CN106374181A - 基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器 - Google Patents

基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器 Download PDF

Info

Publication number
CN106374181A
CN106374181A CN201610944074.XA CN201610944074A CN106374181A CN 106374181 A CN106374181 A CN 106374181A CN 201610944074 A CN201610944074 A CN 201610944074A CN 106374181 A CN106374181 A CN 106374181A
Authority
CN
China
Prior art keywords
coupling
metal level
integrated waveguide
half module
apertures
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610944074.XA
Other languages
English (en)
Inventor
王竣
刘璐
林澍
毕延迪
毛宇
孙先范
赵志华
亚历山大
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harbin Institute of Technology
Original Assignee
Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Institute of Technology filed Critical Harbin Institute of Technology
Priority to CN201610944074.XA priority Critical patent/CN106374181A/zh
Publication of CN106374181A publication Critical patent/CN106374181A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
    • H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
    • H01P5/18—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers
    • H01P5/188—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port consisting of two coupled guides, e.g. directional couplers the guides being dielectric waveguides

Landscapes

  • Waveguides (AREA)

Abstract

本发明提出了基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器，属于集成波导技术领域。基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器包括第一层介质基板、第二层介质基板和端口；第一层介质基板的上表面设有上金属层，第一层介质基板的下表面设有耦合金属层；上金属层包括馈线、波导上表面以及边缘孔一；耦合金属层上设有耦合孔；第二层介质基板的上表面紧贴于第一层介质基板下表面的耦合金属层；第二层介质基板的下表面设有下金属层；下金属层包括弯折馈线和波导下表面；上金属层和下金属层的长边单侧均设有金属过孔阵列。该定向耦合器的结构更加紧凑，大幅度的减少了定向耦合器的横向尺寸，同时提高了其实际性能。

Description

基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器
技术领域
本发明涉及基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器，属于集成波导技术领域。
背景技术
介质集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)是一种在介质基片上实现类似于金属矩形波导传输特性的导波结构，由于该结构具有低辐射、低插损、小型化、易于集成等优点，成为研究的热点，也被广泛应用于微波无源器件的设计当中。借助于印刷电路工艺，基于介质集成波导的高性能微波无源器件的低成本批量生产成为可能。
波导定向耦合器是微波毫米波系统当中非常常见的一种器件，与功率分配器一起被用于功率合成或功率分配应用当中，在微波测量中，利用定向耦合器可以获得一部分能量，当接上波长计或指示器，可以测量工作波长，监视微波源的输出功率、频率等常见工作性能指标的变化；在雷达系统当中，用定向耦合器可以将主线中的部分能量提取出来送至回波箱，以供雷达整机的调试和测试。因此，它是一种在系统当中不可或缺的器件。现有的波导定向耦合器存在尺寸较大等缺点。
发明内容
为解决上述现有技术中存在的技术问题，本发明提出了一种基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器，所采取的技术方案如下：
所述基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器包括第一层介质基板、第二层介质基板和端口；所述第一层介质基板的上表面设有上金属层11，所述第一层介质基板的下表面设有耦合金属层12；所述上金属层11包括馈线111、波导上表面112以及边缘孔一；所述耦合金属层12上设有耦合孔121；所述第二层介质基板的上表面紧贴于第一层介质基板下表面的耦合金属层12；所述第二层介质基板的下表面设有下金属层21；所述下金属层包括弯折馈线211和波导下表面212；所述上金属层11和下金属层21的长边单侧均设有金属过孔阵列a。
优选地，述馈线111包括矩形结构和直角梯形结构；所述馈线111分别设于上金属层11下方，位于波导上表面112的左右两侧，并通过直角梯形结构的下底边与波导上表面112相接。
优选地，所述基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器的第一层介质基板和第二层介质基板的宽度为13mm，长度为100mm，厚度为1.6mm，相对介电常数为4.4。
优选地，所述馈线111的总长度为20mm；所述直角梯形结构的上底边宽度为1.7mm；所述直角梯形结构的高边长度为10mm；所述直角梯形结构的下底边宽度为3mm；所述矩形结构的长边为10mm，宽度为1.7mm；所述波导上表面112的长度为60mm，宽度为13mm。
优选地，耦合孔121包括两个第一耦合孔、两个第二耦合孔和两个第三耦合孔；所述两个第一耦合孔、两个第二耦合孔和两个第三耦合孔位于耦合金属层12横向中轴线一侧，并且两个第一耦合孔、两个第二耦合孔和两个第三耦合孔的孔心均位于同一直线上。
优选地，所述两个第一耦合孔以耦合金属层12纵向中轴线为对称轴对称分布于耦合金属层12上；所述两个第二耦合孔以耦合金属层12纵向中轴线为对称轴，分别对称分布于两个第一耦合孔靠近耦合金属层12宽边缘一侧；所述两个第三耦合孔以耦合金属层12纵向中轴线为对称轴分别对称分布于两个第二耦合孔靠近耦合金属层12宽边缘一侧。
优选地，所述第一耦合孔的孔半径为2.25mm；所述第二耦合孔的孔半径为1.6mm；所述第三耦合孔的孔半径为1mm；所述两个第一耦合孔之间的孔间距为5mm；所述两个第二耦合孔之间的孔间距为5mm；两个第三耦合孔之间的孔间距为5mm；所述第一耦合孔之间与第二耦合孔之间的孔间距为5mm；所述第二耦合孔之间与第三耦合孔之间的孔间距为5mm。
优选地，所述弯折馈线211的倒角为45°；所述弯折馈线211的水平矩形段长度为6mm；所述弯折馈线211的竖直矩形段长度为11.3mm。
优选地，所述上金属层11上设有金属过孔阵列a与下金属层21上设有的金属过孔阵列a位置相同，并且金属过孔阵列a中的金属过孔的数量相同；所述金属过孔阵列a中的每个金属过孔的位置一一对应；所述金属过孔阵列a包含的金属过孔的孔心位于同一直线上。
优选地，所述金属过孔阵列a的金属过孔的过孔半径为0.6mm，金属过孔之间的间距为1.9mm；所述金属过孔的孔心所在直线与耦合金属层12上的两个第一耦合孔、两个第二耦合孔和两个第三耦合孔的孔心所在直线的直线间距为3mm。
本发明有益效果：
本发明提出的基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器能够5.03-8.51GHz的频率范围内实现耦合端口的耦合，具有良好的宽带性能跟优异的小型化性能，可以广泛应用在对应频率范围内的通信系统当中。同时，本发明设计的定向耦合器带有微带线馈电结构(馈线和弯折馈线)，使得该定向耦合器的结构更加紧凑，大幅度的减少了定向耦合器的横向尺寸。
图5给出了基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器的仿真S参数，从图5中可以看出，在4.01-8.62GHz的频段内，反射系数|S11|<-10dB，同频段内，直通口的传输系数|S21|优于-3.5dB；在3.72-7.26GHz的频段内，隔离口的传输系数|S31|<-15dB，在4.08-6.51GHz的频段内，隔离口的传输系数|S31|<-20dB；在5.03-8.51GHz的频段内，耦合口的耦合系数|S41|优于-5dB。
图6给出了基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器的测试S参数，如图6所示，在4.02-7.42GHz的频段内，反射系数|S11|<-10dB，同频段内，直通口的传输系数|S21|优于-6dB；在4-7.22GHz的频段内，隔离口的传输系数|S31|<-15dB，在4.08-6.51GHz的频段内，隔离口的传输系数|S31|<-20dB；在5.03-8.51GHz的频段内，耦合口的耦合系数|S41|优于-6dB。由此可以看出，本发明所提出的定向耦合器在很宽的频带范围内具有平稳的耦合度和较高的隔离度，适用于宽带电子系统。
附图说明
图1为本发明所述定向耦合器的上金属层结构示意图。
图2为本发明所述定向耦合器的耦合金属层结构示意图。
图3为本发明所述定向耦合器的下金属层结构示意图。
图4为基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器实物图(上图为主视图，下图为后视图)。
图5为基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器的仿真S参数。
图6为基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器的测试S参数。
(11，上金属层；12，耦合金属层；111，馈线；112，波导上表面；121，耦合孔；21，下金属层；211，弯折馈线；212，波导下表面；a，金属过孔阵列)
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步说明，但本发明不受实施例的限制。
实施例1
图1为本发明所述定向耦合器的上金属层结构示意图。图2为本发明所述定向耦合器的耦合金属层结构示意图。图3为本发明所述定向耦合器的下金属层结构示意图。图4为基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器实物图(上图为主视图，下图为后视图)。结合图1-图4详细说明本实施例。如图1-4所示结构，该基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器采用双层介质基板和上中下三层的印刷结构组成，其中双层介质基板采用宽边叠加的形式构成；具体的，该基片集成波导定向耦合器包括第一层介质基板、第二层介质基板和端口；其中，第一层介质基板的上表面设有上金属层11，第一层介质基板的下表面设有耦合金属层12，其中，耦合金属层12覆盖了整个第一层介质基板的下表面；上金属层11包括馈线111、波导上表面112以及边缘孔一；耦合金属层12上设有耦合孔121。其中，上金属层11、耦合金属层12和下金属层13构成了上述三成印刷结构。
第二层介质基板的上表面紧贴于第一层介质基板下表面的耦合金属层12；第二层介质基板的下表面设有下金属层21；下金属层包括弯折馈线211和波导下表面212；其中，第一层介质基板和第二层介质基板的宽度W为13mm，长度L为100mm，厚度H为1.6mm，相对介电常数为4.4。
从图1中可以看出，馈线111包括矩形结构和直角梯形结构；馈线111分别设于上金属层11下方，并位于波导上表面112的左右两侧，同时，馈线111通过直角梯形结构的下底边与波导上表面112相接。其中，馈线111的总长度l1为20mm；直角梯形结构的上底边宽度为1.7mm；直角梯形结构的高边长度l3为10mm；直角梯形结构的下底边宽度ws为3mm；矩形结构的长边l4为10mm，宽度wi为1.7mm；波导上表面112的长度l2为60mm，宽度为13mm。
如图2所示，耦合孔121包括两个第一耦合孔、两个第二耦合孔和两个第三耦合孔；两个第一耦合孔、两个第二耦合孔和两个第三耦合孔位于耦合金属层12横向中轴线一侧，并且两个第一耦合孔、两个第二耦合孔和两个第三耦合孔的孔心均位于同一直线上，即六个耦合孔分布于同一直线上。其中，两个第一耦合孔以耦合金属层12纵向中轴线为对称轴对称分布于耦合金属层12上；两个第二耦合孔以耦合金属层12以纵向中轴线为对称轴，分别对称分布于两个第一耦合孔靠近耦合金属层12宽边缘一侧；两个第三耦合孔以耦合金属层12以纵向中轴线为对称轴分别对称分布于两个第二耦合孔靠近耦合金属层12宽边缘一侧。
其中，第一耦合孔的孔半径r1为2.25mm；第二耦合孔的孔半径r2为1.6mm；第三耦合孔的孔半径r3为1mm；两个第一耦合孔之间的孔间距为5mm；两个第二耦合孔之间的孔间距为5mm；两个第三耦合孔之间的孔间距为5mm；第一耦合孔之间与第二耦合孔之间的孔间距为5mm；第二耦合孔之间与第三耦合孔之间的孔间距为5mm，即六个耦合孔之间彼此的孔间距均为5mm。
如图1和图3所示，上金属层11和下金属层21的长边单侧均设有金属过孔阵列a。上金属层11上设有金属过孔阵列a与下金属层21上设有的金属过孔阵列a位置相同，并且金属过孔阵列a中的金属过孔的数量相同；金属过孔阵列a中的每个金属过孔的位置一一对应；金属过孔阵列a包含的金属过孔的孔心位于同一直线上。同时，波导上表面112和波导下表面212的结构和尺寸相同；此外，弯折馈线211的倒角s为45°；弯折馈线211的水平矩形段长度l5为6mm；所述弯折馈线211的竖直矩形段长度l6为11.3mm。金属过孔阵列a的金属过孔的过孔半径r为0.6mm，金属过孔之间的间距p为1.9mm；金属过孔的孔心所在直线与耦合金属层12上的两个第一耦合孔、两个第二耦合孔和两个第三耦合孔的孔心所在直线的直线间距为3mm。
从图4中可以看出，基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器包括四个端口，即为左侧端口为一端口，最右侧端口为二端口，右上角端口为三端口，左上角端口为四端口。
图5给出了基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器的仿真S参数，从图5中可以看出，在4.01-8.62GHz的频段内，反射系数|S11|<-10dB，同频段内，直通口的传输系数|S21|优于-3.5dB；在3.72-7.26GHz的频段内，隔离口的传输系数|S31|<-15dB，在4.08-6.51GHz的频段内，隔离口的传输系数|S31|<-20dB；在5.03-8.51GHz的频段内，耦合口的耦合系数|S41|优于-5dB。
图6给出了基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器的测试S参数，如图6所示，在4.02-7.42GHz的频段内，反射系数|S11|<-10dB，同频段内，直通口的传输系数|S21|优于-6dB；在4-7.22GHz的频段内，隔离口的传输系数|S31|<-15dB，在4.08-6.51GHz的频段内，隔离口的传输系数|S31|<-20dB；在5.03-8.51GHz的频段内，耦合口的耦合系数|S41|优于-6dB。由此可以看出，本发明所提出的定向耦合器在很宽的频带范围内具有平稳的耦合度和较高的隔离度，适用于宽带电子系统。
本发明提出的基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器能够5.03-8.51GHz的频率范围内实现耦合端口的耦合，具有良好的宽带性能跟优异的小型化性能，可以广泛应用在对应频率范围内的通信系统当中。同时，本发明设计的定向耦合器带有微带线馈电结构(馈线和弯折馈线)，使得该定向耦合器的结构更加紧凑，大幅度的减少了定向耦合器的横向尺寸。此外，本发明对微带线馈电结构进行了进一步设计，将其改进为折叠结构，用以匹配半模的紧凑结构，对于微博无源器件而言，该馈电结构与半模的匹配性设计很大程度上提高了小型化优化下的定向耦合器的实际性能。
虽然本发明已以较佳的实施例公开如上，但其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术的人，在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做各种改动和修饰，因此本发明的保护范围应该以权利要求书所界定的为准。

Claims (10)

1.一种基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器，其特征在于，所述基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器包括第一层介质基板、第二层介质基板和端口；所述第一层介质基板的上表面设有上金属层(11)，所述第一层介质基板的下表面设有耦合金属层(12)；所述上金属层(11)包括馈线(111)、波导上表面(112)以及边缘孔一；所述耦合金属层(12)上设有耦合孔(121)；所述第二层介质基板的上表面紧贴于第一层介质基板下表面的耦合金属层(12)；所述第二层介质基板的下表面设有下金属层(21)；所述下金属层包括弯折馈线(211)和波导下表面(212)；所述上金属层(11)和下金属层(21)的长边单侧均设有金属过孔阵列(a)。
2.根据权利要求1所述基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器，其特征在于，所述馈线(111)包括矩形结构和直角梯形结构；所述馈线(111)分别设于上金属层(11)下方，位于波导上表面(112)的左右两侧，并通过直角梯形结构的下底边与波导上表面(112)相接。
3.根据权利要求2所述基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器，其特征在于，所述基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器的第一层介质基板和第二层介质基板的宽度为13mm，长度为100mm，厚度为1.6mm，相对介电常数为4.4。
4.根据权利要求3所述基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器，其特征在于，所述馈线(111)的总长度为20mm；所述直角梯形结构的上底边宽度为1.7mm；所述直角梯形结构的高边长度为10mm；所述直角梯形结构的下底边宽度为3mm；所述矩形结构的长边为10mm，宽度为1.7mm；所述波导上表面(112)的长度为60mm，宽度为13mm。
5.根据权利要求1至4任一所述基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器，其特征在于，耦合孔(121)包括两个第一耦合孔、两个第二耦合孔和两个第三耦合孔；所述两个第一耦合孔、两个第二耦合孔和两个第三耦合孔位于耦合金属层(12)横向中轴线一侧，并且两个第一耦合孔、两个第二耦合孔和两个第三耦合孔的孔心均位于同一直线上。
6.根据权利要求5所述基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器，其特征在于，所述两个第一耦合孔以耦合金属层(12)以纵向中轴线为对称轴对称分布于耦合金属层(12)上；所述两个第二耦合孔以耦合金属层(12)以纵向中轴线为对称轴，分别对称分布于两个第一耦合孔靠近耦合金属层(12)宽边缘一侧；所述两个第三耦合孔以耦合金属层(12)以纵向中轴线为对称轴分别对称分布于两个第二耦合孔靠近耦合金属层(12)宽边缘一侧。
7.根据权利要求6所述基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器，其特征在于，所述第一耦合孔的孔半径为2.25mm；所述第二耦合孔的孔半径为1.6mm；所述第三耦合孔的孔半径为1mm；所述两个第一耦合孔之间的孔间距为5mm；所述两个第二耦合孔之间的孔间距为5mm；两个第三耦合孔之间的孔间距为5mm；所述第一耦合孔之间与第二耦合孔之间的孔间距为5mm；所述第二耦合孔之间与第三耦合孔之间的孔间距为5mm。
8.根据权利要求1或7所述基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器，其特征在于，所述弯折馈线(211)的倒角为45°；所述弯折馈线(211)的水平矩形段长度为6mm；所述弯折馈线(211)的竖直矩形段长度为11.3mm。
9.根据权利要求8所述基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器，其特征在于，所述上金属层(11)上设有金属过孔阵列(a)与下金属层(21)上设有的金属过孔阵列(a)位置相同，并且金属过孔阵列(a)中的金属过孔的数量相同；所述金属过孔阵列(a)中的每个金属过孔的位置一一对应；所述金属过孔阵列(a)包含的金属过孔的孔心位于同一直线上。
10.根据权利要求1或9所述基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器，其特征在于，所述金属过孔阵列(a)的金属过孔的过孔半径为0.6mm，金属过孔之间的间距为1.9mm；所述金属过孔的孔心所在直线与耦合金属层(12)上的两个第一耦合孔、两个第二耦合孔和两个第三耦合孔的孔心所在直线的直线间距为3mm。
CN201610944074.XA 2016-10-26 2016-10-26 基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器 Pending CN106374181A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610944074.XA CN106374181A (zh) 2016-10-26 2016-10-26 基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610944074.XA CN106374181A (zh) 2016-10-26 2016-10-26 基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106374181A true CN106374181A (zh) 2017-02-01

Family

ID=57894243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610944074.XA Pending CN106374181A (zh) 2016-10-26 2016-10-26 基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106374181A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107230817A (zh) * 2017-05-19 2017-10-03 南京邮电大学 半模基片集成波导3‑dB宽壁小孔耦合器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103066367A (zh) * 2012-09-12 2013-04-24 电子科技大学 集成波导定向耦合器
CN105206909A (zh) * 2015-09-10 2015-12-30 哈尔滨工业大学 一种基于基片集成波导宽边缝隙耦合的定向耦合器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103066367A (zh) * 2012-09-12 2013-04-24 电子科技大学 集成波导定向耦合器
CN105206909A (zh) * 2015-09-10 2015-12-30 哈尔滨工业大学 一种基于基片集成波导宽边缝隙耦合的定向耦合器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ZHIGANG ZHANG等: ""A Novel E-plane Half-mode Substrate Integrated Waveguide (HMSIW) Coupler"", 《2011 CHINA-JAPAN JOINT MICROWAVE CONFERENCE》 *
ZOHRE POURGHOLAMHOSSEIN等: ""Wideband Double Layer Substrate Integrated"", 《2010 5TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON TELECOMMUNICATIONS (IST"2010)》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107230817A (zh) * 2017-05-19 2017-10-03 南京邮电大学 半模基片集成波导3‑dB宽壁小孔耦合器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102142593B (zh) 小型宽带基片集成波导平面魔t结构
CN206134906U (zh) 一种小型化3dB定向耦合器
CN105826643B (zh) 基于半模基片集成波导的紧凑型六端口电路
CN102763269A (zh) 使用衬底集成波导的移相器
CN105098295A (zh) 用于电磁信号转换的装置和方法
CN105071006B (zh) 一种新型正交模耦合器
CN104091992B (zh) 一种采用基片集成同轴线技术的紧凑型双频枝节线耦合器
CN105977583A (zh) 一种移相器及馈电网络
JP5633698B2 (ja) 導波路
CN106532217A (zh) 基于全模波导结构的基片集成波导定向耦合器
CN109687081A (zh) 基于LTCC的新型3dB180度平面电桥
CN110277623A (zh) 一种高隔离功率合成装置
CN109802213A (zh) 一种3dB三端口90度平面电桥
KR100967153B1 (ko) 매직 ｔ 구조의 도파관
CN206388835U (zh) E面波导定向耦合器及应用该耦合器的十六路波导功分器
CN206076497U (zh) 同极化微带双工天线阵列
US20080079632A1 (en) Directional coupler for balanced signals
CN106374181A (zh) 基于半模波导结构的基片集成波导定向耦合器
CN114597616A (zh) 一种具有高共模抑制的siw平衡滤波器
CN110311201A (zh) 一种反相功率合成器
CN104810591B (zh) 田字型电桥太赫兹波导定向耦合器
JP5289196B2 (ja) マジックｔ
CN116231263A (zh) 一种高隔离度波导耦合器
US7119633B2 (en) Compensated interdigitated coupler
CN105811064B (zh) 基于基片集成波导的Gysel型功分器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170201

RJ01 Rejection of invention patent application after publication