CN106205714A - 一种数据处理方法、存储设备、电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种数据处理方法、存储设备、电子设备，包括：检测存储设备中的存储介质；设置所述存储介质中数据读取的第一参数集合；根据所述第一参数集合，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态；根据所述数据在所述存储单元中的分布状态，确定所述数据的读取电压；加载所述读取电压以对所述数据进行读取。
Description
技术领域
本发明涉及数据处理技术，尤其涉及一种数据处理方法、存储设备、电子设备。
背景技术
固态硬盘(SSD，Solid State Drives)简称固盘，SSD由固态电子存储芯片阵列而制成，SSD由控制器和存储器组成。控制器主要提供主机访问(扇区)到闪存颗粒(物理页)的访问控制。
由于主机访问的粒度是扇区(512B)，而闪存颗粒的物理页大于512B，这样就需要一种映射机制，即闪存转换层(FTL，Flash Translator Layer)来对两种地址进行转换。此外，FTL还具有如下功能：坏块管理、垃圾回收、写平衡。SSD的总体的目标是：更好的性能和用户体验，更大程度的延长SSD的使用寿命。
然而，SSD在使用过程中，数据读取原始错误率会随擦写次数、放置时间、读取扰动等因素不断加大。此时，如何快速准确选取数据读取电压(Vref)，来减小数据读取原始错误率是一个影响SSD寿命以及整体性能的重要问题。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种数据处理方法、存储设备、电子设备。
本发明实施例提供的数据处理方法，包括：
检测存储设备中的存储介质；
设置所述存储介质中数据读取的第一参数集合；
根据所述第一参数集合，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态；
根据所述数据在所述存储单元中的分布状态，确定所述数据的读取电压；
加载所述读取电压以对所述数据进行读取。
本发明实施例中，所述根据所述第一参数集合，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态，包括：
根据所述第一参数集合，确定数据扫描位置；
在各个数据扫描位置处，对所述存储单元中的数据进行扫描；
依据对所述数据的扫描结果，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态。
本发明实施例中，所述设置所述存储介质中数据读取的第一参数集合，包括：
设置所述存储介质中数据读取的以下参数：数据均值、数据方差。
本发明实施例中，所述根据所述第一参数集合，确定数据扫描位置，包括：
确定所述数据扫描位置包括以下位置：数据均值的位置、n倍数据方差的位置，n为正整数。
本发明实施例中，所述方法还包括：
当所述数据在所述存储单元中的分布状态发生变化时，根据所述分布状态的变化调整所述数据的读取电压。
本发明实施例提供的存储设备，包括：
存储介质，用于存储数据；
控制器，用于检测存储设备中的存储介质；设置所述存储介质中数据读取的第一参数集合；根据所述第一参数集合，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态；根据所述数据在所述存储单元中的分布状态，确定所述数据的读取电压；加载所述读取电压以对所述数据进行读取。
本发明实施例中，所述控制器，还用于根据所述第一参数集合，确定数据扫描位置；在各个数据扫描位置处，对所述存储单元中的数据进行扫描；依据对所述数据的扫描结果，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态。
本发明实施例中，所述控制器，还用于设置所述存储介质中数据读取的以下参数：数据均值、数据方差。
本发明实施例中，所述控制器，还用于确定所述数据扫描位置包括以下位置：数据均值的位置、n倍数据方差的位置，n为正整数。
本发明实施例中，所述控制器，还用于当所述数据在所述存储单元中的分布状态发生变化时，根据所述分布状态的变化调整所述数据的读取电压。
本发明实施例提供的电子设备包括上述存储设备。
本发明实施例的技术方案中，检测存储设备中的存储介质；设置所述存储介质中数据读取的第一参数集合；根据所述第一参数集合，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态；根据所述数据在所述存储单元中的分布状态，确定所述数据的读取电压；加载所述读取电压以对所述数据进行读取。如此，根据第一参数集合即可获得数据在所述存储单元中的分布状态，从而快速准确地确定出数据读取电压(Vref)，减小了数据读取原始错误率。
附图说明
图1为数据扫描位置示意图一；
图2为本发明实施例一的数据处理方法的流程示意图；
图3为本发明实施例二的数据处理方法的流程示意图；
图4为本发明实施例三的数据处理方法的流程示意图；
图5为数据扫描位置示意图二；
图6为本发明实施例四的数据处理方法的流程示意图；
图7为本发明实施例五至实施例八的存储设备的结构组成示意图。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本发明实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本发明实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本发明实施例。
SSD在使用过程中，数据读取原始错误率会随擦写次数、放置时间、读取扰动等因素不断加大。此时，如何快速准确选取数据读取电压(Vref)，来减小数据读取原始错误率是影响SSD寿命以及整体性能的关键因素。
在一实施方式中，选取数据读取电压可以通过如下过程：对快闪记忆体(NANDflash)中cell分布的整个电压范围进行扫描，一般需进行几十甚至上百次扫描读取过程，才能获得使得原始数据错误率最低的数据读取电压(Vref)，如图1所示，这种方式比较耗费时间，在SSD使用后期会严重影响设备的整体性能，降低用户的体验。
为此，本发明实施例提供了一种利用SSD中数据先验分布进行数据读取电压(Vref)快速准确设置的方案。
图2为本发明实施例一的数据处理方法的流程示意图，本示例中的数据处理方法应用于电子设备中，如图2所示，所述数据处理方法包括以下步骤：
步骤201：检测存储设备中的存储介质；设置所述存储介质中数据读取的第一参数集合。
本发明实施例中，所述电子设备可以是笔记本、主机、一体机、服务器等等。所述电子设备包括存储介质和控制器，存储介质用于存储电子设备的数据、指令等等，控制器用于控制电子设备在存储介质中读/写数据，和/或执行存储介质中的指令等等。一般，存储介质和控制器集成设置，形成具有控制功能的存储设备，如SSD。以存储设备为SSD为例，SSD中的存储介质一般为NAND flash。
本发明实施例中，当SSD使用时间较长，缺省设置的Vref使得数据原始错误率较高，此时，需要动态调整Vref来降低数据原始错误率。
本发明实施例中，检测存储设备中的存储介质；设置所述存储介质中数据读取的第一参数集合，具体包括：设置所述存储介质中数据读取的以下参数：数据均值、数据方差。
这里，通过对存储介质中闪存颗粒的特性研究，设置原始数据的数据均值与数据方差。数据均值和数据方差即为本发明实施例的第一参数集合。
本发明实施例中，数据均值是表示数据集中趋势的量数，是指在一组数据中所有数据之和再除以这组数据的个数。数据均值反映数据集中趋势的一项指标。
本发明实施例中，数据方差是衡量随机变量或一组数据离散程度的度量。数据方差用来度量随机变量和其数学期望(即均值)之间的偏离程度。或者，数据方差是各个数据分别与其平均数之差的平方的和的平均数。数据方差是衡量源数据和期望值相差的度量值。
步骤202：根据所述第一参数集合，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态。
本发明实施例中，第一参数集合为数据均值和数据方差，基于此，根据数据均值和数据方差可确定出数据在所述存储单元中的分布状态。例如，以数据均值和数据方差为标定值，在这个标定值的基础上确定出多个位置处的数据信息，这多个位置处的数据信息能够代表数据分布状态，从而可根据这多个位置处的数据信息估计出数据在所述存储单元中的分布状态。
步骤203：根据所述数据在所述存储单元中的分布状态，确定所述数据的读取电压。
本发明实施例中，数据读取电压与数据在所述存储单元中的分布状态相关。
本发明实施例中，数据读取电压是用来读取数据的参考电压，具体地，对数据进行读取时，通过参考电压与数据值所对应的电压进行比较，当数据值所对应的电压大于参考电压时，则数据值可认为是1；当数据值所对应的电压小于参考电压时，则数据值可认为是0。可见，数据读取电压的准确设置是数据读取结果的关键因素。当获知数据在所述存储单元中的分布状态时，可针对该数据分布状态确定出适用于其中数据的数据读取电压。
步骤204：加载所述读取电压以对所述数据进行读取。
本发明实施例中，加载所述读取电压以对所述数据进行读取的过程包括：通过参考电压与数据值所对应的电压进行比较，当数据值所对应的电压大于参考电压时，则数据值可认为是1；当数据值所对应的电压小于参考电压时，则数据值可认为是0。当然，也可以反之，当数据值所对应的电压大于参考电压时，则数据值可认为是0；当数据值所对应的电压小于参考电压时，则数据值可认为是1。
本发明实施例的技术方案依据当前数据分布规律动态调整Vref，降低了原始数据错误率，提高了存储设备的寿命。
图3为本发明实施例二的数据处理方法的流程示意图，本示例中的数据处理方法应用于电子设备中，如图3所示，所述数据处理方法包括以下步骤：
步骤301：检测存储设备中的存储介质；设置所述存储介质中数据读取的第一参数集合。
本发明实施例中，所述电子设备可以是笔记本、主机、一体机、服务器等等。所述电子设备包括存储介质和控制器，存储介质用于存储电子设备的数据、指令等等，控制器用于控制电子设备在存储介质中读/写数据，和/或执行存储介质中的指令等等。一般，存储介质和控制器集成设置，形成具有控制功能的存储设备，如SSD。以存储设备为SSD为例，SSD中的存储介质一般为NAND flash。
本发明实施例中，当SSD使用时间较长，缺省设置的Vref使得数据原始错误率较高，此时，需要动态调整Vref来降低数据原始错误率。
本发明实施例中，检测存储设备中的存储介质；设置所述存储介质中数据读取的第一参数集合，具体包括：设置所述存储介质中数据读取的以下参数：数据均值、数据方差。
这里，通过对存储介质中闪存颗粒的特性研究，设置原始数据的数据均值与数据方差。数据均值和数据方差即为本发明实施例的第一参数集合。
本发明实施例中，数据均值是表示数据集中趋势的量数，是指在一组数据中所有数据之和再除以这组数据的个数。数据均值反映数据集中趋势的一项指标。
本发明实施例中，数据方差是衡量随机变量或一组数据离散程度的度量。数据方差用来度量随机变量和其数学期望(即均值)之间的偏离程度。或者，数据方差是各个数据分别与其平均数之差的平方的和的平均数。数据方差是衡量源数据和期望值相差的度量值。
步骤302：根据所述第一参数集合，确定数据扫描位置；在各个数据扫描位置处，对所述存储单元中的数据进行扫描；依据对所述数据的扫描结果，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态。
本发明实施例中，第一参数集合为数据均值和数据方差，基于此，根据数据均值和数据方差可确定出数据在所述存储单元中的分布状态。例如，以数据均值和数据方差为标定值，在这个标定值的基础上确定出多个位置处的数据信息，这多个位置处的数据信息能够代表数据分布状态，从而可根据这多个位置处的数据信息估计出数据在所述存储单元中的分布状态。
本发明实施例中，确定出多个位置处的数据信息是通过在各个数据扫描位置处，对所述存储单元中的数据进行扫描而得到，扫描的过程也称为阈值电压跟踪(VthTracking)的过程。
步骤303：根据所述数据在所述存储单元中的分布状态，确定所述数据的读取电压。
本发明实施例中，数据读取电压与数据在所述存储单元中的分布状态相关。
本发明实施例中，数据读取电压是用来读取数据的参考电压，具体地，对数据进行读取时，通过参考电压与数据值所对应的电压进行比较，当数据值所对应的电压大于参考电压时，则数据值可认为是1；当数据值所对应的电压小于参考电压时，则数据值可认为是0。可见，数据读取电压的准确设置是数据读取结果的关键因素。当获知数据在所述存储单元中的分布状态时，可针对该数据分布状态确定出适用于其中数据的数据读取电压。
步骤304：加载所述读取电压以对所述数据进行读取。
本发明实施例中，加载所述读取电压以对所述数据进行读取的过程包括：通过参考电压与数据值所对应的电压进行比较，当数据值所对应的电压大于参考电压时，则数据值可认为是1；当数据值所对应的电压小于参考电压时，则数据值可认为是0。当然，也可以反之，当数据值所对应的电压大于参考电压时，则数据值可认为是0；当数据值所对应的电压小于参考电压时，则数据值可认为是1。
本发明实施例的技术方案依据当前数据分布规律动态调整Vref，降低了原始数据错误率，提高了存储设备的寿命。
图4为本发明实施例三的数据处理方法的流程示意图，本示例中的数据处理方法应用于电子设备中，如图4所示，所述数据处理方法包括以下步骤：
步骤401：检测存储设备中的存储介质；设置所述存储介质中数据读取的以下参数：数据均值、数据方差。
本发明实施例中，所述电子设备可以是笔记本、主机、一体机、服务器等等。所述电子设备包括存储介质和控制器，存储介质用于存储电子设备的数据、指令等等，控制器用于控制电子设备在存储介质中读/写数据，和/或执行存储介质中的指令等等。一般，存储介质和控制器集成设置，形成具有控制功能的存储设备，如SSD。以存储设备为SSD为例，SSD中的存储介质一般为NAND flash。
本发明实施例中，当SSD使用时间较长，缺省设置的Vref使得数据原始错误率较高，此时，需要动态调整Vref来降低数据原始错误率。
本发明实施例中，检测存储设备中的存储介质；设置所述存储介质中数据读取的以下参数：数据均值、数据方差。
这里，通过对存储介质中闪存颗粒的特性研究，设置原始数据的数据均值与数据方差。
本发明实施例中，数据均值是表示数据集中趋势的量数，是指在一组数据中所有数据之和再除以这组数据的个数。数据均值反映数据集中趋势的一项指标。
本发明实施例中，数据方差是衡量随机变量或一组数据离散程度的度量。数据方差用来度量随机变量和其数学期望(即均值)之间的偏离程度。或者，数据方差是各个数据分别与其平均数之差的平方的和的平均数。数据方差是衡量源数据和期望值相差的度量值。
步骤402：根据所述数据均值和数据方差，确定数据扫描位置包括以下位置：数据均值的位置、n倍数据方差的位置，n为正整数；在各个数据扫描位置处，对所述存储单元中的数据进行扫描；依据对所述数据的扫描结果，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态。
本发明实施例中，根据数据均值和数据方差可确定出数据在所述存储单元中的分布状态。例如，以数据均值和数据方差为标定值，在这个标定值的基础上确定出多个位置处的数据信息，这多个位置处的数据信息能够代表数据分布状态，从而可根据这多个位置处的数据信息估计出数据在所述存储单元中的分布状态。
本发明实施例中，确定出多个位置处的数据信息是通过在各个数据扫描位置处，对所述存储单元中的数据进行扫描而得到，扫描的过程也称为阈值电压跟踪(VthTracking)的过程。
在一实施方式中，数据扫描位置包括：数据均值的位置、以及距离数据均值的位置为1倍数据方差的位置、2倍数据方差的位置、3倍数据方差的位置处进行共7次数据扫描。参照图5所示。
本领域技术人员应当理解，上述数据扫描位置只是示例性的，还可以对数据均值和数据方差的其他位置处进行数据扫描。
步骤403：根据所述数据在所述存储单元中的分布状态，确定所述数据的读取电压。
本发明实施例中，数据读取电压与数据在所述存储单元中的分布状态相关。
本发明实施例中，数据读取电压是用来读取数据的参考电压，具体地，对数据进行读取时，通过参考电压与数据值所对应的电压进行比较，当数据值所对应的电压大于参考电压时，则数据值可认为是1；当数据值所对应的电压小于参考电压时，则数据值可认为是0。可见，数据读取电压的准确设置是数据读取结果的关键因素。当获知数据在所述存储单元中的分布状态时，可针对该数据分布状态确定出适用于其中数据的数据读取电压。
步骤404：加载所述读取电压以对所述数据进行读取。
本发明实施例中，加载所述读取电压以对所述数据进行读取的过程包括：通过参考电压与数据值所对应的电压进行比较，当数据值所对应的电压大于参考电压时，则数据值可认为是1；当数据值所对应的电压小于参考电压时，则数据值可认为是0。当然，也可以反之，当数据值所对应的电压大于参考电压时，则数据值可认为是0；当数据值所对应的电压小于参考电压时，则数据值可认为是1。
本发明实施例的技术方案依据当前数据分布规律动态调整Vref，降低了原始数据错误率，提高了存储设备的寿命。
图6为本发明实施例四的数据处理方法的流程示意图，本示例中的数据处理方法应用于电子设备中，如图6所示，所述数据处理方法包括以下步骤：
步骤601：检测存储设备中的存储介质；设置所述存储介质中数据读取的以下参数：数据均值、数据方差。
本发明实施例中，所述电子设备可以是笔记本、主机、一体机、服务器等等。所述电子设备包括存储介质和控制器，存储介质用于存储电子设备的数据、指令等等，控制器用于控制电子设备在存储介质中读/写数据，和/或执行存储介质中的指令等等。一般，存储介质和控制器集成设置，形成具有控制功能的存储设备，如SSD。以存储设备为SSD为例，SSD中的存储介质一般为NAND flash。
本发明实施例中，当SSD使用时间较长，缺省设置的Vref使得数据原始错误率较高，此时，需要动态调整Vref来降低数据原始错误率。
本发明实施例中，检测存储设备中的存储介质；设置所述存储介质中数据读取的以下参数：数据均值、数据方差。
这里，通过对存储介质中闪存颗粒的特性研究，设置原始数据的数据均值与数据方差。
本发明实施例中，数据均值是表示数据集中趋势的量数，是指在一组数据中所有数据之和再除以这组数据的个数。数据均值反映数据集中趋势的一项指标。
本发明实施例中，数据方差是衡量随机变量或一组数据离散程度的度量。数据方差用来度量随机变量和其数学期望(即均值)之间的偏离程度。或者，数据方差是各个数据分别与其平均数之差的平方的和的平均数。数据方差是衡量源数据和期望值相差的度量值。
步骤602：根据所述数据均值和数据方差，确定数据扫描位置包括以下位置：数据均值的位置、n倍数据方差的位置，n为正整数；在各个数据扫描位置处，对所述存储单元中的数据进行扫描；依据对所述数据的扫描结果，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态。
本发明实施例中，根据数据均值和数据方差可确定出数据在所述存储单元中的分布状态。例如，以数据均值和数据方差为标定值，在这个标定值的基础上确定出多个位置处的数据信息，这多个位置处的数据信息能够代表数据分布状态，从而可根据这多个位置处的数据信息估计出数据在所述存储单元中的分布状态。
本发明实施例中，确定出多个位置处的数据信息是通过在各个数据扫描位置处，对所述存储单元中的数据进行扫描而得到，扫描的过程也称为阈值电压跟踪(VthTracking)的过程。
在一实施方式中，数据扫描位置包括：数据均值的位置、以及距离数据均值的位置为1倍数据方差的位置、2倍数据方差的位置、3倍数据方差的位置处进行共7次数据扫描。参照图5所示。
本领域技术人员应当理解，上述数据扫描位置只是示例性的，还可以对数据均值和数据方差的其他位置处进行数据扫描。
步骤603：根据所述数据在所述存储单元中的分布状态，确定所述数据的读取电压。
本发明实施例中，数据读取电压与数据在所述存储单元中的分布状态相关。
本发明实施例中，数据读取电压是用来读取数据的参考电压，具体地，对数据进行读取时，通过参考电压与数据值所对应的电压进行比较，当数据值所对应的电压大于参考电压时，则数据值可认为是1；当数据值所对应的电压小于参考电压时，则数据值可认为是0。可见，数据读取电压的准确设置是数据读取结果的关键因素。当获知数据在所述存储单元中的分布状态时，可针对该数据分布状态确定出适用于其中数据的数据读取电压。
步骤604：加载所述读取电压以对所述数据进行读取。
本发明实施例中，加载所述读取电压以对所述数据进行读取的过程包括：通过参考电压与数据值所对应的电压进行比较，当数据值所对应的电压大于参考电压时，则数据值可认为是1；当数据值所对应的电压小于参考电压时，则数据值可认为是0。当然，也可以反之，当数据值所对应的电压大于参考电压时，则数据值可认为是0；当数据值所对应的电压小于参考电压时，则数据值可认为是1。
步骤605：当所述数据在所述存储单元中的分布状态发生变化时，根据所述分布状态的变化调整所述数据的读取电压。
本发明实施例中，实时监测数据在所述存储单元中的分布状态，当所述数据在所述存储单元中的分布状态发生变化时，根据所述分布状态的变化调整所述数据的读取电压，这样可以保证原始数据错误率一直都比较低。
图7为本发明实施例五至实施例八的存储设备的结构组成示意图。
在本发明实施例五中，存储设备，包括：
存储介质71，用于存储数据；
控制器72，用于检测存储设备中的存储介质；设置所述存储介质中数据读取的第一参数集合；根据所述第一参数集合，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态；根据所述数据在所述存储单元中的分布状态，确定所述数据的读取电压；加载所述读取电压以对所述数据进行读取。
所述控制器72，还用于确定所述数据扫描位置包括以下位置：数据均值的位置、n倍数据方差的位置，n为正整数。
基于以上实施例五中的存储设备，在本发明实施例六中，所述控制器72，还用于根据所述第一参数集合，确定数据扫描位置；在各个数据扫描位置处，对所述存储单元中的数据进行扫描；依据对所述数据的扫描结果，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态。
基于以上实施例六中的存储设备，在本发明实施例七中，所述控制器72，还用于确定所述数据扫描位置包括以下位置：数据均值的位置、n倍数据方差的位置，n为正整数。
基于以上实施例七中的存储设备，在本发明实施例八中，所述控制器72，还用于当所述数据在所述存储单元中的分布状态发生变化时，根据所述分布状态的变化调整所述数据的读取电压。
本领域技术人员应当理解，图7所示的存储设备中的各功能模块的实现功能可参照前述数据处理方法的相关描述而理解。
本发明实施例还提供了一种电子设备，所述电子设备包括上述任意所述的存储设备。
本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的方法和智能设备，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。
上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个第二处理单元中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种数据处理方法，包括：
检测存储设备中的存储介质；
设置所述存储介质中数据读取的第一参数集合；
根据所述第一参数集合，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态；
根据所述数据在所述存储单元中的分布状态，确定所述数据的读取电压；
加载所述读取电压以对所述数据进行读取。
2.根据权利要求1所述的数据处理方法，所述根据所述第一参数集合，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态，包括：
根据所述第一参数集合，确定数据扫描位置；
在各个数据扫描位置处，对所述存储单元中的数据进行扫描；
依据对所述数据的扫描结果，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态。
3.根据权利要求2所述的数据处理方法，所述设置所述存储介质中数据读取的第一参数集合，包括：
设置所述存储介质中数据读取的以下参数：数据均值、数据方差。
4.根据权利要求3所述的数据处理方法，所述根据所述第一参数集合，确定数据扫描位置，包括：
确定所述数据扫描位置包括以下位置：数据均值的位置、n倍数据方差的位置，n为正整数。
5.根据权利要求4所述的数据处理方法，所述方法还包括：
当所述数据在所述存储单元中的分布状态发生变化时，根据所述分布状态的变化调整所述数据的读取电压。
6.一种存储设备，包括：
存储介质，用于存储数据；
控制器，用于检测存储设备中的存储介质；设置所述存储介质中数据读取的第一参数集合；根据所述第一参数集合，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态；根据所述数据在所述存储单元中的分布状态，确定所述数据的读取电压；加载所述读取电压以对所述数据进行读取。
7.根据权利要求6所述的存储设备，所述控制器，还用于根据所述第一参数集合，确定数据扫描位置；在各个数据扫描位置处，对所述存储单元中的数据进行扫描；依据对所述数据的扫描结果，确定所述数据在所述存储单元中的分布状态。
8.根据权利要求7所述的存储设备，所述控制器，还用于设置所述存储介质中数据读取的以下参数：数据均值、数据方差。
9.根据权利要求8所述的存储设备，所述控制器，还用于确定所述数据扫描位置包括以下位置：数据均值的位置、n倍数据方差的位置，n为正整数。
10.根据权利要求9所述的存储设备，所述控制器，还用于当所述数据在所述存储单元中的分布状态发生变化时，根据所述分布状态的变化调整所述数据的读取电压。
11.一种电子设备，所述电子设备包括权利要求6至10任一项所述的存储设备。
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| CN201610500004.5A Pending CN106205714A (zh) | 2016-06-29 | 2016-06-29 | 一种数据处理方法、存储设备、电子设备 |
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-
2016
- 2016-06-29 CN CN201610500004.5A patent/CN106205714A/zh active Pending
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