CN106230388A - 一种高噪声抑制shf波段低噪声放大器模块 - Google Patents

一种高噪声抑制shf波段低噪声放大器模块 Download PDF

Info

Publication number
CN106230388A
CN106230388A CN201610763018.6A CN201610763018A CN106230388A CN 106230388 A CN106230388 A CN 106230388A CN 201610763018 A CN201610763018 A CN 201610763018A CN 106230388 A CN106230388 A CN 106230388A
Authority
CN
China
Prior art keywords
strip line
line
layer
shf band
earth terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610763018.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106230388B (zh
Inventor
戴永胜
陈相治
杨茂雅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Wonder Electronic Technology Co ltd
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201610763018.6A priority Critical patent/CN106230388B/zh
Publication of CN106230388A publication Critical patent/CN106230388A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106230388B publication Critical patent/CN106230388B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
    • H01P1/20354—Non-comb or non-interdigital filters
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，属于放大器技术领域，包括低噪声放大器LNA和SHF波段滤波器Filter，采用LTCC技术，实现在作频段为3.1‑3.4GHz时对信号的放大，体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块。

Description

一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块
技术领域
本发明属于放大器技术领域。
背景技术
近年来，随着移动通信、卫星通信及国防电子系统的微型化的迅速发展，高性能、低成本和小型化已经成为目前微波/射频领域的发展方向，对微波滤波器的性能、尺寸、可靠性和成本均提出了更高的要求。在一些国防尖端设备中，双工器已经成为该波段接收和发射支路中的关键电子部件，描述这种部件性能的主要指标有：通带工作频率范围、阻带频率范围、隔离度、通带插入损耗、阻带衰减、通带输入/输出电压驻波比、插入相移和时延频率特性、温度稳定性、体积、重量、可靠性等。
低温共烧陶瓷是一种电子封装技术，采用多层陶瓷技术，能够将无源元件内置于介质基板内部，同时也可以将有源元件贴装于基板表面制成无源/有源集成的功能模块。LTCC技术在成本、集成封装、布线线宽和线间距、低阻抗金属化、设计多样性和灵活性及高频性能等方面都显现出众多优点，已成为无源集成的主流技术。其具有高Q值，便于内嵌无源器件，散热性好，可靠性高，耐高温，冲震等优点，利用LTCC技术，可以很好的加工出尺寸小，精度高，紧密型好，损耗小的微波器件。
发明内容
本发明的目的是提供一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，采用LTCC技术，实现在作频段为3.1-3.4GHz时对信号的放大，体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，包括低噪声放大器LNA和SHF波段滤波器Filter，SHF波段滤波器Filter的上侧面设有低噪声放大器LNA，SHF波段滤波器Filter的左侧面设有信号输入端P1，SHF波段滤波器Filter的右侧面设有信号输出端P2，SHF波段滤波器Filter的后侧面从左至右设有接地端P3和电源端P4，SHF波段滤波器Filter的前侧面从左至右设有悬空端P5和接地端P6，信号输入端P1、接地端P6和电源端P4分别通过带状线input、带状线GND和带状线VDD连接低噪声放大器LNA，低噪声放大器LNA的输出端连接带状线output；
SHF波段滤波器Filter包括第一接地层、第一Z形结构层、第一谐振层、第二谐振层、第二接地层、第三谐振层、第四谐振层、第二Z形结构层、第三接地层、通孔Via1和通孔Via2，第一接地层、第一Z形结构层、第一谐振层、第二谐振层、第二接地层、第三谐振层、第四谐振层、第二Z形结构层和第三接地层为从上至下依次设置，第一接地层上设有接地板shield1，第二接地层上设有接地板shield2，第三接地层上设有接地板shield3，第一Z形结构层上设有Z形带状线Z1、Z形带状线Z1的一端连接接地端P3，另一端连接接地端P6；
第一层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4，带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4的前端均通过带状线连接在一起，带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4的后端均为悬空设置，带状线L4的右边设有通孔Via1，带状线L4通过通孔Via1连接带状线output，带状线L4的前端连接接地端P6；
第二层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8，带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8的后端均通过带状线连接在一起，带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8的前端均为悬空设置，带状线L5的后端连接接地端P3；
第三层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16，带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16的后端均通过带状线连接在一起，带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16的前端均为悬空设置，带状线L13的后端连接接地端P3；
第四层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12，带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12的前端均通过带状线连接在一起，带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12的后端均为悬空设置，带状线L9的左边设有通孔Via2，带状线L9通过通孔Via2连接带状线L1，带状线L12的前端连接接地端P6，带状线L12还连接信号输出端P2；
第二Z形结构层上设有Z形带状线Z2，Z形带状线Z2的一端连接接地端P3，另一端连接接地端P6。
所述信号输入端P2和信号输出端P1均为共面波导结构的50欧姆阻抗的端口。
所述一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块由多层低温共烧陶瓷工
艺制成。
本发明所述的一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，采用LTCC技术，实现在作频段为3.1-3.4GHz时对信号的放大，体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，可大批量生产等优点，卫星通信等对体积、电性能、温度稳定性和可靠性有苛刻要求的场合和相应的系统中。
附图说明
图1是本发明的原理图框图；
图2是本发明的外部结构示意图；
图3是本发明的SHF波段滤波器Filter的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示的一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，包括低噪声放大器LNA和SHF波段滤波器Filter，SHF波段滤波器Filter的上侧面设有低噪声放大器LNA，SHF波段滤波器Filter的左侧面设有信号输入端P1，SHF波段滤波器Filter的右侧面设有信号输出端P2，SHF波段滤波器Filter的后侧面从左至右设有接地端P3和电源端P4，SHF波段滤波器Filter的前侧面从左至右设有悬空端P5和接地端P6，信号输入端P1、接地端P6和电源端P4分别通过带状线input、带状线GND和带状线VDD连接低噪声放大器LNA，低噪声放大器LNA的输出端连接带状线output；
SHF波段滤波器Filter包括第一接地层、第一Z形结构层、第一谐振层、第二谐振层、第二接地层、第三谐振层、第四谐振层、第二Z形结构层、第三接地层、通孔Via1和通孔Via2，第一接地层、第一Z形结构层、第一谐振层、第二谐振层、第二接地层、第三谐振层、第四谐振层、第二Z形结构层和第三接地层为从上至下依次设置，第一接地层上设有接地板shield1，第二接地层上设有接地板shield2，第三接地层上设有接地板shield3，第一Z形结构层上设有Z形带状线Z1、Z形带状线Z1的一端连接接地端P3，另一端连接接地端P6；
第一层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4，带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4的前端均通过带状线连接在一起，带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4的后端均为悬空设置，带状线L4的右边设有通孔Via1，带状线L4通过通孔Via1连接带状线output，带状线L4的前端连接接地端P6；
第二层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8，带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8的后端均通过带状线连接在一起，带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8的前端均为悬空设置，带状线L5的后端连接接地端P3；
第三层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16，带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16的后端均通过带状线连接在一起，带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16的前端均为悬空设置，带状线L13的后端连接接地端P3；
第四层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12，带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12的前端均通过带状线连接在一起，带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12的后端均为悬空设置，带状线L9的左边设有通孔Via2，带状线L9通过通孔Via2连接带状线L1，带状线L12的前端连接接地端P6，带状线L12还连接信号输出端P2；
第二Z形结构层上设有Z形带状线Z2，Z形带状线Z2的一端连接接地端P3，另一端连接接地端P6。
所述信号输入端P2和信号输出端P1均为共面波导结构的50欧姆阻抗的端口。
所述一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块由多层低温共烧陶瓷工艺制成。
本发明采用的WFD022036-L12型芯片使用0.5um栅长砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺制造而成。所有芯片产品经100％射频测量。该芯片主要用于微波收发组件，无线通信等。
本发明一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，其工作频段为3.1-3.4GHz，尺寸仅为3.4mm*4.1mm*2.53mm.
本发明所述的一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，采用LTCC技术，实现在作频段为3.1-3.4GHz时对信号的放大，体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、结构简单、成品率高、批量一致性好、造价低、温度性能稳定的新结构高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，可大批量生产等优点，卫星通信等对体积、电性能、温度稳定性和可靠性有苛刻要求的场合和相应的系统中。

Claims (3)

1.一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，其特征在于：包括低噪声放大器LNA和SHF波段滤波器Filter，SHF波段滤波器Filter的上侧面设有低噪声放大器LNA，SHF波段滤波器Filter的左侧面设有信号输入端P1，SHF波段滤波器Filter的右侧面设有信号输出端P2，SHF波段滤波器Filter的后侧面从左至右设有接地端P3和电源端P4，SHF波段滤波器Filter的前侧面从左至右设有悬空端P5和接地端P6，信号输入端P1、接地端P6和电源端P4分别通过带状线input、带状线GND和带状线VDD连接低噪声放大器LNA，低噪声放大器LNA的输出端连接带状线output；
SHF波段滤波器Filter包括第一接地层、第一Z形结构层、第一谐振层、第二谐振层、第二接地层、第三谐振层、第四谐振层、第二Z形结构层、第三接地层、通孔Via1和通孔Via2，第一接地层、第一Z形结构层、第一谐振层、第二谐振层、第二接地层、第三谐振层、第四谐振层、第二Z形结构层和第三接地层为从上至下依次设置，第一接地层上设有接地板shield1，第二接地层上设有接地板shield2，第三接地层上设有接地板shield3，第一Z形结构层上设有Z形带状线Z1、Z形带状线Z1的一端连接接地端P3，另一端连接接地端P6；
第一层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4，带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4的前端均通过带状线连接在一起，带状线L1、带状线L2、带状线L3和带状线L4的后端均为悬空设置，带状线L4的右边设有通孔Via1，带状线L4通过通孔Via1连接带状线output，带状线L4的前端连接接地端P6；
第二层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8，带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8的后端均通过带状线连接在一起，带状线L5、带状线L6、带状线L7和带状线L8的前端均为悬空设置，带状线L5的后端连接接地端P3；
第三层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16，带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16的后端均通过带状线连接在一起，带状线L13、带状线L14、带状线L15和带状线L16的前端均为悬空设置，带状线L13的后端连接接地端P3；
第四层谐振层上从左至右依次间隔设有带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12，带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12的前端均通过带状线连接在一起，带状线L9、带状线L10、带状线L11和带状线L12的后端均为悬空设置，带状线L9的左边设有通孔Via2，带状线L9通过通孔Via2连接带状线L1，带状线L12的前端连接接地端P6，带状线L12还连接信号输出端P2；
第二Z形结构层上设有Z形带状线Z2，Z形带状线Z2的一端连接接地端P3，另一端连接接地端P6。
2.如权利要求1所述的一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，其特征在于：所述信号输入端P2和信号输出端P1均为共面波导结构的50欧姆阻抗的端口。
3.如权利要求1所述的一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块，其特征在于：所述一种高噪声抑制SHF波段低噪声放大器模块由多层低温共烧陶瓷工艺制成。
CN201610763018.6A 2016-08-28 2016-08-28 一种高噪声抑制shf波段低噪声放大器模块 Active CN106230388B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610763018.6A CN106230388B (zh) 2016-08-28 2016-08-28 一种高噪声抑制shf波段低噪声放大器模块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610763018.6A CN106230388B (zh) 2016-08-28 2016-08-28 一种高噪声抑制shf波段低噪声放大器模块

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106230388A true CN106230388A (zh) 2016-12-14
CN106230388B CN106230388B (zh) 2023-06-20

Family

ID=58071838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610763018.6A Active CN106230388B (zh) 2016-08-28 2016-08-28 一种高噪声抑制shf波段低噪声放大器模块

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106230388B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107612511A (zh) * 2017-08-21 2018-01-19 南京理工大学 一种ltcc高稳定度超宽带平衡式低噪声放大器
CN107645286A (zh) * 2017-08-30 2018-01-30 南京理工大学 一种c波段分布式超宽带滤波功率放大模块
CN107645281A (zh) * 2017-08-30 2018-01-30 南京理工大学 一种s波段窄带滤波功率放大模块

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010147589A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Hitachi Metals Ltd 高周波回路、高周波部品及び通信装置
CN104241747A (zh) * 2014-09-13 2014-12-24 南京理工大学 微型有源微波毫米波i/q可变倒相正交滤波器
US20150214594A1 (en) * 2012-06-21 2015-07-30 Telefonakbiebolagat L M Ericsson (Publ) Bandpass filter and method of fabricating the same
CN105762444A (zh) * 2016-04-19 2016-07-13 戴永胜 一种uhf波段微型微波滤波器
CN206060693U (zh) * 2016-08-28 2017-03-29 戴永胜 一种高噪声抑制shf波段低噪声放大器模块

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010147589A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Hitachi Metals Ltd 高周波回路、高周波部品及び通信装置
US20150214594A1 (en) * 2012-06-21 2015-07-30 Telefonakbiebolagat L M Ericsson (Publ) Bandpass filter and method of fabricating the same
CN104241747A (zh) * 2014-09-13 2014-12-24 南京理工大学 微型有源微波毫米波i/q可变倒相正交滤波器
CN105762444A (zh) * 2016-04-19 2016-07-13 戴永胜 一种uhf波段微型微波滤波器
CN206060693U (zh) * 2016-08-28 2017-03-29 戴永胜 一种高噪声抑制shf波段低噪声放大器模块

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
WEI ZHOU等: "The research of LTCC bandpass filter with Ultra Wideband and High perfermance", 《 33RD AIAA INTERNATIONAL COMMUNICATIONS STELLITE SYSTEMS CONFERENCE AND EXHIBITON(ICSSC) 》 *
戴永胜 等: "基于LTCC技术的高性能级联带通滤波器的研究", 《功能材料与器件学报》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107612511A (zh) * 2017-08-21 2018-01-19 南京理工大学 一种ltcc高稳定度超宽带平衡式低噪声放大器
CN107645286A (zh) * 2017-08-30 2018-01-30 南京理工大学 一种c波段分布式超宽带滤波功率放大模块
CN107645281A (zh) * 2017-08-30 2018-01-30 南京理工大学 一种s波段窄带滤波功率放大模块

Also Published As

Publication number Publication date
CN106230388B (zh) 2023-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104241747B (zh) 微型有源微波毫米波i/q可变倒相正交滤波器
CN106230395B (zh) 一种高度抑制uhf波段低噪声放大器模块
CN104078729B (zh) 微型微波毫米波外负载i/q可变倒相正交滤波器
CN106230388A (zh) 一种高噪声抑制shf波段低噪声放大器模块
CN206060693U (zh) 一种高噪声抑制shf波段低噪声放大器模块
CN106207337A (zh) 一种阶跃阻抗加载电容型数字滤波器衰减器
CN105762445A (zh) 一种shf波段微型微波双工器
CN206059603U (zh) 一种阶跃阻抗加载电容型数字滤波器衰减器
CN206059596U (zh) 一种c波段数字移相滤波器
CN106230396B (zh) 一种高谐波抑制shf波段功率放大器模块
JP4550915B2 (ja) フィルタ回路及びフィルタ回路素子、これを備えた多層回路基板並びに回路モジュール
CN105048034A (zh) 基于ltcc开关型带通滤波器
CN206059595U (zh) 一种新型耦合lc滤波移相器
CN105762467A (zh) 一种shf波段微型双通带滤波器
CN206060696U (zh) 一种高度抑制uhf波段低噪声放大器模块
CN205564923U (zh) 一种shf波段微型微波双工器
CN206060699U (zh) 一种对称分布式电感加载型滤波器
CN104967423A (zh) 一种uhf波段微型双工器
CN106129546B (zh) 一种c波段数字移相滤波器
CN106159386A (zh) 一种新型耦合lc滤波移相器
CN209389186U (zh) 一种单层表贴型毫米波滤波器
CN206059599U (zh) 一种对称电容耦合型滤波器
CN206041944U (zh) 一种高谐波抑制shf波段功率放大器模块
CN105762446A (zh) 一种k波段开口环形带状线结构的双工器
CN205564930U (zh) 一种shf波段微型双通带滤波器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20170512

Address after: Two road 518101 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Shiyan Street Shilong Industrial community aucan Industrial Park No. 1 Building 8 Building 5 floor

Applicant after: Shenzhen wonder Electronic Technology Co.,Ltd.

Address before: Tangshan street Yee Road Nanjing city Jiangsu province 210094 No. 588 kylin villa 28 unit 602

Applicant before: Dai Yongsheng

Applicant before: Chen Xiangzhi

Applicant before: Yang Maoya

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant