CN106289383A - 复合式传感器及应用其的电子装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种复合式传感器及应用其的电子装置。所述复合式传感器包括霍尔传感模块、第一处理电路以及第二处理电路。霍尔传感模块产生霍尔电压。第一处理电路耦接霍尔传感模块，用以对霍尔电压进行信号处理，并且据以产生指示磁场变化的霍尔传感信号。第二处理电路耦接霍尔传感模块，用以检测霍尔传感模块的等效接面二极管的电流信号，并且依据电流信号产生指示光照情形的光传感信号。由于本发明的复合式传感器不需要再额外配置专用以检测光照情形的发光二极管，因此至少可以省去发光二极管的封装面积，从而使得传感器整体面积得以有效地减少。

Description

复合式传感器及应用其的电子装置

技术领域

本发明涉及一种传感器及其应用，尤其涉及一种复合式传感器及应用其的电子装置。

背景技术

接近传感器(proximity sensor)与环境光传感器(ambient light sensor)普遍用于智能手机或其他类型的便携式电子装置上，藉以检测光照情形。其中，接近传感器可以作为面板省电的判断机制。以智能手机为例，当使用者接听来电时，使用者通常会将手机靠近耳朵的位置，此时接近传感器可以检测手机与使用者之间的距离，并且在耳朵很接近手机屏幕时关闭屏幕。另一方面，环境光传感器可以用以判断环境亮度，并且根据环境亮度来调整手机显示屏幕的亮度。其中，环境光传感器可在环境亮度较高时调高显示亮度以令使用者可清楚的看见手机上的画面，并且在环境亮度较低时调低显示亮度以降低电源消耗。

除此之外，霍尔传感器(hall sensor)也常被应用于智能手机或其他类型的便携式电子装置上。霍尔传感器可通过检测磁场变化来判断与手机配合的智能保护套(smart cover)的位置，使得手机可在智能保护套盖上时关闭显示屏幕，并且在智能保护套打开时开启显示屏幕。

然而，所述用以检测光照情形的接近传感器或环境光传感器以及用以检测磁场变化的霍尔传感器各自具有不同的传感元件。举例来说，接近传感器或环境光传感器通常是应用发光二极管(photodiode)来作为光检测元件，而霍尔传感器则通常是应用霍尔元件(hall element)来作为磁场检测元件。因此在电路布局与封装设计中，若要将上述两类型传感器集成设计在便携式电子装置中，其势必会在便携式电子装置中占据不小的体积与空间。

发明内容

本发明提供一种复合式传感器及应用其的电子装置，其可解决现有技术所述及的问题。

本发明的复合式传感器包括霍尔传感模块、第一处理电路以及第二处理电路。霍尔传感模块产生霍尔电压。第一处理电路耦接霍尔传感模块，用以对霍尔电压进行信号处理，并且据以产生指示磁场变化的霍尔传感信号。第二处理电路耦接霍尔传感模块，用以检测霍尔传感模块的等效接面二极管的电流信号，并且依据电流信号产生指示光照情形的光传感信号。

在本发明一实施例中，霍尔传感模块包括基板、第一霍尔元件、第二霍尔元件以及遮蔽层。基板具有第一井区与第二井区。第一霍尔元件配置于第一井区，其中第一霍尔元件具有多个第一电极，所述多个第一电极其中之一耦接第一处理电路，并且所述多个第一电极其中的另一耦接第一与第二处理电路。第二霍尔元件配置于第二井区，其中第二霍尔元件具有多个第二电极，所述多个第二电极其中之一耦接第一处理电路，并且所述多个第二电极其中的另一耦接第一与第二处理电路。遮蔽层配置在第二霍尔元件上，用以遮蔽照射第二霍尔元件的光线。

在本发明一实施例中，基板耦接接地端，藉以在所述其中的另一第一电极与基板之间建立第一等效接面二极管，并且在所述其中的另一第二电极与基板之间建立第二等效接面二极管。

在本发明一实施例中，第二处理电路依据流经第一等效接面二极管的第一电流信号与流经第二等效接面二极管的第二电流信号产生光传感信号。

在本发明一实施例中，第一霍尔元件还具有第一参考电极，并且第二霍尔元件还具有第二参考电极，第一与第二参考电极耦接接地端，藉以在所述其中的另一第一电极与第一参考电极之间建立第一等效接面二极管，并且在所述其中的另一第二电极与第二参考电极之间建立第二等效接面二极管。

在本发明一实施例中，第一处理电路包括第一放大器以及第一数模转换器。第一放大器用以接收所述其中之一第一电极所输出的第一霍尔电压、所述其中的另一第一电极所输出的第二霍尔电压、所述其中之一第二电极所输出的第三霍尔电压，以及所述其中的另一第二电极所输出的第四霍尔电压，并且据以产生第一处理信号。第一数模转换器耦接第一放大器，用以对第一处理信号进行数模转换，并且据以产生霍尔传感信号。

在本发明一实施例中，第一处理电路还包括偏移消除电路。偏移消除电路耦接在所述多个电极与第一放大器之间，用以对接收到的第一至第四霍尔电压进行电压偏移消除，并且将进行电压偏移消除后的第一至第四霍尔电压提供至第一放大器。

在本发明一实施例中，第二处理电路包括减法器、第二放大器以及第二数模转换器。减法器的第一输入端耦接所述其中的另一第一电极以接收第一电流信号，并且其第二输入端耦接所述其中的另一第二电极以接收第二电流信号，其中减法器对第一电流信号与第二电流信号进行相减处理，并且据以产生减法信号。第二放大器用以接收减法信号，并且据以产生第二处理信号。第二数模转换器耦接第二放大器，用以对第二处理信号进行数模转换，并且据以产生光传感信号。

本发明的电子装置包括功能模块、如前所述的复合式传感器以及处理单元。处理单元耦接功能模块与复合式传感器，用以作为电子装置的控制核心，其中处理单元依据复合式传感器所提供的霍尔传感信号与光传感信号控制功能模块的操作。

在本发明一实施例中，处理单元依据霍尔传感信号执行磁力物件定位功能，并且依据光传感信号执行环境光传感功能与接近传感功能至少其中之一。

基于上述，本发明的复合式传感器及应用其的电子装置可通过检测霍尔元件的等效接面二极管的电流信号来进行光检测，使得复合式传感器可共用同一个霍尔传感模块以实现磁场变化以及光照情形的检测。相比于传统的光传感器与霍尔传感器而言，由于本发明的复合式传感器不需要再额外配置专用以检测光照情形的发光二极管，因此至少可以省去发光二极管的封装面积，从而使得传感器整体面积得以有效地减少。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一实施例的电子装置的结构示意图；

图2为本发明一实施例的复合式传感器的功能方块示意图；

图3为本发明一实施例的复合式传感器的等效电路示意图；

图4A与图4B为图3的一实施例的霍尔传感模块的结构示意图；

图5A与图5B为图3的另一实施例的霍尔传感模块的结构示意图。

附图标记说明：

10：电子装置；

20：处理单元；

60：功能模块；

100：复合式传感器；

110：霍尔传感模块；

112、112’、114、114’：霍尔元件；

120：第一处理电路；

122：偏移消除电路；

124、134：放大器；

126、136：数模转换器；

130：第二处理电路；

132：减法器；

Cp、Cp1、Cp2：电流信号；

E11、E12、E13、E14、E21、E22、E23、E24：电极；

ER1、ER2：参考电极；

EJD1、EJD2：等效接面二极管；

GND：接地端；

N1、N2、N3、N4：节点；

NW1、NW2：井区；

S1、S2：处理信号；

Sh：霍尔传感信号；

Sp：光传感信号；

Ssub：减法信号；

SUB：基板；

VDD：偏压电源；

Vh、Vh1、Vh2、Vh3、Vh4、Vh1’、Vh2’、Vh3’、Vh4’：霍尔电压。

具体实施方式

为了使本发明的内容可以被更容易明了，以下特举实施例做为本发明确实能够据以实施的范例。另外，凡可能之处，在附图及实施方式中使用相同标号的元件/构件/步骤，代表相同或类似部件。

图1为本发明一实施例的电子装置的结构示意图。本实施例的电子装置10可例如为笔记本电脑、平板电脑、智能手机、个人数字助理(PDA)或游戏机等各式电子装置，本案不以此为限。请参照图1，电子装置10包括处理单元20、功能模块60以及复合式传感器100。

在本实施例中，处理单元20为电子装置10的控制核心，其可用以控制功能模块60的操作。功能模块60为可提供电子装置10特定操作功能的硬件部分。举例来说，功能模块60可例如为用以提供显示及触控功能的触控显示面板模块、存储器模块、硬盘等，本案不对功能模块60的类型加以限制。

本实施例的复合式传感器100可用以同时检测磁场变化以及光照情形，并且根据检测的结果提供指示磁场变化的霍尔传感信号Sh以及指示光照情形的光传感信号Sp，使得处理单元20可依据所接收到的霍尔传感信号Sh与光传感信号Sp来控制功能模块60的操作。举例来说，处理单元20可依据霍尔传感信号Sh执行一磁力物件定位功能，并且依据光传感信号Sp执行一环境光传感功能和/或一接近传感功能。

更进一步地说，在电子装置10为智能手机或平板电脑的实施范例下，电子装置10可配合一智能保护套(smart cover)使用。所述智能保护套内部通常会设置有一磁力物件(如磁铁，未示出)，其中所述复合式传感器100可以检测出所述磁力物件与复合式传感器100本身的相对位置关系，并据以产生对应的霍尔传感信号Sh。处理单元20即可依据霍尔传感信号Sh来执行磁力物件定位功能，藉以判断智能保护套是遮蔽电子装置10的显示屏幕，进而控制电子装置10进入休眠状态。

同样以电子装置10为智能手机或平板电脑的实施范例举例。在一范例实施例中，复合式传感器100可以检测环境亮度的大小，并且据以产生对应的光传感信号Sp。处理单元20可依据光传感信号Sp执行环境光传感功能，藉以根据指示环境亮度的光传感信号Sp来调整显示屏幕的亮度(例如在环境亮度较高时，调高显示屏幕的亮度，反之亦然)。在另一范例实施例中，电子装置10内部可设置一发光元件(如发发光二极管，未示出)，复合式传感器100可以检测所述发光元件所发出的光线的折射，并且据以产生对应的光传感信号Sp。其中，因为当物体接近电子装置10时会影响复合式传感器100所检测到的光线折射量，因此处理单元20可依据光传感信号Sp执行接近传感功能，藉以根据光传感信号Sp判断是否有物体接近电子装置10。其中，电子装置10可在使用者距离物体一定距离内执行关闭屏幕的功能，藉以避免误触的情形发生并且节省屏幕的功耗。

下面以图2至图5B实施例来进一步说明本发明的复合式传感器100的操作与具体结构。

图2为本发明一实施例的复合式传感器的功能方块示意图。请参照图2，复合式传感器100包括霍尔传感模块110、第一处理电路120以及第二处理电路130。

在本实施例中，霍尔传感模块110可例如包括有多个用以检测磁场变化的霍尔元件(未示出)，其中霍尔传感模块110可通过所述霍尔元件来检测磁场变化，并且根据磁场变化产生一对应的霍尔电压Vh。

第一处理电路120耦接霍尔传感模块110以接收霍尔电压Vh，其中第一处理电路120会对所接收的霍尔电压Vh进行信号放大、数模转换等信号处理，并且据以产生指示磁场变化的霍尔传感信号Sh给后端的电路(例如处理单元20)。基此，后端的电路即可根据指示磁场变化的霍尔传感信号Sh执行进一步的控制动作。

第二处理电路130同样耦接霍尔传感模块110。在本实施例中，第二处理电路130可用以检测流经霍尔传感模块110内部的等效接面二极管EJD的电流信号Cp。其中，由于霍尔传感模块110的参数特性(例如导电度)会随着光照情形有所改变，使得电流信号Cp也会反应于光照情形而有不同。第二处理电路130即是基于此一特性，通过对电流信号Cp进行信号放大、数模转换等信号处理，来产生指示光照情形的光传感信号Sp。

换言之，本发明的复合式传感器100可以利用原先是用以检测磁场变化的霍尔传感模块110的等效接面二极管EJD特性来进行光检测；也就是说，复合式传感器100共用同一个霍尔传感模块110来传感磁场变化以及光照情形。

基此，相比于传统的光传感器与霍尔传感器而言，由于本发明的复合式传感器100不需要再额外配置专用以检测光照情形的发光二极管(photodiode)，因此至少可以省去发光二极管的封装面积，从而使得传感器整体面积得以有效地减少。

下面以图3来进一步说明本案的复合式传感器100的等效电路结构。请参照图3，霍尔传感模块110包括基板(未示出，后续实施例会有具体结构范例)、霍尔元件112与114以及遮蔽层(未示出，会于后续实施例进一步说明)。第一处理电路120包括偏移消除电路122、放大器124以及数模转换器126。第二处理电路130包括减法器132、放大器134以及数模转换器136。

在霍尔传感模块110中，霍尔元件112与114设置在基板上，并且分别具有多个电极。其中，霍尔元件112包括电极E11、E12、E13及E14，并且霍尔元件114包括电极E21、E22、E23及E24。电极E11、E12、E21及E22耦接第一处理电路120藉以分别提供霍尔电压Vh1、Vh2、Vh3及Vh4。电极E13与E23耦接电源电压VDD。电极E14与E24耦接接地端GND。

在本实施例中，霍尔元件112的等效接面二极管EJD1是基于电极E12与基板之间的接面，或电极E12与另一不同极性的电极(未示出，后续实施例中会进一步说明)之间的接面所建立。所述基板或另一不同极性的电极会连接至接地端GND。因此，等效接面二极管EJD1的阴极可视为耦接至电极E12，并且等效接面二极管EJD1的阴极可视为耦接至接地端GND。

类似地，霍尔元件114的等效接面二极管EJD2是基于电极E22与基板之间的接面，或电极E22与另一不同极性的电极之间的接面所建立。所述基板或另一不同极性的电极会连接至接地端GND。因此，等效接面二极管EJD2的阴极可视为耦接至电极E22，并且等效接面二极管EJD2的阴极可视为耦接至接地端GND。

换言之，就整体霍尔传感模块110而言，其可视为通过节点N1～N4耦接至第一处理电路120，并且通过节点N2与N4耦接至第二处理电路130。

在第一处理电路120中，偏移消除电路122通过节点N1～N4耦接电极E11、E12、E21及E22以接收霍尔电压Vh1～Vh4。偏移消除电路122是用以对接收到的霍尔电压Vh1～Vh4进行电压偏移消除，并且将进行电压偏移消除后的霍尔电压Vh1’～Vh4’提供至放大器124。

放大器124耦接偏移消除电路122以接收偏移消除电路122所输出的霍尔电压Vh1’～Vh4’，并且据以对接收到的霍尔电压Vh1’～Vh4’进行信号放大的动作，藉以产生处理信号S1。数模转换器126耦接放大器124，其可用以对处理信号S1进行类比数位转换，藉以将模拟形式的处理信号S1转换为数字形式的霍尔传感信号Sh。

在第二处理电路130中，减法器132的第一输入端通过节点N2耦接电极E12(即，等效接面二极管EJD1的阴极)以接收电流信号Cp1。减法器132的第二输入端通过节点N4耦接电极E22(即，等效接面二极管EJD2的阴极)以接收电流信号Cp2。

除此之外，在本实施例中，霍尔传感模块110还包括有设置在霍尔元件114上的遮蔽层，其中由于所设置的遮蔽层可例如是不透光的金属材质，因此可遮蔽照射至霍尔元件114上的光线，从而令等效接面二极管EJD2所产生的电流不会受到光照情形所影响。换言之，霍尔元件112的等效接面二极管EJD1可视为一随光照情形输出不同电流的发光二极管，而霍尔元件114的等效接面二极管EJD2不会随着光照情形而改变输出电流，因此可视为一冗余二极管(dummy)。

因此，电流信号Cp1中会包含有随光照情形改变电流强度的光电流成分，以及不随光照情形改变电流强度的暗电流(dark current)成分，而电流信号Cp2中仅会包含有暗电流成分。减法器132会对电流信号Cp1与电流信号Cp2进行相减处理，藉以利用电流信号Cp2来抵消电流信号Cp1中的暗电流成分(dark current)，并根据相减处理的结果产生减法信号Ssub。

放大器134耦接减法器132以接收减法信号Ssub，并且据以对接收到的减法信号Ssub进行信号放大的动作，藉以产生处理信号S2。数模转换器136耦接放大器134，其可用以对处理信号S2进行数模转换，藉以将模拟形式的处理信号S2转换为数字形式的光传感信号Sp。

在此应注意的是，本实施例的霍尔传感模块110所包含的霍尔元件的数量仅为示例性的说明，本发明对此不加以限制。在其他实施例中，霍尔传感模块110也可仅包括单一霍尔元件，或者三个以上的霍尔元件。只要是基于霍尔元件所建立的等效接面二极管作为检测光照情形的发光二极管的传感器结构，皆落入本案范围内。

另外应说明的是，本实施例所提及的第一处理电路120与第二处理电路130的具体电路结构仅是范例性的教示，其并非用以限定本案的实施范围。举例来说，在一范例实施例中，第一处理电路120与第二处理电路130也可不包括数模转换器126与136，而直接将模拟形式的处理信号S1与S2输出给后端的电路作为指示磁场变化及光照情形的信号。又例如，在另一范例实施例中，第一处理电路120可省略偏移消除电路122的配置。本案不对第一处理电路120与第二处理电路130的具体电路结构作出限制，合先叙明。

下面以图4A至图5B来进一步说明本案的霍尔传感模块110的不同实施范例。其中，图4A与图4B为图3的一实施例的霍尔传感模块的结构示意图。图5A与图5B为图3的另一实施例的霍尔传感模块的结构示意图。

请先同时参照图3、图4A及图4B，本实施例的基板SUB具有井区(wellregion)NW1与NW2。霍尔元件112与114分别被配置在井区NW1与NW2之中，而遮蔽层ML设置在霍尔元件114上，其可例如为不透光的金属材质，并且用以遮蔽照射至霍尔元件114的光线。在本实施例中，基板SUB可例如为p型基板(标示为P-Sub)，而井区NW1与NW2可例如为N型井。在此实施态样下，霍尔元件112与114上的电极E11～E24可例如为n型掺杂的电极(标示为n+)。但本发明不仅限于此。

更具体地说，在霍尔传感模块110中，n型掺杂的电极E11、E12、E21及E22分别耦接至节点N1～N4，并且p型基板SUB耦接至接地端GND。在此连接组态下，N型掺杂的电极E11与p型基板SUB的接面可等效为串接于节点N2与接地端GND之间的等效接面二极管EJD1。类似地，n型掺杂的电极E22与p型基板SUB的接面可等效为串接于节点N4与接地端GND之间的等效接面二极管EJD2。

换言之，在本实施例中，等效接面二极管EJD1建立于电极E12与基板SUB之间，并且等效接面二极管EJD2建立于电极E22与基板SUB之间。而第二处理电路120即是依据流经等效接面二极管EJD1的电流信号Cp1与流经等效接面二极管EJD2的电流信号Cp2产生光传感信号Sp。

请再同时参照图3、图5A及图5B，本实施例的霍尔传感模块110’与前述图4A与图4B实施例的霍尔传感模块110大致相同，两者间的差异主要在于本实施例的霍尔元件112’与114’还分别具有参考电极ER1与ER2。其中，所述参考电极ER1与ER2可例如为p型掺杂的电极。

更具体地说，在霍尔传感模块110’中，n型掺杂的电极E11、E12、E21及E22分别耦接至节点N1～N4，并且p型掺杂的参考电极ER1与ER2耦接至接地端GND。在此连接组态下，n型掺杂的电极E11与p型掺杂的参考电极ER1的接面可等效为串接于节点N2与接地端GND之间的等效接面二极管EJD1。类似地，n型掺杂的电极E22与p型掺杂的参考电极ER2的接面可等效为串接于节点N4与接地端GND之间的等效接面二极管EJD2。

换言之，在本实施例中，等效接面二极管EJD1建立于电极E12与参考电极ER1之间，并且等效接面二极管EJD2建立于电极E22与参考电极ER2之间。而第二处理电路120即是依据流经等效接面二极管EJD1的电流信号Cp1与流经等效接面二极管EJD2的电流信号Cp2产生光传感信号Sp。

在此应注意的是，图4A至图5B实施例所示出的霍尔元件112、114、112’及114’的形状仅为范例，本发明不以此为限。在其他范例实施例中，霍尔元件112、114、112’及114’也可为矩形或其他形状。

综上所述，本发明的复合式传感器及应用其的电子装置可通过检测霍尔元件的等效接面二极管的电流信号来进行光检测，使得复合式传感器可共用同一个霍尔传感模块以实现磁场变化以及光照情形的检测。相比于传统的光传感器与霍尔传感器而言，由于本发明的复合式传感器不需要再额外配置专用以检测光照情形的发光二极管，因此至少可以省去发光二极管的封装面积，从而使得传感器整体面积得以有效地减少。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (11)

1.一种复合式传感器，其特征在于，包括：

霍尔传感模块，产生霍尔电压；

第一处理电路，耦接所述霍尔传感模块，用以对所述霍尔电压进行信号处理，并且据以产生指示磁场变化的霍尔传感信号；以及

第二处理电路，耦接所述霍尔传感模块，用以检测所述霍尔传感模块的等效接面二极管的电流信号，并且依据所述电流信号产生指示光照情形的光传感信号。

2.根据权利要求1所述的复合式传感器，其特征在于，所述霍尔传感模块包括：

基板，具有第一井区与第二井区；以及

第一霍尔元件，配置于所述第一井区，其中所述第一霍尔元件具有多个第一电极，该些第一电极其中之一耦接所述第一处理电路，并且该些第一电极其中的另一耦接所述第一与所述第二处理电路；

第二霍尔元件，配置于所述第二井区，其中所述第二霍尔元件具有多个第二电极，该些第二电极其中之一耦接所述第一处理电路，并且该些第二电极其中的另一耦接所述第一与所述第二处理电路；以及

遮蔽层，配置在所述第二霍尔元件上，用以遮蔽照射所述第二霍尔元件的光线。

3.根据权利要求2所述的复合式传感器，其特征在于，所述基板耦接接地端，藉以在所述其中的另一第一电极与所述基板之间建立第一等效接面二极管，并且在所述其中的另一第二电极与所述基板之间建立第二等效接面二极管。

4.根据权利要求3所述的复合式传感器，其特征在于，所述第二处理电路依据流经所述第一等效接面二极管的第一电流信号与流经所述第二等效接面二极管的第二电流信号产生所述光传感信号。

5.根据权利要求2所述的复合式传感器，其特征在于，所述第一霍尔元件还具有第一参考电极，并且所述第二霍尔元件还具有第二参考电极，所述第一与所述第二参考电极耦接接地端，藉以在所述其中的另一第一电极与所述第一参考电极之间建立第一等效接面二极管，并且在所述其中的另一第二电极与所述第二参考电极之间建立第二等效接面二极管。

6.根据权利要求5所述的复合式传感器，其特征在于，所述第二处理电路依据流经所述第一等效接面二极管的第一电流信号与流经所述第二等效接面二极管的第二电流信号产生所述光传感信号。

7.根据权利要求2所述的复合式传感器，其特征在于，所述第一处理电路包括：

第一放大器，用以接收所述其中之一第一电极所输出的第一霍尔电压、所述其中的另一第一电极所输出的第二霍尔电压、所述其中之一第二电极所输出的第三霍尔电压，以及所述其中的另一第二电极所输出的第四霍尔电压，并且据以产生第一处理信号；以及

第一数模转换器，耦接所述第一放大器，用以对所述第一处理信号进行数模转换，并且据以产生所述霍尔传感信号。

8.根据权利要求7所述的复合式传感器，其特征在于，所述第一处理电路还包括：

偏移消除电路，耦接在该些电极与所述第一放大器之间，用以对接收到的所述第一至所述第四霍尔电压进行电压偏移消除，并且将进行电压偏移消除后的所述第一至所述第四霍尔电压提供至所述第一放大器。

9.根据权利要求7所述的复合式传感器，其特征在于，所述第二处理电路包括：

减法器，其第一输入端耦接所述其中的另一第一电极以接收第一电流信号，并且其第二输入端耦接所述其中的另一第二电极以接收第二电流信号，其中所述减法器对所述第一电流信号与所述第二电流信号进行相减处理，并且据以产生减法信号；

第二放大器，用以接收所述减法信号，并且据以产生第二处理信号；以及

第二数模转换器，耦接所述第二放大器，用以对所述第二处理信号进行数模转换，并且据以产生所述光传感信号。

10.一种电子装置，其特征在于，包括：

功能模块；

如权利要求1所述的复合式传感器；以及

处理单元，耦接所述功能模块与所述复合式传感器，用以作为所述电子装置的控制核心，其中所述处理单元依据所述复合式传感器所提供的所述霍尔传感信号与所述光传感信号控制所述功能模块的操作。

11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，所述处理单元依据所述霍尔传感信号执行磁力物件定位功能，并且依据所述光传感信号执行环境光传感功能与接近传感功能至少其中之一。