CN106397318A - 一种10‑氮（杂）蒽衍生物及其制备方法和应用 - Google Patents

一种10‑氮（杂）蒽衍生物及其制备方法和应用 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种10‑氮(杂)蒽衍生物及其制备方法和应用，涉及有机光电材料技术领域。通过优化分子结构设计，本发明所得到的10‑氮(杂)蒽衍生物具有更高的光取出效率，可用于制备有机电致发光器件，尤其是作为有机电致发光器件中的光取出材料，能够有效提高OLED器件的发光效率，优于现有常用OLED器件。本发明还提供一种10‑氮(杂)蒽衍生物的制备方法，该制备方法简单、原料易得。

Description

一种10-氮（杂）蒽衍生物及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及一种10-氮(杂)蒽衍生物及其制备方法和应用。
背景技术
有机电致发光现象的研究始于20世纪60年代，1963年美国纽约大学的Pope等首次在蒽单晶上观察到电致发光现象；1987年Kodak公司的Tang等报道了利用8-羟基喹啉铝与具有空穴传输性能的芳香族二胺制成高质量薄膜，并制成有机发光器件；1990年Friend等报道了低电压下高分子电致发光现象；1998年美国普林斯顿大学的Forrest等人发现了磷光电致发光现象；2000年以来，OLED受到了业界的极大关注，开始步入产业化阶段。
OLED经过几十年的发展，已经取得了长足的进步，虽然其内量子效率已经接近100％，但外量子效率却仅有大约20％左右。大部分的光由于基板模式损失、表面等离子损失与波导效应等因素被限制在发光器件内部，导致了大量能量损失。为了提高器件的光取出效率，使用光取出层(Capping Layer，CPL)是目前行之有效的办法。光取出层在可见光内有最小的吸收和较为合适的折射率，对于红、绿、蓝三种颜色有极为相似的性质，同时可以降低金属电极的表面等离子体效应，达到调节出光方向和出光效率的作用。但是多制备一层CPL材料不但需要增加材料的成本预算，还需要增加一个单独的蒸镀腔室，这提高了OLED器件的制备成本。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种10-氮(杂)蒽衍生物及其制备方法和应用。本发明所述10-氮(杂)蒽衍生物是一类宽带系的具有空穴传输功能的CPL材料，并且在可见光波段内没有明显吸收，可同时作为空穴传输层和光取出层，提高了器件的发光效率，并且大大节省了器件的制备成本。
本发明提供了一种10-氮(杂)蒽衍生物，其特征在于，结构式(I)如下所示：
其中，X为取代或未取代的C6-C60的芳胺基或取代或未取代的C6-C60的稠杂环。
优选的,所述X为取代或未取代的C6-C40的芳胺基或取代或未取代的C6-C40的稠杂环。
优选的，所述X为取代或未取代的C12-C36的芳胺基或取代或未取代的C12-C36的稠杂环。
更进一步优选的，所述10-氮(杂)蒽衍生物为TM1-TM26所示结构中的任意一种：
本发明还提供一种10-氮(杂)蒽衍生物的制备方法，包括：
将式(A)所示的中间体和式(B)所示的化合物在氮气保护下经过偶联反应得到式(Ⅰ)10-氮(杂)蒽衍生物：
其中，X为取代或未取代的C6-C60的芳胺基或取代或未取代的C6-C60的稠杂环。
本发明还提供了上述10-氮(杂)蒽衍生物在有机电致发光器件中的应用。
优选的，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极、有机物层和光取出层，有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层；
所述光取出层中含有所述的10-氮(杂)蒽衍生物。
优选的，所述光取出层和空穴传输层同时含有所述的10-氮(杂)蒽衍生物。
本发明还提供一种显示装置，含有所述有机电致发光器件。
本发明提供了一种10-氮(杂)蒽衍生物，该10-氮(杂)蒽衍生物具有式(Ⅰ)所示结构，是带隙较宽的有机材料，在可见光波段内没有明显吸收，可同时作为空穴传输材料和光取出材料应用于OLED器件中，将该10-氮(杂)蒽衍生物作为光取出层材料可以改善半透射电极的透过率，提高OLED器件的外量子效率，可见光范围内透过率达80％以上；将所述10-氮(杂)蒽衍生物同时作为空穴传输层和光取出层应用于OLED器件中，不仅提高了器件的发光效率，还能有效节约成本。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的阐述，但本发明并不限于以下实施方式。
本发明首先提供一种10-氮(杂)蒽衍生物，结构式为：
其中，X为取代或未取代的C6-C60的芳胺基或取代或未取代的C6-C60的稠杂环。
优选的，X为取代或未取代的C6-C40的芳胺基或取代或未取代的C6-C40的稠杂环；
可选的，X的结构如下所示：
更优选的，X为取代或未取代的C12-C36的芳胺基或取代或未取代的C12-C36的稠杂环。
最优选的，X的结构如下：
具体的，所述10-氮(杂)蒽衍生物优选选自如下TM1-TM26所示结构中的任意一种：
本发明还提供了所述10-氮(杂)蒽衍生物的制备方法，包括：
将式(A)所示的化合物和式(B)所示的化合物在氮气保护下经过偶联反应得到式(Ⅰ)所示的10-氮(杂)蒽衍生物：
其中，X为取代或未取代的C6-C60的芳胺基或取代或未取代的C6-C60的稠杂环。
按照本发明，式(A)所示的中间体按照如下所示方法制备得到：
(1)将式A-1所示的4,5-二溴-2-硝基苯甲醛与C所示的4-溴环己醇反应，得到式A-2所示的化合物；
(2)将式A-2所示的化合物与单质溴反应，得到式(A)所示的中间体。
本发明对上述方法中步骤(1)-(2)中的反应条件没有特别的限制，采用本领域技术人员所熟知的反应条件即可。
按照本发明，将式(A)所示的中间体与式(B)所示的化合物在氮气保护下经过偶联反应得到式(Ⅰ)所示的10-氮(杂)蒽衍生物，本发明对所述偶联反应没有特殊的限制，采用本领域技术人员所熟知的偶联反应即可，该制备方法简单，原料易得。
本发明进一步提供了所述的10-氮(杂)蒽衍生物在有机电致发光器件中的应用。所述的有机电致发光器件包括阳极、阴极、有机物层和光取出层，有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层；优选所述光取出层中含有所述的10-氮(杂)蒽衍生物，更优选所述光取出层和空穴传输层同时含有所述的10-氮(杂)蒽衍生物。
采用的器件结构优选的，具体为：以ITO透明玻璃作为阳极；NPB或所述10-氮(杂)蒽衍生物(TM1-TM26中的任意一种)作为空穴传输层；TCTA作为发光层，或作为主体同磷光材料掺杂(掺杂的质量浓度为0.5～30.0％)作为发光层；TPBI作为电子传输层；以Al层作为阴极；最后将所述的10-氮(杂)蒽衍生物(TM1-TM26中的任意一种)蒸镀在上述阴极上，作为光取出层。上述器件采 用了本发明所述的10-氮(杂)蒽衍生物(TM1-TM26中的任意一种)作为光取出层或同时作为光取出层和空穴传输层，较传统器件发光效率得到了显著提高：上述器件的发光效率在42cd/A～55cd/A之间，传统器件的发光效率为28cd/A。
所述有机电致发光器件可用于平板显示器、照明光源、指示牌、信号灯等应用领域。
本发明更进一步提供了一种显示装置，包括所述的有机电致发光器件。
通过以下实施例更详尽地解释本发明，但不希望因此限制本发明。在该描述的基础上，本领域普通技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下在所公开的整个范围内实施本发明和制备根据本发明的其他化合物。
实施例1：中间体A的制备
(1)化合物A-2的合成：向三口烧瓶中依次加入154g(0.5mol)的4,5-二溴-2-硝基苯甲醛(化合物A-1)，89g(0.5mol)的4-溴环己醇(化合物C)，28g(0.05mol)的1,1’-双(二苯基膦)二茂铁，和1L的氯苯，然后升温至150℃，充分搅拌反应24小时。反应结束后，用硅藻土过滤，用甲苯和己烷洗涤，浓缩，柱层析提纯，得到73g的化合物A-2，产率为35％。质谱m/z：415.96(计算值：415.91)。理论元素含量(％)C13H6Br3N：C,37.54；H,1.45；Br,57.64；N,3.37。实测元素含量(％)：C,37.45；H,1.37；Br,57.58；N,3.15。上述结果证实获得产物为目标产品。
(2)中间体A的合成：向三口烧瓶中加入111g(0.83mol)的无水三氯化铝，搅拌下逐渐快速地加入166g(0.4mol)的化合物A-2，边搅拌边加热直至体系呈绿色溶液状，此时向体系加入15g(0.4mol)干燥的氯化氢，然后将体系保持在80℃以下，并逐滴在2小时之内加入64g(0.4mol)的单质溴，待单质溴反应完全，冷却至室温，将反应溶液倾倒入500ml的冰水中，剧烈搅拌，用500ml含有120g氢氧化钠的水溶液洗涤，再用甲苯萃取，除去溶剂，重结晶，得到168g的中间体A，产率为85％。质谱m/z：494.86(计算值：494.80)。理论元素含量(％)C13H5Br4N：C,31.56；H,1.02；Br,64.59；N,2.83。实测元素含量(％)：C,31.47；H,0.97；Br,64.33；N,2.69。上述结果证实获得 产物为目标产品。
实施例2：化合物TM1的合成
将494mg(1mmol)的中间体A和231mg(0.2mmol)的四(三苯基膦)钯混合物加入10ml去除空气的甲苯中，在N2保护下，将体系加热到60℃，搅拌5分钟。向体系中依次加入1272mg(4.4mmol)三苯胺-4-硼酸、2.5ml去除空气的乙醇和5ml去除空气的2M的碳酸钠水溶液，在80℃下搅拌24小时。将反应体系倒入大量水中，用二氯甲烷萃取。有机层依次用饱和食盐水和水洗涤，用无水硫酸镁干燥，减压蒸馏。残留固体经柱层析(己烷/二氯甲烷＝4:4,V/V)纯化后，在己烷/氯仿混合溶液中重结晶，得到829mg(0.72mmol)的化合物TM1，产率为72％。质谱m/z：1152.46(计算值：1152.43)。理论元素含量(％)C85H61N5：C,88.59；H,5.34；N,6.08。实测元素含量(％)：C,88.35；H,5.15；N,5.94。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例3：化合物TM2的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-咔唑-9-基苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM2。质谱m/z：1144.47(计算值：1144.36)。理论元素含量(％)C85H53N5：C,89.21；H,4.67；N,6.12。实测元素含量(％)：C,89.05；H,4.39；N,6.08。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例4：化合物TM3的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-[二(4-甲苯基)胺]苯基]硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM3。质谱m/z：1264.71(计算值：1264.64)。理论元素含量(％)C93H77N5：C,88.33；H,6.14；N,5.54。实测元素含量(％)：C,88.14；H,6.02；N,5.37。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例5：化合物TM4的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-[二(4-甲氧基苯基)胺基]苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM4。质谱m/z：1392.74(计算值：1392.64)。理论元素含量(％)C93H77N5O8：C,80.21；H,5.57；N,5.03； O,9.19。实测元素含量(％)：C,80.16；H,5.48；N,4.96；O,9.08。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例6：化合物TM5的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的B-[4-(1，1’-联苯)-4-苯胺基]苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM5。质谱m/z：1456.93(计算值：1456.81)。理论元素含量(％)C109H77N5：C,89.87；H,5.33；N,4.81。实测元素含量(％)：C,89.77；H,5.14；N,4.68。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例7：化合物TM6的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-(二联苯基-4-氨基)苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM6。质谱m/z：1761.36(计算值：1761.20)。理论元素含量(％)C133H93N5：C,90.70；H,5.32；N,3.98。实测元素含量(％)：C,90.63；H,5.24；N,3.88。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例8：化合物TM7的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-(苯基[1，1’:4’,1”-三联苯]-4-胺基)苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM7。质谱m/z：1761.31(计算值：1761.20)。理论元素含量(％)C133H93N5：C,90.70；H,5.32；N,3.98。实测元素含量(％)：C,90.88；H,5.46；N,4.05。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例9：化合物TM8的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的B-[4-二(4’-甲基联苯)-4-胺基]苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM8。质谱m/z：1873.55(计算值：1873.41)。理论元素含量(％)C141H109N5：C,90.40；H,5.86；N,3.74。实测元素含量(％)：C,90.33；H,5.74；N,3.48。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例10：化合物TM9的合成 将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的二-(4’-丙基联苯-4-基)胺基苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM9。质谱m/z：2097.94(计算值：2097.83)。理论元素含量(％)C157H141N5：C,89.89；H,6.77；N,3.34。实测元素含量(％)：C,89.74；H,6.65；N,3.17。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例11：化合物TM10的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-[1,1'-联苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺基苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM10。质谱m/z：1921.62(计算值：1921.45)。理论元素含量(％)C145H109N5：C,90.64；H,5.72；N,3.64。实测元素含量(％)：C,90.48；H,5.85；N,3.55。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例12：化合物TM11的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-[二(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)胺基]苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM11。质谱m/z：2081.63(计算值：2081.71)。理论元素含量(％)C157H125N5：C,90.58；H,6.05；N,3.36。实测元素含量(％)：C,90.46；H,6.03；N,3.27。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例13：化合物TM12的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-(14,15-二氢-14,14,15,15-四甲基-7H-二茚并[1,2-c:2’,1’-g]咔唑-7-基)苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM12。质谱m/z：2073.73(计算值：2073.64)。理论元素含量(％)C157H117N5：C,90.94；H,5.69；N,3.38。实测元素含量(％)：C,90.82；H,5.51；N,3.31。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例14：化合物TM13的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-([1,1’-联苯]-4-基[1,1’：4’1”-三联苯]-4-胺基)苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM13。质谱m/z：2065.61(计算值：2065.58)。理论元素含量(％)C157H109N5： C,91.29；H,5.32；N,3.39。实测元素含量(％)：C,91.16；H,5.29；N,3.27。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例15：化合物TM14的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-[二([1,1’:4’,1”-三联苯]-4-基)胺基]苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM14。质谱m/z：2369.99(计算值：2369.96)。理论元素含量(％)C181H125N5：C,91.73；H,5.32；N,2.96。实测元素含量(％)：C,91.66；H,5.18；N,2.83。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例16：化合物TM15的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-([1,1’-联苯]-4-基[1,1’:3’,1”-三联苯]-5’-胺基)苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM15。质谱m/z：2065.65(计算值：2065.58)。理论元素含量(％)C157H109N5：C,91.29；H,5.32；N,3.39。实测元素含量(％)：C,91.23；H,5.24；N,3.26。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例17：化合物TM16的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-[二([1,1’:3’,1”-三联苯]-5’-基)胺基]苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM16。质谱m/z：2369.88(计算值：2369.96)。理论元素含量(％)C181H125N5：C,91.73；H,5.32；N,2.96。实测元素含量(％)：C,91.62；H,5.14；N,2.85。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例18：化合物TM17的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-([1,1’:3’,1”-三联苯]-4-基[1,1’:4’,1”-三联苯]-4-胺基)苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM17。质谱m/z：2370.13(计算值：2369.96)。理论元素含量(％)C181H125N5：C,91.73；H,5.32；N,2.96。实测元素含量(％)：C,91.65；H,5.16；N,2.77。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例19：化合物TM18的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-(N-(萘-1-基)-N-苯胺基)苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM18。质谱m/z：1352.74(计算值：1352.66)。理论元素含量(％)C101H69N5：C,89.68；H,5.14；N,5.18。实测元素含量(％)：C,89.51；H,5.03；N,5.04。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例20：化合物TM19的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-(N-(1-萘基)-N-(2-萘基)胺基)苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM19。质谱m/z：1552.98(计算值：1552.90)。理论元素含量(％)C117H77N5：C,90.49；H,5.00；N,4.51。实测元素含量(％)：C,90.36；H,4.87；N,4.46。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例21：化合物TM20的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-(2-萘基)苯胺基苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM20。质谱m/z：1352.79(计算值：1352.66)。理论元素含量(％)C101H69N5：C,89.68；H,5.14；N,5.18。实测元素含量(％)：C,89.54；H,5.08；N,5.06。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例22：化合物TM21的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的4-(二-1-萘基苯胺基)苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM21。质谱m/z：1552.97(计算值：1552.90)。理论元素含量(％)C117H77N5：C,90.49；H,5.00；N,4.51。实测元素含量(％)：C,90.33；H,4.84；N,4.35。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例23：化合物TM22的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的[(1-萘基)-(4-苯基萘-1-基)胺基]苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM22。质谱m/z：1857.36(计算值：1857.28)。理论元素含量(％)C141H93N5：C,91.18；H,5.05； N,3.77。实测元素含量(％)：C,91.03；H,4.87；N,3.69。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例24：化合物TM23的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的[(菲-9-基)-(4-苯基萘-1-基)胺基]苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM23。质谱m/z：2057.67(计算值：2057.52)。理论元素含量(％)C157H101N5：C,91.65；H,4.95；N,3.40。实测元素含量(％)：C,91.83；H,4.84；N,3.29。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例25：化合物TM24的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的[(萘-1-基)-(菲-9-基)胺基]苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM24。质谱m/z：1753.29(计算值：1753.13)。理论元素含量(％)C133H85N5：C,91.12；H,4.89；N,3.99。实测元素含量(％)：C,91.05；H,4.72；N,3.81。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例26：化合物TM25的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的二-(菲-9-基)胺基苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM25。质谱m/z：1953.46(计算值：1953.37)。理论元素含量(％)C149H93N5：C,91.62；H,4.80；N,3.59。实测元素含量(％)：C,91.55；H,4.73；N,3.47。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例27：化合物TM26的合成
将实施例2中的三苯胺-4-硼酸替换为等摩尔的二(4-苯基-萘-1-基)胺基苯硼酸，其他步骤均与实施例2相同，得到化合物TM26。质谱m/z：2161.73(计算值：2161.66)。理论元素含量(％)C165H109N5：C,91.68；H,5.08；N,3.24。实测元素含量(％)：C,91.51；H,4.96；N,3.11。上述结果证实获得产物为目标产品。
实施例28：发光器件1的制备
选取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀TCTA/FIrpic作为发光层，掺杂浓度为13wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBI作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。最后在阴极上蒸镀TM2化合物作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为50nm。该器件发蓝光，发光效率为46cd/A。
实施例29：发光器件2的制备
选取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀TCTA/FIrpic作为发光层，掺杂浓度为13wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBI作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。最后在阴极上蒸镀TM6化合物作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为50nm。该器件发蓝光，发光效率为42cd/A。
实施例30：发光器件3的制备
选取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀TCTA/FIrpic作为发光层，掺杂浓 度为13wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBI作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。最后在阴极上蒸镀TM12化合物作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为50nm。该器件发蓝光，发光效率为48cd/A。
实施例31：发光器件4的制备
选取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀TCTA/FIrpic作为发光层，掺杂浓度为13wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBI作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。最后在阴极上蒸镀TM25化合物作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为50nm。该器件发蓝光，发光效率为50cd/A。
实施例32：发光器件5的制备
选取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀TM2化合物作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀TCTA/FIrpic作为发光层，掺杂浓度为13wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBI作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。最后在阴极上蒸镀TM2化合物作为光取出层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为50nm。该器件发蓝光，发光效率为55cd/A。
对比实施例：发光器件6的制备
选取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀TCTA/FIrpic作为发光层，掺杂浓 度为13wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBI作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。最后在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。该器件发蓝光，发光效率为28cd/A。
发光器件 发光效率(cd/A)
1 46
2 42
3 48
4 50
5 55
6 28
以上结果表明，本发明的10-氮(杂)蒽衍生物作为光取出层材料，应用于有机电致发光器件中，发光效率高，是性能良好的有机发光材料。
显然，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于所述技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (9)

1.一种10-氮(杂)蒽衍生物，其特征在于，结构式(I)如下所示：
其中，X为取代或未取代的C6-C60的芳胺基或取代或未取代的C6-C60的稠杂环。
2.根据权利要求1所述的一种10-氮(杂)蒽衍生物，其特征在于，X为取代或未取代的C6-C40的芳胺基或取代或未取代的C6-C40的稠杂环。
3.根据权利要求1所述的一种10-氮(杂)蒽衍生物，其特征在于，X为取代或未取代的C12-C36的芳胺基或取代或未取代的C12-C36的稠杂环。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种10-氮(杂)蒽衍生物,其特征在于，所述的10-氮(杂)蒽衍生物为化合物TM1-TM26中的任意一种：
5.权利要求1-4任一项所述的10-氮(杂)蒽衍生物的制备方法，其特征在于，包括：
将式(A)所示的中间体和式(B)所示的化合物在氮气保护下经过偶联反应得到式(Ⅰ)所示的10-氮(杂)蒽衍生物：
其中，X为取代或未取代的C6-C60的芳胺基或取代或未取代的C6-C60的稠杂环。
6.权利要求1-4任意一项所述的10-氮(杂)蒽衍生物在有机电致发光器件中的应用。
7.根据权利要求6所述的10-氮(杂)蒽衍生物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极、有机物层和光取出层，有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层；所述光取出层中含有权利要求1-4任一项所述的10-氮(杂)蒽衍生物。
8.根据权利要求7所述的10-氮(杂)蒽衍生物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，所述光取出层和空穴传输层同时含有权利要求1-4任一项所述的10-氮(杂)蒽衍生物。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6-8中任一项所述的有机电致发光器件。
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