CN106276781A - 一种微测辐射热计参考像元的制备方法和结构 - Google Patents

一种微测辐射热计参考像元的制备方法和结构 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种微测辐射热计参考像元的制备方法及其结构，该方法包括：制备金属反射层；在金属反射层上依次制备绝缘介质层、第一牺牲层和第一支撑层；在金属反射层上制备通孔；在第一支撑层上依次制备电极层和电极保护层、热敏层、热敏保护层和第一释放保护层，或，在第一支撑层上依次制备热敏层、热敏保护层、电极层、电极保护层和第一释放保护层；在第一释放保护层上制备第二牺牲层和第二释放保护层，得到参考像元的结构。本发明通过上述方法制作出的参考像元结构，可以使参考像元对接收到的辐射响应降低，提升微测辐射热计的高低温性能，并能降低封装或者应用过程中的异物或者钝器对于参考像元的影响。

Description

一种微测辐射热计参考像元的制备方法和结构
技术领域
本发明涉及半导体技术中的微机电系统工艺制造领域领域，尤其涉及一种微测辐射热计参考像元的制备方法和结构。
背景技术
微测辐射热计被广泛的应用于制作非制冷红外探测器和太赫兹探测器。非制冷红外探测器由于其能够在室温状态下工作，并具有质量轻、体积小、寿命长、成本低、功率小、启动快及稳定性好等优点，满足了民用红外系统和部分军事红外系统对长波红外探测器的迫切需要，近几年来发展迅猛。太赫兹探测器是将波长更长的太赫兹波段(30～3000μm)的电磁波转化为可检测的电信号，从而观测外部事物，在军用和民用领域具有广阔的前景，如在成像、通信、遥感、雷达、天文、生物医学等领域都具有广泛的应用。
微测辐射热计Micro-bolometer是基于具有热敏特性的材料在温度发生变化时电阻值发生相应的变化而制造的一种热探测器。它的工作原理是当探测器接收外界物体红外辐射能量时，对红外光敏感的有效像元电阻发生变化，引起流过有效像元上的偏置电流Iact改变，Iact与流过参考像元的的偏置电流Iref之差通过电路转换为积分信号电流ΔI，ΔI通过电容反馈互阻放大器CTIA转化为电压信号并采样输出，再通过对输出信号的处理，转换成图像信号。
参考像元对于目标辐射应当无响应或者响应可以忽略，能够用于芯片温度补偿，美国DRS公司(美国专利：US6507021B1)制作的参考像元使用聚酰亚胺作为牺牲层，在其上制作电学转化以及红外吸收结构，该结构可以提供参考作用，制作工艺相对简单，但是参考像元对于目标辐射的免疫能力受限，并且参考像元对于封装或者应用过程中的异物或者钝器敏感。L-3公司(美国专利：US7375331B2)申请的专利是通过在有效像元上方通过晶圆键合的方式对像元进行遮挡，得到与有效像元完全一致但是对目标辐射不敏感的参考像元，这种参考像元制作方式与有效像元制作方式完全一致，简单可行，但是必须依靠晶圆级真空封装技术，因此在实际生产应用中有很大的局限性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种微测辐射热计参考像元的制备方法及其结构，具体技术方案如下：
一种微测辐射热计参考像元的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，在以读出电路为基底的晶圆上制备金属反射层；
步骤2，在所述金属反射层上依次制备绝缘介质层、第一牺牲层和第一支撑层；
步骤3，蚀刻所述绝缘介质层和第一支撑层，在所述金属反射层上制备通孔；
步骤4，在所述第一支撑层上依次制备电极层和电极保护层、热敏层、热敏保护层和第一释放保护层，或，在所述第一支撑层上依次制备热敏层、热敏保护层、电极层、电极保护层和第一释放保护层；
步骤5，在所述第一释放保护层上制备第二牺牲层和第二释放保护层，得到参考像元的结构。
本发明的有益效果是：通过在以读出电路为基底的晶圆上制备金属反射层，在所述金属反射层上依次制备绝缘介质层、第一牺牲层、第一支撑层、电极层、电极保护层、热敏层、热敏保护层、第一释放保护层、第二牺牲层和第二释放保护层，或，通过在以读出电路为基底的晶圆上制备金属反射层，在所述金属反射层上依次制备绝缘介质层、第一牺牲层、第一支撑层、热敏层、热敏保护层、电极层、电极保护层、第一释放保护层、第二牺牲层和第二释放保护层，得到参考像元的结构，可以使参考像元对接收到的辐射响应降低，提升微测辐射热计的高低温性能，增强了参考像元的目标辐射免疫能力，同时降低封装或者应用过程中的异物或者钝器对于参考像元的影响。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步地，步骤2中，
所述金属反射层的材料包括厚度为的金属薄膜，并利用刻蚀的方法刻蚀出金属反射层图形，所述金属薄膜对波长为8～14μm的红外光的反射率大于98％；
在所述金属反射层上沉积绝缘介质，得到绝缘介质层，所述绝缘介质包括厚度均为的Si3N4薄膜或SiO2薄膜；
通过在所述绝缘介质层上沉积牺牲层材料，得到第一牺牲层，所述牺牲层材料包括：非晶碳、非晶硅或耐温光刻胶，例如BCD、PI等；
通过光刻刻蚀所述第一牺牲层和所述绝缘介质层形成刻蚀孔，所述刻蚀孔为阵列孔，数量为4-8个；
通过等离子体增强化学气相沉积PECVD的方法在所述第一牺牲层图形上沉积支撑层材料，得到第一支撑层，所述支撑层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜。
进一步地，所述阵列孔用于实现电学连接，所述阵列孔中的每一个孔都互相连通，并通过金属连接至底部的金属电极。
采用上述进一步方案的有益效果是:使用阵列通孔实现电学连接，不仅能够使参考像元的电学连通性更好，还可以防止单孔电学连接时因工艺误差造成电学连通性差。
进一步的，步骤3中，通过光刻和RIE蚀刻的方法蚀刻所述阵列孔底部的第一支撑层和绝缘介质层，露出绝缘介质层底部的金属反射层，形成通孔。
进一步地，步骤4中，
通过物理气相沉积PVD的方法在所述第一支撑层上沉积电极层材料，得到电极层，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出电极层图形，所述电极层材料包括厚度为的Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜；
在所述电极层上沉积电极保护层材料，得到电极保护层，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出电极保护层图形，形成接触孔，所述电极保护层材料包括厚度的低应力Si3N4薄膜；
通过离子束沉积IBD或PVD的方法在所述电极层和电极保护层上沉积热敏层材料，得到热敏层，所述热敏层材料包括厚度为的VOx薄膜或非晶硅薄膜；
通过PECVD或PVD的方法在所述热敏层上沉积热敏保护层材料，得到热敏保护层，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出热敏保护层图形，所述热敏保护层材料包括厚度为的Si3N4薄膜或SiO2薄膜；
通过PECVD的方法在所述热敏保护层上沉积释放保护层材料，得到第一释放保护层，所述释放保护层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜或SiO2薄膜；
进一步地，步骤4中，
通过IBD或PVD的方法在所述第一支撑层上沉积热敏层材料，得到热敏层，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出热敏层图形，所述热敏层材料包括厚度为的VOx薄膜或非晶硅薄膜；
在所述热敏层上沉积热敏保护层材料，得到热敏保护层，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出热敏保护层图形，所述热敏保护层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜；
通过PVD的方法在所述热敏保护层上沉积电极层材料，得到电极层，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出电极层图形，所述电极层材料包括厚度为的Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜；
通过PECVD的方法在所述电极层上沉积电极保护层材料，得到电极保护层，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出电极保护层图形，所述电极保护层材料包括低应力Si3N4薄膜或SiO2薄膜；
通过PECVD的方法在所述电极保护层上沉积释放保护层材料，得到第一释放保护层，所述释放保护层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜或SiO2薄膜。
进一步地，步骤5中，
在所述第一释放保护层上沉积牺牲层材料，得到第二牺牲层，利用光刻刻蚀的方法刻蚀出第二牺牲层图形，并通过化学机械平坦化CMP工艺将所述第二牺牲层图形表面平坦化，所述牺牲层材料包括厚度为的非晶碳、非晶硅或耐温光刻胶，例如BCD、PI等；
在所述第二牺牲层上沉积释放保护层材料，得到第二释放保护层，所述释放保护层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜或SiO2薄膜，还包括厚度为的金属薄膜或金属化合物薄膜，例如Al、Ti、NiCr等。
采用上述进一步方案的有益效果是：通过在传统的参考像元的结构上增加第二牺牲层和第二释放保护层，可以使参考像元对接收到的辐射响应降低，提升微测辐射热计的高低温性能。
进一步地，蚀刻所述电极保护层时，使用的蚀刻气体包括：SF6、CHF3、O2的组合气体或CF4、O2的组合气体，并使用终点监测技术EPD对电极保护层的蚀刻进行监控。
一种微测辐射热计参考像元的结构：包括在以读出电路为基底的晶圆上设置有被蚀刻过的金属反射层，以及在金属反射层上设置的绝缘介质层，在的绝缘介质层上设置有被蚀刻过的第一支撑层，在第一支撑层上设置有电极层，在电极层上设置有电极保护层，电极保护层之上设置有被蚀刻过的热敏层，热敏层上设置有热敏保护层，热敏保护层上设置有第一释放保护层和第二释放保护层。
本发明附加的方面的优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明实践了解到。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种微测辐射热计参考像元的制备方法中金属反射层、绝缘介质层、第一牺牲层及第一支撑层的形成示意图；
图2为本发明实施例提供的一种微测辐射热计参考像元的制备方法中通孔的形成示意图；
图3为本发明实施例提供的一种微测辐射热计参考像元的制备方法中电极层及电极保护层的形成示意图；
图4为本发明实施例提供的一种微测辐射热计参考像元的制备方法中热敏层及热敏保护层的形成示意图；
图5为本发明实施例提供的一种微测辐射热计参考像元的制备方法中第一释放保护层的形成示意图；
图6为本发明实施例提供的一种微测辐射热计参考像元的制备方法中参考像元结构的形成示意图；
图7为本发明另一实施例提供的一种微测辐射热计参考像元的制备方法中热敏层及热敏保护层的形成示意图；
图8为本发明另一实施例提供的一种微测辐射热计参考像元的制备方法中电极层及电极保护层的形成示意图；
图9为本发明另一实施例提供的一种微测辐射热计参考像元的制备方法中第一释放保护层的形成示意图；
图10为本发明另一实施例提供的一种微测辐射热计参考像元的制备方法中参考像元结构的形成示意图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1.读出电路，2.金属反射层，3.绝缘介质层，4.第一牺牲层，5.第一支撑层，6.通孔，7.电极层，8.电极保护层，9.热敏层，10.热敏保护层，11.第一释放保护层，12.第二牺牲层，13.第二释放保护层。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
本发明实施例提供了一种微测辐射热计参考像元的制备方法，参见图1至图6，其具体工艺步骤如下：
如图1所示，在以读出电路1为基底的晶圆上制备金属反射层2，金属反射层2的材料包括厚度为的金属薄膜，并利用刻蚀的方法刻蚀出金属反射层2图形，金属薄膜对波长为8～14μm的红外光的反射率大于98％；
在金属反射层2上沉积绝缘介质，得到绝缘介质层3，绝缘介质包括厚度均为的Si3N4薄膜或SiO2薄膜；
通过在绝缘介质层3上沉积牺牲层材料，得到第一牺牲层4，牺牲层材料包括：非晶碳、非晶硅或耐温光刻胶；
通过光刻刻蚀第一牺牲层4和绝缘介质层3形成刻蚀孔，刻蚀孔为阵列孔，数量为4-8个；
通过等离子体增强化学气相沉积PECVD的方法在第一牺牲层4图形上沉积支撑层材料，得到第一支撑层5，支撑层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜。
如图2所示，通过光刻和RIE蚀刻的方法蚀刻阵列孔底部的第一支撑层5和绝缘介质层3，露出绝缘介质层3底部的金属反射层2，形成通孔6。
如图3所示，通过物理气相沉积PVD的方法在第一支撑层5上沉积电极层7材料，得到电极层7，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出电极层7图形，电极层7材料包括厚度为的Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜；
在电极层7上沉积电极保护层8材料，得到电极保护层8，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出电极保护层8图形，形成接触孔，电极保护层8材料包括厚度的低应力Si3N4薄膜。
如图4所示，通过离子束沉积IBD或PVD的方法在电极层7和电极保护层8上沉积热敏层9材料，得到热敏层9，热敏层9材料包括厚度为的VOx薄膜或非晶硅薄膜；
通过PECVD或PVD的方法在热敏层9上沉积热敏保护层10材料，得到热敏保护层10，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出热敏保护层10图形，热敏保护层10材料包括厚度为的Si3N4薄膜或SiO2薄膜。
如图5所示，通过PECVD的方法在热敏保护层10上沉积释放保护层材料，得到第一释放保护层11，释放保护层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜或SiO2薄膜。
如图6所示，在第一释放保护层11上沉积牺牲层材料，得到第二牺牲层12，利用光刻刻蚀的方法刻蚀出第二牺牲层12图形，并通过化学机械平坦化CMP工艺将第二牺牲层12图形表面平坦化，牺牲层材料包括厚度为的非晶碳、非晶硅或耐温光刻胶；
在第二牺牲层12上沉积释放保护层材料，得到第二释放保护层13，释放保护层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜或SiO2薄膜，还包括厚度为的金属薄膜或金属化合物薄膜。
上述实施例提供的制备方法，通过在以读出电路1为基底的晶圆上制备金属反射层2，在金属反射层2上依次制备绝缘介质层3、第一牺牲层4、第一支撑层5、电极层7、电极保护层8、热敏层9、热敏保护层10、第一释放保护层11、第二牺牲层12和第二释放保护层13，得到参考像元的结构，可以使参考像元对接收到的辐射响应降低，提升微测辐射热计的高低温性能，增强了参考像元的目标辐射免疫能力，同时降低封装或者应用过程中的异物或者钝器对于参考像元的影响。
在本发明另一实施例中，提供了一种微测辐射热计参考像元的制备方法，参见图1、图2及图7至图10，其具体工艺步骤如下：
如图1所示，在以读出电路1为基底的晶圆上制备金属反射层2，金属反射层2的材料包括厚度为的金属薄膜，并利用刻蚀的方法刻蚀出金属反射层2图形，金属薄膜对波长为8～14μm的红外光的反射率大于98％；
在金属反射层2上沉积绝缘介质，得到绝缘介质层3，绝缘介质包括厚度均为的Si3N4薄膜或SiO2薄膜；
通过在绝缘介质层3上沉积牺牲层材料，得到第一牺牲层4，牺牲层材料包括：非晶碳、非晶硅或耐温光刻胶；
通过光刻刻蚀第一牺牲层4和绝缘介质层3形成刻蚀孔，刻蚀孔为阵列孔，数量为4-8个；
通过等离子体增强化学气相沉积PECVD的方法在第一牺牲层4图形上沉积支撑层材料，得到第一支撑层5，支撑层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜。
如图2所示，通过光刻和RIE蚀刻的方法蚀刻阵列孔底部的第一支撑层5和绝缘介质层3，露出绝缘介质层3底部的金属反射层2，形成通孔6。
如图7所示，通过IBD或PVD的方法在第一支撑层5上沉积热敏层9材料，得到热敏层9，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出热敏层9图形，热敏层9材料包括厚度为的VOx薄膜或非晶硅薄膜；
在热敏层9上沉积热敏保护层10材料，得到热敏保护层10，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出热敏保护层10图形，热敏保护层10材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜。
如图8所示，通过PVD的方法在热敏保护层10上沉积电极层7材料，得到电极层7，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出电极层7图形，电极层7材料包括厚度为的Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜；
通过PECVD的方法在电极层7上沉积电极保护层8材料，得到电极保护层8，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出电极保护层8图形，电极保护层8材料包括低应力Si3N4薄膜或SiO2薄膜。
如图9所示，通过PECVD的方法在电极保护层8上沉积释放保护层材料，得到第一释放保护层11，释放保护层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜或SiO2薄膜。
如图10所示，在第一释放保护层11上沉积牺牲层材料，得到第二牺牲层12，利用光刻刻蚀的方法刻蚀出第二牺牲层12图形，并通过化学机械平坦化CMP工艺将第二牺牲层12图形表面平坦化，牺牲层材料包括厚度为的非晶碳、非晶硅或耐温光刻胶；
在第二牺牲层12上沉积释放保护层材料，得到第二释放保护层13，释放保护层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜或SiO2薄膜，还包括厚度为的金属薄膜或金属化合物薄膜。
上述实施例提供的制备方法，通过在以读出电路1为基底的晶圆上制备金属反射层2，在金属反射层2上依次制备绝缘介质层3、第一牺牲层4、第一支撑层5、热敏层9、热敏保护层10、电极层7、电极保护层8、第一释放保护层11、第二牺牲层12和第二释放保护层13，得到参考像元的结构，可以使参考像元对接收到的辐射响应降低，提升微测辐射热计的高低温性能，增强了参考像元的目标辐射免疫能力，同时降低封装或者应用过程中的异物或者钝器对于参考像元的影响。
本发明的另一实施例还提供了一种微测辐射热计参考像元的结构，该参考像元的结构可以如图6或如图10所示。而图6和图10的具体结构已在上文中进行了详细描述，为了描述的简洁，在此不再赘述。
应理解，与本发明所公开的结构相类似的结构，或采用其他材质通过本发明所述的制备方法中任一项得到的结构，均应包含在本发明保护范围之内。
以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种微测辐射热计参考像元的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，在以读出电路(1)为基底的晶圆上制备金属反射层(2)；
步骤2，在所述金属反射层(2)上依次制备绝缘介质层(3)、第一牺牲层(4)和第一支撑层(5)；
步骤3，蚀刻所述绝缘介质层(3)和第一支撑层(5)，在所述金属反射层(2)上制备通孔(6)；
步骤4，在所述第一支撑层(5)上依次制备电极层(7)和电极保护层(8)、热敏层(9)、热敏保护层(10)和第一释放保护层(11)，或，在所述第一支撑层(5)上依次制备热敏层(9)、热敏保护层(10)、电极层(7)、电极保护层(8)和第一释放保护层(11)；
步骤5，在所述第一释放保护层(11)上制备第二牺牲层(12)和第二释放保护层(13)，得到参考像元的结构。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，
所述金属反射层(2)的材料包括厚度为的金属薄膜，并利用刻蚀的方法刻蚀出金属反射层(2)图形，所述金属薄膜对波长为8～14μm的红外光的反射率大于98％；
在所述金属反射层(2)上沉积绝缘介质，得到绝缘介质层(3)，所述绝缘介质包括厚度均为的Si3N4薄膜或SiO2薄膜；
通过在所述绝缘介质层(3)上沉积牺牲层材料，得到第一牺牲层(4)，所述牺牲层材料包括：非晶碳、非晶硅或耐温光刻胶；
通过光刻刻蚀所述第一牺牲层(4)和所述绝缘介质层(3)形成刻蚀孔，所述刻蚀孔为阵列孔，数量为4-8个；
通过等离子体增强化学气相沉积PECVD的方法在所述第一牺牲层(4)图形上沉积支撑层材料，得到第一支撑层(5)，所述支撑层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤4中，
通过物理气相沉积PVD的方法在所述第一支撑层(5)上沉积电极层(7)材料，得到电极层(7)，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出电极层(7)图形，所述电极层(7)材料包括厚度为的Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜；
在所述电极层(7)上沉积电极保护层(8)材料，得到电极保护层(8)，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出电极保护层(8)图形，形成接触孔，所述电极保护层(8)材料包括厚度的低应力Si3N4薄膜；
通过离子束沉积IBD或PVD的方法在所述电极层(7)和电极保护层(8)上沉积热敏层(9)材料，得到热敏层(9)，所述热敏层(9)材料包括厚度为的VOx薄膜或非晶硅薄膜；
通过PECVD或PVD的方法在所述热敏层(9)上沉积热敏保护层(10)材料，得到热敏保护层(10)，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出热敏保护层(10)图形，所述热敏保护层(10)材料包括厚度为的Si3N4薄膜或SiO2薄膜；
通过PECVD的方法在所述热敏保护层(10)上沉积释放保护层材料，得到第一释放保护层(11)，所述释放保护层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜或SiO2薄膜。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤4中，通过IBD或PVD的方法在所述第一支撑层(5)上沉积热敏层(9)材料，得到热敏层(9)，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出热敏层(9)图形，所述热敏层(9)材料包括厚度为的VOx薄膜或非晶硅薄膜；
在所述热敏层(9)上沉积热敏保护层(10)材料，得到热敏保护层(10)，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出热敏保护层(10)图形，所述热敏保护层(10)材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜；
通过PVD的方法在所述热敏保护层(10)上沉积电极层(7)材料，得到电极层(7)，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出电极层(7)图形，所述电极层(7)材料包括厚度为的Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜；
通过PECVD的方法在所述电极层(7)上沉积电极保护层(8)材料，得到电极保护层(8)，并利用光刻刻蚀的方法刻蚀出电极保护层(8)图形，所述电极保护层(8)材料包括低应力Si3N4薄膜或SiO2薄膜；
通过PECVD的方法在所述电极保护层(8)上沉积释放保护层材料，得到第一释放保护层(11)，所述释放保护层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜或SiO2薄膜。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤5中，
在所述第一释放保护层(11)上沉积牺牲层材料，得到第二牺牲层(12)，利用光刻刻蚀的方法刻蚀出第二牺牲层(12)图形，并通过化学机械平坦化CMP工艺将所述第二牺牲层(12)图形表面平坦化，所述牺牲层材料包括厚度为的非晶碳、非晶硅或耐温光刻胶；
在所述第二牺牲层(12)上沉积释放保护层材料，得到第二释放保护层(13)，所述释放保护层材料包括厚度为的低应力Si3N4薄膜或SiO2薄膜，还包括厚度为的金属薄膜或金属化合物薄膜。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，蚀刻所述电极保护层(8)时，使用的蚀刻气体包括：SF6、CHF3、O2的组合气体或CF4、O2的组合气体，并使用终点监测技术EPD对电极保护层(8)的蚀刻进行监控。
7.一种微测辐射热计参考像元的结构，其特征在于，包括利用权利要求1-6中任一项所述的微测辐射热计参考像元的制备方法制作出的结构。
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