CN106251885A

CN106251885A - 调整方法、磁盘装置以及磁盘装置的制造方法

Info

Publication number: CN106251885A
Application number: CN201510523067.8A
Authority: CN
Inventors: 小岛秀; 小岛秀一
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2015-06-15
Filing date: 2015-08-24
Publication date: 2016-12-21
Also published as: US20160365106A1

Abstract

本发明涉及调整方法、磁盘装置以及磁盘装置的制造方法。该调整方法适用于具备盘和头的磁盘装置的读动作以及写动作，头通过加热器的加热而向盘侧突出，加热器根据被施加的控制量使热量变化。在该调整方法中，算出从第1控制量减去用于使头与盘的表面隔开间隔的差值而得到的第1调整量，第1控制量是在将盘的存储区域在旋转方向上划分开的多个区域内的第1区域的表面与头接触时施加于加热器的控制量，算出从第2控制量减去差值而得到的第2调整量，第2控制量是在多个区域内的与第1区域在头的移动方向相邻的第2区域的表面与头接触时施加于加热器的控制量，根据对第1控制量与第2控制量进行比较的结果，调整将第2调整量施加于加热器的定时。

Description

调整方法、磁盘装置以及磁盘装置的制造方法

技术领域

本发明的实施方式涉及调整方法、磁盘装置以及磁盘装置的制造方法。

背景技术

在HDD(Hard Disc Drive：硬盘驱动器)的控制中，作为用于控制头与盘之间的间隔(头的上浮量)的一个处理，已知有触底(touch down)测定。触底测定是如下的方法：对头的发热元件(heater，加热器)施加电力而使头热膨胀，使头的一部分向盘突出，由此与盘接触，测定检测出与盘接触时的施加电力(控制量)。

通常，在触底测定中，基于多次试验而取得的测定值，算出可能性高的值作为真值。当将相对于该真值而过度的电力施加于头的加热器时，头有可能与盘接触。头与盘接触可能会成为头故障以及使装置可靠性降低的原因。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够抑制头与盘过度接触的调整方法、磁盘装置以及磁盘装置的制造方法。

实施方式的调整方法是一种适用于磁盘装置的读动作以及写动作的调整方法，所述磁盘装置具备盘和头，所述头通过加热器的加热而向所述盘侧突出，所述加热器根据被施加的控制量使热量变化，在所述调整方法中，算出从第1控制量减去用于使所述头与所述盘的表面隔开间隔的差值而得到的第1调整量，所述第1控制量是在将所述盘的存储区域在旋转方向上划分而得到的多个区域内的第1区域的表面与所述头接触时施加于所述加热器的控制量，算出从第2控制量减去所述差值而得到的第2调整量，所述第2控制量是在所述多个区域内的与所述第1区域在所述头的移动方向相邻的第2区域的表面与所述头接触时施加于所述加热器的控制量，根据对所述第1控制量与所述第2控制量进行比较的结果，调整将所述第2调整量施加于所述加热器的定时。

附图说明

图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。

图2A是示意性表示第1实施方式涉及的膨胀前的头的图。

图2B是示意性表示第1实施方式涉及的膨胀后的头的图。

图3是说明基于测定结果的控制量的调整方法的概念图。

图4A是表示跨磁道一周施加了恒定的控制量时的突出量以及DFH控制中的理想突出量的分布的一例的图。

图4B是表示按跨磁道一周而划分开的各个区域调整了控制量时的突出量以及DFH控制中的理想突出量的分布的一例的图。

图5是是检测基准的一例的图。

图6A是用于示意性说明按各个区域执行触底测定的情况下的区域与突出量的关系的图。

图6B是用于示意性说明在图6A中使控制量的调整的定时加快来执行的情况下的区域与突出量的关系的图。

图7A是表示图6A所示的触底测定中的实际测量的突出量的分布的一例的图。

图7B是表示图6B所示的触底测定中的实际测量的突出量的分布的一例的图。

图8A是用于示意性说明第1实施方式的触底测定的处理顺序的一例的图。

图8B是用于示意性说明第1实施方式的触底测定的处理顺序的一例图。

图8C是用于示意性说明第1实施方式的触底测定的处理顺序的一例的图。

图8D是用于示意性说明第1实施方式的触底测定的处理顺序的一例的图。

图9是第1实施方式的触底测定的流程图。

图10是表示磁盘装置的制造工序的一部分的流程图。

图11是表示读写动作时的控制量的调整方法的流程图。

图12是用于说明变形例的盘的划分的概念的图。

图13是说明变形例的区段间的控制量的插值方法的一例的图。

图14是变形例的按各个区段执行的触底测定的流程图的一例。

图15A是用于示意性说明第2实施方式的按各个区域执行触底测定的情况下的区域与突出量的关系的图。

图15B是用于示意性说明在图15A中扩大了区域的情况下的区域与突出量的关系的图。

图16是第2实施方式的触底测定方法的流程图。

具体实施方式

以下，参照附图来说明实施方式。

(第1实施方式)

在本实施方式中，作为对DFH(Dynamic Flying Height：动态飞行高度)控制中的磁头(头)的上浮量进行评价的技术的一例，对触底测定方法进行说明。

在DFH控制中，通过控制向设置于头的发热元件(加热器)的施加电力，控制头的一部分的热膨胀量。在DFH控制中，通过该热膨胀量的控制，控制头相对于盘的上浮高度(上浮量)。向加热器的施加电力是与DFH控制量(控制量)成比例的值，按照控制量的大小而变化。控制量由数字模拟转换器值(DAC值)表示。

触底测定是测定头与盘接触时的控制量的方法。作为一例举出如下的方法：使头与盘接触(触底)，将检测到该接触时的控制量设为基准控制量。在检测到触底的情况下，能够推定为头与盘接触，因此上浮量可能成为最小值。通过触底测定而取得的测定值被用于头的上浮量的控制等。触底测定在磁盘装置制造中的测试工序或者作为成品的磁盘装置中执行。

作为适用本实施方式的触底测定方法的装置的一例，对磁盘装置1进行说明。

图1是表示本实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。图2A以及图2B分别是示意性表示本实施方式的头15和盘10的图。图2A是示意性表示膨胀前的头15的图，图2B是示意性表示膨胀后的头15的图。

磁盘装置1具备：后述的头盘组件(head-disk assembly：HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下，称为头放大器IC)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、包括单芯片集成电路的系统控制器130和收纳它们的框体200。在磁盘装置1中，系统控制器130与驱动器IC20、头放大器IC30以及易失性存储器70分别连接。另外，磁盘装置1与主机系统(主机)100连接。

HDA具有磁盘(以下，称为盘)10、主轴马达(SPM)12、搭载着头15的臂13和音圈马达(VCM)14。盘10通过主轴马达12而旋转。臂13以及VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动将搭载于臂13的头15移动控制到盘10上的预定的位置。盘10以及头15分别设有一个以上的数量。

头15具备薄膜头部151和滑块(slider)153。头15与头放大器IC30连接。

薄膜头部(以下，称为头部)151包括读头15R、写头15W、发热元件(加热器)15H和HDI(Head Disk Interface：头盘接口)传感器S1。读头15R读出记录在盘10上的数据。写头15W将数据写入到盘10上。以下，将读头15R和写头15W统称为记录再现元件。加热器15H通过被供给电力而发热。头部151可以包含多个加热器。在具备多个加热器的情况下，头部151可以在读头15R和写头15W各自的附近分别具备加热器。

参照图2A以及图2B来说明头15(头部151)的突出状态。此外，在图2A以及图2B中，头15伴随盘10的旋转向图中的箭头X的方向移动。如图2A所示，加热器15H未发热的状态(通常状态)是头部151的记录再现元件的周围(以下，称为记录再现部155)未向盘10突出的状态。如图2B所示，加热器15H发热的状态是记录再现部155由于来自加热器15H的热而热膨胀，向盘10突出的状态。在记录再现部155突出的情况下，热膨胀的记录再现部155的顶点成为头15的上浮最低点。以下，将头15从未突出的状态到突出的状态的变化量称为突出量。突出量视为与向加热器15H的供给电力量以及控制量大致成比例。在此，上浮量由盘10与头15(记录再现部155的顶点)之差来表示。

因此，通过增大控制量，向加热器15H的施加电力变大，头15的突出量变大。另外，通过减小控制量，向加热器15H的施加电力变小，头15的突出量变小。即，通过适当地调整控制量，能够在读动作以及写动作(读写动作)时适当地控制头15的上浮量。

HDI传感器S1例如在读头15R与写头15W之间设置在加热器15H下侧的头部151的底部附近。HDI传感器S1与头放大器IC连接。HDI传感器S1具备电阻元件。在盘10与头15接触的情况下，由于因盘10与头15的摩擦而产生的微量热，导致电阻元件的电阻值变化。

返回到图1，驱动器IC20与SPM12以及VCM14连接，对它们的驱动进行控制。

头放大器IC30具备未图示的读放大器以及写放大器。读放大器对由读头15R读出的读信号进行放大，传送给后述的R/W信道40。另外，写放大器将与从R/W信道40输出的写信号相应的写电流传送给写头15W。进而，头放大器IC30作为向加热器15H供给施加电力并调整该施加电力量的调整电路发挥功能。头放大器IC30检测HDI传感器S1的电阻元件的电阻值的变化。

易失性存储器70是当电源供给切断时所保存的数据丢失的半导体存储器。易失性存储器70存储磁盘装置1的各部的处理所需的数据等。易失性存储器70例如是SDRAM(Synchronous Dynamic Random AccessMemory：同步动态随机存取存储器)。

非易失性存储器80是即使电源供给切断也对保持所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如是闪速ROM(Read Only Memory：只读存储器)。非易失性存储器80与系统控制器130(例如，HDC50)连接。

系统控制器130包括R/W信道40、硬盘控制器(HDC)50和微处理器(MPU)(控制器)60。

R/W信道40执行读数据以及写数据的信号处理。R/W信道40执行从由头放大器IC30供给的读信号提取出的读数据的解码处理。R/W信道40将解码处理后的读数据传送给HDC50以及MPU60。读数据包含用户数据以及伺服数据。另外，R/W信道40对从HDC50传送的写数据进行编码调制，将编码调制后的写数据转换成写信号。R/W信道40将写信号传送给头放大器IC30。

HDC50利用易失性存储器70来控制主机100与R/W信道40之间的数据传送。

MPU60与磁盘装置1的各部连接，是控制各部的主控制器。MPU60经由驱动器IC20控制VCM14，执行在盘10上的半径方向上定位头15的伺服控制。另外，MPU60向头放大器IC30输出指示信号，控制头15的突出量以及上浮量。

MPU60具备控制部602和测定部604。它们的处理在固件上执行。

控制部602经由头放大器IC30控制对加热器15H施加的电力。控制部602也能够基于来自后述的测定部604的指示以及测定结果来控制对加热器15H施加的电力。在此，控制量能够由DAC值表示。例如，控制量为最小值即零DAC值的情况下，突出量成为最小，上浮量成为最大值。

图3是说明基于测定结果的控制量的调整方法的概念图。在图3中，横轴表示测定中的控制量，纵轴表示突出量。在图3中，纵轴所示的突出量朝向横轴侧(图3的下方向)而值变大。如图3所示，突出量与控制量成比例地变大。在图3中，示出随着控制量以及突出量变大，头15(记录再现区域155)向盘10侧突出。在图3中，参照符号DFH0表示判定到触底时的控制量(以下，称为判定值)。例如，如图3所示，通过将从判定值DFH0减去预定的差值而调整后的控制量(以下，称为调整量)DFH1施加于加热器，头从触底的状态切换到突出量VA1的状态。在此，将用于从判定值DFH0向调整量DFH1调整的预定的差值称为退让(backoff，BO)值。BO值例如是基于对一定数量的抽样总体预先测定的测定结果而决定的固定值。另外，BO值例如也可以是预先记录任意的频率图形(pattern)，对由头15(读头15R)读出的信号的频率成分进行解析而设定的值。如上所述，例如，控制部602能够在读写动作时参照判定值DFH0，从判定值DFH0减去退让值而算出调整量DFH1，经由头放大器IC30将与调整量DFH1对应的电力施加于加热器15H。

测定部604通过各种处理来执行触底测定。测定部604沿圆周方向将盘10的记录区域(例如，磁道或柱面)划分为多个测定区域(以下，称为区域(area))。在此，区域是执行触底测定的单位，由一个以上的扇区构成。另外，测定部604从多个区域中选择要执行触底测定的区域。测定部604调整对所选择出的区域施加的控制量。例如，测定部604经由控制部602按各个区域来调整要施加的控制量。在调整控制量而头15与盘10接触的情况下，测定部604基于预定的(particular)触底的检测方法的检测基准(检测指标)来判定触底。例如，测定部604对通过预定的触底的检测方法而检测出的检测值与检测基准进行比较，在检测值超过了检测基准的情况下判定为触底。此时，测定部604取得判定到触底时的控制量作为判定值。测定部604在判定到触底的情况下将判定值等测定结果保存于盘10的系统区域。此外，测定部604也可以将测定结果保存于非易失性存储器80。另外，测定部604也可以在将测定结果暂时保存于易失性存储器70之后，在适当的时机保存于盘10的系统区域和/或非易失性存储器80。

测定部604能够通过几个已知的方法来检测触底。在本实施方式中，作为测定部604使用HDI传感器S1来检测触底进行说明。该情况下，测定部604通过经由头放大器IC30监视来自HDI传感器S1的输出信号(电阻值)的变化量(检测值)来检测触底。例如，测定部604在来自HDI传感器S1的输出信号的变化量超过检测基准值的情况下判定为触底。

此外，测定部604能够通过其他的方法来检测触底。作为一例，测定部604能够通过监视头15相对于盘10上的半径方向的位置误差信号(position error signal：PES)来检测触底。例如，测定部604在PES的大小或PES的变化量(检测值)超过阈值(检测基准)的情况下判定为触底。作为其他的例子，测定部604也可以通过将读信号的振幅、SAGC(servoGain Control：伺服增益控制)、伺服VGA(Variable Gain Amplifier：可变增益放大器)或数据VGA的值、或者VCM14的控制信号作为检测值来检测触底。另外，测定部604也可以参照作为伺服区域彼此之间的时间间隔的时间戳(time stamp)作为检测值来检测触底。进而，在HDD制造时的测试工序中，在能够使用AE(Acoustic Emission：声发射)传感器的情况下，测定部604也可以利用该AE传感器将因触底引起的头的振动作为检测值来检测。例如，测定部604能够通过设置于致动器的AE传感器来检测头15的振动，基于所检测出的振动来检测触底。

此外，由于通过前述那样的检测方法的检测基准(检测指标)来判定触底，所以判定值的绝对值有时可能会因触底测定的检测方法而异。

(触底测定方法)

图4A是表示跨磁道一周(以下，称为一个磁道)施加了恒定的控制量的情况下的头15的突出量以及DFH控制中的头15的理想突出量的分布的一例的图，图4B是表示按跨一个磁道而划分开的各个区域调整了控制量的情况下的突出量以及DFH控制中的头15的理想突出量的分布的一例的图。在图4A中，参照符号L0表示跨一个磁道施加了恒定的控制量的情况下的头15的突出量的分布(变动)的一例。在图4A以及图4B中，参照符号L1表示DFH控制中的头15的理想突出量的分布(变动)的一例。在图4B中，参照符号L2表示按各个区域调整了控制量的情况下的头15的突出量的分布(变动)的一例。在图4A以及图4B中，横轴表示盘10上的扇区(sector)的位置，纵轴表示头15的突出量。此外，在图4A以及图4B中，在横轴上，从扇区序号0开始，沿箭头的方向扇区序号增大。

如图4A所示，在跨一个磁道施加了恒定的控制量的情况下，突出量的分布L1与突出量的分布L0不同。因此，在跨一个磁道将与恒定的控制量对应的恒定的电力施加于加热器15H的情况下，虽然头15在一个磁道中的某扇区与盘接触，但在其他的扇区有可能不接触。在执行触底测定的情况下，在突出量最大的扇区，头15有可能会与盘10过度接触。头15与盘10的过度接触可能会成为头15磨损、盘10损伤等损害的原因。

如图4B所示，在将一个磁道划分成多个区域而施加按多个区域各自调整后的控制量的情况下，能够跟随将因盘10上的外部要因等导致的头15的变动考虑在内的突出量。即，能够使突出量的分布L1与突出量的分布L2近似。如此，通过以按划分了一个磁道得到的多个区域各自测定的控制量来调整各个区域的头15的突出量的分布，能够防止头15与盘10过度接触。

以下，说明磁盘装置1的触底测定的方法的一例。

磁盘装置1的测定部604将一个磁道划分为多个区域，按各个区域执行触底测定。此时，测定部604按各个区域调整控制量。例如，如图4B所示，测定部604将一个磁道划分为7个区域(区域A、区域B、区域C、区域D、区域E、区域F、区域G以及区域H)，按各个区域执行触底测定。

首先，测定部604施加未检测到触底的十分小的控制量(初始控制量)，跨一个磁道(即，划分开的全部区域)开始通过预定的触底检测方法进行的触底的检测。施加了初始控制量时的头15的突出量(初始突出量)在未检测到触底的期间对于一个磁道的全部区域而言是一样的。测定部604每当绕着一个磁道旋转预定的次数时以预定的增加率使控制量增加，重复进行按各个区域比较检测基准与检测值的处理。例如，测定部604每当绕一个磁道旋转一圈时通过使控制量从初始控制量增加一点来使向加热器15H施加的电力增加一点，使头15的突出量增大一点。在头15在预定的区域与盘10的表面接触而检测值超过了检测基准的情况下，测定部604对该预定的区域上的触底检测进行判定。测定部604将判定时所施加的控制量取得作为判定值，设定表示该预定的区域上的触底判定已结束的标记(以下，称为测定完标记)。测定部604可以将与设定了测定完标记的区域相关的信息保存于盘10上的系统区域。此外，测定部604也可以将设定了测定完标记的区域的信息保存于非易失性存储器80。另外，测定部604也可以在将与设定了测定完标记的区域相关的信息暂时保存于易失性存储器70之后，在适当的时机保存于盘10的系统区域和/或非易失性存储器80。

在预定的区域判定了触底之后，测定部604进一步使控制量比通过之前一个触底测定而取得的判定值增加，执行对一个磁道中的其他区域的触底测定。此时，测定部604参照测定完标记以及判定值，在结束了触底测定的预定的区域上施加判定值来调整突出量。测定部604执行触底判定，直到全部区域上的触底判定结束。测定部604通过按各个区域取得判定值来调整突出量，能够以与盘10的形状相应的与头15的理想突出量相适合的突出量来执行触底测定。因此，测定部604能够在抑制头15与盘10过度接触的同时执行触底测定。其结果，在触底测定中，能够使头15磨损、盘10损伤等损害达到最小限度。

此外，每当检测到触底时都取得了判定值，但测定部604也可以绕一个磁道多圈来执行多个触底测定，将按多个区域检测出的多个判定值的平均值取得作为按多个区域的判定值。

在触底测定中，若构成各区域的扇区的数量(大小)过小，则可能会产生对触底测定的测定精度的影响、或因到头15的突出量的调整完成为止所需的响应时间导致的跟随延迟的影响等。另一方面，若构成各区域的扇区的数量过大，则无法跟随理想突出量的分布。因此，构成各区域的扇区的数量优选为比基于到头15的突出量的调整完成为止所需的响应时间的范围足够大、且能够跟随理想突出量的分布的值。此外，构成各区域的扇区的数量可以预先设定，也可以每次执行触底测定时任意设定。

图5是表示检测基准的一例的图。参照图5，对使用HDI传感器(HDIs)S1的DC(Direct Current：直流)输出来检测触底的方法进行说明。此外，本实施方式的触底的检测方法也可以是使用HDI传感器S1的AC(Alternate Current：交流)输出来检测触底的方法、使用时间戳、SAGC以及PES信号来检测触底的方法。在图5中，横轴表示控制量，纵轴表示按各个伺服扇区而得到的DC输出值的平均值或标准偏差。在此，伺服扇区是包含写有伺服数据的伺服区域和该伺服区域与在圆周方向上相邻的伺服区域之间的数据区域的区域。在图5中，在使用触底(TD)的检测基准1的情况下，测定部604在DC输出值(控制量)的平均值的斜率为阈值以下的情况下判定为满足了触底的检测条件。另外，在使用触底的检测基准2的情况下，测定部604在DC输出值(控制量)的标准偏差为阈值以上的情况下判定为满足了触底的检测条件。在本实施方式中，测定部604使用这些检测基准按各个区域执行触底检测条件的判定。此外，图5所示的检测基准是一例，在本实施方式的触底检测中也可以使用检测基准1以及检测基准2以外的检测基准。

(触底测定时的突出量的控制方法)

图6A是用于示意性说明按各个区域执行触底测定的情况下的区域与突出量的关系的图，图6B是用于示意性说明相对于图6A使控制量的调整的定时加快(提前)来执行的情况下的区域与突出量的关系的图。在图6A中，虚线L3表示DFH控制中的各个区域的控制量的分布(变动)，实线L4表示DFH控制中的头15的实际的突出量的分布(变动)。在图6B中，虚线L3’表示相对于图6A的虚线L3提前执行控制量的调整的情况下的各个区域的控制量的分布(变动)，实线L4’表示相对于图6A的实线L4提前执行控制量的调整的情况下的实际的突出量的分布(变动)。此外，在图6A以及图6B中，将一个磁道划分为4个区域(区域A、区域B、区域C以及区域D)。在图6A以及图6B中，横轴表示盘10上的扇区的位置(即，盘10上的圆周方向的位置)，纵轴表示头15的突出量。在图6A以及图6B中，在横轴上，设为盘10从区域A向区域D旋转。此外，在图6A以及图6B中，在横轴上，从区域A的左端的扇区(扇区序号0)向箭头的方向，各区域的扇区序号增大。

在调整控制量的情况下，需要一定的时间常数(响应时间)，直到与调整前的控制量对应的突出量达到与调整后的控制量对应的突出量。例如，如图6A所示，在从区域A向区域B切换的定时调整了控制量的情况下，在从区域A的突出量到达区域B的突出量之前，产生如曲线C4B所示缓慢变化的响应区间(以下，称为响应区间)L3B。同样，如图6A所示，在从区域C向区域D切换的定时调整了控制量的情况下，在从区域C的突出量到达区域D的突出量之前，产生如曲线C4D所示缓慢变化的响应区间L3D。如此，在通过减小DFH控制中的控制量来减小突出量的情况下，实际的头15的实际的突出量的分布L4延迟一定时间地跟随各个区域的控制量的分布L3。另外，如图6A所示，在从区域B的突出量到达区域C的突出量之前，产生如曲线C4C所示缓慢变化的响应区间L3C。如此，即使在通过增大DFH控制中的控制量来增大突出量的情况下，头15的实际的突出量的分布L4也延迟一定时间地跟随各个区域的控制量的分布L3。在图6A中，在区域B的响应区间L3B以外的后半区间的控制量为判定值的情况下，区域B的响应区间L3B的突出量处于比施加了区域B的判定值时的突出量大的状态。同样，在图6A中，在区域D的响应区间L3D以外的后半区间的控制量为判定值的情况下，区域D的响应区间L3D的突出量处于比施加了区域D的判定值时的突出量大的状态。即，在图6A的响应区间L3B以及L3D中，处于头15向盘10过度突出的状态。因此，在该区间，可能会产生头15磨损、盘10损伤等损害。进而，在响应区间L3B以及L3D中，根据在区域A以及区域C的触底测定中使控制量增加，头15进一步向盘10侧突出。

因此，在本实施方式中，控制部602参照在触底测定时包含当前配置头15的位置的区域(以下，称为当前区域)的与头15的移动方向相邻的下一个区域的触底测定的结果等，判定下一个区域是否已完成触底检测。在下一个区域已完成触底检测的情况下，控制部602提前(加快)响应时间以上的时间，调整控制量(突出量)。在此，提前的时间可以是对各区域恒定的值，也可以是按各区域而异的值。另外，提前的时间可以是预先测定而设定的值，也可以是根据控制量的变化量而变动的值。例如，如图6B的区域A所示，控制部602提前与图6A的区域B的响应区间L3B对应的时间，在向区域A的区间(提前的区间)A3’A切换的定时，将控制量调整为区域B的判定值。同样，如图6B的区域C所示，控制部602提前与图6A的区域D的响应区间L3D对应的时间，在向区域C的提前区间A3’C切换的定时，将控制量调整为区域D的判定值。如此，在当前区域的控制量比下一个区域的判定值大的情况下，控制部602提前从当前区域的突出量变化到下一个区域的突出量为止的响应时间以上的时间来进行调整。

此外，在当前区域的控制量比下一个区域的判定值大的情况下，控制部602也可以将要施加的控制量提前调整为从下一个区域的判定值减去退让值得到的调整量。以下，为了便于说明，在当前区域的控制量比下一个区域的判定值大的情况下，控制部602将要施加的控制量提前调整为下一个区域的判定值。

图7A是追加表示图6A所示的触底测定中的实际测量的突出量的分布的一例的图，图7B是追加表示图6B所示的触底测定中的实际测量的突出量的分布的一例的图。在图7A以及图7B中，实线L11表示由实测得到的触底时的突出量的分布的一例。即，实线L11表示通过触底测定而取得的盘10的凹凸或头15触底时在盘10上的变动的一例。在图7A中，与图6A所示的情况同样，控制部602在区域切换的定时调整控制量。此时，在图7A的区域B的V1、区域D的V3的位置，由DFH控制实现的头15的突出量的分布L4与触底时的突出量的分布L11相比非常大。即，在这些位置，头15有可能会与盘10过度接触。

另一方面，在图7B中，与图6B所示的情况同样，控制部602提前与图7A的区域B的响应区间L3B对应的时间，在向区域A的区间(提前区间)A3’A切换的定时，提前调整控制量。此时，在图7B的区域B的V1、区域D的V3的位置，由DFH控制实现的突出量的分布L4’与触底时的突出量的分布L11大致同等。即，头15没有与盘10过度接触。因此，在如图7B所示提前调整控制量的情况下，防止了头15与盘10过度接触。其结果，可抑制头15磨损、盘10损伤等损害。

(触底测定的处理顺序)

以下，对本实施方式的触底测定的处理顺序的一例进行说明。图8A、图8B、图8C以及图8D是用于示意性说明本实施方式的触底测定的处理顺序的一例的图。按图8A～图8D的顺序推进触底测定的处理。虚线L5表示理想突出量的分布，实线L6表示由DFH控制实现的实际的突出量的分布(变动)。此外，在图8A～图8D中，将一个磁道划分为4个区域(区域A、区域B、区域C以及区域D)。在图8A～图8D中，横轴表示盘10上的扇区的位置，纵轴表示头15的突出量。在这些各图中，设为盘10从区域向区域D旋转。此外，在图8A～图8D中，在横轴上，从区域A的左端的扇区(扇区序号0)向箭头的方向，各区域的扇区序号变大。在本实施方式的触底测定中，MPU60使控制量从十分小的初始控制量增加，按各个区域执行触底测定。此外，设想反复执行触底的检测直到全部区域的触底判定结束为止。

首先，MPU60对全部区域一概施加初始控制量。图8A是表示对各区域一概施加了控制量的情况的图。在图8A中，参照符号BTD表示施加了初始控制量时的突出量。在此，在图8A的区域B中，设为MPU60判定到了触底。MPU60取得判定值等测定结果，使对区域B以外的区域施加的控制量一概增加。此时，区域B的突出量维持为突出量BTD。

图8B是表示使区域B以外的区域的控制量从图8A所示的控制量一概增加了的情况的图。在图8B中，参照符号DTD表示对区域B以外的区域施加的控制量下的突出量。如图8B所示，MPU60在向区域A的提前区间A5A切换的定时将控制量提前调整为区域B的判定值(与突出量BTD对应的值)。在此，在图8B的区域D中，设为MPU60判定到了触底。MPU60取得测定结果，使对区域B以及区域D以外的区域施加的控制量一概增加。此时，区域B的突出量维持为突出量BTD，区域D的突出量维持为突出量DTD。

图8C是表示使区域A以及区域C的控制量从图8B所示的控制量一概增加了的情况的图。在图8C中，参照符号CTD表示对区域A以及区域C施加的控制量下的突出量。如图8C所示，MPU60在向区域A的提前区间A5A切换的定时将控制量提前调整为区域B的判定值，在向区域C切换的定时调整控制量，在向区域C的提前区间A5C切换的定时将控制量提前调整为区域D的判定值(与突出量DTD对应的值)。在此，在图8C的区域C中，设为MPU60判定到了触底。MPU60取得测定结果，使对区域A施加的控制量增加。此时，区域B的突出量维持为突出量BTD，区域D的突出量维持为突出量DTD，区域C的突出量维持为突出量CTD。

图8D是表示使区域A的控制量从图8C所示的控制量增加了的情况的图。在图8D中，参照符号ATD表示对区域A施加的控制量下的突出量。如图8D所示，MPU60在区域A调整控制量，在向区域A的提前区间A5A切换的定时将控制量调整为区域B的判定值，在向区域C切换的定时将控制量调整为区域C的判定值(与突出量CTD对应的值)，在向区域C的提前区间A5C切换的定时将控制量提前调整为区域D的判定值。在此，在图8D的区域A中，设为MPU60判定到了触底。MPU60取得测定结果，确认在全部区域已判定到了触底，结束一系列的触底测定。

此外，也可以将图8D所示那样的对各区域调整控制量的调整处理应用于读写动作时等的头15的上浮量的控制。即，MPU60在读写动作时等，参照通过触底测定而取得的判定值，控制对各个区域施加的控制量。MPU60按各个区域从判定值减去退让值来分别算出调整量。MPU60在下一个区域的判定值比当前区域的判定值小的情况下，提前头15的响应时间以上的时间来施加调整量。例如，如图8D所示，MPU60在从区域A向区域B切换的位置之前的区域A设定提前区间A5A，在向提前区间A5A切换的位置施加调整量。通过如此进行控制，能够防止在读写时头15与盘10过度接触。

此外，MPU60也可以将判定值等与测定结果相关的信息保存于非易失性存储器80。另外，MPU60也可以在将与测定结果相关的信息暂时保存于易失性存储器70之后，在适当的时机保存于盘10的系统区域和/或非易失性存储器80。

(触底测定时的动作)

图9是磁盘装置1中的触底测定时的动作的流程图。

在B901中，MPU60设定在触底测定开始时所施加的十分小的控制量(初始控制量)。

在B902中，MPU60将一个磁道划分为多个区域，从划分开的多个区域选择开始触底测定的最初区域。

在B903中，MPU60在触底测定时参照包含当前配置头15的位置的区域(当前区域)的测定完标记，判断在当前区域是否判定到了触底。

在判断为未判定到触底的情况下(B903的“否”)，处理进入B904的处理。在判断为判定到了触底的情况下(B903的“是”)，处理进入B913的处理。

在B904中，MPU60从盘10上的系统区域等取得对当前区域施加的控制量(在此为初始控制量)的信息。

在B905中，MPU60调整为与当前区域对应的控制量(初始控制量)来开始触底测定。

在B906中，MPU60使用预定的触底的检测方法，在当前区域所包含的各扇区对所检测出的检测值与检测基准进行比较。

在B907中，MPU60参照所检测出的检测值与检测基准的比较结果，判定是否判定到了触底。在判定到了触底的情况下(B907的“是”)，在B908中，MPU60对当前区域设定测定完标记，将判定到了触底时的控制量作为判定值保存于盘10上的系统区域。此外，MPU60也可以将判定值等与测定结果相关的信息保存于非易失性存储器80。另外，MPU60也可以在将判定值等与测定结果相关的信息暂时保存于易失性存储器70之后，在适当时机保存于盘10的系统区域和/或非易失性存储器80。另一方面，在判定为未触底的情况下(B907的“否”)，MPU60进入B909的处理。

在B909中，MPU60参照在触底测定时在当前区域的接下来包含配置头15的位置的区域(下一个区域)的测定完标记，判断是否判定到了下一个区域的触底。此外，在B909中，在当前区域是一个磁道的最后区域的情况下，MPU60作为下一个区域而参照该磁道的最初区域的测定完标记，判断是否判定到了最初区域的触底。

在基于下一个区域的测定完标记而判断为未判定到触底的情况下(B909的“否”)，MPU60进入B921的处理。

另一方面，在基于下一个区域的测定完标记而判断为判定到了触底的情况下(B909的“是”)，在B910中，MPU60取得所保存的下一个区域的判定值。此外，MPU60也可以从非易失性存储器80取得当前的判定值。

在B911中，MPU60判断下一个区域的判定值是否比当前区域的控制量小。

在判断为下一个区域的判定值比当前区域的控制量大的情况下(B911的“否”)，进入B921的处理。

在判断为下一个区域的判定值比当前区域的控制量小的情况下(B911的“是”)，在B912中，MPU60取得下一个区域的判定值，将控制量提前调整为所取得的判定值，进入B921的处理。

另一方面，在前述的B903的处理中判断为判定到了触底的情况下(B903的“是”)，在B913中，MPU60取得在盘10上的系统区域等所存储的当前区域的判定值。此外，测定部604也可以从非易失性存储器80取得当前的判定值。

在B914中，MPU60调整控制量以使其成为所取得的判定值。

在B915中，MPU60参照下一个区域的测定完标记，判断是否判定到了下一个区域的触底。此外，在当前区域是一个磁道的最后区域的情况下，MPU60作为下一个区域而参照该磁道的最初区域的测定完标记，判断是否判定到了最初区域的触底。

在基于下一个区域的测定完标记而判断为未判定到下一个区域的触底的情况下(B915的“否”)，MPU60进入B921的处理。另一方面，在判断为判定到了下一个区域的触底的情况下(B915的“是”)，在B916中，MPU60取得在盘10上的系统区域所存储的下一个区域的判定值，进入B917的处理。此外，MPU60也可以从非易失性存储器80取得当前的判定值。

在B917中，MPU60判断下一个区域的判定值是否比当前区域的判定值小。

在判断为下一个区域的判定值比当前区域的判定值大的情况下(B917的“否”)，MPU60进入B921的处理。另一方面，在判断为下一个区域的判定值比当前区域的判定值小的情况下(B917的“是”)，在B918中，MPU60提前调整控制量以使其成为下一个区域的判定值。

在B919中，MPU60判断当前区域是否为一个磁道的最后区域。在判断为当前区域不是最后区域的情况下(B919的“否”)，在B920中，MPU60将当前区域切换到下一个区域，返回到B915的处理。在判断为当前区域是最后区域的情况下(B919的“是”)，MPU60进入B921的处理。

在B921中，MPU60判断当前区域是否为一个磁道的最后区域。在判断为当前区域不是最后区域的情况下(B921的“否”)，在B922中，MPU60将当前区域切换到下一个区域，返回到B903的处理。在判断为当前区域是最后区域的情况下(B921的“是”)，在B923中，MPU60判断是否判定到了全部区域的触底。

在判断为未判定到全部区域的触底的情况下(B923的“否”)，在B924中，MPU60使控制量增加，返回到B902的处理。在判断为判定到了全部区域的触底的情况下(B923的“是”)，MPU60结束触底测定的处理。

(磁盘装置的制造工序)

接着，使用图10来说明磁盘装置1的制造工序的一部分。

图10是表示磁盘装置1的制造工序的一部分的流程图。

当开始制造时，经过预定的工序，在B1001中，盘10被组装入磁盘1的框体200内。

在B1002中，执行图9所示的触底测定。

在B1003中，对读写动作进行调整(包含试验以及检查)，经过预定的工序，制造工序结束。

(读写动作时的控制量的调整方法)

以下，参照图11对磁盘装置1的读写动作时的控制量的调整方法进行说明。磁盘装置1如图8D所示，参照通过触底测定而取得的判定值，调整读写动作时的控制量。此外，磁盘装置1将通过图9所示的触底测定而取得的盘10的各区域的判定值存储于存储介质、例如盘10的系统区域。

图11是表示读写动作时的控制量的调整方法的流程图。

当开始读写动作时，在B1101中，MPU60选择要执行读写动作的最初的扇区，将头15定位(或移动)到所选择出的最初的扇区上。

在B1102中，MPU60从盘10的系统区域等取得当前区域的判定值。此外，测定部604也可以从非易失性存储器80取得判定值。

在B1103中，MPU60从当前区域的判定值减去BO值来算出调整量，将控制量调整为当前区域的调整量。

在B1104中，MPU60从盘10的系统区域等取得与头15的行进方向相邻的下一个区域的判定值。此外，测定部604也可以从非易失性存储器80取得判定值。

在B1105中，MPU60对当前区域的判定值与下一个区域的判定值进行比较。在判断为下一个区域的判定值比当前区域的判定值小的情况下(B1105的“是”)，在B1106中，MPU60从下一个区域的判定值减去BO值来算出下一个区域的调整量，将与施加于加热器15H的电力对应的控制量提前调整为下一个区域的调整量，进入B1107的处理。另一方面，在判断为下一个区域的判定值比当前区域的判定值大的情况下(B1105的“否”)，MPU60进入B1107的处理。

在B1107中，MPU60判断是否结束读写动作。在继续读写动作的情况下(B1107的“否”)，在B1108中，MPU60将当前区域切换到下一个区域，返回到B1104的处理。另一方面，在结束读写动作的情况下(B1107的“是”)，MPU60结束读写动作。

根据本实施方式，磁盘装置1按将一个磁道划分开的多个区域的各个区域来执行触底测定。磁盘装置1参照通过触底测定而取得的触底判定时的控制量(判定值)，控制各区域的头15的突出量。另外，磁盘装置1在下一个区域的判定值比当前区域的判定值小的情况下，提前调整控制量以使其成为下一个区域的判定值。通过如此进行控制，可抑制头15与盘10过度接触。其结果，可防止头15磨损、盘10损伤等损害。

接着对第1实施方式的变形例涉及的磁盘装置以及测定方法进行说明。在实施方式的变形例中，对与前述的第1实施方式相同的部分标注相同的参照符号而省略其详细内容的说明。

(变形例)

第1实施方式的变形例的磁盘装置1是与第1实施方式大致同等的构成，但不同之处在于执行盘10上的径向的触底测定的处理。

MPU60将盘10在径向上划分为多个区段(zone)，而且在圆周方向(旋转方向)上划分为多个区域。区段是包含多个柱面(磁道)的区域。另外，以下，将在圆周方向上将各区段划分成多个区域而得到的区域称为节(section)。MPU60从多个区段中选择预定数量的区段，从多个区域中选择预定数量的区域。即，通过所选择出的区段与区域的组合，选择预定数量的节。MPU60对所选择出的节所包含的至少一个柱面执行触底测定。MPU60按各个节使在各柱面取得的判定值平均化来算出判定值的平均值(以下，称为平均值)。进而，MPU60使用所选择出的各个节的平均值，对未被选择的节的判定值的平均值进行插值。MPU60将所选择出的节的平均值和通过补充而算出的未被选择的节的平均值的信息保存于盘10的系统区域。此外，MPU60也可以将这些平均值保存于非易失性存储器80。另外，MPU60也可以在将各平均值暂时保存于易失性存储器70之后，在适当的时机保存于盘10的系统区域和/或非易失性存储器80。

图12是用于概念性地说明对盘10的划分的图，图13是说明区段间的控制量的插值方法的一例的图。

在图12中，盘10在径向上划分为6个区段(区段0、区段1、区段2、区段3、区段4以及区段5)，在圆周方向上划分为8个区域(区域A、区域B、区域C、区域D、区域E、区域F、区域G以及区域H)。在此，设为在图12中，区域A、区域D、区域F各自的区段0、区段2以及区段4执行了触底测定。在图13中，横轴表示盘10的径向，纵轴表示退让控制时的控制量。在图13中，在纵轴上，从与横轴的交点侧向垂直方向，值增大。

在图13中，示出了从各区域的各节的各个区域上的控制量的平均值分别减去退让(BO)值而得到的多个控制量。在图13中，从区域A的节SA0的控制量的平均值、区域D的节SD0的控制量的平均值和区域F的节SF0的控制量的平均值分别减去BO值而得到的控制量(调整量)示出在区段0的线上。同样，从区域A的节SA2的控制量的平均值、区域D的节SD2的控制量的平均值和区域F的节SF2的控制量的平均值分别减去BO值而得到的控制量示出在区段2的线上。同样，从区域A的节SA4的控制量的平均值、区域D的节SD4的控制量的平均值和区域F的节SF4的控制量的平均值分别减去BO值而得到的控制量示出在区段4的线上。以下，将从平均值减去BO值的处理称为退让控制。

MPU60在区域A、区域D、区域F各自的区段0、区段2以及区段4执行触底测定。如图13所示，在区段0，由于节SA0、节SD0以及节SF0的各平均值不同，退让控制时的控制量也因节SA0、节SD0以及节SF0而分别不同。另外，在区段2，与区段0的情况同样，在节SA2、节SD2以及节SF2的控制量上也存在差。但是，在区段4，在节SA4、节SD4以及节SF4的控制量上没有差。

在对未被执行测定的节的退让控制时的控制量进行插值的情况下，MPU60按各个区域独立地执行插值处理。例如，MPU60按各个区域执行线形插值。具体而言，关于区域A，MPU60使用节SA0和节SA2的退让控制时的控制量，对区段0与区段2之间的区段1的节的控制量进行线形插值。MPU60将被插值得到的区段1的节的控制量保存于盘10上的系统区域。

图14是表示按各个区段执行的触底测定的流程图的一例的图。在此，盘10在径向上被划分为多个区段，进而在圆周方向上被划分为多个区域，由此被划分为多个节。

在B1401中，MPU60选择最初要执行测定的区段。

在B1402中，MPU60在所选择出的区段内选择要执行测定的柱面。

在B1403中，MPU60在由B1402选择出的柱面执行触底测定。

在B1404中，MPU60判断对包含被执行触底测定的柱面在内的区段(以下，称为当前区段)进行的触底测定是否结束。

在判断为对当前区段的触底测定未结束的情况下(B1404的“否”)，在B1405中，MPU60选择下一个柱面，返回到B1403的处理。

另一方面，在判断为对当前区段的触底测定已结束的情况下(B1404的“是”)，在B1406中，MPU60取得在当前区段内触底测定完的节所包含的多个(预定的)柱面的判定值。MPU60使在节内所取得的柱面的判定值平均化，算出各节的判定值的平均值。MPU60将所算出的平均值保存于盘10上的系统区域。此外，MPU60也可以将测定结果保存于非易失性存储器80。另外，MPU60也可以在将测定结果暂时保存于易失性存储器70之后，在适当的时机保存于盘10的系统区域和/或非易失性存储器80。

在B1407中，MPU60判断作为测定对象而选择出的全部区段的触底测定是否结束。在判断为全部区段的触底测定未结束的情况下(B1407的“否”)，MPU60选择下一个区段，返回到B1402的处理。

另一方面，在判断为全部区段的触底测定已结束的情况下(B1407的“是”)，MPU60结束对盘10的按各个区段执行的触底测定。

此外，图14所示的触底测定也可以适用于图10所示的制造工序。

根据本实施方式，磁盘装置1将盘10在径向上划分为多个区段，按各个区段执行触底测定。另外，磁盘装置1按区段内的预定数量的柱面来执行触底测定，将在各柱面测定出的判定值按节进行平均化来算出平均值。进而，磁盘装置1通过插值来算出未被测定的区段的控制量。如此，通过选择要测定的区域，本实施方式的磁盘装置1能够以更短的时间执行径向的触底测定。另外，通过按节进行平均化来算出判定值，在由于盘10上的突起等而导致判定值异常的情况下，能够使异常的判定值的影响平滑化。

接着对其他实施方式涉及的磁盘装置以及测定方法进行说明。在其他的实施方式中，对与前述的实施方式相同的部分标注相同的参照符号而省略其详细内容的说明。

(第2实施方式)

第2实施方式的磁盘装置1为与前述的实施方式大致同等的构成，但不同之处在于在触底测定时对区域的边界进行控制。

本实施方式的MPU60在下一个区域的判定值比当前区域的判定值小的情况下，将当前区域扩大。此时，MPU60从当前区域的范围扩大与到达下一个区域的判定值的突出量为止的头15的响应时间对应的区间(响应区间)以上的范围。

(触底测定时的区域的控制方法)

图15A是用于示意性说明按各个区域执行触底测定的情况下的区域与突出量的关系的图，图15B是用于示意性说明在图15A中扩大了区域的情况下的区域与突出量的关系的图。在图15A中，虚线L3表示理想突出量的分布，实线L4表示由DFH控制得到的突出量的分布。在图15B中，扩大区域A表示对图15A的区域A在扇区方向(圆周方向)上扩大了与响应区间L3B对应的区域而得到的区域，扩大区域C表示对图13A的区域C在扇区方向上扩大了与响应区间L3D对应的区域而得到的区域。此外，在图15A以及图15B中，将一个磁道划分为4个区域(区域A、区域B、区域C以及区域D)。在图15A以及图15B中，横轴表示盘10上的扇区的位置(即，盘10上的圆周方向的位置)，纵轴表示头15的突出量。在图15A以及图15B中，在横轴上，设为盘10从区域A向区域D旋转。此外，在图15A以及图15B中，在横轴上，从区域A的左端的扇区(扇区序号0)向箭头的方向，各区域的扇区序号变大。此外，图15A是与图6A大致同等的图。

在本实施方式中，在可能成为图15A的状态的情况下，MPU60从当前区域扩大与响应区间相当的范围，从下一个区域缩小进行了扩大的与响应区间相当的范围。

在本实施方式中，控制部602参照测定完标记，判定下一个区域是否已完成触底检测，在下一个区域已完成触底检测的情况下从当前区域的范围扩大响应区间以上的范围。在此，扩大的区间可以是对各区域而言恒定的值，也可以是因各区域而异的值。另外，扩大的区间可以是预先测定出的值，也可以是根据控制量的变化量而变动的值。例如，如图15B所示，控制部602从当前区域A扩大与图15A的区域B的响应区间L3B相当的范围而成为扩大区域A。此时，控制部602将区域B的范围从当前区域B缩小与响应区间L3B相当的范围而成为缩小区域B。同样，如图15B的区域C所示，控制部602从当前区域C扩大与图15A的区域D的响应区间L3D相当的范围而成为扩大区域C。此时，控制部602将区域D的范围从当前区域D缩小与响应区间L3D相当的范围而成为缩小区域D。如此，在当前区域的控制量比下一个区域的判定值大的情况下，控制部602从当前区域扩大与当前区域的突出量达到下一个区域的突出量为止的响应时间对应的响应区间以上的范围。

另外，例如，在图15B的响应区间L3B中，MPU60在扩大区域A的属于原来的区域B的扇区判定触底。因此，例如，在扩大区域A判定触底的情况下，MPU60对扩大区域A的响应区间的检测值与检测基准进行比较来判定触底。如此，通过在扩大区域A的检测基准下判定触底，在响应区间L3B、L3D产生接触的情况下满足触底的检测基准，因此能够防止过度接触。

(触底测定时的动作)

图16是本实施方式的触底测定方法的流程图。图16的流程图与图9的流程图大致同等，因此对相同的处理标注相同的参照符号，省略其详细内容的说明。

在B911中，在判断为下一个区域的判定值比当前区域的控制量小的情况下(B911的“是”)，在B1612中，MPU60取得下一个区域的判定值，从当前区域扩大(从下一个区域缩小)与当前的响应时间相当的范围，进入B921的处理。

另外，在B917中，在判断为下一个区域的判定值比当前区域的判定值小的情况下(B917的“是”)，在B1618中，MPU60取得下一个区域的判定值，从当前区域扩大(从下一个区域缩小)与当前的响应时间相当的范围，进入B919的处理。

进而，在执行了多个处理之后判断为判定到了全部区域的触底的情况下(B923的“是”)，MPU60结束触底测定的处理。

根据本实施方式，磁盘装置1在触底测定时按预先设定的各个区域来调整控制量，在下一个区域的判定值比当前区域的判定值小的情况下对区域进行扩大。通过如此基于区域对控制量进行控制，可抑制头15与盘10过度接触。其结果，可防止头15磨损、盘10损伤等损害。另外，磁盘1在扩大后的区域判定触底。因此，在磁盘1中，能够检测扩大了区域的区间中的接触，因此能够防止头15与盘10过度接触。其结果，可防止头15磨损、盘10损伤等损害。

说明了本发明的几个实施方式，但是这些实施方式是作为例子而举出的，没有限定发明范围的意图。这些新的实施方式能够以其他的各种各样的方式来实施，在不脱离发明要旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围或要旨内，并且包含于权利要求所记载的发明及其等同的范围内。

Claims

1.一种适用于磁盘装置的读动作以及写动作的调整方法，所述磁盘装置具备盘和头，所述头通过加热器的加热而向所述盘侧突出，所述加热器根据被施加的控制量使热量变化，在所述调整方法中，

算出从第1控制量减去用于使所述头与所述盘的表面隔开间隔的差值而得到的第1调整量，所述第1控制量是在将所述盘的存储区域在旋转方向上划分开的多个区域内的第1区域的表面与所述头接触时施加于所述加热器的控制量，

算出从第2控制量减去所述差值而得到的第2调整量，所述第2控制量是在所述多个区域内的与所述第1区域在所述头的移动方向相邻的第2区域的表面与所述头接触时施加于所述加热器的控制量，

根据对所述第1控制量与所述第2控制量进行比较的结果，调整将所述第2调整量施加于所述加热器的定时。

2.根据权利要求1所述的调整方法，其中，

在所述第2控制量比所述第1控制量小的情况下，比所述头的位置被切换到所述第2区域上的定时提前预定的时间将所述第2调整量施加于所述加热器。

3.根据权利要求1所述的调整方法，其中，

在所述第2控制量比所述第1控制量大的情况下，在所述头的位置被切换到所述第2区域上的定时将所述第2调整量施加于所述加热器。

4.根据权利要求2所述的调整方法，其中，

算出从第3控制量减去所述差值而得到的第3调整量，所述第3控制量是在所述多个区域内的与所述第2区域在所述头的移动方向相邻的第3区域的表面与所述头接触时所施加的控制量，

对所述第2控制量与所述第3控制量进行比较，

根据对所述第2控制量与所述第3控制量进行比较的结果来调整将所述第3调整量施加于所述加热器的定时。

5.根据权利要求4所述的调整方法，其中，

所述预定的时间是所述头从当前量达到以下一个量突出的状态为止的响应时间。

6.一种磁盘装置，具备：

盘；

头，其通过加热器的加热而向所述盘侧突出，所述加热器根据被施加的控制量使热量变化；以及

控制器，其进行如下工作：

7.根据权利要求6所述的磁盘装置，其中，

在所述第2控制量比所述第1控制量小的情况下，所述控制器比所述头的位置被切换到所述第2区域上的定时提前预定的时间将所述第2调整量施加于所述加热器。

8.根据权利要求6所述的磁盘装置，其中，

在所述第2控制量比所述第1控制量大的情况下，所述控制器在所述头的位置被切换到所述第2区域上的定时将所述第2调整量施加于所述加热器。

9.根据权利要求7所述的磁盘装置，其中，

所述控制器进行如下工作：

对所述第2控制量与所述第3控制量进行比较，

10.根据权利要求9所述的磁盘装置，其中，

11.一种磁盘装置的制造方法，所述磁盘装置具备框体、盘和包含发热量根据控制量而变化的加热器的头，在所述制造方法中，

将所述盘组装入所述框体内，

在所述盘旋转的期间，对所述加热器施加第1控制量来使所述头以第1量向所述盘侧突出，

在将所述盘的表面沿着旋转方向划分开的多个区域的各个区域判定所述头与所述盘的表面的接触，

使所述第1控制量增加，直到在所述多个区域的任一个区域判定到所述接触为止，

与在所述多个区域中的第1区域判定到了所述接触相应地，将判定到了所述接触时的控制量取得作为第2控制量，

在所述头通过所述第1区域的期间将所述第2控制量施加于所述加热器，在所述头通过与所述第1区域不同的其他区域的期间，对所述加热器施加比所述第2控制量大的控制量，在所述头以比所述第1量大的第2量突出的状态时判定所述接触。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，

使所述第2控制量增加，直到在所述多个区域所包含的与所述头非接触的非接触区域上判定到所述头与所述非接触区域的任一个区域的接触为止，

与在所述非接触区域中的第2区域判定到了所述接触相应地，将判定到了所述接触时的控制量取得作为第3控制量，

在所述头通过所述第1区域的期间将所述第2控制量施加于所述加热器，在所述头通过所述第2区域的期间将所述第3控制量施加于所述加热器，在所述头通过与所述第1区域以及所述第2区域不同的其他区域的期间，对所述加热器施加比所述第3控制量大的控制量，在所述头以比所述第2量大的第3量突出的状态时判定所述接触。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，

使所述第3控制量增加，直到在所述非接触区域上判定到所述头与所述非接触区域的任一个区域的接触为止，

与在所述非接触区域中的第3区域判定到了所述接触相应地，将判定到了所述接触时的控制量取得作为第4控制量，

在所述头通过所述第1区域的期间将所述第2控制量施加于所述加热器，在所述头通过所述第2区域的期间将所述第3控制量施加于所述加热器，在所述头通过所述第3区域的期间将所述第4控制量施加于所述加热器，在所述头通过与所述第1区域、所述第2区域以及所述第3区域不同的其他区域的期间，对所述加热器施加比所述第4控制量大的控制量，在所述头以比所述第3量大的第4量突出的状态时判定所述接触。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，

使控制量增加，直到在所述非接触区域上判定到所述头与所述非接触区域的任一个区域的接触为止，

与在所述非接触区域中的包含当前配置着所述头的位置的当前区域中判定到了所述接触相应地，将判定到了所述接触时的控制量取得作为当前控制量，

在通过被判定到了所述接触的接触区域的期间判定到了所述接触时，将分别取得的判定时的控制量按所述接触区域施加于所述加热器，在通过所述非接触区域的期间，对所述加热器施加比所述当前控制量大的控制量，在所述头以比当前量大的下一个量突出的状态时，反复执行判定所述接触的处理，直到对全部所述非接触区域都判定所述接触为止。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其中，

在所述多个区域内的与所述当前区域在所述头的移动方向相邻的下一个区域以比所述当前控制量小的下一个控制量判定到了所述接触的情况下，比被切换到所述下一个区域的定时提前预定的时间将所述下一个控制量施加于所述加热器。

16.根据权利要求15所述的制造方法，其中，

所述预定的时间是所述头从所述当前量达到以所述下一个量突出的状态为止的响应时间。

17.根据权利要求14所述的制造方法，其中，

在所述多个区域内的与所述当前区域在所述头的移动方向相邻的所述下一个区域以比所述当前控制量小的下一个控制量判定到了所述接触的情况下，将所述下一个区域的范围扩大预定的范围并缩小所述当前区域的范围。

18.根据权利要求17所述的制造方法，其中，

所述预定的范围是与所述头的突出量从所述当前量达到以所述下一个量突出的状态为止的响应时间对应的范围。

19.根据权利要求14所述的制造方法，其中，

将所述盘沿着径向划分为多个区段，

设置将所述多个区段的各区段按所述多个区域划分开的多个节，

从所述多个区段中选择第1区段，

选择所述第1区段所包含的第1节，

选择所述第1节所包含的所述径向上的多个第1记录区域中的至少一个第1记录区域，

算出将在所述第1记录区域中判定到了所述接触时对所述加热器施加的第5控制量在所述第1节内进行平均化而得到的第1平均值，

算出从所述第1平均值减去用于使所述头与所述盘的表面隔开间隔的差值而得到的第1调整量，

选择在所述径向上离开所述第1节的第2节，

选择所述第2节所包含的所述径向上的多个第2记录区域中的至少一个第2记录区域，

算出将在所述第2测定区域中判定到了所述接触时对所述加热器施加的第6控制量在所述第2节内进行平均化而得到的第2平均值，

取得从所述第2平均值减去所述差值而得到的第2调整量。

20.根据权利要求19所述的制造方法，其中，

使用所述第1调整量和所述第2调整量对设置在所述第1节与所述第2节之间的至少一个节的调整量进行插值。