，所述自动刷洗设备的刷洗液为去离子水、酒精、丙酮或Diamaflow。
与传统表面沾污处理方法相比，本发明具有以下优点：
（1）本发明运用“归一化”的思路，将存在沾污现象的芯片统一集中进行处理，针对性强；
（2）使用全自动机械化的处理方法，可以使整个处理过程更为有效、可控，整体性强，且节省人工成本；
（3）该处理方法一致性好，可操作性强。
附图说明
图1为陪片进行“井”字形分割处理并剔除中心区域的示意图。
图2为沾污芯片按阵列排列填入陪片中心区域的示意图。
附图说明：1-芯片、2-陪片。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
实施例为一种半导体芯片正面沾污处理方法，芯片尺寸为W* L，划片后的数量为100个，需要进行芯片正面沾污处理。
步骤一. 将需要进行处理的沾污圆片集中挑出，并进行划片，形成100个按阵列排列芯片1，X方向10个、Y方向10个依次排列，X方向尺寸为10*W，记为长度a，Y方向尺寸为10*L，记为长度b；
步骤二. 取一片外形完整的陪片2，对其进行“井”字形分割处理，分割后陪片2的中心区域的X方向为A，Y方向为B，所述陪片2为硅晶圆；
步骤三. 将分割后陪片2的中心区域剔除，把步骤一按阵列排列的沾污芯片1依次填入陪片2的中心区域，形成一完整圆片，其中A≥a；B≥b；
步骤四. 在步骤三形成的完整圆片的背面上黏贴一种具有强黏附性的保护膜，保护膜将完整圆片黏附在一起，所述保护膜为半导体封装、减薄、划片工艺中常规使用的圆片保护膜，所述保护膜的厚度为150μm ~200μm；
步骤五. 将步骤四中黏贴保护膜的圆片放入烘箱中烘烤，烘箱的烘烤温度为60℃~90℃，烘烤的时间为15~30min，目的是去除附在芯片1表面的水汽，同时使保护膜更好的与圆片黏合；
步骤六. 将步骤五中烘烤完毕的圆片取出，放置于自动刷洗设备上，对圆片的正面进行刷洗，所述自动刷洗设备为具有自动刷洗功能的全自动减薄设备，本发明中凡具备自动刷洗功能的刷洗设备均可；
根据不同的沾污类型，自动刷洗设备的刷洗液为去离子水、酒精、丙酮或Diamaflow，具体地，若沾污物为颗粒物，一般使用去离子水或Diamaflow去清洗；若沾污物为胶状物，则使用酒精或丙酮去清洗。
步骤七. 将刷洗完毕的芯片1去掉保护膜并进行镜检，挑出没有沾污的合格芯片。
本发明中陪片2分割的“井”字中心区域的大小根据需要处理的沾污芯片1的数量及大小设定，且若芯片1正面沾污，则保护膜贴在芯片1的背面，若芯片1背面沾污，则保护膜贴在芯片1的正面。
本发明的特点在于，采用分选的方法，将表面沾污的芯片1挑出并集中放置，再利用一种强黏附性的保护膜，将需要处理的沾污芯片黏附在一起，然后使用自动刷洗设备对其进行整体刷洗，通过此方法，可以对芯片1表面沾污进行处理，大大地改善了原先处理效果不理想的状态，极大地提高芯片1表面镜检成品率，节约了成本。
以上对本发明及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种半导体芯片表面沾污的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一. 将需要进行处理的沾污圆片集中挑出，并进行划片，形成若干个按阵列排列芯片（1）；
步骤二. 取一片外形完整的陪片（2），对其进行井字形分割处理；
步骤三. 将分割后陪片（2）的中心区域剔除，把步骤一按阵列排列的沾污芯片（1）依次填入陪片（2）的中心区域，形成一完整圆片；
步骤四. 在步骤三形成的完整圆片的未沾污面上黏贴一种具有强黏附性的保护膜，所述保护膜的厚度为150μm ~200μm；
步骤五. 将步骤四中黏贴保护膜的圆片放入烘箱中烘烤；
步骤六. 将步骤五中烘烤完毕的圆片取出，放置于自动刷洗设备上，对圆片的沾污面进行刷洗；
步骤七. 将刷洗完毕的芯片（1）进行镜检，挑出没有沾污的合格芯片。
2.如权利要求1所述的一种半导体芯片表面沾污的处理方法，其特征在于：所述陪片（2）为硅晶圆。
3.如权利要求1所述的一种半导体芯片表面沾污的处理方法，其特征在于：所述陪片（2）分割后的中心区域的X方向长度为A，Y方向长度为B，按阵列排列的沾污芯片（1）的X方向长度为a，Y方向长度为b；其中A≥a；B≥b。
4.如权利要求1所述的一种半导体芯片表面沾污的处理方法，其特征在于：所述陪片（2）井字中心区域的大小根据需要处理的沾污芯片（1）的数量及大小设定。
5.如权利要求1所述的一种半导体芯片表面沾污的处理方法，其特征在于：步骤五中烘箱的烘烤温度为60℃~ 90℃，烘烤的时间为15~30min。
6.如权利要求1所述的一种半导体芯片表面沾污的处理方法，其特征在于：所述根据不同的沾污类型，自动刷洗设备的刷洗液为去离子水、酒精、丙酮或Diamaflow。
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