CN106257330A - 用于光学邻近修正修复的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种用于光学邻近修正修复的方法,所述方法包括:选择包含问题图案的特定图案;对整个芯片进行扫描以定位与所述特定图案相匹配的特定区域;以及在所述特定区域内对问题图案的问题边缘进行不同于所述问题图案的其他边缘的站点分配,以进行基于站点的边缘放置误差控制。本发明所提供的用于光学邻近修正修复的方法基于图案匹配进行站点分配,使得基于站点的边缘放置误差控制可以在考虑坏点的环境的情况下进行,从而可以获得最佳站点分配方案,实现高效的光学邻近修正修复。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种用于光学邻近修正修复(Optical Proximity Correction repair,OPC repair)的方法。
背景技术
随着集成电路的复杂度越来越高,特征尺寸也变的越来越小。当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限,即特征尺寸接近或小于光刻光源时,硅片上制造出的版图会出现明显的畸变,该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应,提出了分辨率增强技术。其中,光学邻近修正(即OPC)已成为最重要的技术。
通常实施OPC以确保模拟轮廓能够与目标轮廓相吻合。当前一种有效的方法是基于站点(site)的边缘放置误差(edge placement error,EPE)控制使轮廓符合规格。在该方法中,通常对将在半导体上产生的结构的边缘分配站点,使沿着每个站点的边缘放置误差最小化,从而实现该结构所期望的规格。然而,现有的站点分配通常基于单个边缘而不顾与该边缘相关联的环境因素,因此可能无法获得最佳站点分配方案而导致坏点(weak point)的出现。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供一种用于光学邻近修正修复的方法,所述方法包括:选择包含问题图案的特定图案;对整个芯片进行扫描以定位与所述特定图案相匹配的特定区域;以及在所述特定区域内对问题图案的问题边缘进行不同于所述问题图案的其他边缘的站点分配,以进行基于站点的边缘放置误差控制。
在本发明的一个实施例中,所述在所述特定区域内对问题图案的问题边缘进行不同于所述问题图案的其他边缘的站点分配包括在所述问题边缘上创建数量比所述其他边缘上多的站点。
在本发明的一个实施例中,所述在所述问题边缘上创建数量比所述其他边缘上多的站点包括:在所述问题边缘上创建多个站点;以及在所述其他边缘上各自创建一个站点。
在本发明的一个实施例中,所述在所述问题边缘上创建多个站点进一步包括:在所述问题边缘上附上多个标记;以及在所述多个标记中的每一个内创建站点。
在本发明的一个实施例中,所述多个标记为多个矩形标记,所述在所述多个标记中的每一个内创建站点包括在所述多个矩形标记中的每一个的中心处创建站点。
在本发明的一个实施例中,所述在所述问题边缘上创建多个站点包括在所述问题边缘上创建两个站点。
在本发明的一个实施例中,所述基于站点的边缘放置误差控制考虑了所述问题边缘的环境因素。
在本发明的一个实施例中,所述特定区域视为所述问题边缘的环境区域。
在本发明的一个实施例中,所述方法是针对连接孔层的光学邻近修正修复。
在本发明的一个实施例中,所述连接孔为接触孔(contact,CT)。
本发明所提供的用于光学邻近修正修复的方法基于图案匹配进行站点分配,使得基于站点的边缘放置误差控制可以在考虑坏点的环境的情况下进行,从而可以获得最佳站点分配方案,实现高效的光学邻近修正修复。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述,用来解释本发明的原理。
附图中:
图1示出了由于非最佳站点分配而导致的接触孔坏点的示意图;
图2示出了接触孔坏点及其环境的示意图;
图3示出了根据本发明一个实施例的用于光学邻近修正修复的方法的流程图;
图4示出了采用图3的方法进行光学邻近修正修复的示例;以及
图5示出了采用图3的方法进行光学邻近修正修复的另一示例。
具体实施方式
在下文的描述中,给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而,对于本领域技术人员而言显而易见的是,本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中,为了避免与本发明发生混淆,对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
应当理解的是,本发明能够以不同形式实施,而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地,提供这些实施例将使公开彻底和完全,并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时,单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式,除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”,当在该说明书中使用时,确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时,术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
为了彻底理解本发明,将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构,以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下,然而除了这些详细描述外,本发明还可以具有其他实施方式。
OPC已经成为集成电路制造工艺中关键尺寸控制和良率提升不可缺少的途径。例如,对接触孔等连通孔的OPC程序(recipe)通常被设计用于确保模拟轮廓能够与目标轮廓相吻合。当前一种有效的方法是基于站点的边缘放置误差控制使轮廓符合规格。在该方法中,通常对将在半导体上产生的结构的每个边缘分配一个称为“站点”的线段,以使沿着每个站点的边缘放置误差最小化,从而实现该结构的所期望的规格。对于很多情况,这样的站点分配方案可以很好地工作。然而,对于某些情况,这样的站点分配方案并非最佳站点分配方案,仍有可能存在坏点,正如图1所示出的。
在当前阶段,站点分配基于单个边缘而不顾与边缘相关联的环境因素。图2以接触孔为例示出了接触孔坏点及其环境的示意图,虚线方框可以视为问题接触孔的环境区域。然而,现有技术没有将问题边缘的环境因素考虑在站点分配中,这样的站点分配方案可能导致如图1所示出的存在坏点的情况。
对于上述情况,可以通过修改站点分配方案用于特定的结构来提高OPC的收敛性。然而,当坏点数目增多时,这样的修改方案将会有很大的复杂度。此外,将问题边缘的环境因素纳入到OPC程序中,也会使得OPC程序的构建非常复杂。
针对上述问题,本发明提供了用于光学邻近修正修复的方法。图3示出了根据本发明一个实施例的用于光学邻近修正修复的方法300的流程图。如图3所示,方法300包括以下步骤:
步骤301:选择包含问题图案的特定图案。具体地,可以选择包含问题图案(坏点)的小片区域,以形成特定图案。
步骤302:对整个芯片进行扫描以定位与该特定图案相匹配的特定区域。具体地,可以采用图案匹配的方法在整个芯片中定位出与步骤301中形成的特定图案相匹配的图案区域,以实现基于图案匹配的站点分配。
步骤303:在该特定区域内对问题图案的问题边缘进行不同于该问题图案的其他边缘的站点分配,以进行基于站点的边缘放置误差控制。
图案匹配的性质使其能够自动包括对坏点环境的考虑,经由图案匹配所得到的特定区域即可以视为坏点的环境区域。因此,基于图案匹配进行站点分配,可以使得基于站点的边缘放置误差控制在考虑坏点的环境的情况下进行,从而可以获得最佳站点分配方案,实现高效的光学邻近修正修复。因此,方法300允许在无需构建复杂OPC程序的情况下针对坏点进行特定的站点分配。
具体地,在特定区域内对问题图案的问题边缘进行不同于问题图案的其他边缘的站点分配可以包括在问题边缘上创建数量比其他边缘上多的站点。对问题边缘分配更多数量的站点,可以使得问题边缘的修复在顾忌环境因素的情况下更为精细。例如,在问题边缘上创建数量比其他边缘上多的站点可以包括:在问题边缘上创建多个站点,以及在其他边缘上各自创建一个站点。在考虑环境因素的情况下对问题边缘进行特殊的站点分配,可以得到更佳的站点分配方案,实现更好的光学邻近修正修复。
其中,在问题边缘上创建多个站点可以进一步包括:在问题边缘上附上多个标记,以及在多个标记中的每一个内创建站点。例如可以在问题边缘上附上两个标记,如图4所示出的。每当一个图案匹配到芯片上的一个区域时,可以在图案匹配的过程中在问题边缘上引入标记,通常可以引入多个标记,每个标记对应于一个站点。
具体地,所述多个标记可以为多个矩形标记,在多个标记中的每一个内创建站点可以包括在多个矩形标记中的每一个的中心处创建站点,正如图5所示出的。对于问题边缘,可以在多个矩形标记(图5中示出为两个)的中心分别创建站点,而对于其他边缘,可以常规地对其各自分配一个站点。这样,既可以提高光学邻近修正修复的质量,又不会使其计算量大大增加。
基于上述方法,基于站点的边缘放置误差控制将可以在站点分配中考虑问题边缘的环境因素,基于图案匹配所形成的特定区域即可以视为问题边缘的环境区域。在考虑坏点的环境的情况下进行基于站点的边缘放置误差控制,可以获得最佳站点分配方案,实现高效的光学邻近修正修复。
在本文的附图及上面的描述中,以接触孔为示例示出了根据本发明实施例的用于光学邻近修正修复的方法。本领域普通技术人员可以理解,上述方法还可以适用于其他连接孔层以及其他任何将在半导体上产生的结构的光学邻近修正修复。
本发明已经通过上述实施例进行了说明,但应当理解的是,上述实施例只是用于举例和说明的目的,而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是,本发明并不局限于上述实施例,根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改,这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
Claims (10)
1.一种用于光学邻近修正修复的方法,其特征在于,所述方法包括:
选择包含问题图案的特定图案;
对整个芯片进行扫描以定位与所述特定图案相匹配的特定区域;以及
在所述特定区域内对问题图案的问题边缘进行不同于所述问题图案的其他边缘的站点分配,以进行基于站点的边缘放置误差控制。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述特定区域内对问题图案的问题边缘进行不同于所述问题图案的其他边缘的站点分配包括在所述问题边缘上创建数量比所述其他边缘上多的站点。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述在所述问题边缘上创建数量比所述其他边缘上多的站点包括:
在所述问题边缘上创建多个站点;以及
在所述其他边缘上各自创建一个站点。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述在所述问题边缘上创建多个站点进一步包括:
在所述问题边缘上附上多个标记;以及
在所述多个标记中的每一个内创建站点。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述多个标记为多个矩形标记,所述在所述多个标记中的每一个内创建站点包括在所述多个矩形标记中的每一个的中心处创建站点。
6.如权利要求3-5中的任一项所述的方法,其特征在于,所述在所述问题边缘上创建多个站点包括在所述问题边缘上创建两个站点。
7.如权利要求1-5中的任一项所述的方法,其特征在于,所述基于站点的边缘放置误差控制考虑了所述问题边缘的环境因素。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述特定区域视为所述问题边缘的环境区域。
9.如权利要求1-5中的任一项所述的方法,其特征在于,所述方法是针对连接孔层的光学邻近修正修复。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述连接孔为接触孔。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1361450A (zh) * | 2000-12-27 | 2002-07-31 | 联华电子股份有限公司 | 修正光学邻近效应的方法 |
CN1570760A (zh) * | 2003-07-15 | 2005-01-26 | 南亚科技股份有限公司 | 接触孔洞光学邻近效应修正和掩模及半导体装置制造方法 |
CN101105633A (zh) * | 2006-07-10 | 2008-01-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光学近似修正的方法及其光掩膜图案 |
US8103995B2 (en) * | 2009-01-20 | 2012-01-24 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method for OPC correction |
US20140007024A1 (en) * | 2012-06-27 | 2014-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pattern Recognition For Integrated Circuit Design |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1361450A (zh) * | 2000-12-27 | 2002-07-31 | 联华电子股份有限公司 | 修正光学邻近效应的方法 |
CN1570760A (zh) * | 2003-07-15 | 2005-01-26 | 南亚科技股份有限公司 | 接触孔洞光学邻近效应修正和掩模及半导体装置制造方法 |
CN101105633A (zh) * | 2006-07-10 | 2008-01-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光学近似修正的方法及其光掩膜图案 |
US8103995B2 (en) * | 2009-01-20 | 2012-01-24 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method for OPC correction |
US20140007024A1 (en) * | 2012-06-27 | 2014-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pattern Recognition For Integrated Circuit Design |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
张宇孚: "基于Cell的光学邻近效应校正技术研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库》 * |
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