CN106206683A - 一种石墨烯基场效应晶体管及其制备方法 - Google Patents
一种石墨烯基场效应晶体管及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106206683A CN106206683A CN201610784972.3A CN201610784972A CN106206683A CN 106206683 A CN106206683 A CN 106206683A CN 201610784972 A CN201610784972 A CN 201610784972A CN 106206683 A CN106206683 A CN 106206683A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphene
- channel layer
- source electrode
- effect transistor
- drain electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 78
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 78
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000002353 field-effect transistor method Methods 0.000 title abstract description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 claims abstract description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 2
- -1 graphite Alkene Chemical class 0.000 claims 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1606—Graphene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78684—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising semiconductor materials of Group IV not being silicon, or alloys including an element of the group IV, e.g. Ge, SiN alloys, SiC alloys
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种石墨烯基场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包含衬底、沟道层、源极、漏极和栅极，沟道层为通过3D打印形成的石墨烯基沟道层，源极、漏极为通过3D打印形成的石墨烯基源极、漏极。本发明的石墨烯基场效应晶体管中，源极和漏极与沟道层都是通过3D打印石墨烯基导电及半导体墨水形成，表面特性类似，源极和漏极与沟道层间附着力优于金属电极，还可以避免肖特基势垒的形成，进而大幅度降低接触电阻。并且，其工艺过程简单，完全使用3D打印技术，无污染、低耗能，所有的工艺可以应用到卷对卷的工艺上，降低制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种石墨烯基场效应晶体管及其制备方法，属于半导体元件等领域。
背景技术
石墨烯具有最高的电导率200,000cm2/V·s，最大的机械强度及柔韧性，最好的导热性、导电性及高温稳定性，是呼声最高的新材料之一。近年来基于石墨烯的导电石墨烯粉末制备、石墨烯导电墨水制备及石墨烯导电墨水的3D打印技术等不断发展发展并且已逐步趋于成熟。
石墨烯墨水、浆料可以通过3D打印技术打印互联线路应用在RFID、柔性显示器、太阳能电池、超级电容器、印制电路板、传感器等电子信息产品上。
场效应晶体管是一种应用广泛的半导体器件，但是现有技术制备的场效应晶体管中源极和漏极由金属材料制成，与沟道层的材料性质相差较大，导致源极和漏极与沟道层间附着力不足，场效应晶体中的肖特基势垒很高，接触电阻较大；且现有技术中，石墨烯基场效应晶体管的制备工艺流程相当繁琐，生产成本较高。
发明内容
本发明解决的技术问题是，克服现有技术中场效应晶体管的源极和漏极与沟道层间附着力不足，场效应晶体中的肖特基势垒很高，接触电阻较大，生产成本较高等的问题。
本发明的技术方案是，提供一种石墨烯基场效应晶体管，包含沟道层、源极、漏极，其中沟道层为石墨烯沟道层，源极、漏极为石墨烯基材料制成的源极、漏极，简称石墨烯基源极、石墨烯基漏极。
进一步地，石墨烯基源极、漏极中的石墨烯材料中，石墨烯含量大于30%，进一步大于50%，进一步的，大于80%，进一步地，大于90%。
进一步的，其还包括衬底、栅极介质层和栅极。
进一步地，所述沟道层中的石墨烯基导电材料为半导体石墨烯。
进一步地，所述半导体石墨烯为硼或氮掺杂的半导体石墨烯。
进一步地，所述栅极通过3D打印的石墨烯基导电材料形成。
进一步地，所述栅极介质层通过3D打印的介质材料形成。
进一步地，栅极介质层中的介质材料为有机或无机介质，如氧化铝、氮化硼、类金刚石、介电树脂。
进一步地，栅极介质层中的介质材料为离子凝胶、环氧基树脂、光刻胶等液相介质材料。
进一步地，所述源极、漏极和栅极中的石墨烯基导电材料来源于石墨烯导电墨水或石墨烯导电浆料。
进一步地，所述石墨烯导电墨水或石墨烯导电浆料中掺有金属铜、银和金中的一种或几种；
进一步地，所述金属铜、银和金为铜纤维、银纤维和金纤维。
进一步地，所述金属铜、银和金为铜纳米线、银纳米线和金纳米线。
进一步地，所述沟道层、源极、漏极和栅极厚度可以为10nm-2μm，其中优选10-500nm，更优选10-100nm；所述栅极介质层厚度为50nm-1μm，其中优选50nm-200nm。
进一步地，所述衬底为硅，金刚石，GaAs，GaN，SiC，玻璃，聚对苯二甲酸薄膜，聚酰亚胺薄膜，纸张等硬质或柔性衬底。
同时，本发明还公开了一种石墨烯基场效应晶体管的制备方法，该方法包括通过3D打印形成石墨烯基沟道层，通过3D打印形成石墨烯基源极、漏极和栅极。
进一步的，其还包括衬底、栅极介质层和栅极。
进一步地，所述沟道层中的石墨烯基导电材料为半导体石墨烯。
进一步地，所述半导体石墨烯为硼或氮掺杂的半导体石墨烯。
进一步地，栅极介质层中的介质材料为有机或无机介质，如氧化铝、氮化硼、类金刚石、介电树脂。
进一步地，栅极介质层中的介质材料为离子凝胶、环氧基树脂、光刻胶等液相介质材料。
进一步地，所述源极、漏极和栅极中的石墨烯基导电材料来源于石墨烯导电墨水或石墨烯导电浆料。
进一步地，所述石墨烯导电墨水或石墨烯导电浆料中掺有金属铜、银和金中的一种或几种。
进一步地，所述石墨烯导电墨水或浆料，是以石墨烯为主要导电相的导电墨水；可选的，添加各种金属铜、银或金。
进一步地，所述栅极介质层通过3D打印形成；优选的，所述的栅极介质层为离子凝胶，环氧基树脂，光刻胶。
进一步地，通过3D打印的方法一次性制备源极、漏极、栅极、栅介电层、沟道层，以进一步降低成本。
进一步地，所述3D打印包含喷墨打印、气溶胶喷射打印、微三维打印。优选地，沟道层、源极、漏极、栅极介质层和栅极均使用同一种3D打印技术。
进一步地，3D打印为常温下液相过程。
进一步地，制作的场效应晶体管在100-400℃条件下干燥。
本发明提供的一种石墨烯基场效应晶体管，其源极、漏极、栅极，沟道层，都是通过3D打印石墨烯基导电体及半导体墨水形成，均为常温下液相处理，表面特性类似，源极和漏极与沟道层间附着力优于金属电极，还可以避免肖特基势垒的形成，可以降低接触电阻，使用同一种工艺技术，制造成本大大降低，石墨烯场效应晶体管的栅极介质层也采用相同的3D打印，制造成本进一步降低。
本发明的有益效果是，本发明的石墨烯基场效应晶体管及制备方法具有以下优点：
1.源极和漏极与沟道层都是通过3D打印石墨烯基导电及半导体墨水形成，表面特性类似，源极和漏极与沟道层间附着力优于金属电极，还可以避免肖特基势垒的形成，进而降低接触电阻。
2.其工艺过程简单，完全使用3D打印技术，无污染、低耗能。
3.所有的工艺可以应用到卷对卷的工艺上，降低制造成本。
附图说明
图1表示本发明实施例1制作的一种石墨烯场效应晶体管的结构示意图。
图2表示本发明实施例2制作的一种石墨烯场效应晶体管的结构示意图。
图3表示本发明实施例3制作的一种石墨烯场效应晶体管的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明的各实施方式进行详细的阐述。所举实例只用于解释本发明，并非用于限制本发明的范围。
实施例1
在衬底1上通过3D打印厚度500nm的高导性的石墨烯导电墨水形成栅极2，在栅极2之上通过3D打印50nm厚度的环氧基树脂层形成栅极介质层3，在栅极介质层3的两端通过3D打印厚度500nm高导性的石墨烯导电墨水形成源极和漏极（如图1中的标号4），在源极和漏极之间通过3D打印硼掺杂的石墨烯基导电墨水形成拱形的沟道层5。这样制作的结构，250℃，1小时焙烧处理后制得的底接触场效应晶体管。
实施例2
在衬底1上通过3D打印厚度500nm的高导性的石墨烯导电墨水形成栅极2，在栅极2之上通过3D打印50nm厚度的环氧基树脂层形成栅极介质层3，在栅极介质层3上通过3D打印硼掺杂的石墨烯基导电墨水形成500nm厚的沟道层5，在沟道层5的两端通过3D打印厚度500nm高导性的石墨烯导电墨水形成源极和漏极（如图2中的标号4）。这样制作的结构，250℃，1小时焙烧处理后制得的底接触场效应晶体管。
实施例3
在衬底1上通过3D打印500nm高导性的石墨烯导电墨水形成源极和漏极（如图3中的标号4），在源极和漏极之间通过3D打印硼掺杂的石墨烯基导电墨水形成500nm厚的沟道层5，在沟道层5上通过3D打印50nm厚度的环氧基树脂层形成栅极介质层3，在栅极介质层3上方通过3D打印500nm高导性的石墨烯导电墨水形成栅极2。
上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包含相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计，但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (10)
1.一种石墨烯基场效应晶体管的制备方法，该场效应晶体管包含衬底、沟道层、源极、漏极和栅极，其特征在于，沟道层是通过3D打印形成的石墨烯基沟道层，源极和漏极是通过3D打印形成的石墨烯基源极、漏极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成石墨烯基沟道层的石墨烯为半导体石墨烯，优选硼、氮掺杂石墨烯。
3.根据权利要求1-2任一项所述的制备方法，其特征在于，石墨烯基源极、漏极由石墨烯墨水或浆料制备而成；可选的，所述石墨烯基导电墨水，添加金属铜、银或金。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述石墨烯基场效应晶体管还包含栅极介质层，所述栅极介质层通过3D打印形成；优选地，沟道层、源极、漏极、栅极介质层和栅极均使用同一种3D打印技术。
5.一种石墨烯基场效应晶体管，其特征在于，包含沟道层、源极、漏极，其中沟道层为石墨烯基沟道层；源极、漏极为石墨烯基源极、漏极。
6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，形成石墨烯基沟道层的石墨烯为半导体石墨烯，优选硼、氮掺杂石墨烯；可选的，源级和漏极中添加金属铜、银或金。
7.根据权利要求5-6中任一项所述的场效应晶体管，其特征在于，包括衬底、沟道层、源极、漏极和栅极；沟道层是通过3D打印形成石墨烯基沟道层，源极和漏极是通过3D打印形成石墨烯基源极、漏极。
8.根据权利要求7所述的场效应晶体管，其特征在于，所述石墨烯场效应晶体管还包含栅极介质层，所述栅极介质层通过3D打印形成；优选地，沟道层、源极、漏极、栅极介质层和栅极均使用同一种3D打印技术。
9.根据权利要求5-8任一项所述的场效应晶体管，其特征在于，石墨烯基源极、漏极和栅极由石墨烯导电墨水/浆料制备而成。
10.根据权利要求8所述的场效应晶体管，其特征在于，所述3D打印包含喷墨打印、气溶胶喷射打印、微三维打印等3D打印技术。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610784972.3A CN106206683A (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 一种石墨烯基场效应晶体管及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610784972.3A CN106206683A (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 一种石墨烯基场效应晶体管及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106206683A true CN106206683A (zh) | 2016-12-07 |
Family
ID=58086249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610784972.3A Pending CN106206683A (zh) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | 一种石墨烯基场效应晶体管及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106206683A (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108417714A (zh) * | 2017-05-03 | 2018-08-17 | 上海幂方电子科技有限公司 | 一种制备碳纳米管场效应晶体管的方法 |
| WO2018195761A1 (zh) * | 2017-04-25 | 2018-11-01 | 华为技术有限公司 | 一种基于二维材料的晶体管及其制备方法和晶体管阵列器件 |
| CN109390403A (zh) * | 2017-08-10 | 2019-02-26 | 北京纳米能源与系统研究所 | 石墨烯晶体管及其制备方法、使用方法和自驱动电子皮肤 |
| CN109698277A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-30 | 宁波石墨烯创新中心有限公司 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN109870495A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-06-11 | 同济大学 | 一种石墨烯基场效应晶体管硝酸盐传感器 |
| CN110364300A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-10-22 | 深圳供电局有限公司 | 一种3D打印Bi系高温超导电路及其制备方法 |
| CN110600538A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-12-20 | 北京纳米能源与系统研究所 | 离子凝胶在石墨烯转移和制备石墨烯晶体管中的应用以及石墨烯晶体管及其制备方法 |
| CN110854263A (zh) * | 2018-08-02 | 2020-02-28 | 北京纳米能源与系统研究所 | 自驱动压力应变传感器及其制备方法、电子皮肤 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4924279A (en) * | 1983-05-12 | 1990-05-08 | Seiko Instruments Inc. | Thin film transistor |
| CN102629579A (zh) * | 2011-09-29 | 2012-08-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性tft阵列基板及其制造方法和显示装置 |
| CN104403343A (zh) * | 2014-05-31 | 2015-03-11 | 福州大学 | 一种用于碳纳米管膜层或者石墨烯膜层3d打印的溶液制备方法 |
-
2016
- 2016-08-31 CN CN201610784972.3A patent/CN106206683A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4924279A (en) * | 1983-05-12 | 1990-05-08 | Seiko Instruments Inc. | Thin film transistor |
| CN102629579A (zh) * | 2011-09-29 | 2012-08-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性tft阵列基板及其制造方法和显示装置 |
| CN104403343A (zh) * | 2014-05-31 | 2015-03-11 | 福州大学 | 一种用于碳纳米管膜层或者石墨烯膜层3d打印的溶液制备方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018195761A1 (zh) * | 2017-04-25 | 2018-11-01 | 华为技术有限公司 | 一种基于二维材料的晶体管及其制备方法和晶体管阵列器件 |
| CN108417714A (zh) * | 2017-05-03 | 2018-08-17 | 上海幂方电子科技有限公司 | 一种制备碳纳米管场效应晶体管的方法 |
| CN109390403A (zh) * | 2017-08-10 | 2019-02-26 | 北京纳米能源与系统研究所 | 石墨烯晶体管及其制备方法、使用方法和自驱动电子皮肤 |
| CN109390403B (zh) * | 2017-08-10 | 2022-08-26 | 北京纳米能源与系统研究所 | 石墨烯晶体管及其制备方法、使用方法和自驱动电子皮肤 |
| CN110854263A (zh) * | 2018-08-02 | 2020-02-28 | 北京纳米能源与系统研究所 | 自驱动压力应变传感器及其制备方法、电子皮肤 |
| CN110854263B (zh) * | 2018-08-02 | 2023-07-11 | 北京纳米能源与系统研究所 | 自驱动压力应变传感器及其制备方法、电子皮肤 |
| CN109698277A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-30 | 宁波石墨烯创新中心有限公司 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN109870495A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-06-11 | 同济大学 | 一种石墨烯基场效应晶体管硝酸盐传感器 |
| CN110364300A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-10-22 | 深圳供电局有限公司 | 一种3D打印Bi系高温超导电路及其制备方法 |
| CN110600538A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-12-20 | 北京纳米能源与系统研究所 | 离子凝胶在石墨烯转移和制备石墨烯晶体管中的应用以及石墨烯晶体管及其制备方法 |
| CN110600538B (zh) * | 2019-08-15 | 2023-05-09 | 北京纳米能源与系统研究所 | 离子凝胶在石墨烯转移和制备石墨烯晶体管中的应用以及石墨烯晶体管及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106206683A (zh) | 一种石墨烯基场效应晶体管及其制备方法 | |
| Yan et al. | Inkjet printing for flexible and wearable electronics | |
| Kwon et al. | Overview of recent progress in electrohydrodynamic jet printing in practical printed electronics: Focus on the variety of printable materials for each component | |
| CN107610802B (zh) | 透明导电薄膜、光电器件及其制作方法 | |
| JPWO2010010766A1 (ja) | 電界効果型トランジスタおよび回路装置 | |
| Tan et al. | Recent Advances in Black Phosphorus‐Based Electronic Devices | |
| CN103594195A (zh) | 一种金属纳米线柔性透明导电薄膜的制备方法 | |
| CN103440896A (zh) | 铜纳米线和聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)复合柔性透明电极及其制备方法 | |
| CN109080281B (zh) | 基于浸润性基底精细喷墨打印制备柔性透明导电膜的方法 | |
| CN103400859A (zh) | 基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法 | |
| CN104465533A (zh) | 自粘合裸片 | |
| CN108933172A (zh) | 半导体元件 | |
| KR101663079B1 (ko) | 직렬형 염료감응 태양전지 모듈 및 그 제조방법 | |
| CN112614627A (zh) | 一种具有高导电覆盖率的柔性透明电极及其制备方法 | |
| CN112509729B (zh) | 一种柔性透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN105931971B (zh) | 一种场效应晶体管的制备方法 | |
| CN108963003A (zh) | 太阳能电池 | |
| CN113782256A (zh) | 一种低表面粗糙度透明电极的制作方法 | |
| CN101626062B (zh) | 有机复合材料二极管 | |
| CN108933166A (zh) | 半导体器件 | |
| CN104637898B (zh) | 集成电路器件的导热复合材料层及电子器件导热结构封装方法 | |
| CN207233767U (zh) | 一种新型的led透明电极 | |
| CN108298496A (zh) | 一种基于光介电泳的石墨烯批量化装配方法 | |
| KR20130056147A (ko) | 전극 페이스트 조성물, 이를 이용한 전자소자용 전극 및 이의 제조방법 | |
| CN204558500U (zh) | 柔性异质结薄膜太阳能电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 410205 Hunan province Changsha Wenxuan High-tech Development Zone, Road No. 27 building 7 layer B8 Yuyuan mountain valley Applicant after: Changsha New Material Industry Research Institute Co Ltd Address before: Yuelu District City, Hunan province 410205 Changsha Wenxuan Road No. 27 building 7 layer B8 Applicant before: Hunan Aerospace New Material Technology Inst Co Ltd |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20161207 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |