CN106206545A - 标记、显示装置及利用标记曝光和蚀刻制程稳定性的方法 - Google Patents
标记、显示装置及利用标记曝光和蚀刻制程稳定性的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106206545A CN106206545A CN201610552970.1A CN201610552970A CN106206545A CN 106206545 A CN106206545 A CN 106206545A CN 201610552970 A CN201610552970 A CN 201610552970A CN 106206545 A CN106206545 A CN 106206545A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- spacing
- labelling
- metal
- identification line
- metal identification
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
本发明提供了一种用于监控曝光和蚀刻制程稳定性的标记、一种设置有该标记的显示装置以及一种利用上述标记监控曝光和蚀刻制程稳定性的方法。所述标记包括多条具有弯曲部的金属标识线,所述多条金属标识线相互间隔且平行设置,其中,间距最小的两条相邻的金属标识线之间的间距小于曝光制程的分辨率极限,间距最大的两相邻所述金属标识线之间的间距大于光罩设计值,其中,所述多条金属标识线中的至少一对相邻的金属标识线之间的间距等于待蚀刻区域两相邻金属走线之间的间距。
Description
技术领域
本发明属于TFT制造领域,更具体地讲,涉及一种监控TFT制程的方法和显示装置。
背景技术
由于Cu制程制作的TFT液晶面板可以更好地满足顾客对大尺寸、高分辨率液晶显示屏的需求,所以Cu制程的导入成为面板行业的一个发展方向。目前Cu蚀刻技术还相对不稳定,蚀刻能力有限,还需进一步完善。
在一般Cu制程产品设计中,由于有效区域内部的所有金属走线都会在外围扇出区域进行汇聚集结在各种焊盘处,造成面外走线密集,而且细长,此部分区域容易出现蚀刻不尽问题。造成上述问题的原因如下:1.由于此处走线密集细长且走线线宽较小,存在较长的狭缝,蚀刻液难以和Cu进行接触,导致蚀刻不能充分进行,出现蚀刻残留;2.此部分有多处金属走线弯折部分,在曝光制程的后烘烤过程中,此部分容易出现因光阻流动塌陷等造成缺陷,使此区域光阻覆盖区域变大,造成金属走线变形或间隔变大;3.由于制程曝光制程以及蚀刻制程不能达到完美稳定,总存在一定的制程波动,尤其随着生产时间的累积,制程偏移会慢慢积累变大;4.由于另外的各种因素,使得制程中经常出现局部波动情况,造成局部制程规格有偏差,而外围这些走线密集且细长的地方对制程波动或局部变动非常敏感,较小的波动就可能影响制程的稳定性和产品的质量。
然而,由于目前各产品均出现过大量外围走线蚀刻不尽的现象,且在外围走线区域缺乏有效科学的监控机制,导致无法及时发现异常,造成巨大良率损失和经济损失。
发明内容
为了克服上述技术问题,本发明的一方面提供了一种用于监控曝光和蚀刻制程稳定性的标记和一种利用上述标记监控曝光和蚀刻制程稳定性的方法。通过设置上述标记,并对此金属标记进行监控,可以有效监控产品外围的曝光情况和蚀刻情况,并可同时监控曝光制程和蚀刻制程的稳定性。以便提前提出预警并进行调整,避免良率损失和经济损失。
根据本发明的示例性实施例,所述用于监控曝光和蚀刻制程稳定性的标记包括多条具有弯曲部的金属标识线,所述多条金属标识线相互间隔且平行设置,其中,间隔最小的两条相邻的金属标识线之间的间距小于曝光制程的分辨率极限,间隔最大的两相邻所述金属标识线之间的间距大于光罩设计值,其中,所述多条金属标识线中的至少一对相邻的金属标识线之间的间距等于待蚀刻区域两相邻金属走线之间的间距。
根据本发明的示例性实施例,所述弯曲部可以通过两条直线金属段相交来形成,所述弯曲部可以呈弯折状或圆弧状。
根据本发明的示例性实施例,相邻的金属标识线之间的间距可以沿一个方向增大或减小,并且所述多条金属标识线中仅一对相邻的金属标识线之间的间距可以等于待蚀刻区域两相邻金属走线之间的间距。
根据本发明的示例性实施例,相邻的金属标识线之间的间距可以按照等差数列或等比数列的规律沿一个方向增大或减小。例如,由相邻的金属标识线形成的间距可以沿所述多条金属标识线叠置的方向按照等差或等比数列的规律逐渐增大或逐渐减小。
根据本发明的示例性实施例,相互间隔设置的所述多条金属标识线之间可以形成有多个间距,位于所述多条金属标识线的中间位置处的一对相邻的金属标识线之间的间距可以等于待蚀刻区域两相邻金属走线的间隔宽度。
根据本发明的示例性实施例,相互间隔设置的所述多条金属标识线之间可以形成有多个间距,所述多个间距中的第偶数个间距的两侧的金属标识线可以具有与该第偶数个间距相等的宽度。
根据本发明的示例性实施例,相互间隔设置的所述多条金属标识线之间可以形成有多个间距,所述多个间距中的第奇数个间距的两侧的金属标识线可以具有与该第奇数个间距相等的宽度。
根据本发明的另一方面提供了一种显示装置和利用所述标记监控曝光和蚀刻制程稳定性的方法,所述显示装置的显示区域与非显示区域过渡的区域处设置有用于监控曝光和蚀刻制程稳定性的标记。通过设置上述标记并且通过对比不同状态下膜层的透光率来监控对膜层的刻蚀程度,可以有效监控产品外围的曝光情况和蚀刻情况,并可同时监控曝光制程和蚀刻制程的稳定性。以便提前提出预警并进行调整,避免良率损失和经济损失。
附图说明
图1为示意性地示出根据本发明的示例性实施例的用于监控曝光和蚀刻制程稳定性的标记的图;
图2为示意性地示出根据本发明的示例性实施例的设置在显示装置的显示区域与非显示区域过渡的区域上的用于监控曝光和蚀刻制程稳定性的标记的布局视图。
具体实施方式
在一般Cu制程产品设计中,由于有效区域内部的所有金属走线都会在外围扇出区域进行汇聚集结在各种焊盘处,造成面外走线密集,而且细长,此部分区域容易出现蚀刻不尽的问题。
为此,本发明的一方面在显示区域与非显示区域过渡的区域上设置了一种用于监控曝光和蚀刻制程稳定性标记,通过对此种标记的监控,可以科学有效地监控外围金属走线的曝光和蚀刻情况,并且可以同时监控曝光及蚀刻制程的稳定性。
图1为示意性地示出根据本发明的示例性实施例的用于监控曝光和蚀刻制程稳定性的标记的图;图2为示意性地示出根据本发明的示例性实施例的设置在显示装置的显示区域与非显示区域过渡的区域上的用于监控曝光和蚀刻制程稳定性的标记的布局视图。
以下,将参照图1和图2并结合示例性实施例来详细描述本发明,然而,本发明构思不受下面的具体实施方式的限制。
参照图1,根据本发明的示例性实施例的用于监控曝光和蚀刻制程稳定性的标记包括多条具有弯曲部的金属标识线301,所述多条金属标识线301相互间隔且平行设置。换言之,所述多条金属标识线301中的每相邻两条金属标识线301具有预定的间距302,其中,间隔最小的两条相邻的金属标识线之间的间距小于曝光制程的分辨率极限,间隔最大的两相邻所述金属标识线之间的间距大于光罩设计值。此外,所述多条金属标识线中的至少一对相邻的金属标识线301之间的间距(例如,图2中的间距6)等于待蚀刻区域两相邻金属走线之间的间距,并以此间距(例如,间距6)作为分界线。
根据本发明的示例性实施例,所述弯曲部由两条直线金属段相交而形成,所述弯曲部呈弯折状或圆弧状。
一方面,当所述金属标识线301的弯曲部呈弯折状时(如图1的直角部分所示),所述金属标识线可以呈L,也可以是将呈L形的金属线经过一定角度的旋转和/或镜像而得到的形状,例如,﹁形或图1中示出的形状,但本发明不限于此。换言之,呈弯折状的弯曲部可以为90°,也可以为大于90°或小于90°的其它角度,弯曲部的角度可以根据本领域技术人员对本发明构思的理解而任意变换。
此外,根据本发明的示例性实施例的弯曲部呈弯折状的金属标识线301的弯曲部的两侧可以包括水平部分和竖直部分。此外,优选地,所述金属标识线的水平部分的宽度和竖直部分的宽度可以相等。
另一方面,当所述弯曲部呈圆弧状时(未示出),所述弯曲部通过两条直线金属段相交而圆滑地形成。其中,圆弧形的弧度不受具体的限制。此外,根据本发明的示例性实施例的弯曲部呈弯折状的金属标识线的弯曲部的两侧可以包括水平部分和竖直部分。此外,优选地,所述金属标识线301的水平部分的宽度和竖直部分的宽度可以相等。
根据本发明的示例性实施例,相邻的金属标识线301之间的间距302可以沿一个方向增大或减小。具体地,可以将处于最外侧的金属标识线301(例如,图1中的最左侧的金属标识线301)与其邻近的金属标识线线301之间的间距302设置成最大(小)间距,并将最内侧的金属标识线301(例如,图1中的最右侧的金属标识线301)与其邻近的金属标识线301之间的间距302设置成最小(大)间距。此外,所述金属标识线301之间的间距302可以沿从左往右的水平方向依次减小(如图1所示),或者所述金属标识线301之间的间距302可以沿从左往右的水平方向依次增大。在这种情况下,所述多条金属标识线301中的一对相邻的金属标识线301之间的间距302被限定为等于待蚀刻区域两相邻金属走线之间的间距。通过将所述多条金属标识线301中的一对相邻的金属标识线301之间的间距302设置为等于待蚀刻区域两相邻金属走线之间的间距,使得可以将此间隔2作为分界线,以利于科学有效地监控外围金属走线的曝光和蚀刻情况,并可同时监控曝光及蚀刻制程的稳定性。
根据本发明的示例性实施例,当相邻的金属标识线301之间的间距302沿一个方向增大或减小时,相邻的金属标识线301之间的间距302可以按照等差数列或等比数列的规律而沿一个方向增大或减小,或者按照其它具有数学逻辑的关系而递增或递减。
根据本发明的示例性实施例,当所述多条金属标识线301中的相邻两条金属标识线301之间形成有间距302并且所述多条金属标识线301形成有多个间距302时,优选地,位于所述多条金属标识线301的中间位置处的至少一对相邻金属标识线301之间的间距(例如,当图1中的多条金属标识线的数目为16条时,所述16条金属标识线可以形成十五个间距,如图1中所示,所述15个间距从左至右被标号为15、14、13、12、······、3、2、1(图1中仅示出了前十个间距),因此,第8个间距为处于中间位置处的间距)可以等于待蚀刻区域中的两相邻金属走线的间距,但本发明不限于此。也就是说,位于所述多条金属标识线的非中间位置处的一对相邻金属标识线301之间的间距302可以等于待蚀刻区域两相邻金属走线的间隔宽度。在这种情况下,处于中间位置处的所述一对相邻的金属标识线301之间的间距可以大于、等于或小于待蚀刻区域两相邻金属走线的间距。
根据本发明的示例性实施例,由多条金属标识线组成的多个间距302可以为奇数个或偶数个。也就是说,当金属标识线301被设置为具有奇数条时,其间的间距302可以具有偶数个,在这种情况下,可以将所述多个偶数个间距中的位于中间位置处的两个间距设置为等于待蚀刻区域两相邻金属走线的间距;当将金属标识线设置成偶数条时,其间的间距可以具有奇数个,在这种情况下,可以将所述多个奇数个间距中的位于中间位置处的间距设置为等于待蚀刻区域两相邻金属走线的间距。
根据本发明的示例性实施例,为了同时监控金属线和间距处的分辨率,可以对金属标识线302做如图1所示的设置。
具体地,可以对每个间距302依次编号,例如,如图1所示,可以将最内侧的金属标识线与其邻近的金属标识线之间的间距标记为1,并将其邻近的金属线之间的间距标记为2,以此类推。然后将处于奇数(或偶数)的间距两侧的金属线的宽度与所述处于奇数(或偶数)的间距被设计成同一值。例如,可以将间距标号为7(6)的间距两侧的金属线的宽度与间距7(6)设置为相等。通过对金属标识线的宽度和金属标识线之间的间隔的设置,可以同时监控金属线和间隔处的分辨率。
根据本发明的示例性实施例,金属标识线301的材料可以与待蚀刻区的金属走线的材料相同。例如,当待蚀刻区的金属走线为Cu线时,金属标识线301的材料可以为Cu,但本发明不限于此。
根据本发明的示例性实施例,所述待蚀刻区域两相邻金属走线可以对应显示区内薄膜晶体管沟道区的金属线路,或者可以对应非显示区内的外围电路的金属线路。
以上,参照图1和2并结合示例性实施例描述了根据本发明的示例性实施例的用于监控曝光和蚀刻制程稳定性的标记,通过在金属走线区的外围设置由多条金属折线组成的金属标记,可以科学有效地监控外围金属走线的曝光和蚀刻情况,并且可以同时监控曝光及蚀刻制程的稳定性,以便提前发出预警并进行调整,避免良率损失和经济损失。
此外,根据上述描述,可以将以上描述的标记设置在所述显示区域与所述非显示区域过渡的区域中。例如,如图2所示,阵列基板上形成有多个显示装置,每个显示装置包括显示区域100、非显示区域200,以及位于显示区域和非显示区域之间的过渡区域300,可以将根据本发明的示例性实施例的一个或多于一个标记30设置在所述显示区域100与所述非显示区域200过渡的区域300中。在利用设置在显示装置中的标记监控曝光和蚀刻制程稳定性的方法中,将所述标记设置在显示区域100与非显示区域200过渡的区域30处,通过对比不同状态下膜层的透光率来监控对膜层的刻蚀程度,能够实现有效监控产品外围的曝光情况和蚀刻情况,并且可同时监控曝光制程和蚀刻制程的稳定性,以便提前提出预警并进行调整,避免良率损失和经济损失。
以上结合附图详细描述了本发明的示例性实施例,然而,本领域技术人员应该知道的是,本发明的保护范围不受上述具体实施方式的限制。
Claims (10)
1.一种用于监控曝光和蚀刻制程稳定性的标记,其特征在于,所述标记包括多条具有弯曲部的金属标识线,所述多条金属标识线相互间隔且平行设置,
其中,间隔最小的两条相邻的金属标识线之间的间距小于曝光制程的分辨率极限,间隔最大的两相邻所述金属标识线之间的间距大于光罩设计值,以及
其中,所述多条金属标识线中的至少一对相邻的金属标识线之间的间距等于待蚀刻区域两相邻金属走线之间的间距。
2.如权利要求1所述的标记,其中,所述弯曲部通过两条直线金属段相交形成,所述弯曲部呈弯折状或圆弧状。
3.如权利要求1所述的标记,其中,相邻的金属标识线之间的间距沿一个方向增大或减小,并且所述多条金属标识线中仅一对相邻的金属标识线之间的间距等于待蚀刻区域两相邻金属走线之间的间距。
4.如权利要求3所述的标记,其中,相邻的金属标识线之间的间距按照等差数列或等比数列的规律沿一个方向增大或减小。
5.如权利要求3所述的标记,其中,相互间隔设置的所述多条金属标识线之间形成有多个间距,位于所述多条金属标识线的中间位置处的一对相邻金属标识线之间的间距等于待蚀刻区域两相邻金属走线的间距。
6.如权利要求3所述的标记,其中,相互间隔设置的所述多条金属标识线之间形成有多个间距,所述多个间距中的第偶数个间距的两侧的金属标识线具有与该第偶数个间距相等的宽度。
7.如权利要求3所述的标记,其中,相互间隔设置的所述多条金属标识线之间形成有多个间距,所述多个间距中的第奇数个间距的两侧的金属标识线具有与该第奇数个间距相等的宽度。
8.一种显示装置,所述显示装置包括显示区域和非显示区域,其特征在于,所述显示区域与所述非显示区域过渡的区域设置有至少一个如权利要求1-7所述的标记。
9.如权利要求8所述的显示装置,其中,所述待蚀刻区域两相邻金属走线对应显示区内薄膜晶体管沟道区的金属线路,或对应非显示区内的外围电路的金属线路。
10.一种利用如权利要求1所述的标记监控曝光和蚀刻制程稳定性的方法,其特征在于,将所述标记设置在显示区域与非显示区域过渡的区域处,通过对比不同状态下膜层的透光率来监控对膜层的刻蚀程度。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610552970.1A CN106206545B (zh) | 2016-07-14 | 2016-07-14 | 标记、显示装置及利用标记曝光和蚀刻制程稳定性的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610552970.1A CN106206545B (zh) | 2016-07-14 | 2016-07-14 | 标记、显示装置及利用标记曝光和蚀刻制程稳定性的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106206545A true CN106206545A (zh) | 2016-12-07 |
CN106206545B CN106206545B (zh) | 2018-11-23 |
Family
ID=57474912
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610552970.1A Active CN106206545B (zh) | 2016-07-14 | 2016-07-14 | 标记、显示装置及利用标记曝光和蚀刻制程稳定性的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106206545B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110494969A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-11-22 | 长江存储科技有限责任公司 | 在形成三维存储器器件的阶梯结构中的标记图案 |
CN110797372A (zh) * | 2018-08-01 | 2020-02-14 | 创王光电股份有限公司 | 可挠显示器 |
CN110989287A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-10 | 合肥维信诺科技有限公司 | 光刻掩膜版和光刻掩膜版的检测方法 |
CN117270317A (zh) * | 2023-11-20 | 2023-12-22 | 深圳市龙图光罩股份有限公司 | 图形辅助的干法刻蚀装置及方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1983036A (zh) * | 2005-11-22 | 2007-06-20 | Asml荷兰有限公司 | 作为对准标记的二进制正弦子波长格栅 |
CN101446766A (zh) * | 2007-11-27 | 2009-06-03 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 硅片上的曝光对准标记 |
CN101840886A (zh) * | 2009-02-19 | 2010-09-22 | 索尼公司 | 半导体装置的制造方法 |
CN102280438A (zh) * | 2011-08-01 | 2011-12-14 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 微影过程中临界尺寸的测试标记 |
CN103019052A (zh) * | 2011-09-23 | 2013-04-03 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 光刻对准标记以及包含其的掩模板和半导体晶片 |
-
2016
- 2016-07-14 CN CN201610552970.1A patent/CN106206545B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1983036A (zh) * | 2005-11-22 | 2007-06-20 | Asml荷兰有限公司 | 作为对准标记的二进制正弦子波长格栅 |
CN101446766A (zh) * | 2007-11-27 | 2009-06-03 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 硅片上的曝光对准标记 |
CN101840886A (zh) * | 2009-02-19 | 2010-09-22 | 索尼公司 | 半导体装置的制造方法 |
CN102280438A (zh) * | 2011-08-01 | 2011-12-14 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 微影过程中临界尺寸的测试标记 |
CN103019052A (zh) * | 2011-09-23 | 2013-04-03 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 光刻对准标记以及包含其的掩模板和半导体晶片 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110797372A (zh) * | 2018-08-01 | 2020-02-14 | 创王光电股份有限公司 | 可挠显示器 |
CN110494969A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-11-22 | 长江存储科技有限责任公司 | 在形成三维存储器器件的阶梯结构中的标记图案 |
CN110494969B (zh) * | 2019-06-27 | 2020-08-25 | 长江存储科技有限责任公司 | 在形成三维存储器器件的阶梯结构中的标记图案 |
US11121092B2 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-14 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Marking pattern in forming staircase structure of three-dimensional memory device |
US11545442B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-01-03 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Marking pattern in forming staircase structure of three-dimensional memory device |
US11552025B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-01-10 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Marking pattern in forming staircase structure of three-dimensional memory device |
US11594496B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-02-28 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Marking pattern in forming staircase structure of three-dimensional memory device |
CN110989287A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-10 | 合肥维信诺科技有限公司 | 光刻掩膜版和光刻掩膜版的检测方法 |
CN117270317A (zh) * | 2023-11-20 | 2023-12-22 | 深圳市龙图光罩股份有限公司 | 图形辅助的干法刻蚀装置及方法 |
CN117270317B (zh) * | 2023-11-20 | 2024-02-09 | 深圳市龙图光罩股份有限公司 | 图形辅助的干法刻蚀装置及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106206545B (zh) | 2018-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106206545A (zh) | 标记、显示装置及利用标记曝光和蚀刻制程稳定性的方法 | |
US10741634B2 (en) | Wiring structure, display substrate and display device | |
US11026323B2 (en) | Flexible display panel, display device and manufacturing method thereof | |
US8755000B2 (en) | Display panel with test shorting bar | |
US10620730B2 (en) | Display device | |
US9991291B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof and display apparatus | |
US10642396B2 (en) | Touch display panel and display device | |
US10007377B2 (en) | Integrated touch control display panel and touch display device | |
WO2014036754A1 (zh) | Tft-lcd窄边框设计中的扇出走线的设计 | |
US9443882B2 (en) | Fan-out structure and display panel using the same | |
US10663811B2 (en) | Display device and related manufacturing method | |
KR102473647B1 (ko) | 액정표시장치 | |
US20170110091A1 (en) | Pixel array | |
CN112255850B (zh) | 扇出走线结构及显示面板 | |
JP2016126695A (ja) | タッチスクリーン、タッチパネル、表示装置、および電子機器 | |
US10879277B2 (en) | Display panel and manufacturing method thereof and display device | |
US9329417B2 (en) | Method of repairing display panel, and display panel | |
CN109407427B (zh) | 一种显示面板和显示装置 | |
US20140362318A1 (en) | Multiple circuit board for liquid crystal display panels and method for manufacturing liquid crystal display panels | |
US20170177126A1 (en) | Metal mesh sensing module of touch panel and manufacturing method thereof | |
JP6477079B2 (ja) | タッチパネルセンサ、タッチパネル装置および表示装置 | |
JP2019212299A (ja) | 電気回路基板 | |
KR100726012B1 (ko) | 배선패턴 및 전기소자 및 액정표시장치 | |
DE102016112934B4 (de) | Integrierte Anzeigetafel mit Berührungssteuerung und Berührungsanzeigevorrichtung | |
US9442334B2 (en) | Array substrate and liquid crystal display panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |