CN106356521A - 基于非晶态的SiO2的阴极材料及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于非晶态的SiO2的阴极材料及其制备方法和应用,所述基于非晶态的SiO2的阴极材料SiO2与PVDF混合;SiO2纯度为分析纯,粒径为5‑10微米级;所述制备方法包括以下步骤:将称量好的粉末放进模具中,在10‑1000MPa下,制得直径为1‑1000mm,厚度为1‑1000mm的圆片;在500‑1500℃下烧结1‑100h,制备得到阴极材料。本发明利用非晶态的SiO2作为阴极材料的制备方法,利用非晶态材料各向同性,没有择优取向的特点,熔盐电解质没有择优渗透通道,使得各个方向的电解还原速度趋于一致,最后直接得到极细小的纳米级Si颗粒。
Description
技术领域
本发明属于锂离子电池技术领域,尤其涉及一种基于非晶态的SiO2的阴极材料及其制备方法和应用。
背景技术
目前,纳米级Si是新型锂离子电池的最佳负极材料,储锂容量比传统石墨负极高10倍左右,但是传统的碳热还原法由于温度高于Si的熔点只能制备块状Si,实验室中常用CVD,PVD,PLD和HF腐蚀的方法制备纳米级Si材料,产率低,成本高。熔盐电解法可在硅的熔点以下从晶态SiO2直接还原出纳米级Si经济成本低设备简单。电解时晶态的SiO2有导电择优方向,熔盐电解质(通常为CaCl2)在导电优势方向优先还原,进而择优渗透加速还原,最后得到的是棒状或纤维状的纳米Si,不适合于电池负极调浆组装。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于非晶态的SiO2的阴极材料及其制备方法和应用,旨在解决传统的碳热还原法存在产率低,成本高;熔盐电解法得到的棒状或纤维状的纳米Si,不适合于电池负极调浆组装的问题。
本发明是这样实现的,一种基于非晶态的SiO2的阴极材料,所述基于非晶态的SiO2的阴极材料为SiO2(纯度为分析纯,粒径为5-10微米级)与PVDF混合重量比例范围:1至10000(SiO2:PVDF)。
本发明的另一目的在于提供一种所述基于非晶态的SiO2的阴极材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
步骤一,将称量好的粉末放进模具中,在一定压力(10-1000MPa)下,制得直径为1-1000mm,厚度为1-1000mm的圆片;
步骤二,在500-1500℃下烧结1-100h,制备得到阴极材料。
本发明的另一目的在于提供一种包含所述基于非晶态的SiO2的阴极材料的熔盐电解方法。
进一步,所述熔盐电解方法包括以下步骤:
选择具有良好氧离子导通能力的熔化的盐体中(如CaCl2熔盐),在惰性气氛下,对阴极材料进行电解,电解电压处于SiO2分解电压和熔盐体分解电压之间。
本发明的另一目的在于提供一种使用所述基于非晶态的SiO2的阴极材料的纳米级Si材料制备方法;具体包括以下步骤:在惰性气体(如氩气)的保护下,把电解炉的温度升到熔盐体完全熔化后,将制备好的阴极与石墨阳极缓慢的放进到熔盐中,在恒定的电压2.6-3.4V(电解电压处于SiO2分解电压和熔盐体分解电压之间)下进行电解,阴极SiO2电解脱氧后得到疏松的Si,熔盐体流入疏松的空洞与剩余的SiO2相接触,继续电解剩余的SiO2,由于阴极SiO2为非晶态,所以各个方向电解速率一致,不会形成择优的疏松路径,电解得到的Si颗粒各个方向尺寸一致,形成了近似球形的纳米级的Si颗粒。
本发明的另一目的在于提供一种使用所述基于非晶态的SiO2的阴极材料的锂离子电池Si负极的制备方法;具体包括:将Poly(acrylic acid)solution(酸)和双蒸水按1:49质量比混合,于50摄氏度下溶解30min;加入纳米Si颗粒并在封闭容器内超声40min;加入cmc(羧甲基纤维素)和碳导电剂装瓶超声30min;质量量比为,纳米Si:Poly(acrylic acid)solution(酸):cmc:碳导电剂=70:7.5:7.5:15。获得的浆料在铜箔上均匀涂开,真空干燥12小时,即可值得用于锂电池的Si负极。
本发明提供的基于非晶态的SiO2的阴极材料及其制备方法和应用,现有技术需要通过化学气相沉积、激光脉冲沉积等方法获得纳米Si,其原料通常采用含硅的有机物或者硅烷,毒性大,成本高,制备速度慢,每公斤纳米硅的成本在10000元人民币以上,利用非晶态的SiO2作为阴极材料的制备方法,利用非晶态材料各向同性,没有择优取向的特点,熔盐电解质没有择优渗透通道,使得各个方向的电解还原速度趋于一致,最后直接得到极细小的纳米级Si颗粒。PVDF与SiO2混合均匀后,改善了SiO2的粘结性,使其易于成片。可以从图3a中看出本发明所采用的SiO2具有明显的非晶态特征(XRD成鼓包),电解后图3b中XRD出现了尖锐的Si的特征峰,表明成功制备得到了Si;图3d的扫描电镜图显示出所得到Si具有近似球形的形貌,尺寸在50nm以下。图3c对比采用晶态SiO2和非晶态SiO2作为阴极材料电解时,在相同电解电压下,电解电流的大小,可见,由于晶态的SiO2由于存在择优电解取向,因此电解电流较大,容易得到粗大的棒状Si,二非晶态SiO2没有择优的电解取向,因此电解电流小,能够得到均匀球状纳米Si。
附图说明
图1是本发明实施例提供的基于非晶态的SiO2的阴极材料的制备方法流程图。
图2是本发明实施例提供的晶态SiO2电解后棒状纳米Si示意图。
图3是本发明实施例提供的对比示意图;
图中:a)非晶态SiO2XRD结果;b)电解后产物XRD结果;c)非晶态与晶态SiO2电解过程电流密度对比;d)非晶态SiO2电解后Si形貌。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
下面结合附图对本发明的应用原理作详细的描述。
本发明实施例的基于非晶态的SiO2的阴极材料为SiO2(纯度为分析纯,粒径为5-10微米级)与PVDF混合;重量比例范围:1至10000(SiO2:PVDF)。
如图1所示,本发明实施例的基于非晶态的SiO2的阴极材料的制备方法包括以下步骤:
S101:将称量好的粉末放进模具中,在一定压力(10-1000MPa)下,制得直径为1-1000mm,厚度为1-1000mm的圆片;
S102:在500-1500℃下烧结1-100h,制备得到阴极材料。
熔盐电解方法包括以下步骤:选择具有良好氧离子导通能力的熔化的盐体中(如CaCl2熔盐),在惰性气氛下,对阴极材料进行电解,电解电压处于SiO2分解电压和熔盐体分解电压之间。
下面结合对比试验对本发明的应用效果作详细的描述。
图3是本发明实施例提供的对比示意图;可以从图a中看出本发明所采用的SiO2具有明显的非晶态特征(XRD成鼓包),电解后图b中XRD出现了尖锐的Si的特征峰,表明成功制备得到了Si;图d的扫描电镜图显示出所得到Si具有近似球形的形貌,尺寸在50nm以下。图c对比采用晶态SiO2和非晶态SiO2作为阴极材料电解时,在相同电解电压下,电解电流的大小,可见,由于晶态的SiO2由于存在择优电解取向,因此电解电流较大,容易得到粗大的棒状Si,二非晶态SiO2没有择优的电解取向,因此电解电流小,能够得到均匀球状纳米Si。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种基于非晶态的SiO2的阴极材料,其特征在于,所述基于非晶态的SiO2的阴极材料SiO2与PVDF混合;SiO2纯度为分析纯,粒径为5-10微米级;
阴极材料SiO2与PVDF重量比例1~10000。
2.一种如权利要求1所述基于非晶态的SiO2的阴极材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
步骤一,将称量好的粉末放进模具中,在10-1000MPa下,制得直径为1-1000mm,厚度为1-1000mm的圆片;
步骤二,在500-1500℃下烧结1-100h,制备得到阴极材料。
3.一种包含如权利要求1所述基于非晶态的SiO2的阴极材料的熔盐电解方法。
4.如权利要求3所述的熔盐电解方法,其特征在于,所述熔盐电解方法包括以下步骤:
CaCl2熔盐在惰性气氛下,对阴极材料进行电解,电解电压处于SiO2分解电压和熔盐体分解电压之间。
5.一种使用权利要求1所述基于非晶态的SiO2的阴极材料的纳米级Si材料制备方法。
6.如权利要求5所述的纳米级Si材料制备方法,其特征在于,所述纳米级Si材料制备方法包括以下步骤:
在惰性气的保护下,把电解炉的温度升到熔盐体完全熔化后,将制备好的阴极与石墨阳极放进到熔盐中,在2.6-3.4V的电压下进行电解,阴极SiO2电解脱氧后得到疏松的Si,熔盐体流入疏松的空洞与剩余的SiO2相接触,继续电解剩余的SiO2,电解得到的Si颗粒各个方向尺寸一致,形成球形的纳米级的Si颗粒。
7.一种使用权利要求1所述基于非晶态的SiO2的阴极材料的锂离子电池制备方法。
8.如权利要求7所述的锂离子电池制备方法,其特征在于,所述锂离子电池制备方法包括以下步骤:
将Polysolution和双蒸水按质量比1:49混合,于50摄氏度下溶解30min;加入纳米Si颗粒并在封闭容器内超声40min;加入羧甲基纤维素和碳导电剂装瓶超声30min;纳米Si:Polysolution:羧甲基纤维素:碳导电剂质量量比=70:7.5:7.5:15;获得的浆料在铜箔上均匀涂开,真空干燥12小时,即可值得用于锂电池的Si负极。
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CN108110233A (zh) * | 2017-12-07 | 2018-06-01 | 银隆新能源股份有限公司 | 一种硅碳复合材料及其制备方法、负极片、锂电池 |
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US4292145A (en) * | 1980-05-14 | 1981-09-29 | The Board Of Trustees Of Leland Stanford Junior University | Electrodeposition of molten silicon |
CN101736354A (zh) * | 2008-11-06 | 2010-06-16 | 北京有色金属研究总院 | 电化学法制备硅纳米粉、硅纳米线和硅纳米管中的一种或几种的方法 |
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