CN106250641B - 一种oled器件衰减分析装置及衰减分析方法 - Google Patents

一种oled器件衰减分析装置及衰减分析方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种OLED器件衰减分析装置及衰减分析方法，涉及显示技术领域，以判断OLED器件中发光层的发光材料是否发生本征衰减。该OLED器件衰减分析装置通过获取OLED器件老化前后，第一、二发光约束条件下OLED器件发光亮度；根据OLED器件老化前后，第一、二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化前后发光亮度差值函数，并对该函数进行积分，对比老化前后积分结果，根据对比结构判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减。该OLED器件衰减分析方法包括上述OLED器件衰减分析装置。该OLED器件衰减分析装置用于OLED器件衰减分析。

Description

一种OLED器件衰减分析装置及衰减分析方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED器件衰减分析装置及衰减分析方法。
背景技术
OLED显示器是一种主动发光的显示器件，其相对于液晶显示器来说，具有反应速度快、对比度高、视角较广等，受到人们的广泛青睐。
现有OLED显示器中，每个OLED单元包括阳极层、阴极层以及设在阳极层和阴极层之间的有机层，有机层包括电子传输层和空穴传输层，以及位于电子传输层和空穴传输层之间的发光层；而由于OLED显示器这类OLED器件随着使用时间增加，其种的有机层会发生一定的衰减，使得OLED显示器的使用寿命受到很大的影响，且由于有机层发生衰减的原因多种多样，目前还没有一种OLED器件衰减分析装置，能够判断OLED器件中发光层的发光材料是否发生本征衰减。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED器件衰减分析装置及衰减分析方法，以判断OLED器件中发光层的发光材料是否发生本征衰减。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种OLED器件衰减分析装置，包括依次连接的差值函数构建单元、积分单元、比较单元和判定单元；
所述差值函数构建单元用于根据OLED器件老化前，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化前发光亮度差值函数f1(x)；根据OLED器件老化后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化后发光亮度差值函数f2(x)；其中，第一发光约束条件为单 重约束环境，所述单重约束环境为可变磁场环境，第二发光约束条件为双重约束环境，所述双重约束环境包括恒定微波环境和可变磁场环境，x为磁场强度；
所述积分单元用于在可变磁场环境对应的磁场强度范围内，对老化前发光亮度差值函数f1(x)进行积分，得到老化前积分结果Ena，对老化后发光亮度差值函数f2(x)进行积分，得到老化后积分结果Ea；
所述比较单元用于比较与的大小关系；其中，Lna为非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度，La为非发光约束条件下，老化后OLED器件的发光亮度；
所述判定单元用于根据与的大小关系比较结果，判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减。
优选的，所述差值函数构建单元包括函数构建模块以及与函数构建模块的输出端相连的差值运算模块；所述函数构建模块的输入端与数据获取单元的输出端相连，所述差值运算模块的输出端与积分单元的输入端相连；
所述函数构建模块用于存储可变磁场环境所对应的可变磁场强度，根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化前第一发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第一老化前发光亮度曲线的第一老化前发光亮度函数f11(x)，根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化前第二发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第二老化前发光亮度曲线的第二老化前发光亮度函数f21(x)；根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化后第一发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第一老化后发光亮度曲线的第一老化后发光亮度函数f12(x)，根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化后第二发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第二老化后发光亮度曲线的第二老化后发光亮度函数f22(x)；
所述差值运算模块用于根据第一老化前发光亮度函数f11(x)与第二老化 前发光亮度函数f21(x)构建老化前发光亮度差值函数f1(x)；以及根据第一老化后发光亮度函数f12(x)与第二老化后发光亮度函数f22(x)构建老化后发光亮度差值函数f2(x)；其中，f1(x)＝|f11(x)-f21(x)|，f2(x)＝|f12(x)-f22(x)|。
优选的，所述判定单元用于在时，判定OLED器件中发光层的发光材料未发生本征衰减；在时，判定OLED器件中发光层的发光材料发生本征衰减。
优选的，所述OLED器件衰减分析装置还包括数据获取单元，所述数据获取单元的输出端分别与差值函数构建单元的输入端和比较单元的输入端相连；
所述数据获取单元用于获取OLED器件老化前后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度；还用于获取非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度Lna，和老化后OLED器件的发光亮度La；
所述数据获取单元还用于获取非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度Lna，和老化后OLED器件的发光亮度La；
所述比较单元还用于存储非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度Lna，和老化后OLED器件的发光亮度La，以及比较Lna与La的大小关系；
所述判定单元还用于根据Lna与La的大小关系的比较结果，判断OLED器件是否发生老化。
较佳的，所述判定单元用于在La<Lna时，判定所述OLED器件发生老化；在La＝Lna时，判定所述OLED器件未发生老化。
优选的，所述OLED器件衰减分析装置还包括：磁场生成单元、微波发生单元、光学测量单元以及与光学测量单元；所述光学测量单元的输出端与所述数据获取单元相连；
所述磁场生成单元用于给OLED器件提供可变磁场环境；
所述微波发生单元用于给OLED器件提供恒定微波环境；
所述光学测量单元用于测量OLED器件老化前后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度；和/或，
测量OLED器件老化前后，非发光约束条件下OLED器件发光亮度。
较佳的，所述磁场生成单元为可控励磁电源，所述可控励磁电源所提供的磁场环境中设有用于承载OLED器件的微波载台，所述微波发生单元的发射端通过波导管与微波载台相连。
较佳的，所述光学测量装置为光功率计或光电倍增管。
较佳的，所述OLED器件衰减测试装置还包括向OLED器件供电的电源。
优选的，所述恒定微波环境的微波频率为10GHz-20GHz，所述可变磁场环境的磁场强度范围为0-500mT。
与现有技术相比，本发明提供的OLED器件衰减分析装置具有如下有益效果：
本发明提供的OLED器件中，第一发光约束条件为可变磁场环境的单重约束环境，使得无论是老化前还是老化后的OLED器件，其中形成激子的电子和空穴均能响应磁场强度的变化，以发出不同亮度的光；而第二发光约束条件为恒定微波环境和可变磁场环境的双重约束环境，使得无论是老化前还是老化后的OLED器件，其中形成激子的电子和空穴不仅能够响应磁场强度的变化，而且还能够在恒定微波的作用下，使得发光亮度在一定的磁场强度范围内出现突变，因此，本发明提供的OLED器件衰减分析装置中，通过差值函数构建单元根据OLED器件老化前后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化前发光亮度差值函数f1(x)和老化后发光亮度差值函数f2(x)，并在可变磁场环境对应的磁场强度范围内对其积分，即可得到表征老化前OLED器件内激子的数量的老化前积分结果Ena，以及表征老化后OLED器件内激子的数量的老化后积分结果Ea，而考虑到OLED器件中发光层中发光材料发生本征衰减后，其中的激子形成过程中，所存在的辐射跃迁机率相对非辐射跃迁概率相 对减少，而OLED器件的发光亮度可以表征辐射跃迁的概率，因此，可以通过将老化前OLED器件的发光亮度Lna和老化前积分结果Ena的比值与老化后OLED器件的发光亮度La和老化后积分结果Ea的比值进行对比，以判断出OLED器件的发光层中发光材料是否发生本征衰减。
本发明提供一种OLED器件衰减分析方法，包括：
根据OLED器件老化前，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化前发光亮度差值函数f1(x)；根据OLED器件老化后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化后发光亮度差值函数f2(x)；其中，第一发光约束条件为单重约束环境，所述单重约束环境为可变磁场环境，第二发光约束条件为双重约束环境，所述双重约束环境包括恒定微波环境和可变磁场环境，x为磁场强度；
在可变磁场环境对应的磁场强度范围内，对老化前发光亮度差值函数f1(x)进行积分，得到老化前积分结果Ena，对老化后发光亮度差值函数f2(x)进行积分，得到老化后积分结果Ea；
比较与的大小关系；其中，Lna为非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度，La为非发光约束条件下，老化后OLED器件的发光亮度；
根据与的大小关系比较结果，判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减。
优选的，根据OLED器件老化前，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化前发光亮度差值函数f1(x)的方法包括：
根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化前第一发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第一老化前发光亮度曲线的第一老化前发光亮度函数f11(x)；
根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化前第二发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第二老化前发光亮度曲线的第二老化前发光亮度函数f21(x)；
根据第一老化前发光亮度函数f11(x)与第二老化前发光亮度函数f21(x)构建老化前发光亮度差值函数f1(x)；其中，f1(x)＝|f11(x)-f21(x)|。
优选的，根据OLED器件老化后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化后发光亮度差值函数f2(x)的方法包括：
根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化后第一发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第一老化后发光亮度曲线的第一老化后发光亮度函数f12(x)，根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化后第二发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第二老化后发光亮度曲线的第二老化后发光亮度函数f22(x)；
根据第一老化后发光亮度函数f12(x)与第二老化后发光亮度函数f22(x)构建老化后发光亮度差值函数f2(x)；其中，f2(x)＝|f12(x)-f22(x)|。
优选的，根据与的大小关系比较结果，判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减的方法包括：
在时，判定OLED器件中发光层的发光材料未发生本征衰减；在时，判定OLED器件中发光层的发光材料发生本征衰减。
优选的，获取OLED器件老化前后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度；获取非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度Lna，和老化后OLED器件的发光亮度La；
存储非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度Lna，和老化后OLED器件的发光亮度La，以及比较Lna与La的大小关系；
根据Lna与La的大小关系的比较结果，判断OLED器件是否发生老化。
较佳的，根据Lna与La的大小关系的比较结果，判断OLED器件是否发生老化的方法包括：
在La<Lna时，判定所述OLED器件发生老化；在La＝Lna时，判定所述OLED器件未发生老化。
优选的，所述可变磁场环境的磁场强度范围为0-500mT，恒定微波环境的微波频率为10GHz-20GHz。
与现有技术相比，本发明提供的OLED器件衰减分析方法的有益效果与上述技术方案提供的OLED器件衰减分析装置的有益效果相同，在此不做赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例提供的OLED器件衰减分析装置的结构框图；
图2为图1中函数构建单元的结构框图；
图3为本发明实施例提供的OLED器件衰减分析装置中OLED发光亮度测量单元的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的OLED器件衰减分析装置在两种发光约束条件下所构建的函数对应的曲线图；
图5为本发明实施例提供的OLED器件衰减分析装置所构建的差值函数对应的曲线图；
图6为本发明实施例提供的OLED器件衰减分析方法的流程图；
图7为本发明实施例提供的OLED器件衰减分析方法中构建老化前发光亮度差值函数f1(x)的流程图；
图8为本发明实施例提供的OLED器件衰减分析方法中构建老化后发光亮度差值函数f2(x)的流程图；
图9为本发明实施例提供的OLED器件衰减分析方法中判断OLED器件 是否发生老化的流程图；
附图标记：
1-微波发生单元， 10-波导管；
100-数据获取单元， 11-微波载台；
2-磁场生成单元， 200-差值函数构建单元；
201-函数构建模块， 202-差值运算模块；
3-光学测量单元， 30-光纤；
300-积分单元， 4-OLED器件；
400-比较单元， 500-判定单元。
具体实施方式
为了进一步说明本发明实施例提供的OLED器件衰减分析装置及衰减分析方法，下面结合说明书附图进行详细描述。
实施例一
请参阅图1和图6，本发明实施例提供的OLED器件衰减分析装置包括：包括依次连接的差值函数构建单元200、积分单元300、比较单元400和判定单元500，
差值函数构建单元200用于根据OLED器件老化前，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化前发光亮度差值函数f1(x)；根据OLED器件老化后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化后发光亮度差值函数f2(x)；其中，第一发光约束条件为单重约束环境，所述单重约束环境为可变磁场环境，第二发光约束条件为双重约束环境，所述双重约束环境包括恒定微波环境和可变磁场环境，x为磁场强度；
积分单元300用于在可变磁场环境对应的磁场强度范围内，对老化前发光亮度差值函数f1(x)进行积分，得到老化前积分结果Ena，对老化后发光 亮度差值函数f2(x)进行积分，得到老化后积分结果Ea；
比较单元400用于其中，Lna为非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度，La为非发光约束条件下，老化后OLED器件的发光亮度；
判定单元500用于根据与的大小关系比较结果，判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减。
示例性的，判定单元500用于在时，判定OLED器件中发光层的发光材料未发生本征衰减；在时，判定OLED器件中发光层的发光材料发生本征衰减。
具体实施时，利用上述实施例提供的OLED器件衰减分析装置对老化前后的OLED器件进行分析。
利用差值函数构建单元200根据OLED器件老化前，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化前发光亮度差值函数f1(x)；
利用积分单元300在可变磁场环境对应的磁场强度范围内，对老化前发光亮度差值函数f1(x)进行积分，得到老化前积分结果Ena；
利用上述实施例提供的OLED器件衰减分析装置对老化后的OLED器件进行如下分析：
利用差值函数构建单元200根据OLED器件老化后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化后发光亮度差值函数f2(x)；
利用积分单元300在可变磁场环境对应的磁场强度范围内，对老化后发光亮度差值函数f2(x)进行积分，得到老化前积分结果Ea；
利用OLED器件衰减分析装置对老化前后的OLED器件完成上述分析后，利用比较单元400比较与的大小关系；
利用判定单元500根据与的大小关系比较结果，判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减。
示例性的，在时，判定OLED器件中发光层的发光材料未发生本征衰减；在时，判定OLED器件中发光层的发光材料发生本征衰减，而不是的电子传输层、空穴传输层、层界面，或者其他部分发生衰减。
通过上述具体实施过程可知，本发明实施例提供的OLED器件中，第一发光约束条件为可变磁场环境的单重约束环境，使得无论是老化前还是老化后的OLED器件，其中形成激子的电子和空穴均能响应磁场强度的变化(如图3中b曲线)，以发出不同亮度的光；而第二发光约束条件为恒定微波环境和可变磁场环境的双重约束环境，使得无论是老化前还是老化后的OLED器件，其中形成激子的电子和空穴不仅能够响应磁场强度的变化，而且还能够在恒定微波的作用下，使得发光亮度在一定的磁场强度范围内出现突变(如图3中a曲线)，因此，本发明提供的OLED器件衰减分析装置中，通过差值函数构建单元200根据OLED器件老化前后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建如图4所示的老化前发光亮度差值函数f1(x)和老化后发光亮度差值函数f2(x)，并在可变磁场环境对应的磁场强度范围内对其积分，即可得到表征老化前OLED器件内激子的数量的老化前积分结果Ena，以及表征老化后OLED器件内激子的数量的老化后积分结果Ea，而考虑到OLED器件中发光层中发光材料发生本征衰减后，其中的激子形成过程中，所存在的辐射跃迁机率相对非辐射跃迁概率相对减少，而OLED器件的发光亮度可以表征辐射跃迁的概率，因此，可以通过将老化前OLED器件的发光亮度Lna和老化前积分结果Ena的比值与老化后OLED器件的发光亮度La和老化后积分结果Ea的比值 进行对比，以判断出OLED器件的发光层中发光材料是否发生本征衰减。
其中，第二发光约束条件下，无论是老化前还是老化后的OLED器件，其中形成激子的电子和空穴能够在恒定微波的作用下，使得发光亮度在一定的磁场强度范围内出现突变，这是因为在第二发光约束条件下的恒定微波环境和可变磁场环境的双重约束环境，OLED器件中形成激子的电子和空穴发生共振响应，从而使得OLED器件的发光亮度在一定的磁场强度范围内出现突变。
可以理解的是，OLED器件中激子在形成后，存在辐射跃迁kp和非辐射跃迁knp，辐射跃迁kp会发射光子，而相应的非辐射跃迁knp则会在器件内形成热量扩散掉，如果OLED器件中发光层所含有的发光材料出现变质，则非辐射跃迁knp的概率相对于辐射跃迁kp的概率会增加，使得OLED器件的发光亮度降低，即OLED器件的发光亮度可以表征辐射跃迁的概率。
需要说明的是，上述实施例中的恒定微波环境的微波频率为10GHz-20GHz中的一个具体的微波频率，例如10GHz、20GHz或15GHz，而可变磁场环境的磁场强度范围为0-500mT，也可以根据实际情况选择。
而为了提高OLED器件衰减分析的准确性，老化前后的OLED器件为同一个OLED器件，因此，在利用OLED器件衰减分析装置对老化前的OLED器件完成上述分析后，对OLED器件进行老化处理，再利用OLED器件衰减分析装置对老化前后的OLED器件完成上述分析。
可以理解的是，老化前的OLED器件和老化后的OLED器件也可以为同一型号同一批次的OLED器件即可，即可以先利用OLED器件衰减分析装置对对老化前的OLED器件进行上述分析，也可以先利用OLED器件衰减分析装置对老化后的OLED器件进行上述分析，但这样会因为个体差异，导致OLED器件衰减分析准确性差。
具体的，请参阅图2、图7和图8，上述实施例中的差值函数构建单元200包括函数构建模块201以及与函数构建模块201的输出端相连的差值运算模块202；差值运算模块202的输出端与积分单元300的输入端相连；
函数构建模块201用于存储可变磁场环境所对应的可变磁场强度，根据 可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化前第一发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第一老化前发光亮度曲线的第一老化前发光亮度函数f11(x)，根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化前第二发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第二老化前发光亮度曲线的第二老化前发光亮度函数f21(x)；根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化后第一发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第一老化后发光亮度曲线的第一老化后发光亮度函数f12(x)，根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化后第二发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第二老化后发光亮度曲线的第二老化后发光亮度函数f22(x)；
差值运算模块202用于根据第一老化前发光亮度函数f11(x)与第二老化前发光亮度函数f21(x)构建老化前发光亮度差值函数f1(x)；以及根据第一老化后发光亮度函数f12(x)与第二老化后发光亮度函数f22(x)构建老化后发光亮度差值函数f2(x)；其中，f1(x)＝|f11(x)-f21(x)|，f2(x)＝|f12(x)-f22(x)|。
具体实施时，请参阅图7，利用函数构建单元200构建老化前发光亮度差值函数f1(x)采用如下方法：
利用函数构建模块201根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化前第一发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第一老化前发光亮度曲线的第一老化前发光亮度函数f11(x)；第一老化前发光亮度函数f11(x)；
利用函数构建模块201根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化前第二发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第二老化前发光亮度曲线的第二老化前发光亮度函数f21(x)；
利用差值运算模块202根据第一老化前发光亮度函数f11(x)与第二老化前发光亮度函数f21(x)构建老化前发光亮度差值函数f1(x)；其中，f1(x)＝|f11(x)-f21(x)|。
请参阅图8，利用函数构建单元200构建老化后发光亮度差值函数f2(x)采用如下方法：
利用函数构建模块201根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化后第一发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第一老化后发光亮度曲线的第一老化后发光亮度函数f12(x)；
利用函数构建模块201根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化后第二发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第二老化后发光亮度曲线的第二老化后发光亮度函数f22(x)；
利用差值运算模块202根据第一老化后发光亮度函数f12(x)与第二老化后发光亮度函数f22(x)构建老化后发光亮度差值函数f2(x)；其中，f2(x)＝|f12(x)-f22(x)|。
示例性的，例如：图3中b曲线示出了第一发光约束条件下的OLED器件对应的发光亮度曲线，该OLED器件可以为老化前的OLED器件，也可以为老化后的OLED器件。
图3中a曲线示出了第二发光约束条件下的OLED器件对应的发光亮度曲线，该OLED器件可以为老化前的OLED器件，也可以为老化后的OLED器件。
通过对比图3中a曲线和图3中b曲线可以发现，第一发光约束条件下，无论是老化前还是老化后的OLED器件，对应的发光亮度曲线比较平稳，且随着磁场强度的增加，OLED器件的发光亮度也在逐渐增加。
第二发光约束条件下，由于在恒定微波环境和可变磁场环境的双重约束环境的作用，无论是老化前还是老化后的OLED器件，其中形成激子的电子和空穴不仅能够响应磁场强度的变化，而且还在恒定微波的作用下，其发光亮度在一定的磁场强度范围内出现突变。
通过上述实施例中构建老化前发光亮度差值函数f1(x)和构建老化后发光亮度差值函数f2(x)的具体过程可知，不管是OLED器件老化前，还是OLED器件老化后，本发明实施例均是先分别第一发光约束条件下的函数和 第一发光约束条件函数，然后将这两个函数相减，即可得到对应的差值函数，可见，本发明实施例利用了OLED器件中形成激子的电子和空穴对第一发光约束条件和第二发光约束条件的响应差异性，获取能够反映激子数量的差值函数，而通过对该差值函数进行有限积分，所获取的积分结果就能够表征OLED器件内激子的数量。
考虑到OLED器件经过老化处理后，是否确实老化，请参阅图1和图9，上述实施例提供的OLED器件衰减分析装置还包括数据获取单元100，数据获取单元100的输出端分别与差值函数构建单元200的输入端和比较单元400的输入端相连；
示例性的，数据获取单元100的输出端与函数构建模块201的输入端相连。
数据获取单元100用于获取OLED器件老化前，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度；以及获取OLED器件老化后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度；还用于获取非发光约束条件下老化前OLED器件的发光亮度Lna，和非发光约束条件下老化后OLED器件的发光亮度La；
比较单元400还用于存储非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度Lna，和老化后OLED器件的发光亮度La，以及比较Lna与La的大小关系；
判定单元500还用于根据Lna与La的大小关系的比较结果，判断OLED器件是否发生老化。
具体实施时，利用数据获取单元100除了获取OLED器件老化前，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度；以及获取OLED器件老化后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度外，还获取非发光约束条件下老花前OLED器件发光亮度Lna，以及老化后OLED器件发光亮度La，
利用比较单元400存储非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮 度Lna，和老化后OLED器件的发光亮度La，以及比较Lna与La的大小关系；
利用判定单元500根据Lna与La的大小关系的比较结果，判断OLED器件是否发生老化。
通过上述具体实施过程可知，本发明实施例提供的OLED器件衰减分析装置通过将数据获取单元100的输出端与比较单元400的输入端相连，就能够通过数据获取单元100获取非发光约束条件下，老化前后OLED器件的发光亮度，并通过比较单元400和判定单元500判断其是否真正发生老化；而且，还能够通过比较单元存储非发光约束条件下，老化前后OLED器件的发光亮度，以便参与确定OLED器件中发光层的发光材料是否发生本征衰减。
可选的，判定单元500用于在La<Lna时，判定所述OLED器件发生老化；在La＝Lna时，判定所述OLED器件未发生老化。
需要说明的是，上述实施例中数据获取单元100获取OLED器件发光亮度，可以通过如图5所示的OLED发光亮度测量单元实现。该OLED发光亮度测量单元包括磁场生成单元2、微波发生单元1以及光学测量单元3；光学测量单元3的输出端与数据获取单元100相连；
磁场生成单元2用于给OLED器件提供可变磁场环境；
微波发生单元1用于给OLED器件提供恒定微波环境，硬件实现可通过普通的微波发生器实现，该微波发生器需能够提供恒定波长的微波。
光学测量单元3用于测量OLED器件老化前后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度；和/或，测量OLED器件老化前后，非发光约束条件下OLED器件发光亮度。可选的，光学测量装置可以为光功率计或光电倍增管，也可以为其他能够测量发光亮度的装置。
可以理解的是，为了便于OLED器件发光，可以进一步增设向OLED器件供电的电源，使得该OLED发光亮度测量单元可以独立工作；电源可以为高精度源表，如keithley2400，以保证向OLED器件提供恒定电流或者恒定电压，使得OLED器件不会受到除磁场和微波其他因素的影响。
该OLED发光亮度测量单元各次测量中，OLED器件与测试条件对应关系按照下表进行。
表1 各次测量OLED器件与测试条件对应关系
可选的，上述实施例中的磁场生成单元2为可控励磁电源，可控励磁电源所提供的磁场环境中设有用于承载OLED器件4的微波载台11，微波发生单元1的发射端通过波导管10与微波载台11相连。光学测量单元3通过光纤30收集OLED器件所放出的光。
由于磁场生成单元为可控励磁电源，以保证能够给OLED器件提供可变化的磁场，使得OLED器件能够因响应不同磁场强度，而发出不同亮度的光。
而且，由于微波载台11能够承载OLED器件，而微波发生单元1的发射端通过波导管10与微波载台11相连，这样微波载台11又相当于一个向OLED器件注入恒定微波环境的注入部件，且微波载台11位于可变磁场环境中。
需要说明的是，上述实施例中的微波波长和磁场强度的范围是有一定的对应关系的；可选的，该微波发生器提供10GHz-20GHz中任意频率的微波，如10GHz、13GHz或20GHz。可变磁场环境的磁场强度范围为0-500mT。
实施例二
请参阅图6，本发明实施例提供一种OLED器件衰减分析方法，包括：
根据OLED器件老化前，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化前发光亮度差值函 数f1(x)；根据OLED器件老化后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化后发光亮度差值函数f2(x)；其中，第一发光约束条件为单重约束环境，所述单重约束环境为可变磁场环境，第二发光约束条件为双重约束环境，所述双重约束环境包括恒定微波环境和可变磁场环境，x为磁场强度；
在可变磁场环境对应的磁场强度范围内，对老化前发光亮度差值函数f1(x)进行积分，得到老化前积分结果Ena，对老化后发光亮度差值函数f2(x)进行积分，得到老化后积分结果Ea；
比较与的大小关系；其中，Lna为非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度，La为非发光约束条件下，老化后OLED器件的发光亮度；
根据与的大小关系比较结果，判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减。
与现有技术相比，本发明实施例提供的OLED器件衰减分析方法的有益效果与上述实施例一提供的OLED器件衰减分析装置的有益效果相同在，在此不做赘述。
另外，上述实施例在构建老化后发光亮度差值函数f2(x)前，需要获取OLED器件老化前后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度。
可选的，根据与的大小关系比较结果，判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减的方法包括：
在时，判定OLED器件中发光层的发光材料未发生本征衰减；在时，判定OLED器件中发光层的发光材料发生本征衰减。
需要说明的是，上述实施例中的微波波长和磁场强度的范围是有一定的对应关系的；可选的，该微波发生器提供10GHz-20GHz中任意频率的微波， 如10GHz、13GHz或20GHz。可变磁场环境的磁场强度范围为0-500mT。
具体的，请参阅图7，根据OLED器件老化前，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化前发光亮度差值函数f1(x)的方法包括：
根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化前第一发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第一老化前发光亮度曲线的第一老化前发光亮度函数f11(x)；
根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化前第二发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第二老化前发光亮度曲线的第二老化前发光亮度函数f21(x)；
根据第一老化前发光亮度函数f11(x)与第二老化前发光亮度函数f21(x)构建老化前发光亮度差值函数f1(x)；其中，f1(x)＝|f11(x)-f21(x)|。
请参阅图8，根据OLED器件老化后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化后发光亮度差值函数f2(x)的方法包括：
根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化后第一发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第一老化后发光亮度曲线的第一老化后发光亮度函数f12(x)，根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化后第二发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第二老化后发光亮度曲线的第二老化后发光亮度函数f22(x)；
根据第一老化后发光亮度函数f12(x)与第二老化后发光亮度函数f22(x)构建老化后发光亮度差值函数f2(x)；其中，f2(x)＝|f12(x)-f22(x)|。
考虑到OLED器件在经过老化处理后，需要确认OLED器件是否真的被老化，因此，请参阅图9，上述实施例提供的OLED器件衰减分析方法还包括：
获取非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度Lna，和老化后OLED器件的发光亮度La；
存储非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度Lna，和老化后OLED器件的发光亮度La，以及比较Lna与La的大小关系；
根据Lna与La的大小关系的比较结果，判断OLED器件是否发生老化。
可选的，根根据Lna与La的大小关系的比较结果，判断OLED器件是否发生老化的方法包括：
在La<Lna时，判定所述OLED器件发生老化；在La＝Lna时，判定所述OLED器件未发生老化。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种OLED器件衰减分析装置，其特征在于，包括依次连接的差值函数构建单元、积分单元、比较单元和判定单元；
所述差值函数构建单元用于根据OLED器件老化前，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化前发光亮度差值函数f1(x)；根据OLED器件老化后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化后发光亮度差值函数f2(x)；其中，第一发光约束条件为单重约束环境，所述单重约束环境为可变磁场环境，第二发光约束条件为双重约束环境，所述双重约束环境包括恒定微波环境和可变磁场环境，x为磁场强度；
所述积分单元用于在可变磁场环境对应的磁场强度范围内，对老化前发光亮度差值函数f1(x)进行积分，得到老化前积分结果Ena，对老化后发光亮度差值函数f2(x)进行积分，得到老化后积分结果Ea；
所述比较单元用于比较与的大小关系；其中，Lna为非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度，La为非发光约束条件下，老化后OLED器件的发光亮度；
所述判定单元用于根据与的大小关系比较结果，判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减。
2.根据权利要求1所述的OLED器件衰减分析装置，其特征在于，所述差值函数构建单元包括函数构建模块以及与函数构建模块的输出端相连的差值运算模块；所述差值运算模块的输出端与积分单元的输入端相连；
所述函数构建模块用于存储可变磁场环境所对应的可变磁场强度，根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化前第一发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第一老化前发光亮度曲线的第一老化前发光亮度函数f11(x)，根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化前第二发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第二老化前发光亮度曲线的第二老化前发光亮度函数f21(x)；根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化后第一发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第一老化后发光亮度曲线的第一老化后发光亮度函数f12(x)，根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化后第二发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第二老化后发光亮度曲线的第二老化后发光亮度函数f22(x)；
所述差值运算模块用于根据第一老化前发光亮度函数f11(x)与第二老化前发光亮度函数f21(x)构建老化前发光亮度差值函数f1(x)；以及根据第一老化后发光亮度函数f12(x)与第二老化后发光亮度函数f22(x)构建老化后发光亮度差值函数f2(x)；其中，f1(x)＝|f11(x)-f21(x)|，f2(x)＝|f12(x)-f22(x)|。
3.根据权利要求1或2所述的OLED器件衰减分析装置，其特征在于，所述判定单元用于在时，判定OLED器件中发光层的发光材料未发生本征衰减；在时，判定OLED器件中发光层的发光材料发生本征衰减。
4.根据权利要求1所述的OLED器件衰减分析装置，其特征在于，所述OLED器件衰减分析装置还包括数据获取单元，所述数据获取单元的输出端分别与差值函数构建单元的输入端和比较单元的输入端相连；
所述数据获取单元用于获取OLED器件老化前后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度；还用于获取非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度Lna，和老化后OLED器件的发光亮度La；
所述比较单元还用于存储非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度Lna，和老化后OLED器件的发光亮度La，以及比较Lna与La的大小关系；
所述判定单元还用于根据Lna与La的大小关系的比较结果，判断OLED器件是否发生老化。
5.根据权利要求4所述的OLED器件衰减分析装置，其特征在于，所述判定单元用于在La＜Lna时，判定所述OLED器件发生老化；在La＝Lna时，判定所述OLED器件未发生老化。
6.根据权利要求4所述的OLED器件衰减分析装置，其特征在于，所述OLED器件衰减分析装置还包括：磁场生成单元、微波发生单元、光学测量单元以及与光学测量单元；所述光学测量单元的输出端与所述数据获取单元相连；
所述磁场生成单元用于给OLED器件提供可变磁场环境；
所述微波发生单元用于给OLED器件提供恒定微波环境；
所述光学测量单元用于测量OLED器件老化前后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度；和/或，
测量OLED器件老化前后，非发光约束条件下OLED器件发光亮度。
7.根据权利要求6所述的OLED器件衰减分析装置，其特征在于，所述磁场生成单元为可控励磁电源，所述可控励磁电源所提供的磁场环境中设有用于承载OLED器件的微波载台，所述微波发生单元的发射端通过波导管与微波载台相连。
8.根据权利要求6所述的OLED器件衰减分析装置，其特征在于，所述光学测量装置为光功率计或光电倍增管。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的OLED器件衰减分析装置，其特征在于，所述OLED器件衰减测试装置还包括向OLED器件供电的电源。
10.根据权利要求1所述的OLED器件衰减分析装置，其特征在于，所述恒定微波环境的微波频率为10GHz-20GHz，所述可变磁场环境的磁场强度范围为0-500mT。
11.一种OLED器件衰减分析方法，其特征在于，包括：
根据OLED器件老化前，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化前发光亮度差值函数f1(x)；根据OLED器件老化后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化后发光亮度差值函数f2(x)；其中，第一发光约束条件为单重约束环境，所述单重约束环境为可变磁场环境，第二发光约束条件为双重约束环境，所述双重约束环境包括恒定微波环境和可变磁场环境，x为磁场强度；
在可变磁场环境对应的磁场强度范围内，对老化前发光亮度差值函数f1(x)进行积分，得到老化前积分结果Ena，对老化后发光亮度差值函数f2(x)进行积分，得到老化后积分结果Ea；
比较与的大小关系；其中，Lna为非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度，La为非发光约束条件下，老化后OLED器件的发光亮度；
根据与的大小关系比较结果，判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减。
12.根据权利要求11所述的OLED器件衰减分析方法，其特征在于，根据OLED器件老化前，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化前发光亮度差值函数f1(x)的方法包括：
根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化前第一发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第一老化前发光亮度曲线的第一老化前发光亮度函数f11(x)；
根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化前第二发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第二老化前发光亮度曲线的第二老化前发光亮度函数f21(x)；
根据第一老化前发光亮度函数f11(x)与第二老化前发光亮度函数f21(x)构建老化前发光亮度差值函数f1(x)；其中，f1(x)＝|f11(x)-f21(x)|。
13.根据权利要求11或12所述的OLED器件衰减分析方法，其特征在于，根据OLED器件老化后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度的差值，构建老化后发光亮度差值函数f2(x)的方法包括：
根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化后第一发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第一老化后发光亮度曲线的第一老化后发光亮度函数f12(x)，根据可变磁场环境所对应的可变磁场强度和OLED器件老化后第二发光约束条件下OLED器件发光亮度构建表征第二老化后发光亮度曲线的第二老化后发光亮度函数f22(x)；
根据第一老化后发光亮度函数f12(x)与第二老化后发光亮度函数f22(x)构建老化后发光亮度差值函数f2(x)；其中，f2(x)＝|f12(x)-f22(x)|。
14.根据权利要求11所述的OLED器件衰减分析方法，其特征在于，根据与的大小关系比较结果，判断OLED器件的发光层的发光材料是否发生本征衰减的方法包括：
在时，判定OLED器件中发光层的发光材料未发生本征衰减；在时，判定OLED器件中发光层的发光材料发生本征衰减。
15.根据权利要求11所述的OLED器件衰减分析方法，其特征在于，所述OLED器件衰减分析方法还包括：
获取OLED器件老化前后，第一发光约束条件下OLED器件发光亮度和第二发光约束条件下OLED器件发光亮度；获取非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度Lna，和老化后OLED器件的发光亮度La；
存储非发光约束条件下，老化前OLED器件的发光亮度Lna，和老化后OLED器件的发光亮度La，以及比较Lna与La的大小关系；
根据Lna与La的大小关系的比较结果，判断OLED器件是否发生老化。
16.根据权利要求15所述的OLED器件衰减分析方法，其特征在于，根据Lna与La的大小关系的比较结果，判断OLED器件是否发生老化的方法包括：
在La＜Lna时，判定所述OLED器件发生老化；在La＝Lna时，判定所述OLED器件未发生老化。
17.根据权利要求11所述的OLED器件衰减分析方法，其特征在于，所述可变磁场环境的磁场强度范围为0-500mT，恒定微波环境的微波频率为10GHz-20GHz。
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