CN106208753B - 智能型脉冲控制电路 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种智能型脉冲控制电路，用于电源供应器。所述智能型脉冲控制电路包括控制单元、缓冲单元、比较单元以及开关单元。缓冲单元接收负载信号。比较单元耦接缓冲单元，通过缓冲单元接收依据输出负载电流产生的负载信号，并比较负载信号与反馈信号而产生控制信号。开关单元受控于比较单元的控制信号以提供关闭信号。当输出负载为轻载时，该开关单元使该控制单元依据关闭信号禁能该功率因素校正级与该脉冲宽度调制级。藉此，本实施例所述的智能型脉冲控制电路可减少输出负载为轻载时的电能消耗。

Description

智能型脉冲控制电路
技术领域
本发明有关于一种电源供应器，且特别是一种用于电源供应器的智能型脉冲控制电路。
背景技术
图1为传统的电源供应器的系统方块图。传统的电源供应器1包括整流/滤波电路11、功率因素校正级12、脉冲宽度调制级13与待机输出级14。当电源打开时，电源供应器1的主要输出电压Vo(例如为+12V/+5V/+3.3V/-12V)会提供电压给负载使用。在待机时，待机输出级14输出待机电压Vo’。
在提供电压给负载使用的过程当中即会产生效能转换损耗(Performanceconvert consumption)，因此世界各国针对此效能转换损耗制定了相关法规规范来约束能源转换浪费的问题，其中又以Ecos Consulting所制定的80plus计划以及美国环保署所制定的美国能源之星(Energy Star)最为广泛应用。而80Plus计划是由Ecos Consulting代表美国境内的公用事业和节能组织所进行的一项自愿认证计划，主要针对电脑和服务器的电源供应器分别在20％、50％、100％不同模式的操作下，AC/DC的转换效率得达到80％的功效。2008年更提出金、银、铜三种更高效率的80Plus标章的认证。此外，该组织于2009年10月加入了白金(Platinum)等级认证以及于2011年8月加入了钛金(Titanium)等级认证。其中，钛金等级明确定义在10％loading时效率要求大于90％。由此可知，电能效能转换效率已经成为最重要的一项评估指标。至于美国能源之星(Energy Star)在其最新一版规格(Vision6.0,released by Oct-2013)中特别指出电源供应器在10％负载情况下，定义效率81％～84％不等的要求。然而在这些极轻载的情况下，固定损耗(例如:半导体功率开关切换损、磁性元件铁损、铜损等)占整体损耗的绝大部分，这也是造成电源供应器在极轻载条件下效率无法提高的主因。
发明内容
本发明实施例提供一种智能型脉冲控制电路，改进目前电源供应器架构，以达到轻载模式时的省电需求。
本发明实施例提供一种智能型脉冲控制电路，用于电源供应器。所述电源供应器具有功率因素校正级(PFC stage)与脉冲宽度调制级(PWM stage)。功率因素校正级耦接脉冲宽度调制级，脉冲宽度调制级依据输出负载的电流产生负载信号。功率因素校正级输出至脉冲宽度调制级的电压作为反馈信号。智能型脉冲控制电路包括控制单元、缓冲单元、比较单元以及开关单元。控制单元耦接功率因素校正级与脉冲宽度调制级。缓冲单元接收负载信号。比较单元耦接缓冲单元，通过缓冲单元接收负载信号，并比较负载信号与反馈信号而产生控制信号。开关单元耦接比较单元与控制单元，开关单元受控于比较单元的控制信号以提供关闭信号。当输出负载为轻载时，开关单元使控制单元依据关闭信号禁能功率因素校正级与脉冲宽度调制级。
于本发明一实施例中，当该输出负载为轻载时，该开关单元传送该关闭信号至该控制单元，当该输出负载为重载时，该开关单元不传送该关闭信号至该控制单元。
于本发明一实施例中，该控制单元提供一脉冲宽度调制信号来控制该脉冲宽度调制级，当该输出负载为轻载时，该开关单元传送该开关信号以将该脉冲宽度调制信号耦接至一接地，使该脉冲宽度调制信号为一低电压准位。
于本发明一实施例中，该负载信号以电压表示，当该输出负载越重时，该负载信号的电压准位越高，当该输出负载越轻时，该负载信号的电压准位越低。
于本发明一实施例中，该缓冲单元是一单位增益放大器。
于本发明一实施例中，该比较单元包括：
一操作放大器，具有一非反向输入端、一反向输入端与一输出端，该操作放大器的该非反向输入端耦接该缓冲单元以接收该负载信号，该操作放大器的该反向输入端接收该反馈信号，该输出端产生该控制信号。
于本发明一实施例中，该开关单元包括：
一第一晶体管，该第一晶体管的一控制端耦接该操作放大器的该输出端，用以接收该控制信号，该第一晶体管的第一端耦接至接地；以及
一第二晶体管，该第二晶体管的一控制端耦接该第一晶体管的第二端与一偏压，该第二晶体管的第一端耦接该控制单元，该第二晶体管的第二端接收该关闭信号。
于本发明一实施例中，当该输出负载为轻载时，该控制信号截止该第一晶体管，则该第二晶体管因该偏压而导通，以使该第二晶体管的该第一端与该第二端彼此导通；当该输出负载为重载时，该控制信号导通该第一晶体管，则该第二晶体管被截止，以使该第二晶体管的该第一端与该第二端彼此不导通。
于本发明一实施例中，当第二晶体管导通后，该控制单元并依据该关闭信号关闭该功率因素校正级与该脉冲宽度调制级，使得该脉冲宽度调制级的输出电压下降，当该脉冲宽度调制级的输出电压下降而使该反馈信号低于该负载信号时，该控制信号导通该第一晶体管，而使该第二晶体管被截止。
于本发明一实施例中，还包括：
一启动单元，耦接于该第二晶体管的该控制端与该偏压之间，该启动单元受控于该控制电路的一启动信号，当该启动单元的该控制端接收该启动信号时，该启动单元将该偏压传送至该第二晶体管的该控制端。
于本发明一实施例中，该关闭信号是一高电压准位。
于本发明一实施例中，该开关单元包括：
一第一晶体管，该第一晶体管的一控制端耦接该操作放大器的该输出端，用以接收该控制信号，该第一晶体管的第一端耦接至接地；以及
一第二晶体管，该第二晶体管的一控制端耦接该第一晶体管的第二端与一偏压，该第二晶体管的第一端耦接该接地，该第二晶体管的第二端接收该脉冲宽度调制信号。
综上所述，本发明实施例提供一种智能型脉冲控制电路本智能型脉冲控制电路主要利用检测脉冲宽度调制级所反馈的负载信号以及功率因素校正级的电压输出反馈，通过并比较负载信号与反馈信号，以控制功率因素校正级与脉冲宽度调制级，进而减少功率因素校正级与脉冲宽度调制级的晶体管的切换，以降低开关切换损失的目的。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附附图仅系用来说明本发明，而非对本发明的权利要求作任何的限制。
附图说明
图1是传统的电源供应器的系统方块图；
图2是本发明实施例提供的智能型脉冲控制电路应用于电源供应器的电路架构图；
图3是本发明实施例提供的智能型脉冲控制电路应用于电源供应器的电路图；
图4是图3中的智能型脉冲控制电路的电路图；
图5A是图4的智能型脉冲控制电路在电源供应器的输出负载由轻载改变为重载时的波形图；
图5B是图4的智能型脉冲控制电路在电源供应器的输出负载由重载改变为轻载时的波形图；
图6是本发明另一实例提供的智能型脉冲控制电路的电路图；
图7是本发明另一实例提供的智能型脉冲控制电路的电路图。
其中，附图标记说明如下：
AC：交流电
1：传统的电源供应器
11、21：整流/滤波单元
12、22：功率因素校正级
13、23：脉冲宽度调制级
14：待机输出级
Vo：输出电压
Vo’：待机电压
4：负载
VFB：反馈信号
CB：电容
VDC：负载信号
CT1：控制信号
CT2：功率因素校正控制信号
CT3、PWM：脉冲宽度调制信号
TOF：关闭信号
IEAO：控制端
Vref：参考信号
3：智能型脉冲控制电路
31：控制单元
32：缓冲单元
33：比较单元
34：开关单元
35：启动单元
OP1、OP2：操作放大器
+：非反向输入端
-：反向输入端
Vd1、Vd2：电压
R1、R2、R3、R4、R5：电阻
Q1：第一晶体管
Q2：第二晶体管
Q3：晶体管
Vcc：偏压
SS：启动信号
GND：接地
具体实施方式
请参照图2，图2是本发明实施例提供的智能型脉冲控制电路应用于电源供应器的电路架构图。智能型脉冲控制电路用于电源供应器。所述电源供应器通常具有整流/滤波单元21、功率因素校正级(PFC stage)22与脉冲宽度调制级(PWM stage)23。整流/滤波单元21对输入的交流电AC进行整流与滤波，整流/滤波单元功21耦接功率因素校正级22。功率因素校正级22耦接脉冲宽度调制级23，脉冲宽度调制级23供电至输出负载，在图2中以负载4表示。整流/滤波单元21对输入的交流电AC进行整流或滤波，功率因素校正级22校正其输出的功率以提升电源输出效率，而脉冲宽度调制级23通常可通过对输出电压/电流的反馈机制以调整提供给输出负载4的功率。
在图2中，功率因素校正级22与脉冲宽度调制级23受控于本实施例的智能型脉冲控制电路3，智能型脉冲控制电路3产生功率因素校正控制信号CT2以控制功率因素校正级22，智能型脉冲控制电路3产生脉冲宽度调制信号CT3以控制脉冲宽度调制级23。整流/滤波单元21、功率因素校正级22与脉冲宽度调制级23是所属技术领域的通常知识，在此不对个别电路细节赘述。
脉冲宽度调制级23依据输出至负载4的电流产生负载信号VDC。功率因素校正级22输出至脉冲宽度调制级23的电压作为反馈信号VFB，功率因素校正级22输出至脉冲宽度调制级的电压可以图3中的电容CB的跨压表示。
智能型脉冲控制电路3包括控制单元31、缓冲单元32、比较单元33以及开关单元34。控制单元31耦接功率因素校正级22与脉冲宽度调制级23，并分别通过功率因素校正控制信号CT2与脉冲宽度调制信号CT3控制功率因素校正级22与脉冲宽度调制级23。缓冲单元32接收负载信号VDC。比较单元33耦接缓冲单元32，通过缓冲单元32接收负载信号VDC，并比较负载信号VDC与反馈信号VFB而产生控制信号CT1。开关单元34耦接比较单元33与控制单元31，开关单元34受控于比较单元33的控制信号CT1以提供关闭信号TOF。当输出负载为轻载时，开关单元34使控制单元31依据关闭信号TOF禁能功率因素校正级22与脉冲宽度调制级23。关于功率因素校正级22与脉冲宽度调制级23被禁能的方式有多种，以下将说明示范性的实施方式。
首先，关于脉冲宽度调制级23产生的负载信号VDC，负载信号VDC通常以电压表示，其电压准位的高低会依据不同输出负载(output loading)状况产生不同准位。负载信号VDC可以利用连接至脉冲宽度调制级23的输出端的反馈电路实现。当输出负载愈重时，负载信号VDC的电压准位愈高，当输出负载减少时，负载信号VDC的电压准位越低。
基于图2的架构，图3是本发明实施例提供的智能型脉冲控制电路应用于电源供应器的电路图。在图3中的开关单元34是连接至参考信号Vref，以作为图2的关闭信号TOF。当输出负载为轻载时，开关单元34传送参考信号Vref至控制单元31的控制端IEAO，当输出负载为重载时，开关单元34不传送参考信号Vref至控制单元31。开关单元34可以包括至少一个晶体管，作为导通参考信号Vref之用。参考信号Vref可以是一个在电路启动后固定不变的电压值，例如一个高准位电压。此参考信号Vref可以例如由控制单元31所产生。在其他实施例中，参考信号Vref可以其他电压取代，将于后续的实施例说明。
另外，在实际应用时，控制单元31通常可以集成电路实现。在一实施例中，脉冲宽度调制级23将输出负载的反馈(例如输出电压Vo的分压或者负载信号VDC)提供至控制单元31，缓冲单元32再通过控制单元31接收负载信号VDC，但本发明并不因此限定。类似的，功率因素校正级22产生的反馈信号VFB可先传送控制单元31，再由控制单元31将反馈信号VFB传送至比较单元33，但本发明并不因此限定。
图2与图3的缓冲单元32、比较单元33以及开关单元34的详细实施方式例如图4所示。在图4中，缓冲单元32是单位增益放大器(以操作放大器OP1实现)，将负载信号VDC转换为电压Vd1。比较单元33以操作放大器OP2实现，操作放大器具有非反向输入端(+)、反向输入端(-)与输出端。操作放大器OP2的非反向输入端(+)接收电压Vd2，其中电阻R1、R2将电压Vd1分压而得到电压Vd2。电压Vd2在电路原理上等效于负载信号VDC，只是电压大小的绝对值并不相同。换句话说，操作放大器OP2的非反向输入端(+)耦接缓冲单元32以接收负载信号VDC(以电压Vd2的形式表现)。操作放大器OP2的反向输入端(-)接收反馈信号VFB，输出端产生控制信号CT1。
开关单元34包括第一晶体管Q1以及第二晶体管Q2，第一晶体管Q1以及第二晶体管Q2例如是金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)，例如N型金属氧化物半导体场效晶体管(N-channel MOSFET)，但本发明并不因此限定。第一晶体管Q1的控制端(栅极)耦接操作放大器OP2的输出端，用以接收控制信号CT1，第一晶体管Q1的第一端耦接至接地GND。第二晶体管Q2的控制端(栅极)耦接第一晶体管Q1的第二端与偏压Vcc，第二晶体管Q2的第一端耦接控制单元31的控制端IEAO，第二晶体管Q2的第二端接收参考信号Vref。在图4中，电阻R3、R4、R5并非本实施例的必要元件，通常用以作为输出/输入的阻值调整之用，其细节不再赘述。
关于图4的电路的操作，可分为输出负载为轻载或重载两个情况。当输出负载为重载时，这时候Vd2的电压准位高于VFB，操作放大器OP2的输出端将为高准位并且将第一晶体管Q1导通以至于使第二晶体管Q2呈现断路状态，此时控制单元31的控制端IEAO的电压将不被Vref电压信号所影响。在一实施例中，控制端IEAO是作为控制功率因素校正级22的集成电路(IC)的转导电流误差放大器(PFC transconductance current error amplifier)的IEAO脚位。换言之，此时功率因素校正级22的闸源(Gate-Source)输出信号正常，不会有任何开关动作以维持电源供应器的正常输出。
当输出负载为轻载时，这时候Vd2的电压准位低于VFB时，操作放大器OP2的输出端将为低准位并且将第二晶体管Q2截止以至于使第二晶体管Q2呈现导通状态，此时控制单元31的控制端IEAO的电压将会被拉至与参考信号Vref的电压同电位。换言之，此时功率因素校正级22的闸源(Gate-Source)输出信号会因为控制端IEAO为高电位的关系，使得功率因素校正级22的晶体管开关被截止，脉冲宽度调制级23也因此不动作，也就是整个功率因素校正级22与脉冲宽度调制级23在此状态下并不输出信号(被禁能)，因此可以使得固定损耗降至最低。
简单的说，当输出负载为轻载时，控制信号CT1截止第一晶体管Q1，则第二晶体管Q2因偏压Vcc而导通，以使第二晶体管Q2的第一端与第二端彼此导通；当输出负载为重载时，控制信号CT1导通第一开关单元Q1，则第二晶体管Q2被截止，以使第二晶体管Q2的第一端与第二端彼此不导通。据此，第一晶体管Q1和第二晶体管Q2的切换实现了图3的开关单元34的功能。
请同时参照图4，图5A与图5B，图5A是图4的智能型脉冲控制电路在电源供应器的输出负载由轻载改变为重载时的波形图，图5B是图4的智能型脉冲控制电路在电源供应器的输出负载由重载改变为轻载时的波形图。如图5A所示，在输出负载由轻载改变为重载的过程中电压Vd2逐渐增加，当电压Vd2大于反馈信号VFB时，第一晶体管Q1被导通(其栅极电压VQ1增加)，第二晶体管Q2被截止(其栅极电压VQ2接近为接地准位)，控制端IEAO的电压由高电压准位(以图4的电路为Vref)回复至低电压准位。控制端IEAO可利用控制单元31的内部电路设计使其本身在未受外界上拉电压(Pull-high)(例如参考电压Vref)时具有低电压准位。又如图5B所示，在输出负载由重载改变为轻载的过程中电压Vd2逐渐减少，当电压Vd2小于反馈信号VFB时，第一晶体管Q1被截止(其栅极电压VQ1变为零)，第二晶体管Q2被导通(其栅极电压VQ2改变为高准位Vcc)，控制端IEAO的电压由低电压准位(以图4的电路为Vref)改变至高电压准位，即改变为参考信号Vref的电压准位。
更进一步，当第二晶体管Q2导通后，控制单元31并依据参考信号Vref关闭功率因素校正级22与脉冲宽度调制级23，使得脉冲宽度调制级23的输出电压下降。当脉冲宽度调制级23的输出电压下降而使反馈信号VFB低于负载信号VDC时，控制信号CT1导通第一晶体管Q1，而使第二晶体管Q2再次被截止。也就是说，脉冲宽度调制级23的输出电压对应于负载信号VDC，当负载信号VDC大于反馈信号VFB时，智能型脉冲控制电路自动回复原先的状态，即不传送参考信号Vref至控制单元31的控制端IEAO。
在另一实施例中，控制单元31以集成电路实现时，负载信号VDC可以被替换为接至转导电压误差放大器(PFC transconductance voltage error amplifier)的控制端VEAO的电压。转导电压误差放大器的控制端VEAO的电压与负载信号VDC都是反应于输出负载的电流大小。
接着请同时参照图4与图6，图4的电路可供本发明的智能型脉冲控制电路的正常操作，然而，在电路初始启动时可能会因为电压不稳而造成异常切换，图6是将图4的电路增加一个启动单元，以使智能型脉冲控制电路可以实现软启动。在图5中，启动单元以晶体管Q3实现，启动单元35耦接于第二晶体管Q2的控制端(栅极)与偏压Vcc之间，启动单元35受控于控制电路31的启动信号SS。依据通常的设计，以集成电路实现的控制单元31在集成电路启动而稳定工作时内部可以产生一个启动信号SS(通常是以电压形式表示)。当启动单元35的控制端(栅极)接收启动信号SS时，启动单元35将偏压Vcc传送至第二晶体管Q2的控制端(栅极)。同理，输入电源Vcc会通过晶体管Q3的导通来建立操作放大器OP1、OP2的电源。
将此智能型脉冲控制电路实际加入一量产的180瓦电源供应器做验证，如下表1与表2所示为加入此电路前后的实际测试结果。其中可以发现在电源供应器输出功率为6W时，输入功率不得大于10W的规范上，导入此智能型电路将提升效率约为1.35％～3.24％不等。在10％负载(能源之星要求规范)部分，其效率可提升1.1％～1.51％不等。可以了解经由此智能型脉冲控制电路的实现，可以达到更小的开关固定电能消耗，并可以符合相关效率的规范。
表1
表1：传统的180瓦电源供应器操作在10％负载，且输出功率为6W。
表2
表2：加入了智能型脉冲调制控制电路的电源供应器操作在10％负载，且输出功率为6W。
请参照图7，图7是本发明另一实例提供的智能型脉冲控制电路的电路图。图7的电路与图5的电路大致相同，其差异在于第二晶体管Q2的信号连接方式不同。也就是说，本实施例是将图3的电路中的开关单元34连接控制单元31的方式做改变，但仍符合图2的电路架构，开关单元34受控于比较单元33的控制信号CT1以提供关闭信号TOF至控制单元31。开关单元34包括第一晶体管Q1以及第二晶体管Q2。第一晶体管Q1的控制端(栅极)耦接操作放大器OP2的输出端，用以接收控制信号CT1，第一晶体管Q1的第一端耦接至接地GND。第二晶体管Q2的控制端(栅极)耦接第一晶体管Q1的第二端与偏压Vcc，第二晶体管Q2的第一端耦接接地GND，第二晶体管Q2的第二端接收控制单元31所提供的脉冲宽度调制信号PWM，此脉冲宽度调制信号PWM就是控制脉冲宽度调制级的脉冲宽度调制信号CT3。当输出负载为轻载时，控制信号CT1截止第一晶体管Q1，则第二晶体管Q2因偏压Vcc而导通，以使第二晶体管Q2的第一端与第二端彼此导通。如此，脉冲宽度调制信号PWM被拉至接地GND的电压准位，也就是脉冲宽度调制级23所收到的控制信号(PWM)都是低电压准位，使得脉冲宽度调制级23可视为被禁能。在此，第二晶体管Q2的第一端耦接的接地准位(GND)可视为图2的关闭信号TOF。同理，功率因素校正级22基于同样方式可以被设定为禁能。
简单的说，控制单元31控制脉冲宽度调制级23的脉冲宽度调制信号PWM，当输出负载为轻载时，开关单元34将脉冲宽度调制信号PWM耦接至接地GND，使脉冲宽度调制信号PWM为低电压准位。
当输出负载为重载时，控制信号CT1导通第一开关单元Q1，则第二晶体管Q2被截止，以使第二晶体管Q2的第一端与第二端彼此不导通。如此，脉冲宽度调制信号PWM不受第二晶体管Q2的影响而正常工作。
综上所述，本发明实施例所提供的智能型脉冲控制电路为高效率、低损耗的智能型脉冲控制电路。通过此智能型脉冲控制电路的实现以降低系统在轻负载下的电能损耗因此，本电路的提出可以符合新的节能规范以及提升产品竞争力。
以上所述仅为本发明的实施例，其并非用以局限本发明的权利要求。

Claims (12)

1.一种智能型脉冲控制电路，其特征在于，用于一电源供应器，该电源供应器具有一功率因素校正级与一脉冲宽度调制级，该功率因素校正级耦接该脉冲宽度调制级，该脉冲宽度调制级依据一输出负载的电流产生一负载信号，该功率因素校正级输出至该脉冲宽度调制级的电压作为一反馈信号，该智能型脉冲控制电路包括：
一控制单元，耦接该功率因素校正级与该脉冲宽度调制级；
一缓冲单元，接收该负载信号；
一比较单元，耦接该缓冲单元，通过该缓冲单元接收该负载信号，并比较该负载信号与该反馈信号而产生一控制信号；以及
一开关单元，耦接该比较单元与该控制单元，该开关单元受控于该比较单元的该控制信号以提供一关闭信号，其中当该输出负载为轻载时，该开关单元使该控制单元依据该关闭信号禁能该功率因素校正级与该脉冲宽度调制级。
2.根据权利要求1所述的智能型脉冲控制电路，其特征在于，当该输出负载为轻载时，该开关单元传送该关闭信号至该控制单元，当该输出负载为重载时，该开关单元不传送该关闭信号至该控制单元。
3.根据权利要求1所述的智能型脉冲控制电路，其特征在于，该控制单元提供一脉冲宽度调制信号来控制该脉冲宽度调制级，当该输出负载为轻载时，该开关单元传送该关闭信号以将该脉冲宽度调制信号耦接至一接地，使该脉冲宽度调制信号为一低电压准位。
4.根据权利要求1所述的智能型脉冲控制电路，其特征在于，该负载信号以电压表示，当该输出负载越重时，该负载信号的电压准位越高，当该输出负载越轻时，该负载信号的电压准位越低。
5.根据权利要求1所述的智能型脉冲控制电路，其特征在于，该缓冲单元是一单位增益放大器。
6.根据权利要求1所述的智能型脉冲控制电路，其特征在于，该比较单元包括：
一操作放大器，具有一非反向输入端、一反向输入端与一输出端，该操作放大器的该非反向输入端耦接该缓冲单元以接收该负载信号，该操作放大器的该反向输入端接收该反馈信号，该输出端产生该控制信号。
7.根据权利要求6所述的智能型脉冲控制电路，其特征在于，该开关单元包括：
一第一晶体管，该第一晶体管的一控制端耦接该操作放大器的该输出端，用以接收该控制信号，该第一晶体管的第一端耦接至接地；以及
一第二晶体管，该第二晶体管的一控制端耦接该第一晶体管的第二端与一偏压，该第二晶体管的第一端耦接该控制单元，该第二晶体管的第二端接收一参考信号，该第二晶体管导通使该第二晶体管的第一端与第二端彼此导通，其中该关闭信号为该参考信号。
8.根据权利要求7所述的智能型脉冲控制电路，其特征在于，当该输出负载为轻载时，该控制信号截止该第一晶体管，则该第二晶体管因该偏压而导通，以使该第二晶体管的该第一端与该第二端彼此导通；当该输出负载为重载时，该控制信号导通该第一晶体管，则该第二晶体管被截止，以使该第二晶体管的该第一端与该第二端彼此不导通。
9.根据权利要求8所述的智能型脉冲控制电路，其特征在于，当第二晶体管导通后，该控制单元并依据该关闭信号关闭该功率因素校正级与该脉冲宽度调制级，使得该脉冲宽度调制级的输出电压下降，当该脉冲宽度调制级的输出电压下降而使该反馈信号低于该负载信号时，该控制信号导通该第一晶体管，而使该第二晶体管被截止。
10.根据权利要求7所述的智能型脉冲控制电路，其特征在于，还包括：
一启动单元，耦接于该第二晶体管的该控制端与该偏压之间，该启动单元受控于该控制电路的一启动信号，当该启动单元的控制端接收该启动信号时，该启动单元将该偏压传送至该第二晶体管的该控制端。
11.根据权利要求7所述的智能型脉冲控制电路，其特征在于，该关闭信号是一高电压准位。
12.根据权利要求6所述的智能型脉冲控制电路，其特征在于，该开关单元包括：
一第一晶体管，该第一晶体管的一控制端耦接该操作放大器的该输出端，用以接收该控制信号，该第一晶体管的第一端耦接至接地；以及
一第二晶体管，该第二晶体管的一控制端耦接该第一晶体管的第二端与一偏压，该第二晶体管的第一端耦接该接地，该第二晶体管的第二端接收该控制单元所提供的一脉冲宽度调制信号，其中该关闭信号为一接地准位。
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