CN106233472A - 用于转换发光二极管的颜色的基底及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于转换发光二极管的颜色的基底及其生产方法，更具体地，涉及用于转换发光二极管的颜色的基底及其生产方法，其中，基底可以被气密密封从而可以完全保护其中包括的量子点(QD)不受外部的影响并且可以增强发光二极管的发射效率。因此，本发明提供用于转换发光二极管的颜色的基底及其生产方法，其中，其特征在于，基底包括：第一玻璃基底，设置在发光二极管上；第二玻璃基底，与第一基底相对地形成；结构，设置在第一基底和第二基底之间，具有开口，并且包括热膨胀系数(CTE)从30×10‑7/℃至80×10‑7/℃的材料；QD，填充开口；密封材料，分别形成在第一基底与结构的底表面之间以及在第二基底与结构的顶表面之间。

Description

用于转换发光二极管的颜色的基底及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于发光二极管(LED)的颜色转换基底及其制造方法。更具体地，本发明涉及能够形成气密密封，完全地保护容纳在LED中的量子点(QD，quantum dot)不受外部环境的影响并且改善LED的发光效率的用于LED的颜色转换基底及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED，light-emitting diode)是由诸如砷化镓(GaAs)的化合物形成以在电流施加到LED时发光的半导体器件。LED使用诸如电子或空穴的少数载流子注入到其中的半导体的p-n结，使得通过少数载流子的复合产生光。
LED的特性包括低功耗、相对长的使用寿命、安装在狭小的空间中的能力以及抗振动性。另外，LED用在显示装置中和显示装置的背光单元中。最近，已经开始进行将LED应用到一般照明装置的研究。除了诸如红色LED、蓝色LED或绿色LED的单色的LED之外，白色LED已经进入市场。具体地，因为白色LED可以应用到车辆和照明设备，所以预期对白色LED的需求急剧增加。
在LED技术领域中，通常使用两种主要的方法来产生白光。产生白光的第一种方法包括将诸如红色LED、绿色LED和蓝色LED的单色LED设置为彼此相邻使得由具有各种颜色的单色LED发射的光混合。然而，因为单个的单色LED具有不同的热特性或时间特性，所以色调可能根据使用这种装置的环境来改变。具体地，可能出现颜色斑，使得难以均匀地混合不同颜色的光。产生白光的第二种方法包括将荧光材料施用到LED并将由LED发射的部分的初始光与由荧光材料波长转换的二次光混合。例如，产生黄绿光或黄光的荧光材料可以用作对蓝色LED的光激发源，从而可以通过将由蓝色LED发射的蓝光与由荧光材料激发的黄绿光或黄光混合产生白光。现在，通常使用利用蓝色LED和荧光材料来实现白光的方法。
目前，产生具有比典型的荧光材料的波长窄的波长的强光的量子点(QD)用作颜色转换材料。通常，QD-LED背光通过将由LED发射的蓝光照射到黄色QD上来产生白光，并且将白光作为背光供应到液晶显示器(LCD)。因为使用这样的QD-LED背光的LCD的特性包括与仅利用使用LED的传统的背光的LCD不同的优异的色彩再现性，实现与OLED的全色相比肩的全色的能力以及与LED TV相比低制造成本和高生产效率，所以这些LCD具有作为新显示器的高潜力。
在相关技术中，制造这样的QD-LCD的方法包括：通过将QD与聚合物混合来形成QD片；随后使QD片涂覆有多个阻挡层以保护片表面不受外部湿气等的影响并且保持使用寿命。然而，这种相关技术的方法由于必须涂覆多次阻挡层而存在制造成本贵的问题，最重要的是，这种方法不能完全地保护QD不受外部环境的影响。
另外，在相关技术中使用的另一种方法包括：将玻璃表面蚀刻特定深度；将QD输入到玻璃表面的被蚀刻的部分中；用盖玻璃覆盖得到的结构；在外围施用低熔点的玻璃；烧结施用的低熔点的玻璃；使用激光束密封得到的结构。然而，蚀刻工艺造成制造成本昂贵。具体地，难以使用薄玻璃板。
现有技术文件
专利文件1：第10-2012-0009315韩国专利申请(2010年2月1日)
发明内容
技术问题
本发明的各个方面提供能够形成气密密封，完全地保护容纳在LED中的量子点不受外部环境的影响并且改善LED的发光效率的一种用于发光二极管(LED)的颜色转换基底及其制造方法
技术方案
在本发明的一方面，提供了一种用于LED的颜色转换基底，该颜色转换基底包括：第一玻璃基底，设置在LED上面；第二玻璃基底，面对第一玻璃基底；结构主体，设置在第一玻璃基底和第二玻璃基底之间，结构主体具有开口，并且由热膨胀系数(CTE)在从30×10-7/℃至80×10-7/℃的范围的材料形成；量子点，容纳在结构主体的开口中；密封剂，设置在第一玻璃基底与结构主体的底表面之间以及在第二玻璃基底与结构主体的顶表面之间。
根据本发明的实施例，结构主体可以是白色的。
结构主体可以由从由堇青石、氧化铝和硅锌矿组成的组中选择的一种来形成。
结构主体可以由含有白色颜料的玻璃材料形成。
密封剂可以由软化点比第一玻璃基底和第二玻璃基底的软化点低的玻璃料形成。
另外，密封剂可以包含黑色颜料。
在本发明的一方面，提供了一种制造用于LED的颜色转换基底的方法。所述方法包括：形成具有开口的结构主体，结构主体的CTE在从30×10-7/℃至80×10-7/℃的范围；在结构主体的顶表面和底表面上形成密封剂；将具有密封剂的结构主体设置在第一玻璃基底上，随后将量子点输入到结构主体的开口中；通过在容纳有量子点的结构主体上设置第二玻璃基底使得第二玻璃基底面对第一玻璃基底，随后将激光束照射到密封剂上，将第一玻璃基底和结构主体彼此激光密封以及将第二玻璃基底和结构主体彼此激光密封。
在本发明的一方面，提供了一种制造用于LED的颜色转换基底的方法。所述方法包括：形成具有开口的结构主体，结构主体的CTE在从30×10-7/℃至80×10-7/℃的范围；在第一玻璃基底的顶表面和第二玻璃基底的底表面上形成密封剂，密封剂具有与结构主体的接触表面的形状对应的形状；在第一玻璃基底的形成有密封剂的顶表面上设置结构主体使得结构主体与密封剂邻接，随后将量子点输入到结构主体的开口中；通过将第二玻璃基底设置在容纳有量子点的结构主体上使得第二玻璃基底面对第一玻璃基底，使得第二玻璃基底的底表面上的密封剂与结构主体邻接，随后将激光束照射到密封剂上，将第一玻璃基底和结构主体彼此激光密封以及将第二玻璃基底和结构主体彼此激光密封。
根据本发明的实施例，形成结构主体的操作可以包括成型并烧结由陶瓷材料或玻璃材料形成的粉末材料。
形成结构主体的操作可以包括成型并烧结由从由堇青石、氧化铝和硅锌矿组成的组中选择的一种形成的粉末材料。
形成结构主体的操作可以包括成型并烧结含有白色颜料的玻璃粉末材料。
在形成密封剂的步骤中，可以使用软化点比第一玻璃基底和第二玻璃基底的软化点低的玻璃料作为密封剂。
形成密封剂的操作可以包括将黑色颜料添加到密封剂。
另外，形成结构主体的步骤可以包括形成多个结构主体。所述方法还包括：在通过对所述多个结构主体中的每个结构主体实施形成密封剂的步骤、输入量子点的步骤以及激光密封的步骤来将所述多个结构主体设置在彼此面对的第一玻璃基底和第二玻璃基底之间后，将第一玻璃基底和第二玻璃基底切割成单元，所述单元中的每个单元由所述多个结构主体中的对应的一个结构主体来限定。
技术效果
根据如上阐述的本发明，将由低熔点的玻璃料形成的密封剂施用到具有将要容纳QD的开口的结构主体的顶表面和底表面上，并且在将密封剂激光密封到设置在结构主体的顶表面和底表面上的基底之前，随后对密封剂暂时烧结。因此，可以提供具有气密密封的用于LED的颜色转换基底，从而完全地保护容纳在结构主体中的QD不受外部环境的影响。
另外，根据本发明，由陶瓷材料形成的白色结构主体的制造和使用使由QD侧向发射的光能够反射，使得反射的光将被向前反射，从而改善LED的发光效率。
此外，根据本发明，省略了诸如意图保护QD的多层涂覆或蚀刻的相关技术工艺，因此，相比于相关技术的制造成本，能够降低制造成本并且去除对基底的厚度的限制。具体地，因为通过粉末压制制造了结构主体，所以结构主体可以以较低的成本批量生产。
附图说明
图1是示出根据本发明的示例性实施例的用于LED的颜色转换基底的俯视图；
图2是沿图1中的线A-A截取的剖视图；
图3是示出根据本发明的另一示例性实施例的用于LED的颜色转换基底的俯视图；
图4是沿图3中的线B-B截取的剖视图；
图5是示出根据本发明的另一示例性实施例的用于LED的颜色转换基底的工艺流程图；以及
图6至图10是顺序地示出根据本发明的示例性实施例的制造用于LED的颜色转换基底的方法的操作的工艺图。
具体实施方式
现在将详细地参照根据本发明的用于发光二极管(LED)的颜色转换基底及其制造方法，本发明的实施例示出在附图中并在下面对其进行描述，使得本发明所涉及的领域的技术人员可以容易地将本发明付诸实践。
贯穿该文件，应该参照附图，其中在整个不同的附图中使用相同的参考标号和标记来指示相同或相似的组件。在本发明的下面的描述中，在本发明的主题呈现不清楚的情况下，将省略对被包含于此的已知功能和组件的详细的描述。
如图1和图2中示出的，根据示例性实施例的用于LED的颜色转换基底(在下文中被称为“LED颜色转换基底”或“颜色转换基底”)100是设置在LED上，包封LED，并且转换由LED发射的光中的一部分光的颜色的基底。因此，包括颜色转换基底100和LED的LED封装件照射例如由蓝色LED发射的蓝光与来自颜色转换基底100的转换了颜色的光混合的白光。虽然附图中未示出，但是LED包括主体和LED芯片。LED的主体是具有预定形状的开口并提供其中安装有LED芯片的结构空间的结构。主体具有将LED芯片电连接到外部电源所经的布线和引线框架。另外，LED芯片安装在主体上，经由布线和引线框架连接到外部电源，并且用作使用外部电流发光的光源。LED芯片实现为提供电子的n型半导体层和提供空穴的p型半导体层的正向结。
如上设置在LED上的根据该实施例的颜色转换基底100包括第一玻璃基底110、第二玻璃基底120、结构主体130、量子点(QD)140和密封剂150。
第一玻璃基底110是颜色转换基底100的与LED相邻设置的部分。第二玻璃基底120设置为面对第一玻璃基底110，并且是颜色转换基底100的与LED最远设置的部分。即，第一玻璃基底110和第二玻璃基底120借助夹在其间的结构主体130、QD 140和密封剂150彼此间隔开，使得第一玻璃基底110和第二玻璃基底120彼此面对。第一玻璃基底110和第二玻璃基底120用作在保护QD 140不受外部环境的影响的同时由LED发射的光向外照射所经的路径。为此，第一玻璃基底110和第二玻璃基底120可以由透明玻璃基底形成。优选的是，第一玻璃基底110和第二玻璃基底120的热膨胀系数(CTE)等于或相似于密封剂150的组分的CTE。该特征能够通过激光密封在第一玻璃基底110、第二玻璃基底120和密封剂150之间形成气密密封。优选的是，第一玻璃基底110和第二玻璃基底120的软化点高于密封剂150的软化点。该特征意图防止在执行烧结以形成密封剂150的同时使第一玻璃基底110和第二玻璃基底120变形。根据本发明的该实施例，第一玻璃基底110和第二玻璃基底120可以由硼硅酸盐玻璃(borosilicate glass)或钠钙玻璃(soda lime glass)形成。这要求密封剂150由如下材料形成：其CTE等于或相似于第一玻璃基底110和第二玻璃基底120的CTE且其软化点低于第一玻璃基底110和第二玻璃基底120的软化点。后面将详细地描述密封剂150的这些性质。
结构主体130设置在第一玻璃基底110和第二玻璃基底120之间。结构主体130具有其中容纳有QD 140的开口，开口限定在结构主体130的中心部分中。如图1和图2中示出的，结构主体130基本上呈长方形框架的形状。根据本发明的该实施例，结构主体130由其CTE在从30×10-7/℃至80×10-7/℃的范围的材料形成，使得结构主体130可以与密封剂150通过激光密封提供气密密封。另外，为了反射通过容纳在开口中的QD 140侧向发射的光，结构主体130可以是白色的，使得反射的光朝向前方，从而改善LED的发光效率。根据本发明的该实施例，结构主体130可以由其CTE在从30×10-7/℃至80×10-7/℃的范围的白色陶瓷材料形成，例如，堇青石(cordierite)、氧化铝(alumina)或硅锌矿(willemite)。另外，结构主体130可以由含有白色颜料的玻璃形成。所述玻璃的CTE在从30×10-7/℃至80×10-7/℃的范围。可以通过粉末压制来制造结构主体130，这将在后面进行更详细的描述。
QD 140容纳在结构主体130的开口内。QD 140通过被激光密封的第一玻璃基底110、第二玻璃激动120、结构主体130和密封剂150气密地包封。以这种方式，可以完全地保护QD 140不受外界影响。QD 140是半导体的纳米晶体材料，QD 140的直径大约在1nm至10nm的范围，并且具有量子限制效应。QD 140转换由LED发射的光的波长，从而产生转换波长的光或荧光。根据本发明的该实施例，LED实现为蓝色LED，QD 140由能够将由蓝色LED发射的光中的一部分光波长转换成黄光的材料形成，以通过混合黄光和蓝光来产生白光。
密封剂150形成在第一玻璃基底110与结构主体130的底表面之间以及在第二玻璃基底120与结构主体130的顶表面之间。在这种构造的情况下，由于将激光束照射到密封剂150上的密封工艺，QD 140可以通过第一玻璃基底110和结构主体130以及通过第二玻璃基底120和结构主体130而设置有气密密封，从而完全地被保护不受外部环境的影响。根据本发明的该实施例，密封剂150可以由低熔点的玻璃料(glass frit)形成。密封剂150可以由其CTE等于或相似于第一玻璃基底110、第二玻璃基底120或结构主体130的CTE的玻璃料形成，使得能够对密封剂150进行激光密封。另外，优选的是，密封剂150由其软化点(softening point)低于第一玻璃基底110和第二玻璃基底120的软化点的玻璃料形成，以防止在执行烧结以在第一玻璃基底110和第二玻璃基底120上形成密封剂150的同时使第一玻璃基底110和第二玻璃基底120变形。例如，密封剂150可以由具有吸收激光在800nm至900nm范围的波长的优异能力的V2O5-P2O5系玻璃料或Bi2O3-B2O3-ZnO系玻璃料形成。为了进一步改善激光吸收，密封剂150的组分可以包括黑色颜料(black pagment)。密封剂150中包括的黑色颜料可以实现为MnO2-Fe2O3系材料，黑色颜料的含量按重量计可以在密封剂150的2wt％至10wt％的范围内。当黑色颜料的含量按重量计超出10wt％时，密封剂150的物理性质改变。当黑色颜料的含量按重量计小于2wt％时，对在上面陈述的波长范围(即，红外(IR)范围)内的激光的吸收降低。在这种情况下，气密密封变得困难。
下面将参照图3和图4给出根据本发明的另一示例性实施例的LED颜色转换基底的描述。
图3是示出根据本发明的该实施例的LED颜色转换基底的俯视图，图4是沿图3中的线B-B截取的剖视图。
如图3和图4中示出的，根据该实施例的LED颜色转换基底200被构造为多个结构主体130设置在第一玻璃基底110和面对第一玻璃基底110的第二玻璃基底120之间。该实施例与前述实施例不同之处仅在于结构主体130的数量以及QD 140的得到的数量。因此，因为该实施例的组件与前述实施例的组件相同，所以将省略对该实施例的组件的详细的描述。
具有这种结构的颜色转换基底200可以是可应用到用作大的显示器的背光源或宽区域的照明设备的光源的多个LED的基底，或者可以是假定被分成单元(cell)的块状基底，每个单元基于结构主体130中的单个结构主体或由结构主体130中的单个结构主体限定，并应用到相同数量的LED中的对应的一个LED。
与根据前述实施例的LED颜色转换基底100类似，根据该实施例的LED颜色转换基底200包括彼此面对的第一玻璃基底110和第二玻璃基底120、多个结构主体130、多个QD140和密封剂150，多个结构主体130设置在第一玻璃基底110和第二玻璃基底120之间，结构主体130的CTE在从30×10-7/℃至80×10-7/℃的范围，多个QD 140分别容纳在结构主体130的开口中，密封剂150设置在第一玻璃基底110与结构主体130之间以及在结构主体130与第二玻璃基底120之间。当执行激光密封时，密封剂150用作将第一玻璃基底110和结构主体130彼此结合以及结构主体130和第二玻璃基底120彼此结合的媒介。以这种方式，提供了针对QD 140的气密密封，从而完全地保护QD不受外部环境的影响。具体地，结构主体130形成为白色以反射从QD侧向发射的光，使得反射的光朝向前方，从而改善LED的发光效率。
下面将参照图5至图10给出根据本发明的示例性实施例的制造LED颜色转换基底的方法的描述。
参照图5，根据该实施例制造LED颜色转换基底的方法包括结构主体形成步骤S1、密封剂形成步骤S2、QD输入步骤S3和激光密封步骤S4。在下面对根据该实施例的制造LED颜色转换基底的方法的描述中，LED颜色转换基底将示出为是可应用于显示器的背光源或宽区域照明设备的光源的LED颜色转换基底。
首先，如图6中示出的，结构主体形成步骤S1形成具有开口的结构主体130，并且其CTE在从30×10-7/℃至80×10-7/℃的范围。结构主体形成步骤S1包括通过陶瓷材料或玻璃材料的粉末形成颗粒并随后通过成型和烧结颗粒形成具有开口的结构主体130，结构主体130呈长方形框架的形状。例如，结构主体形成步骤S1可以通过成型和烧结由白色的堇青石、氧化铝和硅锌矿中的一种形成的粉末来形成结构主体130，或者可以通过成型和烧结添加了白色颜料的玻璃粉末来形成结构主体130。
之后，如图7中示出的，密封剂形成步骤S2在结构主体130的顶表面和底表面上形成密封剂150。在密封剂形成步骤S2中，将由呈膏形的低熔点的玻璃料形成的密封剂150施用到结构主体130的顶表面和底表面上，并随后被烧结。这里，密封剂150由低熔点的玻璃料形成，其软化点低于将要借助密封剂150结合到结构主体130的第一玻璃基底110和第二玻璃基底120的软化点。例如，密封剂形成步骤S2可以使用V2O5-P2O5系玻璃料或Bi2O3-B2O3-ZnO系玻璃料作为密封剂150。另外，在密封剂形成步骤S2中，可以将由MnO2-Fe2O3系材料形成的黑色颜料添加到密封剂150，以进一步改善密封剂150的IR范围中的激光吸收。
另外，如图8中示出的，作为可替代的选择，密封剂形成步骤S2可以在第一玻璃基底110和第二玻璃基底120中的每个的邻接结构主体130的一个表面上形成密封剂150。具体地，密封剂形成步骤S2包括将低熔点的玻璃料的膏以与结构主体130的接触表面对应的形状来施用到第一玻璃基底110和第二玻璃基底120中的每个的一个表面上，并随后瞬时地烧结所述膏。这里，通过印刷执行施用膏的操作。
在下文中，如图9中示出的，QD输入步骤S3将QD输入到结构主体130的每个开口中。具体地，在第一玻璃基底110上设置其上设置有密封剂150的多个结构主体130或者在第一玻璃基底110的其上设置有密封剂150的顶表面上设置多个结构主体130，使得多个结构主体130邻接密封剂150之后，将由蓝色二极管发射的光中的一部分光波长转换成黄光的QD140输入到多个结构主体130的每个开口中。
最后，如图10中示出的，激光密封步骤S4借助密封剂150通过将激光束照射到密封剂150上来将第一玻璃基底110和结构主体130彼此密封以及将第二玻璃基底120和结构主体130彼此密封。在激光密封步骤S4中，当将密封剂150形成在结构主体130的顶表面和底表面上时，在将第二玻璃基底120设置在其中容纳有QD 140的多个结构主体130上使得第二玻璃基底120面对第一玻璃基底110之后，可以将激光束照射到密封剂150上。可选择地，当将密封剂150形成在第一玻璃基底110和第二玻璃基底120上时，在将其底表面上形成有密封剂150的第二玻璃基底120设置在多个结构主体130上使得密封剂150邻接多个结构主体130的顶表面之后，可以将激光束照射到密封剂150上。
当如上完成激光密封步骤S4时，制造了根据本发明的另一实施例的LED颜色转换基底200。当通过根据本发明的实施例的制造方法制造LED颜色转换基底200时，省略了意图保护QD的相关技术的多层涂覆工艺，从而与相关技术相比降低了制造成本。另外，省略了针对QD的容纳所需要的相关技术的蚀刻涂覆工艺，从而去除对基底的厚度的限制。具体地，因为通过粉末压制制造了结构主体130，所以结构主体130可以以较低的成本批量生产。
通过根据本发明的实施例的制造方法制造的颜色转换基底200可应用于显示器的背光源或者宽区域照明设备的光源。另外，颜色转换基底200可以被分割成多个单元，每个单元用作LED颜色转换基底(见图1中的100)。出于此目的，可以另外执行将通过根据本发明的实施例制造LED颜色转换基底的方法制造的颜色装换基底200切割成单元的工艺，每个单元由对应的结构主体130来限定。如上面阐述的，根据本发明的实施例，通过制造将要被分为多个单元的块状颜色转换基底200并随后将块状颜色转换基底200切割成多个单元，能够促进可应用于单个LED的颜色转换基底(图1中的100)的批量生产。
已经针对附图呈现了对本发明的具体的示例性实施例的上述描述。上述描述不意图穷尽本发明或将本发明限制到所公开的精确的形式，并且对于本领域普通技术人员来说显然的是，根据上述教导，许多修改和改变是可能的。
因此，本发明的范围不意图受限于上述实施例，而是由所附权利要求及其等同物来限定。
参考标号的解释
100、200：颜色转换基底 110：第一玻璃基底
120：第二玻璃基底 130：结构主体
140：QD 150：密封剂

Claims (14)

1.一种用于发光二极管的颜色转换基底，所述颜色转换基底包括：
第一玻璃基底，设置在发光二极管上面；
第二玻璃基底，面对第一玻璃基底；
结构主体，设置在第一玻璃基底和第二玻璃基底之间，结构主体具有开口，并且包括热膨胀系数从30×10-7/℃至80×10-7/℃的范围的材料；
量子点，容纳在结构主体的开口中；以及
密封剂，设置在第一玻璃基底与结构主体的底表面之间以及在第二玻璃基底与结构主体的顶表面之间。
2.根据权利要求1所述的颜色转换基底，其中，结构主体是白色的。
3.根据权利要求2所述的颜色转换基底，其中，结构主体包括从由堇青石、氧化铝和硅锌矿组成的组中选择的一种。
4.根据权利要求2所述的颜色转换基底，其中，结构主体包括含有白色颜料的玻璃材料。
5.根据权利要求1所述的颜色转换基底，其中，密封剂包括软化点比第一玻璃基底和第二玻璃基底的软化点低的玻璃料。
6.根据权利要求5所述的颜色转换基底，其中，密封剂包含黑色颜料。
7.一种制造用于发光二极管的颜色转换基底的方法，所述方法包括如下步骤：
形成具有开口的结构主体，结构主体的热膨胀系数在从30×10-7/℃至80×10-7/℃的范围；
在结构主体的顶表面和底表面上形成密封剂；
将具有密封剂的结构主体设置在第一玻璃基底上，随后将量子点输入到结构主体的开口中；以及
通过在容纳有量子点的结构主体上设置第二玻璃基底使得第二玻璃基底面对第一玻璃基底，随后将激光束照射到密封剂上，将第一玻璃基底和结构主体彼此激光密封以及将第二玻璃基底和结构主体彼此激光密封。
8.一种制造用于发光二极管的颜色转换基底的方法，所述方法包括如下步骤：
形成具有开口的结构主体，结构主体的热膨胀系数在从30×10-7/℃至80×10-7/℃的范围；
以与结构主体的密封剂将接触的接触表面的形状对应的形状，在第一玻璃基底的顶表面和第二玻璃基底的底表面上形成密封剂；
将结构主体设置在第一玻璃基底的形成有密封剂的顶表面上使得结构主体与密封剂接触，随后将量子点输入到结构主体的开口中；以及
通过将第二玻璃基底设置在容纳有量子点的结构主体上使得第二玻璃基底面对第一玻璃基底并且使得第二玻璃基底的底表面上的密封剂与结构主体接触，随后将激光束照射到密封剂上，将第一玻璃基底和结构主体彼此激光密封以及将第二玻璃基底和结构主体彼此激光密封。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，形成结构主体的步骤包括成型并烧结包括陶瓷材料或玻璃材料的粉末材料。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，粉末材料包括从由堇青石、氧化铝和硅锌矿组成的组中选择的一种。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，粉末材料包括含有白色颜料的玻璃粉末材料。
12.根据权利要求7或8所述的方法，其中，在形成密封剂的步骤中，使用软化点比第一玻璃基底和第二玻璃基底的软化点低的玻璃料作为密封剂。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成密封剂的步骤包括将黑色颜料添加到密封剂。
14.根据权利要求7或8所述的方法，其中，形成结构主体的步骤包括形成多个结构主体，
其中，所述方法还包括：
在通过对所述多个结构主体中的每个结构主体实施形成密封剂的步骤、输入量子点的步骤以及激光密封的步骤来将所述多个结构主体设置在彼此面对的第一玻璃基底和第二玻璃基底之间后，
将第一玻璃基底和第二玻璃基底切割成单元，所述单元中的每个单元由所述多个结构主体中的对应的一个结构主体来限定。
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