CN106033172A - 用于光学邻近修正修复的方法 - Google Patents

用于光学邻近修正修复的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106033172A
CN106033172A CN201510121332.XA CN201510121332A CN106033172A CN 106033172 A CN106033172 A CN 106033172A CN 201510121332 A CN201510121332 A CN 201510121332A CN 106033172 A CN106033172 A CN 106033172A
Authority
CN
China
Prior art keywords
optical proximity
proximity correction
pattern
specific region
reparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510121332.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN106033172B (zh
Inventor
杜杳隽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Semiconductor Manufacturing International Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN201510121332.XA priority Critical patent/CN106033172B/zh
Publication of CN106033172A publication Critical patent/CN106033172A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106033172B publication Critical patent/CN106033172B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本发明提供一种用于光学邻近修正修复的方法，所述方法包括：选择包含问题图案的特定图案；对整个芯片进行扫描以定位与所述特定图案相匹配的特定区域；以及在所述特定区域内实施光学邻近修正修复。本发明所提供的用于光学邻近修正修复的方法基于图案匹配使得光学邻近修正修复可以在错误标记指定的较小区域内高效执行，不对其他区域造成不期望的影响。

Description

用于光学邻近修正修复的方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种用于光学邻近修正修复(Optical Proximity Correction repair,OPC repair)的方法。
背景技术
随着集成电路的复杂度越来越高，特征尺寸也变的越来越小。当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变，该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应，提出了分辨率增强技术。其中，光学邻近修正(即OPC)已成为最重要的技术。
通常实施OPC以确保最终轮廓在垂直和水平方向上均具有足够的关键尺寸(Critical Dimension,CD)，同时需要满足空间限制。OPC修复流程可以包括例如边缘移动，然而有些情形不适用边缘移动。例如轮廓的水平尺寸受到光罩规则检查(Mask Rule Check,MRC)的限制，同时它的垂直尺寸又受到设计规则检查(Design Rule Check,DRC)的限制。在此情况下，添加辅助图形可能是一种解决方法。然而，有时进行边缘移动和/或轮廓再成形(reshape)是必需的，现有的OPC修复流程对其无法进行处理。实质上，任何通过简单的边缘移动无法解决的坏点(weak point)都将对修复流程提出严峻的挑战。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供一种用于光学邻近修正修复的方法，所述方法包括：选择包含问题图案的特定图案；对整个芯片进行扫描以定位与所述特定图案相匹配的特定区域；以及在所述特定区域内实施光学邻近修正修复。
在本发明的一个实施例中，所述问题图案包括关键尺寸不符合期望尺寸的图案。
在本发明的一个实施例中，所述在所述特定区域内实施光学邻近修正修复包括在所述特定区域内的合适位置处添加不会在光刻胶上形成图形的辅助图形。
在本发明的一个实施例中，所述辅助图形包括散射条(scatteringbar,SB)。
在本发明的一个实施例中，所述散射条的参数基于所述问题图案和工艺状况来确定。
在本发明的一个实施例中，所述方法还包括对所述散射条的参数进行优化。
在本发明的一个实施例中，所述在所述特定区域内实施光学邻近修正修复包括在所述特定区域内使问题图案重新进行目标定位(retarget)。
在本发明的一个实施例中，所述在所述特定区域内实施光学邻近修正修复包括在所述特定区域内使问题图案进行边缘移动。
在本发明的一个实施例中，所述方法是针对连接孔层的光学邻近修正修复。
在本发明的一个实施例中，所述连接孔为接触孔(contact，CT)。
本发明所提供的用于光学邻近修正修复的方法基于图案匹配使得光学邻近修正修复可以在错误标记指定的较小区域内高效执行，不对其他区域造成不期望的影响。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
附图中：
图1示出了接触孔的关键尺寸出现异常的示例；
图2示出了根据本发明一个实施例的用于光学邻近修正修复的方法的流程图；
图3示出了采用图2的方法进行光学邻近修正修复的示例；
图4示出了采用图2的方法后图1的接触孔的关键尺寸恢复正常的示意图；以及
图5示出了采用图2的方法进行光学邻近修正修复的另一示例。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
OPC已经成为集成电路制造工艺中关键尺寸控制和良率提升不可缺少的途径。例如，对接触孔等连通孔的OPC程序(recipe)通常被调整用于确保最终的轮廓在垂直和水平方向上具有足够的关键尺寸，同时它们又需要满足空间限制。即使是调整较好的程序也可能使某些轮廓不符合规格。通常可以应用修复流程来解决剩余的坏点。修复流程通常实施边缘移动来重新对接触孔进行目标定位。然而，有时简单的边缘移动并不适用于某些情形。
图1示出了接触孔的关键尺寸出现异常的示例。如图1所示，箭头所指的接触孔沿水平方向的关键尺寸偏小(例如图1中示出为61.75纳米(nm))，不符合规格。然而，该问题接触孔的水平尺寸受到MRC的限制，同时垂直尺寸受到DRC的限制，因此不适用于通过简单的边缘移动来处理。这里，MRC对两个接触孔边缘之间的最小距离有限制，DRC对接触孔在AA区域上的最大延伸有限制。此时，可以通过添加辅助图形来解决关键尺寸的问题。然而，对于一些情况，接触孔移动和再成形是必需的。在此情况下，现有的修复流程无法进行处理。
图2示出了根据本发明一个实施例的用于光学邻近修正修复的方法200的流程图。如图2所示，方法200包括以下步骤：
步骤201：选择包含问题图案的特定图案。具体地，可以选择包含问题图案的小片区域，以形成特定图案。其中，问题图案例如可以包括关键尺寸不符合期望尺寸的图案。例如，如图1所示箭头指向的接触孔由于其相对孤立的环境而导致其水平方向的关键尺寸偏小。
步骤202：对整个芯片进行扫描以定位与该特定图案相匹配的特定区域。具体地，可以采用图案匹配的方法在整个芯片中定位出与步骤201中形成的特定图案相匹配的图案区域，以形成即将在其上进行光学邻近修正修复的特定区域。
步骤203：在该特定区域内实施光学邻近修正修复。其中，在特定区域内实施光学邻近修正修复可以包括在特定区域内的合适位置处添加不会在光刻胶上形成图形的辅助图形。对于图1示出的孤立接触孔图形，可以在其周围添加亚分辨率辅助图形，使其具有密集图形的特性，从而改善其光强分布，提高成像质量。
具体地，可以在该特定区域内的合适位置处添加散射条。散射条的参数可以基于问题图案和工艺状况来确定。可选地，还可以对散射条的参数进行优化。例如，散射条的关键参数可以包括宽度和散射条的边界到主图形边界的距离。这两个参数的变化对散射条效果的影响很大。通过模拟，可以在特定工艺条件下对这两个参数进行优化。散射条技术不仅能进行邻近效应校正、提高工艺焦深，而且还能降低掩膜误差因子、减小光学透镜色差的影响。散射条技术将孤立图形和半密集图形变为密集图形，使其与密集图形的工艺窗口相匹配，从而使整个图形更容易加工。
图3示出了采用图2的方法进行光学邻近修正修复的示例。在图3中以接触孔为例，如图3所示，箭头指向的接触孔为关键尺寸出现异常的接触孔。如图3所示，选择包含问题图案的一小片区域(如图3中的椭圆圈中的区域)形成特定图案，然后通过对整个芯片进行扫描，定位到与特定图案相匹配的特定区域，再在该特定区域的期望位置处精确地添加散射条。
以该方式，最终可以在期望位置处添加散射条，而不影响其他不同位置的散射条，结果的轮廓的关键尺寸得到了修复，正如图4所示的。在图4中，对图1的接触孔采用图2的方法后，水平方向的关键尺寸得到了修复，增大为66.25纳米。
根据本发明的一个实施例，在特定区域内实施光学邻近修正修复还可以包括在特定区域内使问题图案重新进行目标定位。图5示出了采用图2的方法进行光学邻近修正修复的另一示例，图5以接触孔为例，如图5所示，形成特定图案以及图案匹配后，在特定区域实施接触孔重新目标定位。特定图案内下侧的小多边形为问题图案，问题图案外侧的方框指定经重新目标定位的接触孔。
本领域普通技术人员可以理解，除了在特定区域内添加散射条、重新目标定位之外，还可以在特定区域内的期望位置处进行任何其他的修复操作(例如在特定区域内使问题图案进行边缘移动等)，而不会对其他位置的图案产生影响，提供强健而高效的修复。
本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (10)

1.一种用于光学邻近修正修复的方法，其特征在于，所述方法包括：
选择包含问题图案的特定图案；
对整个芯片进行扫描以定位与所述特定图案相匹配的特定区域；以及
在所述特定区域内实施光学邻近修正修复。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述问题图案包括关键尺寸不符合期望尺寸的图案。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述特定区域内实施光学邻近修正修复包括在所述特定区域内的合适位置处添加不会在光刻胶上形成图形的辅助图形。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述辅助图形包括散射条。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述散射条的参数基于所述问题图案和工艺状况来确定。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括对所述散射条的参数进行优化。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述特定区域内实施光学邻近修正修复包括在所述特定区域内使问题图案重新进行目标定位。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述特定区域内实施光学邻近修正修复包括在所述特定区域内使问题图案进行边缘移动。
9.如权利要求1-8中的任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法是针对连接孔层的光学邻近修正修复。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述连接孔为接触孔。
CN201510121332.XA 2015-03-19 2015-03-19 用于光学邻近修正修复的方法 Active CN106033172B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510121332.XA CN106033172B (zh) 2015-03-19 2015-03-19 用于光学邻近修正修复的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510121332.XA CN106033172B (zh) 2015-03-19 2015-03-19 用于光学邻近修正修复的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106033172A true CN106033172A (zh) 2016-10-19
CN106033172B CN106033172B (zh) 2019-12-17

Family

ID=57148667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510121332.XA Active CN106033172B (zh) 2015-03-19 2015-03-19 用于光学邻近修正修复的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106033172B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110727170A (zh) * 2018-07-16 2020-01-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种光罩的缺陷修复方法及光罩
CN110765724A (zh) * 2019-10-26 2020-02-07 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 一种掩模优化方法及电子设备
CN112764308A (zh) * 2019-11-06 2021-05-07 长鑫存储技术有限公司 提高opc修正精度的方法
CN113741139B (zh) * 2020-05-27 2024-03-01 力晶积成电子制造股份有限公司 用于光学邻近修正的重定位方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101788759A (zh) * 2009-01-23 2010-07-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 次分辨率辅助图形校正方法
CN102193303A (zh) * 2010-03-05 2011-09-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近修正方法
CN102236248A (zh) * 2010-04-20 2011-11-09 株式会社Cowindst 用于修复半色调掩模的方法和系统
US20140007024A1 (en) * 2012-06-27 2014-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pattern Recognition For Integrated Circuit Design

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101788759A (zh) * 2009-01-23 2010-07-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 次分辨率辅助图形校正方法
CN102193303A (zh) * 2010-03-05 2011-09-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近修正方法
CN102236248A (zh) * 2010-04-20 2011-11-09 株式会社Cowindst 用于修复半色调掩模的方法和系统
US20140007024A1 (en) * 2012-06-27 2014-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pattern Recognition For Integrated Circuit Design

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110727170A (zh) * 2018-07-16 2020-01-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种光罩的缺陷修复方法及光罩
CN110727170B (zh) * 2018-07-16 2023-12-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种光罩的缺陷修复方法及光罩
CN110765724A (zh) * 2019-10-26 2020-02-07 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 一种掩模优化方法及电子设备
CN112764308A (zh) * 2019-11-06 2021-05-07 长鑫存储技术有限公司 提高opc修正精度的方法
CN112764308B (zh) * 2019-11-06 2022-04-12 长鑫存储技术有限公司 提高opc修正精度的方法
CN113741139B (zh) * 2020-05-27 2024-03-01 力晶积成电子制造股份有限公司 用于光学邻近修正的重定位方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106033172B (zh) 2019-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9274414B2 (en) Method for making a lithography mask
US8631361B2 (en) Integrated circuit design method with dynamic target point
TWI401581B (zh) 半導體積體電路設計佈局產生方法、半導體裝置製造方法、及電腦可讀取媒體
US8751976B2 (en) Pattern recognition for integrated circuit design
US20140013287A1 (en) Fracture aware opc
CN106033172A (zh) 用于光学邻近修正修复的方法
US10520829B2 (en) Optical proximity correction methodology using underlying layer information
US10083270B2 (en) Target optimization method for improving lithography printability
US20190332019A1 (en) Method for adding assist features
CN105988300A (zh) 用于光学邻近修正的方法
KR20080001438A (ko) 마스크 레이아웃 제작 방법
CN109840342A (zh) 由计算系统执行的方法
US8151221B2 (en) Method to compensate optical proximity correction
CN106033171A (zh) 用于晶圆上坏点的失效分析的方法
Sim et al. Hotspot fixing using ILT
US20160291458A1 (en) Method integrating target optimization and optical proximity correction
Cobb et al. OPC methods to improve image slope and process window
CN110471252B (zh) 反向曝光辅助图形添加方法及其添加系统
CN101655662B (zh) 选择性修正布局图形的方法
US7222327B2 (en) Photo mask, method of manufacturing photo mask, and method of generating mask data
US8607170B2 (en) Perturbational technique for co-optimizing design rules and illumination conditions for lithography process
US9256120B2 (en) Method of performing optical proximity correction for preparing mask projected onto wafer by photolithography
US7459243B2 (en) Method of correcting mask pattern
Inazuki et al. Decomposition difficulty analysis for double patterning and the impact on photomask manufacturability
KR20090098284A (ko) 광 근접 효과 보정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant