CN106205731B - 信息处理方法及存储设备 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种信息处理方法及存储设备，所述信息处理方法包括：基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域的存储技术，尤其涉及一种信息处理方法及存储设备。
背景技术
闪存Nand Flash是一种非易失存储媒介，其特点是读取/写入(R/W)速度较机械硬盘快很多，但数据在R/W、保存过程中容易产生错误，需要使用较复杂的纠错码以及其它配套机制对用户数据进行处理，以保证Nand Flash中数据的可靠性。
Nand Flash中存储数据的最小存储单位是cell，一个cell可以用于表示多个符号，如在多层单元闪存(Multi-Level Cell，MLC)闪存中，一个cell可以呈现四种状态，分别用于表示2-bit数据的00 01 10 11)。在向cell写入数据时，控制器对cell进行编程，使其具有一个特定的电压阈值(Threshold Voltage，Vth)；在读取数据时，使用一个或多个参考电压Vref与存储电压亦称阈值电压Vth进行比较，确定Vth的电压范围，并转换为相应的符号。
数据的可靠性由编程时和读取时的Vth之间的差异程度决定。具体的，首先需约定一个默认的Vth电压，在编程时作为编程的目标，并在读取时与一组Vref比较。但是往往在数据读取的过程中，发现有很高的错误，进而导致存储可靠性低等问题。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例期望提供一种信息处理方法及存储设备，至少部分解决存储可靠性低的问题。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
本发明实施例第一方面提供一种信息处理方法，包括：
基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；
当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；
根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；
根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
基于上述方案，所述根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理，包括：
当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是不可恢复错误时，将所述存储数据迁移到第二存储区域并将所述第一存储区域设置为禁用存储区域；其中，所述第二存储区域不同于所述第一存储区域。
基于上述方案，所述根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理，包括：
当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是可恢复错误时，对所述第一存储区域执行预设恢复操作。
基于上述方案，所述方法还包括：
当所述第二参考电压无法正确解码所述存储数据时，提取所述存储数据对应的第一存储电压；
根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压；
将所述第三参考电压与各所述第二参考电压进行比较；
利用与所述第三参考电压最接近的所述第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因。
基于上述方案，所述根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压，包括：
获取第一均值电压；其中，所述第一均值电压为同一符号对应的至少两个所述第一存储电压的均值电压；
获取不同符号对应的第一均值电压的高斯分布曲线；
将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第三参考电压。
基于上述方案，所述方法还包括：
预先获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与各所述第二参考电压对应的错误成因。
基于上述方案，所述获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与各所述第二参考电压对应的错误成因，包括：
以知晓错误成因的第三存储区域为分析对象，提取出所述第三存储区域的第二存储电压；
分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压；
记录所述第二参考电压形成所述重读电压序列；
对应记录与所述第二参考电压对应的错误成因。
基于上述方案，所述分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压，包括：
获取第二均值电压；其中，所述第二均值电压为同一错误成因且同一符号对应的至少两个所述第二存储电压的均值电压；
获取不同符号对应的第二均值电压的高斯分布曲线；
将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第二参考电压。
本发明实施例第二方面提供一种存储设备，包括存储介质和与所述存储介质连接的处理器；
所述存储介质至少包括第一存储区域；
所述处理器，用于基于第一参考电压读取所述第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
基于上述方案，所述存储介质还包括第二存储区域；
所述处理器，具体用于当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是不可恢复错误时，将所述存储数据迁移到所述第二存储区域并将所述第一存储区域设置为禁用存储区域；其中，所述第二存储区域不同于所述第一存储区域。
基于上述方案，所述处理器，具体用于当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是可恢复错误时，对所述第一存储区域执行预设恢复操作。
基于上述方案，所述处理器，还用于当所述第二参考电压无法正确解码所述存储数据时，提取所述存储数据对应的第一存储电压；根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压；将所述第三参考电压与各所述第二参考电压进行比较；利用与所述第三参考电压最接近的所述第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因。
基于上述方案，所述处理器，具体用于获取第一均值电压；其中，所述第一均值电压为同一符号对应的至少两个所述第一存储电压的均值电压；获取不同符号对应的第一均值电压的高斯分布曲线；将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第三参考电压。
基于上述方案，所述处理器，还用于预先获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与所述第二参考电压对应的错误成因。
基于上述方案，所述处理器，还用于以知晓错误成因的第三存储区域为分析对象，提取出所述第三存储区域的第二存储电压；分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压；记录所述第二参考电压形成所述重读电压序列；对应记录与所述第二参考电压对应的错误成因。
基于上述方案，所述处理器，具体用于获取第二均值电压；其中，所述第二均值电压为同一错误成因且同一符号对应的至少两个所述第二存储电压的均值电压；获取不同符号对应的第二均值电压的高斯分布曲线；将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第二参考电压。
本发明实施例提供的信息处理方法及存储设备，当第一参考电压无法正确解码存储数据时，将利用第二参考电压来解码存储数据，并会根据解码正确的第二参考电压，确定出错误成因，一旦确定出错误成因就执行相应的预设处理，这样就可以减少存储区域出现了错误，不能及时发现导致的存储可靠性低，以及存储区域的错误不能及时恢复或不可用的存储区域并没有及时禁用导致的存储可靠性低的问题。这样在存储区域使用的过程中，存储了默认的i第一参考电压无法正确解码时，及时利用错误成因分析的第二参考电压进行错误成因定位及预设处理，可确保使用中存储区域处于错误状态的概率低，显然可以提升存储可靠性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的第一种信息处理方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的第二种信息处理方法的流程示意图；
图3为本发明实施例提供的第三种信息处理方法的流程示意图；
图4为本发明实施例提供的存储设备的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种不同符号存储电压的分布示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种不同符号存储电压的分布示意图。
具体实施方式
以下结合说明书附图及具体实施例对本发明的技术方案做进一步的详细阐述。
实施例一：
如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，包括：
步骤S110：基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；
步骤S120：当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；
步骤S130：根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；
步骤S140：根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
在本实施例信息处理方法为应用于存储设备中的信息处理方法。首先利用第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据。在本实施例中所述第一参考电压可为默认参考电压。通常情况下，若所述第一存储区域未发生故障，则所述第一参考电压均可正确解码所述存储数据。
当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域存储的存储数据时，在本实施例中利用第二参考电压来解码所述存储数据。在本实施例中所述第二参考电压可为错位成因分析的参考电压。
在步骤S130中，若第二参考电压正确解码所述存储数据，则根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析错误成因。通常情况下，所述第二参考电压与错误成因具有映射关系。例如，第二参考电压A与错误成因A具有对应关系，若利用第二参考电压A正确解码了第一参考电压无法正确解码的存储数据，则可认为所述第一存储区域因所述错误成因A导致第一参考电压无法正确解码存储数据。
最后，根据分析出的错误成因，采用相应的预设处理对第一存储区域进行处理，避免第一存储区域的故障没有解除，导致存储错误以及读取错误，进而导致的存储可靠性低的原因。
在本实施例中在存储介质的存储数据解码过程中，及时的利用第二参考电压来定位错误成因，并通过采取对应的错误进行预设处理，可以提升存储介质存储的可靠性。
实施例二：
如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，包括：
步骤S110：基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；
步骤S120：当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；
步骤S130：根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；
步骤S140：根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
所述步骤S140可包括：
当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是不可恢复错误时，将所述存储数据迁移到第二存储区域并将所述第一存储区域设置为禁用存储区域；其中，所述第二存储区域不同于所述第一存储区域。
在本实施例中所述第一存储区域的存储错误可包括可恢复错误和不可恢复存储错误。在本实施例中所述不可恢复错误可包括存储介质长期保持数据导致的不可恢复错误。
在本实施例中若根据第二参考电压，确定了第一存储区域发生了不可恢复错误时，将存储数据迁移到第二存储区域。所述第二存储区域为目前确定未法伤错误的存储区域，一方面确保了存储到第一存储区域上的存储数据的不丢失，另一方面同时将所述第一存储区域设置为禁用存储区域，这样后续存储设备在进行数据存储时，再也不会将所述存储到所述第一存储区域，以避免再次存储和读取错误，提升存储的可靠性。
实施例三：
如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，包括：
步骤S110：基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；
步骤S120：当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；
步骤S130：根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；
步骤S140：根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
所述步骤S140可包括：
当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是可恢复错误时，对所述第一存储区域执行预设恢复操作。
所述错误成因还可包括可恢复错误，例如，可以通过擦除重写恢复的错误。例如，某一个存储区域内的数据因为读取次数过多导致的错误。
在本实施例中当所述错误成因为可恢复错误是可通过一定的处理，使得对应的存储区域恢复到默认的存储特性，再次存储数据时，可以依然可以通过第一参考电压进行数据的读取。
在本实施例中若确定是可恢复错误，则进行恢复操作，避免第一存储区域的错误继续存在，导致后后续数据的读取错误以及错误程度的继续加深。
实施例四:
如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，包括：
步骤S110：基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；
步骤S120：当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；
步骤S130：根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；
步骤S140：根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
如图2所示，所述方法还包括：
步骤S150：当所述第二参考电压无法正确解码所述存储数据时，提取所述存储数据对应的第一存储电压；
步骤S160：根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压；
步骤S170：将所述第三参考电压与各所述第二参考电压进行比较；
步骤S180：利用与所述第三参考电压最接近的所述第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因。
在一些情况下，可能第二参考电压也不能直接正确解码存储数据，此时提取存储数据的第一存储电压。所述第一存储区域包括若干个存储单元，每个存储单元存储的数据不同，存储的数据不同则对应的第一存储电压不同，在本实施例中将提取所述第一存储区域中第一存储电压的分布特性，所述分布特性称为第一分布特性。根据所述第一分布特性分析出，解码所述存储数据的第三参考电压。通过第三参考电压解码所述存储数据，再利用校验方法确定是否解码正确，若第三参考电压解码的存储数据通过校验，则将该第三参考电压与各个第二参考电压进行比较，选择出与所述第三参考电压最接近的第二参考电压。可认为该第二参考电压对应的错误成因，有非常大的可能是所述第一存储区域当前所对应的错误成因。
显然本实施例提供的错误成因分析方法，不局限于第二参考电压，这样可以提高错误成因的分析成功率，方便对更多发生错误的存储区域进行数据预设处理，提升存储介质的存储可靠性。
实施例五：
如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，包括：
步骤S110：基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；
步骤S120：当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；
步骤S130：根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；
步骤S140：根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
如图2所示，所述方法还包括：
步骤S150：当所述第二参考电压无法正确解码所述存储数据时，提取所述存储数据对应的第一存储电压；
步骤S160：根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压；
步骤S170：将所述第三参考电压与各所述第二参考电压进行比较；
步骤S180：利用与所述第三参考电压最接近的所述第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因。
所述步骤S160可包括：
获取第一均值电压；其中，所述第一均值电压为同一符号对应的至少两个所述第一存储电压的均值电压；
获取不同符号对应的第一均值电压的高斯分布曲线；
将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第三参考电压。
在本实施例中所述不同符号可包括表示“0”或“1”的符号。通常情况先，同一符号对应的存储电压是呈高斯分布，在本实施例中将不同符号的高斯分布曲线搬移到同一图示中，利用不同符号的高斯分布曲线的交叉点对应的电压叫做所述交缠点电压；将所述交叉点电压作为所述第三参考电压，这样得到的第三参考电压是具有非常大概率能够正确解码所述第一存储区域的存储数据，首先这样相当于恢复了第一存储区域的存储数据，同时找到了第三参考电压，通过第三参考电压与第二参考电压的比较，还方便分析错误成因，从而这种确定第三参考电压的方法，具有多重优点。
实施例六：
如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，包括：
步骤S110：基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；
步骤S120：当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；
步骤S130：根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；
步骤S140：根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
所述方法还包括：
预先获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与各所述第二参考电压对应的错误成因。
在本实施例中所述方法，在利用第二参考电压解析第一存储区域的存储数据之前，获取包括多组第二参考电压的重读电压序列。以及每一个所述第二参考电压对应的错误成因。
在步骤S120中，分别利用错误成因中的一组或多组第二参考电压解码所述第一存储区域的存储数据，直至找到正确解码所述存储数据的第二参考电压或所有第二组参考电压都无法正确解码所述存储数据才停止。
由于预先知道第二参考电压与错误成因的对应关系，故在步骤S130中，可以通过这种对应关系，简便的确诊出所述错误成因。不同的错落成因可能对应不同的预设处理，在本实施例中一旦错误成因确定，就可以采用相应的预设处理对第一存储区域进行相应处理，以提高存储可靠性。
实施例七：
如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，包括：
步骤S110：基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；
步骤S120：当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；
步骤S130：根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；
步骤S140：根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
所述方法还包括：
预先获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与各所述第二参考电压对应的错误成因。
在本实施例中所述方法，在利用第二参考电压解析第一存储区域的存储数据之前，获取包括多组第二参考电压的重读电压序列。以及每一个所述第二参考电压对应的错误成因。
如图3所示，所述获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与各所述第二参考电压对应的错误成因，包括：
步骤S201：以知晓错误成因的第三存储区域为分析对象，提取出所述第三存储区域的第二存储电压；
步骤S202：分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压；
步骤S203：记录所述第二参考电压形成所述重读电压序列；
步骤S204：对应记录与所述第二参考电压对应的错误成因。
在本实施例中以知晓错位成因的第三存储区域为分析对象，提取第三存储区域的第二存储电压，再分析第二存储电压的第二分布特性，就可以知道该错误成因会导致存储区域中不同符号的存储电压的分布特性，从而达到解码的第二参考电压。该第二参考电压作为重读电压序列中的一组参考电压，该错误成因将作为步骤S140中与该第二参考电压对应的错误成因。显然，本实施例提供了一种如何获取第二参考电压及与该第二参考电压对应的错误成因的方法，具有实现简便的特点。
例如，找到一个存储区域确定是因为反复读写已出现了存储错误，提取该存储区域内各个存储单元cell的存储电压，分写这些存储电压的分布特性，根据该分布特性，找到适合解码的参考电压。找到的该参考电压作为第二参考电压形成所述重读电压序列，并建立该第二参考电压与反复读写错误成因的对应关系。这样后续若利用该第二参考电压正确解码了第一参考电压无法正确解码的存储数据，则可认为对应的存储区域出现了反复读写的错误成因。
当然，确定第二参考电压与错误成因之间的对应关系的方法，不止上述一种，还可包括利用仿真确定所述第二参考电压和所述错误成因之间的对应关系等。
实施例八：
如图1所示，本实施例提供一种信息处理方法，包括：
步骤S110：基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；
步骤S120：当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；
步骤S130：根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；
步骤S140：根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
所述方法还包括：
预先获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与各所述第二参考电压对应的错误成因。
在本实施例中所述方法，在利用第二参考电压解析第一存储区域的存储数据之前，获取包括多组第二参考电压的重读电压序列。以及每一个所述第二参考电压对应的错误成因。
如图3所示，所述获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与各所述第二参考电压对应的错误成因，包括：
步骤S201：以知晓错误成因的第三存储区域为分析对象，提取出所述第三存储区域的第二存储电压；
步骤S202：分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压；
步骤S203：记录所述第二参考电压形成所述重读电压序列；
步骤S204：对应记录与所述第二参考电压对应的错误成因。
所述步骤S202可包括：
获取第二均值电压；其中，所述第二均值电压为同一错误成因且同一符号对应的至少两个所述第二存储电压的均值电压；
获取不同符号对应的第二均值电压的高斯分布曲线；
将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第二参考电压。
在本实施例中获取第二均值电压，同一错误成因不同符号的第二存储电压的均值电压，获取不同符号的第二均值电压的高斯分布曲线，提取不同符号的高斯分布曲线的交叉点对应的电压(即所述交叉点电压)为所述第二参考电压。
实践证明，这样确定的所述第二参考电压，具有正确解码有发生错误的存储区域的概率高的特点。
实施例九：
如图4所示，本实施例提供一种存储设备，包括存储介质110和与所述存储介质110连接的处理器120；
所述存储介质110至少包括第一存储区域；
所述处理器120，用于基于第一参考电压读取所述第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
本实施例所述的存储介质可为各种类型的存储介质，例如，Flash等存储介质，可选为非瞬间存储介质。
所述处理器120可为中央处理器、微处理器、数字信号处理器、可编程阵列或应用处理器等。所述处理器120与所述存储介质110之间可以通过总线连接。所述总线可包括PCI总线或IIC总线等。所述处理器120通过所述总线可以与所述存储介质110进行各种数据的交互，例如，向所述存储介质写入数据，从所述存储介质110读取数据等。
在本实施例中所述处理器120首先会利用第一参考电压正常读取第一存储区域的数据，若在读取的过程中发现解码不正确，则利用第二参考电压读取并解码所述存储数据，一旦找到一组所述第二参考电压能够正确解码所述存储数据，则利用该第二参考电压与错误成因的对应关系，确定所述第一存储区域的错位成因，并根据错误成因施加预设处理，避免发生错误的第一存储区域的错误继续存储，继续影响存储的可靠性。
实施例十：
如图4所示，本实施例提供一种存储设备，包括存储介质110和与所述存储介质110连接的处理器120；
所述存储介质110至少包括第一存储区域；
所述处理器120，用于基于第一参考电压读取所述第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
所述存储介质110还包括第二存储区域；
所述处理器120，具体用于当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是不可恢复错误时，将所述存储数据迁移到所述第二存储区域并将所述第一存储区域设置为禁用存储区域；其中，所述第二存储区域不同于所述第一存储区域。
当确定出所述第一存储区域发送了不可恢复错误，即出现了不可逆错误，例如，磨损过多，导致的第一存储区域再也不能使用时，将利用第二参考电压正确解码的存储数据，迁移到第二存储区域继续存储，避免数据丢失；同时将该第一存储区域设置为禁用存储区域，以后处理器120就不会在向该第一存储区域写入数据了，提高了存储的可靠性。
实施例十一：
如图4所示，本实施例提供一种存储设备，包括存储介质110和与所述存储介质110连接的处理器120；
所述存储介质110至少包括第一存储区域；
所述处理器120，用于基于第一参考电压读取所述第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
所述处理器120，具体用于当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是可恢复错误时，对所述第一存储区域执行预设恢复操作。
在本实施例中若来确定出错误成因是可恢复错误，则采用对应的恢复操作恢复第一存储区域的存储状态，这样就可以避免第一存储区域中错误继续存在导致的存储可靠性低的问题。
实施例十二：
如图4所示，本实施例提供一种存储设备，包括存储介质110和与所述存储介质110连接的处理器120；
所述存储介质110至少包括第一存储区域；
所述处理器120，用于基于第一参考电压读取所述第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
所述处理器120，还用于当所述第二参考电压无法正确解码所述存储数据时，提取所述存储数据对应的第一存储电压；根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压；将所述第三参考电压与各所述第二参考电压进行比较；利用与所述第三参考电压最接近的所述第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因。
在本实施例中若各组第二参考电压都无法正确解码所述存储数据时，为了进一步恢复存储数据和/或分析错误成因，在本时候死例中将提取各个存储单元中存储数据对应的第一存储电压。根据第一存储电压的电压分布特性，即所述第一分布特新，确定出可正确解码的第三参考电压。并利用第三参考电压与第二参考电压，通过第二参考电压及第三参考电压的相似性，分析出错误成因，这样提升了所述处理器分析错误成因的能力，还提升了所述处理器恢复数据的能力，进而能够再次提升存储的可靠性。
实施例十三：
如图4所示，本实施例提供一种存储设备，包括存储介质110和与所述存储介质110连接的处理器120；
所述存储介质110至少包括第一存储区域；
所述处理器120，用于基于第一参考电压读取所述第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
所述处理器120，还用于当所述第二参考电压无法正确解码所述存储数据时，提取所述存储数据对应的第一存储电压；根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压；将所述第三参考电压与各所述第二参考电压进行比较；利用与所述第三参考电压最接近的所述第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因。
所述处理器120，具体用于获取第一均值电压；其中，所述第一均值电压为同一符号对应的至少两个所述第一存储电压的均值电压；获取不同符号对应的第一均值电压的高斯分布曲线；将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第三参考电压。
在本实施例中所述处理器在获取所述第三参考电压时，是根据不同符号的第一均值电压的高斯分布曲线来确定的。
在本实施例中所述交叉点电压为不同符号的高斯分布曲线交叉位置对应的电压。例如，符号“0”和符号“1”的高斯分布曲线在电压A处交叉，则电压A即为所述交叉点电压。
利用不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压作为第三参考电压，具有解码正确的概率高的特点。
实施例十四：
如图4所示，本实施例提供一种存储设备，包括存储介质110和与所述存储介质110连接的处理器120；
所述存储介质110至少包括第一存储区域；
所述处理器120，用于基于第一参考电压读取所述第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
所述处理器120，还用于获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与所述第二参考电压对应的错误成因。
所述处理器120可从其他存储设备获取所述重读电压序列及错误成因，也可以自行分析或仿真获得所述重读电压序列及错误成因，处理器120预先获取了该错误成因和重读电压序列的对应关系，这样后续分析错误成因时就非常简便。
实施例十五：
如图4所示，本实施例提供一种存储设备，包括存储介质110和与所述存储介质110连接的处理器120；
所述存储介质110至少包括第一存储区域；
所述处理器120，用于基于第一参考电压读取所述第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
所述处理器120，还用于获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与所述第二参考电压对应的错误成因。
所述处理器120，还用于以知晓错误成因的第三存储区域为分析对象，提取出所述第三存储区域的第二存储电压；分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压；记录所述第二参考电压形成所述重读电压序列；对应记录与所述第二参考电压对应的错误成因。
在本实施例中以知晓错误成因的第三存储区域为分析对象，通过存储电压提取及分布特性分析等方法将获取第二参考电压，并与该已知晓的错误成因建立对应关系，就形成了所述错误成因序列及所述对应关系，方便后续对存储介质中其他存储区域的错误成因的分析和预设处理。
实施例十六：
如图4所示，本实施例提供一种存储设备，包括存储介质110和与所述存储介质110连接的处理器120；
所述存储介质110至少包括第一存储区域；
所述处理器120，用于基于第一参考电压读取所述第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理。
所述处理器120，还用于获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与所述第二参考电压对应的错误成因。
所述处理器120，还用于以知晓错误成因的第三存储区域为分析对象，提取出所述第三存储区域的第二存储电压；分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压；记录所述第二参考电压形成所述重读电压序列；对应记录与所述第二参考电压对应的错误成因。
所述处理器120，具体用于获取第二均值电压；其中，所述第二均值电压为同一错误成因且同一符号对应的至少两个所述第二存储电压的均值电压；获取不同符号对应的第二均值电压的高斯分布曲线；将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第二参考电压。
所述处理器120，具体通过第二均值电压的获取及高斯分布曲线的绘制，获得所述交叉点电压作为第二参考电压，这样获得的第二参考电压具有解码能力强的特点，且具有处理简便的特点。
以下结合上述实施例提供一个具体示例：
步骤A：典型错误场景选取：进行大量模拟的真实场景测试，从其中发现使用默认参考电压Vref无法正确解码的应用上下文(例如，在服务器应用中，连续写入大量数据后发生的数据错误，同一物理页被多次反复读取后发生错误，作为数据备份的储存器在长时间未使用后再次读取时发生的错误，等等)，将发生错误的物理页做为分析对象。这里的默认参考电压Vref即对应于所述第一参考电压。
步骤B：分析各场景下错误产生的直接原因。例如，由大量P/E造成的错误，由长期保持数据或累计读取次数过多(read disturb)而导致的错误。前者不可通过擦除重写恢复的硬盘磨损错误，后者可通过擦除重新恢复的错误。
步骤C：对各种错误场景造成的错误页(不能解码的物理页)，进行存储电压Vth的扫描(在已知写入数据内容的情况下，获取每个符号对应的Vth的分布，如图5，得到这些错误页的最优分辨Vref。依据b)中提及的直接原因将Vth进行分类。例如：哪些Vref是高P/E的结果，哪些Vref是长保持的结果，哪些是混合作用的结果，等等。在图5中Vref是不同符号对应的高斯分布曲线的交叉点电压。图5显示的一个cell中4个符号的高斯分布曲线示意图。
步骤D：将得到的Vth分布样本按错误原因分类，在类别中找到有代表性的Vref。例如，使用Vth的加权平均分布作为此类错误下的Vth分布，采用多个symbol高斯分布的交叉点作为对这类错误的重读Vref(可参考图5)。
步骤E：不同的错误原因对Vth分布产生的影响也不同(例如：如图6(a)所示，高P/E次数导致Vth的高斯分布方差加大，如图6(c)及图6(c)所示，长期保持导致电子流失，Vth分布的均值向低电压方向移动。最优辨别Vref相对于默认Vth的变化，能反映P/E次数的多寡或保持时间的长短。可以进一步细分错误场景，丰富重读Vref的选择。
步骤F：重读电压序列包含多组Vref，可以在在使用默认电压读取的数据不能正确解码时，依次代替默认电压，对发生错误的物理页进行重读。考虑错误场景发生的概率和先后顺序，对错误场景的优化电压Vref进行排列，作为重读电压序列。例如，由单一的高P/E或Retention造成的错误出现的概率较高，可优先使用应付这种情况下的Vref进行重读，高PE叠加retention的错误出现概率最低，将这应付这种情况的Vref放在重试序列的靠后位置。
步骤G：如上所述，重读Vref序列中的每组Vref都对应于一种错误成因的假设。如果使用某个重读电压能正确解码一个错误页时，即可假设该页错误的成因与导出该重试Vref的假设一致。也就可以推断该错误是可以通过擦除重写恢复的，还是不可恢复的。这一信息可用于对该错误页进行管理。比如，对于可恢复的错误，应立即擦除重写，以防止错误恶化；对于不可恢复的错误，应将数据搬移到其它位置，并不再使用当前页存储新数据。
步骤H：如果使用已知的重试电压读取的数据都无法解码，则对错误页进行一次Vth追踪(tracking，即：只知道所有Vth的分布，但无法知道每个Vth对应的符号是什么，如图6，推测可能的最优分辨电压(如，用波谷做为Vref)，在重读序列中找到与之最接近的Vref，使用相同的错误原因假设进行推测。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。
上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个处理模块中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：移动存储设备、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种信息处理方法，包括：
基于第一参考电压读取第一存储区域中的存储数据；
当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；
根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；
根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理；所述根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理，包括：
当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是不可恢复错误时，将所述存储数据迁移到第二存储区域并将所述第一存储区域设置为禁用存储区域；其中，所述第二存储区域不同于所述第一存储区域；
当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是可恢复错误时，对所述第一存储区域执行预设恢复操作。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述方法还包括：
当所述第二参考电压无法正确解码所述存储数据时，提取所述存储数据对应的第一存储电压；
根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压；
将所述第三参考电压与各所述第二参考电压进行比较；
利用与所述第三参考电压最接近的所述第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压，包括：
获取第一均值电压；其中，所述第一均值电压为同一符号对应的至少两个所述第一存储电压的均值电压；
获取不同符号对应的第一均值电压的高斯分布曲线；
将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第三参考电压。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述方法还包括：
预先获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与各所述第二参考电压对应的错误成因。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
所述获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与各所述第二参考电压对应的错误成因，包括：
以知晓错误成因的第三存储区域为分析对象，提取出所述第三存储区域的第二存储电压；
分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压；
记录所述第二参考电压形成所述重读电压序列；
对应记录与所述第二参考电压对应的错误成因。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，
所述分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压，包括：
获取第二均值电压；其中，所述第二均值电压为同一错误成因且同一符号对应的至少两个所述第二存储电压的均值电压；
获取不同符号对应的第二均值电压的高斯分布曲线；
将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第二参考电压。
7.一种存储设备，包括存储介质和与所述存储介质连接的处理器；
所述存储介质至少包括第一存储区域；
所述处理器，用于基于第一参考电压读取所述第一存储区域中的存储数据；当第一参考电压无法正确解码所述第一存储区域的存储数据时，利用第二参考电压对所述存储数据进行解码；根据正确解码所述存储数据的第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因；根据所述错误成因，采用错误处理策略对所述第一存储区域进行预设处理；
所述存储介质还包括第二存储区域；
所述处理器，具体用于当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是不可恢复错误时，将所述存储数据迁移到所述第二存储区域并将所述第一存储区域设置为禁用存储区域；其中，所述第二存储区域不同于所述第一存储区域；所述处理器，具体用于当所述错误成因表示导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的是可恢复错误时，对所述第一存储区域执行预设恢复操作。
8.根据权利要求7所述的存储设备，其特征在于，
所述处理器，还用于当所述第二参考电压无法正确解码所述存储数据时，提取所述存储数据对应的第一存储电压；根据所述第一存储电压在所述第一存储区域的第一分布特征，确定出能够正确解码所述存储数据的第三参考电压；将所述第三参考电压与各所述第二参考电压进行比较；利用与所述第三参考电压最接近的所述第二参考电压，分析导致所述第一参考电压无法正确解码所述存储数据的错误成因。
9.根据权利要求8所述的存储设备，其特征在于，
所述处理器，具体用于获取第一均值电压；其中，所述第一均值电压为同一符号对应的至少两个所述第一存储电压的均值电压；获取不同符号对应的第一均值电压的高斯分布曲线；将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第三参考电压。
10.根据权利要求7所述的存储设备，其特征在于，
所述处理器，还用于预先获取包括多组所述第二参考电压的重读电压序列及与所述第二参考电压对应的错误成因。
11.根据权利要求10所述的存储设备，其特征在于，
所述处理器，还用于以知晓错误成因的第三存储区域为分析对象，提取出所述第三存储区域的第二存储电压；分析所述第二存储电压的第二分布特征，确定出区分不同符号的所述第二参考电压；记录所述第二参考电压形成所述重读电压序列；对应记录与所述第二参考电压对应的错误成因。
12.根据权利要求11所述的存储设备，其特征在于，
所述处理器，具体用于获取第二均值电压；其中，所述第二均值电压为同一错误成因且同一符号对应的至少两个所述第二存储电压的均值电压；获取不同符号对应的第二均值电压的高斯分布曲线；将不同符号的高斯分布曲线的交叉点电压，作为所述第二参考电压。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610483724.5A CN106205731B (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 信息处理方法及存储设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610483724.5A CN106205731B (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 信息处理方法及存储设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106205731A CN106205731A (zh) | 2016-12-07 |
| CN106205731B true CN106205731B (zh) | 2019-05-17 |
Family
ID=57461936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610483724.5A Active CN106205731B (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 信息处理方法及存储设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106205731B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11237908B2 (en) | 2017-03-29 | 2022-02-01 | SK Hynix Inc. | Memory system and operating method thereof |
| KR20180110412A (ko) * | 2017-03-29 | 2018-10-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 |
| CN110060725B (zh) * | 2018-01-18 | 2021-07-02 | 华邦电子股份有限公司 | 存储器测试方法 |
| CN110795025B (zh) * | 2018-08-03 | 2023-09-05 | 深圳大心电子科技有限公司 | 存储器管理方法以及存储控制器 |
| KR102685470B1 (ko) * | 2018-12-24 | 2024-07-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 트래이닝 기능을 갖는 반도체 장치 및 반도체 시스템 |
| CN112530499B (zh) * | 2020-12-09 | 2024-09-13 | 合肥康芯威存储技术有限公司 | 一种数据读取方法及计算机可读存储设备 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102216999A (zh) * | 2009-06-03 | 2011-10-12 | 马维尔国际贸易有限公司 | 闪存的参考电压最优化 |
| CN102376368A (zh) * | 2010-07-07 | 2012-03-14 | 马维尔国际贸易有限公司 | 对快闪存储器系统中递进读取的最优参考电压的确定 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9349489B2 (en) * | 2013-01-11 | 2016-05-24 | Sandisk Technologies Inc. | Systems and methods to update reference voltages in response to data retention in non-volatile memory |
-
2016
- 2016-06-27 CN CN201610483724.5A patent/CN106205731B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102216999A (zh) * | 2009-06-03 | 2011-10-12 | 马维尔国际贸易有限公司 | 闪存的参考电压最优化 |
| CN102376368A (zh) * | 2010-07-07 | 2012-03-14 | 马维尔国际贸易有限公司 | 对快闪存储器系统中递进读取的最优参考电压的确定 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106205731A (zh) | 2016-12-07 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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