CN106206372B - 通过激光结晶设施实施的Mura量化系统以及Mura量化方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及Mura量化系统与方法，即，通过包括激光结晶装置的激光结晶设施实施的Mura量化系统，其中Mura量化装置设置在激光结晶设施中，使得基板通过激光结晶装置结晶，并且当结晶基板移动时利用紫外线源实时进行Mura量化，以及通过激光结晶设施的Mura量化方法。

Description

通过激光结晶设施实施的Mura量化系统以及Mura量化方法
技术领域
本发明涉及Mura量化系统与方法，并且更具体地说，涉及通过使用UV的激光结晶设施的Mura量化系统，其可以通过量化在包括激光结晶装置的设施中的结晶基板的仅Mura信息来确保Mura检测的可靠性，以及通过激光结晶设施的Mura量化方法。
背景技术
通常来说，需要使非晶态多晶薄膜结晶的处理，例如，用于制造诸如液晶显示器或太阳能设备的电/电子设备的非晶态硅薄膜。
需要的以预定能量辐射激光以便使非晶态硅薄膜结晶成晶体硅薄膜(为了方便起见在下文中将待结晶的薄膜称作为‘基板’)。在此处理中的能量的密度称作能量密度(下文称作为‘ED’)，并且具有优化结晶结果的情形的ED称为优化能量密度(下文，称作为‘OPED’)。
当利用SEM(扫描电子显微镜)观察暴露到具有OPED的激光的产品时，颗粒的方向是均匀的并且颗粒尺寸的均匀性也是最卓越的。然而，由于用于制造处理所需的时间与人力，通过SEM检查全部产品基本上是不可能的。
因此，已经建立了用于通过视觉检查选择OPED的标准，这称为Mura，根据Mura的强度、发生频率、与发生倾向确定OPED。当视觉地检查经历了ED分裂(在不同EDs下方在数十毫米的区域上执行结晶的测试)的产品时，难以观察Mura，并且此产品在OPED区域中比在ED区域中看的更清楚，并且很多Mura示出为从OPED区域达到较高的ED区域。通过此种方式选择OPED。
在另一个方面，利用激光的结晶处理是其中激光脉冲重叠的扫描处理，并且由于与周围环境的能量差，因此在重叠区域中产生Mura。为此原因产生的条文称作为闪光Mura。
此外，当扫描待结晶的基板并且在目标薄膜上执行结晶时，通过称作扫描Mura的非均匀线性激光束产生污点。
为了在通过结晶装置结晶以后检查产品的适合性/不足，已经使用在测试装置中视觉地检查产品的视觉检查。
然而，在视觉检测Mura中具有限制，并且根据位置产生多种类型的Mura，因此难以检查Mura。此外，检查员具有检查差异，因此检查的生产力、准确性和再生产是低的。此外，由于需要检查员，因此浪费了人力与成本。
此外，仅在用于一盒(24个产品)的产品被制造出来以后才能观察，因此延迟了整个制造时间。为了使延迟最小化，不是检查全部产品，而是选择与检查产品中的一部分，因此此处理的可靠性变差。
此外，如图1中所示，现有技术中用于检测Mura的光源使用可见光，因此当检测Mura时通过Mura区域反射在基板下方的基板真空卡盘线，并且相应地，难以以图像分析区分Mura区域与真空线。
由于基板的面积增加而使该真空线被认为是密集的，因此更加难以区分区域。
发明内容
本发明的目的是提供通过激光结晶设施的Mura量化系统，其可以通过量化在包括激光结晶装置的设施中的结晶基板的仅Mura信息来确保Mura检测的可靠性，以及提供通过激光结晶设施的Mura量化方法。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种通过包括激光结晶装置的激光结晶设施实施的Mura量化系统，其中Mura量化装置设置在激光结晶设施中，使得基板通过激光结晶装置结晶并且当结晶基板移动时利用紫外线源实时进行Mura量化。
此外，为了实现上述目的，根据本发明的另一个方面，提供了一种通过激光结晶设施的Mura量化方法，其包括：加载基板的第一步骤；利用激光使所述加载基板结晶的第二步骤；当移动所述结晶基板时利用紫外线源实时进行Mura量化的第三步骤；以及卸载经历结晶与Mura量化的基板的第四步骤。
激光结晶装置可以包括：处理室；激光束发生器，其布置在处理室的侧面处并且将激光束辐射到基板；以及工作台，其布置在所述处理室中并且加载与卸载所述基板。
Mura量化装置可以包括：图像获取单元，其布置在工作台上方以便在不与激光束干扰的情况下在通过工作台加载的结晶基板中实时获得Mura；紫外线源，其布置在所述图像获取单元的侧面并且照射所述结晶基板；图像处理单元，其执行图像预处理以及图像处理，所述图像处理用于提取在获取的Mura图像上的对比图像并且通过将处理图像分析成数据来量化Mura；以及中央处理单元，其控制图像获取单元、紫外线源、以及图像处理单元，显示由图像获取单元获得的图像以及由图像处理单元获得的图像数据，以及确定结晶基板的合适性与不足。
图像获取单元可以是区域照相机并且图像获取单元通过响应于用于工作台的位置的信号调节触发器获取具有规则间距的Mura图像。
图像获取单元可以通过对用于具有优化能量密度(OPED)的各区域的触发器进行调节来获得具有规则间距的Mura图像。
图像获取单元可以是行扫描照相机。
图像获取单元可以与基板成20°～70°的角度布置，并且紫外线源可以与基板成20°～70°的角度布置。
偏光器可以进一步布置在紫外线源或图像获取单元前面，可以通过旋转偏光器仅使具有与Mura相同方向的光通过，并且绿色过滤器可以进一步布置在紫外线源或图像获取单元前面。
中央处理单元可以确定结晶基板的适合性与不足，并且当产生问题时，中央处理单元可以改变辐射到基板的激光束的能量密度(ED)。
根据本发明，能够通过利用紫外线源在包括激光结晶装置的设施中结晶的基板中的量化Mura，以及实时确定结晶基板的适合性/不足来实现稳定的处理管理。
此外，当使用紫外光时，用于在基板下方的真空卡盘线的图像未出现，因此仅可以获得关于基板的Mura的信息，并且相应地，Mura检测的可靠性可以增加并且通过获得的Mura信息可以显著地改进产量。
此外，与现有方式相比能够减小发现Mura花费的时间，因此能够确保产品产量。此外，能够通过获取由检测器确定的错误与差异的目标数据确保结晶基板的可靠质量与客观性。
此外，通过使用区域照相机或行扫描照相机以获得图像减小了用于检测Mura花费的时间，并且根据触发信号获得了此图像，因此对于基板的各区域来说可以容易地检测到Mura。
附图说明
通过下面结合附图时的详细描述，将会更加清楚地理解本发明的上述与其它目的、特征与其它优点。
图1示出了在现有技术中通过可见光获得的Mura图像；
图2是示出根据本发明的通过激光结晶设施的Mura量化系统的主要部分的视图；
图3是示出根据本发明的通过激光结晶设施的Mura量化方法的框图；
图4A和图4B是示出根据本发明的图像获取单元与紫外线源和基板的角度的视图；
图5是示出Mura的大体上期望的表面形状的视图；
图6是示出波长的吸收深度的视图；
图7是示出根据光源的波长的基板的式样的视图；以及
图8A和图8B是示出根据光源的波长的基板中的Mura图像的视图。
具体实施方式
本发明涉及利用机器视觉和提取数据来检测Mura，以确保通过利用紫外线源检测与量化关于包括激光结晶装置的设施中的结晶基板的仅Mura信息的Mura检测的可靠性，以及实时确定基板的适合性/不足。
本发明通过在包括激光结晶装置的设施中实时检查处理质量而允许稳定的处理管理。
在下文中，将参照附图详细地描述本发明。图2是示出根据本发明的通过激光结晶设施的Mura量化系统的的主要部分的视图；图3是示出根据本发明的通过激光结晶设施的Mura量化方法的框图；图4示出根据本发明的图像获取单元和紫外线源与基板的角度的视图；图5是示出Mura的大体期望的表面形状的视图；图6是示出波长的吸收深度的视图；图7是示出根据光源的波长的基板的式样的视图；以及图8A和图8B是示出根据光源的波长的基板中的Mura图像的视图。
如附图中所示，根据通过本发明的激光结晶设施10的Mura量化系统，在包括激光结晶装置100的设施中设置Mura量化装置200，以使基板20在激光结晶装置100中结晶并且当移动结晶基板20时利用紫外线源220实时检测与量化Mura。
本发明通过量化基板20中的Mura，实时确定在包括激光结晶装置100的设施中的结晶的基板20的适合性/不足，其中通过机器视觉自动地检测Mura来量化数据并且在包括激光结晶装置100的设施中实时检查处理质量，使得能够稳定地管理处理。
通常来说，激光结晶装置100包括处理室110、布置在处理室110的侧面处并且将激光束辐射到基板20的激光束发生器、以及布置在处理室110中以加载与卸载基板20的工作台130，并且Mura量化装置200包括在激光结晶装置100中。
根据本发明，用于获得Mura图像的构造包括在激光结晶装置100中，用于处理检测到的Mura图像、制造Mura的数据、以及控制部件的构造布置在激光结晶装置100外部，并且此构造包括激光结晶装置100的全部，并且用于量化Mura的装置称作为激光结晶设施10。即，在设施中执行激光结晶、Mura的检测与量化。
可以是用于通常结晶的真空室的激光结晶装置100的处理室110，在侧面处具有门以将基板20放入内部。
用于辐射使基板20结晶的激光束的激光束发生器布置在处理室110外部的一侧并且设计为利用光学模块与OPDM以直线式样将激光束有效地辐射到基板20。
通常来说，基板20具有沉积在玻璃上的硅薄膜，其中硅薄膜是非晶态物质，并且这里陈述的基板20的结晶意味着非晶态硅薄膜在诸如玻璃的基部基板上的结晶。为了方便起见，假设在本发明中基板20包括待结晶的薄膜与在薄膜下方的基部基板。
用于结晶的激光束的能量的密度称为能量密度(在下文中，称为‘ED’)，并且具有使结晶结果最优化的情形的ED称作优化能量密度(此后，称作为‘OPED’)。相应地，激光束设置在预定OPED处。
例如，激光束发生器利用准分子激光光束使基板20结晶，并且工作台130布置在处理室110中并且安装以基板20以加载与卸载基板20。
工作台130相对于激光束移动待结晶的基板20，使得激光束辐射到基板20的全部区域。在此构造中，能够通过将用于工作台130的位置的编码器信号供给到下面将要描述的Mura量化装置200的图像获取单元210并且然后将此信号用作图像获取单元210的触发信号来获得具有规则间距的图像。这用于获得Mura图像并且根据工作台130的位置量化Mura，并且相应地，能够准确地发现产生Mura之处。
此外，通常来说，基板20放置在真空卡盘线上，使得基板20固定在工作台130上，其中当通过普通光(400nm～700nm)获得Mura图像时，真空卡盘线出现在Mura图像中，因此检测Mura的可靠性变差。
Mura量化装置200设置在包括激光结晶装置100的设施中，以实时进行Mura量化，同时使结晶基板20移动。
Mura量化装置200包括：图像获取单元210，其布置在工作台130上方，以便在不干扰激光束的情况下实时获得由工作台130加载的结晶基板20中Mura；紫外线源220，其布置在图像获取单元210的侧面处并且照射结晶基板20；图像处理单元230，其执行用于提取在获取的Mura图像上的对比图像的图像预处理和图像处理，并且通过将处理图像分析成数据来量化Mura；以及中央处理单元240，其控制图像获取单元210、紫外线源220、以及图像处理单元230，显示由图像获取单元210获得的图像以及由图像处理单元230获得的图像数据，以及确定结晶基板20的合适性/不足。
如上所述，Mura量化装置200的图像获取单元210与紫外线源220可以设置在激光结晶装置100的处理室110内部，而用于处理获得的图像的图像处理单元230与中央处理单元240可以设置在处理室110的外部。
提供用于获取结晶基板20的Mura图像的图像获取单元210，是连接到要对打开/关闭与操作进行控制的中央处理单元240的普通CCD照相机，其中区域照相机211或者行扫描照相机212用于减小检测Mura花费的时间，并且可以使用可以获取图像的全部其它照相机。
当要求利用区域照相机211获得图像时，能够通过调节同步触发器获得具有规则间距的图像。例如，能够响应于用于工作台130的位置的编码器信号通过调节区域照相机211的触发器获取具有规则间距的Mura图像。因此，能够发现在基板20上获得Mura图像的地方，因此能够在基板20上的所述位置处容易地确定良好与差的结晶。
此外，能够通过调节用于各OPED区域(即各优化能量密度区域)的触发器获得具有规则间距的Mura图像。即，能够通过以用于基板20的各区域的不同OPED来执行结晶并且将OPED作为触发器输入到图像获取单元210以确定更好地执行结晶之处的区域。
紫外线源220布置在图像获取单元210的侧面并且照射结晶基板20，使得图像可以被良好获得，可以具有圆顶、环、杠与轴的形状并且使用紫外线(具有400nm或更小的波长带)。紫外线源220可以调节角度，即，可以通过下述的中央处理单元240调节紫外线源220的打开/关闭与角度。
通常来说，基板20放置在真空卡盘线上，使得基板20固定在工作台130上，其中当通过普通可见光(400nm～700nm)获取Mura时，由于通过基板20反射的图像真空卡盘线与Mura图像重叠，因此在Mura检测的可靠性变差。
在本发明中使用紫外线源220来解决此问题。紫外线源220可以获得图像，所述图像未被传送，但是由于在基板20(例如，玻璃基部基板)上的硅薄膜的厚度被吸收，并且以预定角度反射在Mura图像中。
即，当使用紫外线源220时，通过基板反射的图像被减小或移除，因此可以改进用于获得Mura图像的可靠性。
如图4中所示，图像获取单元210可以与基板20成20°～70°的角度(θAX)布置，并且紫外线源220可以与基板20成20°～70°的角度(θAX)布置。图4A示出了区域照相机211，以及图4B示出了行扫描照相机212。区域照相机211与水平布置地的基板成一定角度。
图5示出了Mura的大体上期望的表面形状，其中图像获取单元210与紫外线光源220不成角度(go out of the angle)，获得覆盖邻近Mura的图像，或者获得关于Mura的高度与宽度的不正确信息。
此外，图像处理单元230执行用于获取在获取的Mura图像上的对比图像的图像预处理和图像处理并且通过将处理图像分析成数据来量化Mura。
通常来说，难以视觉识别Mura图像，因此要求提取对比图像以增加Mura图像的可视性，并且相应地，通过平均获得图像中的局部亮度值形成平滑图像来获取对比图像。
通过减去由对初始获取的图像进行预处理而获得的参考图像的数据值获取了对比图像，可以通过基于对比图像输入诸如对比比率与线类型的选择条件来获取分析图像，以及相应地，获取了用于最终Mura检测的量化图像数据。
PC通常用作中央处理单元240，其控制图像获取单元210、紫外线源220、以及图像处理单元230，显示由图像获取单元210获得的图像以及由图像处理单元230获得的图像的数据，以及确定结晶基板20的合适性/不足。
例如，中央处理单元240可以包括：用于控制图像获取单元210、紫外线源220与图像处理单元230与输入设定值的键盘；用于显示获取的图像与处理的图像数据的面板；以及控制器，其用于根据图像数据确定结晶基板20的适合性/不足以及控制全部部件。
设置在激光结晶装置100外部的中央处理单元240，不仅可以控制Mura量化装置200，而且可以控制包括激光结晶装置100的全部设施。此外，中央处理单元240可以控制激光发生器120以及激光结晶装置100的工作台130的移动与位置，其中工作台130的位置作为触发信号输入到图像获取单元210中，使得能够通过规则间距操作图像获取单元210。
中央处理单元240可以利用获得图像的数据确定结晶基板20的适合性/不足，可以在产生问题时改变辐射到基板20的激光束的能量密度，其中如果必要的话，可以根据确定适合性/不足的结果，通过由使用者提前或直接设置的程序而自动地改变ED。
在下文中描述了根据本发明的通过激光结晶设施10的Mura量化方法。
图3是示出根据本发明的Mura量化方法的视图。如图2中所示，通过激光结晶设施10的Mura量化方法包括加载基板20的第一步骤、利用激光在加载基板20上执行结晶的第二步骤、在移动结晶基板20的同时利用紫外线实时进行Mura量化的第三步骤、以及卸载已经经历结晶与Mura量化的基板20的第四步骤。
装置20安装在激光结晶装置100中的工作台130上并且加载到用于激光结晶的位置。加载基板20通过来自激光束发生器的激光束结晶，通过在移动结晶基板20时由图像获取单元210从结晶基板20获得Mura图像以及通过处理图像来实时量化Mura，并且然后已经经历结晶与Mura量化的基板20被卸载，由此完成此处理。
第三步骤是下述处理：从结晶基板20获得Mura图像，在获得的Mura图像上执行图形处理，通过将图像处理的图像分析成数据量化Mura，并且然后基于量化的Mura确定用于基板20的结晶等级的适合性/不足。
在从结晶基板20获得Mura图像的步骤中，通过调节同步触发器获得具有规则间距的Mura图像。
为了获取结晶基板20的Mura图像，可以使用诸如区域照相机211或行扫描照相机212的图像获取单元210并且通过调节用于图像获取单元210的位置的同步触发器能够获取具有规则间距的图像。
例如，能够通过响应于用于工作台130的位置的编码器信号调节区域照相机211的触发器获取具有规则间距的Mura图像。因此，能够发现已经在基板20上获得Mura图像的地方，因此能够在基板20上的位置处容易地确定良好与差的结晶。
对聚焦区域，即除了从获得图像的散焦区域以外的有效区域，选择性地检测与量化Mura，并且可以通过将各区域的特性与参考等级进行比较的绝对比较类型或比较区域的特性的差异的相对比较类型确定基板20的适合性/不足。
此外，能够通过调节用于各OPED区域(即，各优化能量密度区域)的触发器获得具有规则间距的Mura图像。即，能够通过以用于基板20的各区域的不同OPED来执行结晶并且将OPED作为触发器输入到图像获取单元210以确定更好地执行结晶之处的区域。
对于通过行扫描照相机212获取的图像来说，立体图被修正，处理区域，即有效区域被提取，并且通过执行直方图量化或累积轮廓为基础的计算来计算区域特性，由此确定基板20的适合性/不足。
通过将各区域的特性与参考高度进行比较或者将此区域的特性中的差异进行比较来实现对基板的适合性/不足的确定。
为了移除或减小通过基板20反射的真空卡盘线图像，在本发明中使用紫外线源220。紫外线源220可以获得图像，所述图像未被传送，但是由于在基板20(例如，玻璃基部基板)上的硅薄膜的厚度被吸收，并且以预定角度反射在Mura图像中。
即，当使用紫外线源220时，通过基板20反射的图像被减小或移除，因此可以改进用于获得Mura图像的可靠性。
图像获取单元210可以与基板20成20°～70°的角度(θAX)布置，并且紫外线源220可以与基板20成20°～70°的角度(θAX)布置。图4A示出了区域照相机211，以及图4B示出了行扫描照相机212。区域照相机211与水平布置地的基板20成一定角度。
图5示出了Mura的通常期望的表面形状，其中图像获取单元210与紫外线源220不成角度，获得覆盖邻近Mura的图像，或者获得关于Mura的高度与宽度的不正确信息。
此外，通过图像处理单元230执行用于获得的Mura图像的图像处理，其中可以在获取的Mura图像上执行用于获取对比图像的图像预处理与图像处理，并且可以通过将处理的图像分析成数据量化Mura。
例如，通过平均获取图像中的局部亮度值形成平滑图像来提取对比图像，即，通过从初始获得的图像减除通过预处理获得的参考图像的数据值来获得对比图像，可以通过基于对比图像输入诸如对比比率与线类型的选择条件来获取分析图像，以及相应地，获取了用于最终Mura检测的量化图像数据。
此外，在量化Mura的基础上确定用于基板20的结晶等级的适合性/不足，并且在产生问题时，改变照射到基板20的激光束的能量密度(ED)，这通过中央处理单元240执行。
在下文中描述当通过根据本发明的紫外线源220获取Mura图像时以及当通过可见光获取Mura图像时的比较数据。
图6示出了对波长的吸收深度，其中由于基于在400nm或更少的紫外线源220的区域中的硅薄膜的结晶厚度而未传送的图像，因此未产生从基板反射的图像。然而，在可视光区域中，在硅薄膜的结晶厚度上发生透射，从而获得了在基板20下方的诸如真空卡盘线的图像。
图7示出了根据光的波长的基板10的图像，其中可以看到基板20的式样(例如，真空卡盘线)减小使得其可以被微暗地看到。
图8A和图8B分别示出了当辐射紫外线光220时与辐射可见光时的Mura图像。当辐射可见光时，获得在基板20上反射的真空卡盘线，并且当辐射来自紫外线源220的紫外光时，获得Mura图像，但是在基板20上的真空卡盘线未出现。
如上所述，根据本发明，能够通过利用紫外光在包括激光结晶装置的设施中的结晶基板中的量化Mura、以及实时确定结晶基板的适合性/不足来实现稳定的处理管理。
特别地，当使用紫外线光时，诸如在基板下方的真空卡盘线的图像未出现，因此仅可以获得关于基板的Mura图像的信息，并且相应地，Mura检测的可靠性可以增加并且通过获得的Mura信息可以显著地改进产量。

Claims (12)

1.一种通过包括激光结晶装置的激光结晶设施实施的Mura量化系统，其中，Mura量化装置设置在所述激光结晶设施中，使得基板通过所述激光结晶装置结晶，并且当结晶基板移动时利用紫外线源实时进行Mura量化，
其中所述激光结晶装置包括：
处理室；
激光束发生器，其布置在所述处理室的侧面并且将激光束辐射到所述基板；以及
工作台，其布置在所述处理室中并且加载与卸载所述基板，
其中所述Mura量化装置包括：
图像获取单元，其布置在所述工作台上方，以便在不干扰所述激光束的情况下实时获得所述工作台加载的所述结晶基板中的Mura；
紫外线源，其布置在所述图像获取单元的侧面并且照射所述结晶基板；
图像处理单元，其执行用于在获得的Mura图像上提取对比图像的图像预处理和图像处理，并且通过将处理图像分析成数据来进行Mura量化；以及
中央处理单元，其控制所述图像获取单元、所述紫外线源、以及所述图像处理单元、显示通过所述图像获取单元获取的图像以及通过所述图像处理单元获取的图像数据，以及确定所述结晶基板的适合性与不足，
其中，所述图像获取单元通过响应于用于所述工作台的位置的信号而调节触发器来获取具有规则间距的Mura图像。
2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述图像获取单元是区域照相机。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述图像获取单元通过调节用于具有优化能量密度(OPED)的各区域的触发器获取具有规则间距的Mura图像。
4.根据权利要求1所述的系统，其中，所述图像获取单元是行扫描照相机。
5.根据权利要求1所述的系统，其中，所述图像获取单元与所述基板成20°～70°的角度布置。
6.根据权利要求5所述的系统，其中，所述紫外线源与所述基板成20°～70°的角度布置。
7.根据权利要求1所述的系统，其中，所述中央处理单元确定所述结晶基板的适合性与不足，并且在产生问题时，所述中央处理单元改变辐射到所述基板的所述激光束的能量密度(ED)。
8.一种通过激光结晶设施实施的Mura量化方法，所述方法包括：
在工作台上加载基板的第一步骤；
利用激光使加载的基板结晶的第二步骤；
当移动结晶基板时利用紫外线源实时进行Mura量化的第三步骤；以及
卸载经历结晶与Mura量化的基板的第四步骤，
其中所述第三步骤包括：
利用紫外线源获得所述结晶基板的Mura图像；
在获得的Mura图像上执行图像处理；
通过将经历了所述图像处理的所述图像分析成数据来进行Mura量化；以及
基于量化的Mura确定用于基板的结晶等级的适合性与不足，
其中，获取所述结晶基板的Mura图像是通过响应于用于所述工作台的位置的信号而调节位置同步触发器来获取具有规则间距的Mura图像。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，在获得所述结晶基板的Mura图像中，用于获得Mura图像的图像获取单元以与所述基板成20～70°的角度布置。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述紫外线源与所述基板成20°～70°的角度布置。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述获取的Mura图像上执行图像处理是执行用于在所述获取的Mura图像上提取对比图像的图像预处理与图像处理，以及通过将所述处理的图像分析成数据来进行Mura量化。
12.根据权利要求8所述的方法，其中，当由于确定所述结晶基板的适合性与不足而产生问题时，基于所述量化的Mura改变辐射到所述基板的激光束的能量密度(ED)来确定用于所述基板的结晶等级的适合性与不足。
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