CN1061478C - 高温不用冷却的二极管激光器 - Google Patents
高温不用冷却的二极管激光器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1061478C CN1061478C CN 94109147 CN94109147A CN1061478C CN 1061478 C CN1061478 C CN 1061478C CN 94109147 CN94109147 CN 94109147 CN 94109147 A CN94109147 A CN 94109147A CN 1061478 C CN1061478 C CN 1061478C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- quantum well
- diode laser
- laser
- barrier layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
一种半导体二极管激光器包含一具有AL Ga In As构成的多个可压缩形变的量子阱(54)的激活层(12)，它们夹心于与InP晶格匹配的AL Ga In As构成的阻挡层(52)之间，并具有取决于量子阱成份的精确定义的带隙。该激活层由相反掺杂的包层(48，50，52；58，60)包围着以便形成光波导。该激光器极有效地发射1.3μm的光，尤其在高温工作下也是如此。
Description
本发明一般涉及半导体激光器，尤其涉及一种如在特定频率为1．3微米下工作最佳的混合物半导体量子阱二极管激光器。
现代电话和数据网络依赖硅光纤在联接发送和接收端的光纤上作数据传送。硅光纤，当其用于几乎不受限制的带宽时，存在某些限制。虽然它的最小吸收集中在1．5μm的某个频带中，但是光纤的一个重要特性是它的依赖于频率的色散。介电常数，以及其引起的光纤上的信号传播速度随光纤上传播的光的频率而变化。色散是介电常数对于波长(或频率)的变化率。光纤中的色散使得不同频率的光信号以不同速度传播。其结果，短光脉冲，鉴于富利埃(Fourier)分析，它们包含许多光频率，当它们沿呈现色散的光纤传播时，沿它们短暂的长度展开。色散展宽限制了脉冲间的间隔，因此也限制了给定长度光纤所能支持的数字数据的速度。由于在1．31μm上通过色散为零，所以在光纤上以1．3μm为中心的光频带上传输光信号能大大克服硅光纤中的色散限制。因此，现有局域交换访问光纤网络最佳工作在1．3μm频带上。光纤通信系统的发展遇到的最复杂困难的组成或许是光源。Bellcore已出版了技术报告(Technical Advisory)TA-TSY-000983，在其1990年第一版的题为“环路应用中光电器件的可靠性保证实践”(Reliability Assurance Practices for OptoelectronicDevices in Loop Applications”一文中，确定了激光二极管或其它等效光发射元件的技术参数(requirements)。这种光发射元件的争对性技术参数列于表1中。这些技术参数是如此苛刻以致只有某种半导体激光器似乎能真正满足它们。另一方面，由于光源应用于(局域)电话线路，所以此装置不应加以冷却，即不需热电冷却器，以便保持低成本。
表1
| 参数 | 最小 | 最大 | 单位 |
| 工作温度 | -45 | 85 | ℃ |
| ITh@25℃ | 1 | 20 | |
| ITh | 3．5 | 50 | |
| Pop@IMod=25mA | 4．0 | mW | |
| Pop@ITh | 50 | μW | |
| Δη25 to 85℃and25to-45℃ | ±1 | dB | |
| 平均波长 | 1270 | 1340 | nm |
| FWHM | 5 | nm | |
| RMS | 2．5 | nm | |
| Vf@IMod=25mA | 1．5 | V | |
| 转折电流 | 60 |
除特殊规定外，这些技术规范适用于所述整个温度范围。
这些参数的某些特别难以满足，尤其在高温下如此。这些难以满足的参数包括：阈值电流ITh，在该值上二极管开始产生激光；微分量子效率η和它的变化量Δη；和工作电流IMod条件下的光输出功率Pop。工作温度范围延伸到85℃以便不需要昂贵和不可靠的热电冷却器。
因此，本发明的主要目的在于提供一种具有低阈值电流、高输出功率和几乎恒定的微分量子效率和能宽温度范围工作的半导体激光器。
本发明的一个特定目的在于提供一种1．3μm频带的这样的激光器。
本发明的具有上、下包层的二极管激光器，它包含导电类型相反的Ⅲ-Ⅳ簇半导体成分，一激活层配置在所述上、下包层之间，并包含：至少一可压缩形变的量子阱，它包含Ga In As化合物；和阻挡层，这些阻挡层夹心于所述量子阱，其特征在于，满足晶格匹配条件的所述阻挡层包含的成份是ALxGay In1-x-yAs，每个所述阻挡层有一带隙波长λ在0．95和1．2μm之间，其中，λ、x、y由下列等式确定：
晶格匹配条件y=0．468-0．983x；
带隙能量Eg=0．36+2．093x+0．629y+0．577x2+0．456y2；
带隙波长λ与带隙能量Eg的关系λ(μm)=1．24／Eg(eV)。
本发明概括为一种以ALGa In As／InP材料簇为基础的激光二极管。激活层包括一个或多个压缩变形的量子阱激活层，它们由GaIn As、最好是Al Ga In As或In Ga As P构成。量子阱被夹在由Al Ga In As构成的阻挡层之间。且相对于量子阱层具有仔细选定的带隙。
下面结合附图实施例详细描述本发明。
图1为可应用本发明的脊形波导管的剖面图；
图2为可应用本发明的半绝缘、平面形、埋入异质结激光器的剖面图；
图3为本发明一实施例中激活层附近区域的剖面图；
图4为图3器件的激活层中及其周围的能带结构的概示图；
图5为作为铝含量函数的与InP晶格匹配的ALGa In As的带隙曲线图。
本发明是由以AL为主的ALGa In As／InP材料组成的一种固态、混合物半导体光元件。激活层包括一个或多个量子阱，它们最好可压缩变形，由Ga In As(或最好由ALGa In As或以In Ga AsP替代)组成，并夹在由ALGa In As构成的阻挡层之间，这些阻挡层要么与InP晶格匹配，要么可拉伸变形，以便补偿压缩变形的激活层。ALGa In As阻挡层的带隙和由此引起的结构需仔细选择以便光层的光性能最佳。
鉴于人们对生长在Ga As基质上的Ga As/ALGa As或In GaAs/ALGa As层的观察普遍认为AL氧化会引起长期功能退化，所以ALGa In As／InP层不像Ga In AsP／InP那样获得广泛研究。然而，由于激光器异质结两侧具有比0．4ΔEg更大的导带偏移0．7ΔEg，所以ALGa In As／InP激光器与Ga In AsP／InP激光器相比具有一些内在的优点。这种大的偏移允许电子在高温下制约在In Ga As甚或低铝含量的ALGa In As的量子阱中。
较佳实施例利用并由此结合发明者实验组和其它合作者在由ALGa In As／InP材料簇构成的变形量子阱激光器领域中的某些研究成果。这些成果已被揭示在1992年固态器件和材料的国际会议的详细摘要、Tsukuba版第604至606页的、由Bhat等人著的“低阈值1．3和1．55μm变形量子阱激光器”一文中，电子通讯(Electronics Letters)、1992年版、第2323页至2325页的、由Zah等人著的“低阈值1．3μm变形层ALxCayIn1-x-yAs量子阱激光器。技术的附加部分由下文中得到揭示：(1)日本应用物理期刊、1992年第31卷、1365-1371页、由Kasukawa等人著“通过有机金属化学蒸发淀积生成的1．5μmGa In As/ALGa In As渐变折射率分别制约的异质结的量子阱激光二极管”一文；(2)ECOC，1991，Thijs等人著“高输出功率(380mw)、低阈值电流(1．3mA)、低线宽增强因子(≤2)、λ=1．3μm形变量子阱激光器”一文；(3)应用物理快报，第59卷，1991年，2486-2488页，由Kasukawa等人著“由金属有机化学蒸发淀积生成的极低阈值电流密度、1．5μmGa In As/ALGa In As渐变折射率分别制约异质结形变量子阱激光二极管”一文；(4)铟磷化合物及有关材料的第4届国际会议：会议(文集)，1992年4月21-24日，453-456页，由Bhat等人著“用于低阈值1．3μm和1．55μm量子阱激光器的形变ALxGayIn1-x-y的OMCVD生成法”一文。
可用于本发明下面详细描述的实施例的，至少有两种激光器结构。两种结构的一般特性和它们的形成描述在本发明第一组两篇引用参考中。
第一种结构，如图1剖面图所示，是一种脊波导管激光器。一ALGa In As激活层12生长在一n型InP基层10上，它们的详细结构是本发明重要方面。一P型InP层14淀积在激活层12上。n型基层10作为下包层而p型层14作为上包层，所以它们共同将光导入并邻接于激活层12。一重掺杂接触(contact)P++型In Ga As层16淀积在上包层14上。然后，通过接触层16和大部分上包层14由光刻步骤形成两个槽18，在两槽之间有脊20，在脊20的顶上留有来自接触层16的一绝缘接触19。在脊20被掩模之后，一SiO2绝缘氧化层22淀积在其它区域上。最后，淀积一Ti/Au金属化层24，它仅与脊20的顶部的接触层19有效地电气连接。跨接于Ti／Au金属化层24和基层10上的金属化层28的偏压电源26将电流垂直通过脊20到基层10，穿过上、下包层14和10之间形成的p-n二极管，两包层之间具有激活层12。向图示极性给p-i-n结构加偏压。因此，激活层12产生在上、下包层14和10之间水平导向的光。光从脊20的轴向端上的部分反射器反射并返回，从它们的之一输出。该结构在阈值电流ITh之上发射激光。
第二种结构，如图2剖面图所示，它是一种半导体器件，一种埋入式异质结激光器。ALGa In As激活层12生长在n型InP基层10上面。脊20被掩模，且所包围的材料被蚀刻成阱进入InP基层10。然后一种半绝缘InP层30再一次在那里生长且几乎生长到脊20的顶部。一种P型上包层14生长在激活层12和半绝缘层30上面。一未图示的n型层将半绝缘层30与P型上包层14分开。P++型接触层22和相联的金属化层淀积在上包层14上。半绝缘层30制约着偏置电流通过脊20中的激活层12。这些结构，及激活层12的详细结构和相联的过渡(transition)结构，是周知的。
本发明的工作实施例如图3剖面图中所示。它包括一个激活层12，该激活层12具有由双轴向压缩变形的ALGa In As制成的仔细确定的量子阱，且由不变形或拉紧变形的ALGa In As制成的等间隔仔细确定的阻挡层分开。该结构，按照发明者实验组在上述引用文章中描述的一般工艺，在重搀杂n+型InP基层40上用有机金属化学蒸发淀积(OMCVD)方法外延生长而成。
用n型掺杂到1×1018cm-3的InP制成的低包层42，在基层40上生长到1μm厚。在生长层中，硫化氢用于所有n型搀杂，而二甲锌用于所有p型搀杂。所谓未掺杂的层，由于没有锌扩散。可以包含电激活掺杂物的痕量。一下过渡区44由4部分组成并改进了图1和2的基本结构。一起始合成渐变的层46掺杂n型到1×1018cm-3，该层46在以1．0-AL-Q(该符号表示下文将给与解释)开始的10nm以上渐变到In0．48 Al0．52 As。In ALAs的成份与InP晶格匹配。然后，生长由n型In0．48 AL0．52 As组成的两个层48和50。下面一层48有40mm的厚度，并掺杂n型到1×1018cm-3。而上层50有50nm的厚度并轻微向下掺杂到7×1017cm-3。In Al As层48和50两者起到制约激活层12中的电子的作用。
这种结构的大部分的电子能带结构图示在图4中。InP/ALIn As渐变层46和更重掺杂的下面的ALIn As层48有助于导带附近的电子克服InP和ALInAs之间的0．31eV的阻挡层。
一未掺杂的制约阻挡层的过渡层52淀积在上面的ALIn As层50上，它在层48和50的In0．48 Al0．52 As成份和下文要详述的量子阱阻挡层的成份之间进行线性成份渐变。制约阻挡层的过渡层52有100nm的厚度。
激活层12由5个量子阱54夹心以4层阻挡层56构成。相邻的过渡层在这样确定的激活层12的外部起阻挡层的作用。
5个量子阱54不掺杂，具有成份为Al0．18 Ga0．22 In0．70 As。并具有厚度为8．8nm。量子阱如此之薄以便在该阱中形成电子和空穴的束缚能态，产生两维的状态密度。产生这样厚和成份的阱，在发光上作为产生带隙为1．29μm的度量。由于剩余结构要么是InP，要么是与晶格匹配的材料，所以所述的成份也即指量子阱54是可压缩变形的。量子阱54没有厚到使变形产生晶格错位或其它变形退化的缺点。即，该量子阱54具有假同晶厚度。压缩(或拉伸)变形量可通过将成份上相关的ALAs、GaAs和InAs的晶格常数的线性组合与InP进行比较进行计算。
4层阻挡层56具有用1．0-AL-Q表示的成份。阻挡层不掺杂，每个厚度为10nm。AL-Q标注指与InP晶格匹配的四个一组的成份ALxGay In1-x-yAs。数字标注指电子带隙，它以微米表示的材料的带隙波长表达。晶格匹配条件表达为
y=0．468-0．983x，
而eV表示的带隙能量表达为：
Eg=0．36+2．093x+0．629y+0．577x2+0．456y2，
它涉及带隙波长为λ(μm)=1．24/Eg(eV)。如果带隙已知，那么结合上述两等式产生x或y的二次方程式。整个关系表示在图5中。于是，1．0-Al-Q具有X=0．318和y=0．154的成份。这些值是建立在上述能量关系上的，其精度不知道。实践中，带隙波长是由发光实验测量的。
激活层12上生长有一不掺杂的具有势垒制约的过渡层58，它与下面的制约势垒过渡层52对称，且其上生长有一由In0．48 Al0．52As组成的厚度为50nm的不掺杂的上制约层60。然后再生长一对p型上包层62和64。下面的一层62厚度为0．2μm并掺杂到7×1017cm-3、而上面的一层厚度为1．8μm并掺杂到1×1018cm-3。这种不同掺杂使吸收损失最小并减小了串联电阻，由于Zn扩散而不会使p／n结移入激活层。
包层64上生长一掺杂到1×1018cm-3的1．3-P-Q层66和一掺杂为1×1018cm-3的1．55-P-Q层68。标注P-Q指与InP晶格匹配的四个一组的成份Gax In1-x Asy P1-y。而数字标注为带隙波长。P-Q层用作P-InP和P++-In Ga As之间的跃变层，以便通过减少价带偏移作用来减小串联电阻。结构的垂直生长用一接触层70完成，该接触层70由P++型掺杂大于2×1019cm-3的In0．47Ga0．53As组成，其厚度为0．3μm。金属化层加到n++基层40和P++接触层70两者上，以便在激活层12两面形成一p-n结。
生成这样的结构，并在该结构的单侧定义一个图1所示的脊型波导，以便侧向制约载流子和光子。这样的侧向定义的芯片被切割，以便用许多空腔长度制成二极管激光器。然后对二极管激光器赋以电气光学特性。这些结果概括在具有剩余未涂复的刻面端的较佳实施例的不同空腔长度的表2中。最好，一刻面端做成几乎全反射，而另一端做成最佳反射以便光输出。
| 空腔长度(μm) | 300 | 600 | 900 | 1200 | 1500 |
| ITh(mA)@25℃ | 13．2 | 18．9 | 23．5 | 29．6 | 35．4 |
| ITh(mA)@65℃ | 23．1 | 29．9 | 37．9 | 46．6 | 55．5 |
| ITh(mA)@85℃ | 32．2 | 38．9 | 49．1 | 60．2 | 70．5 |
| Pop(mW)@ITh+25mA，25℃ | 6．01 | 5．42 | 4．6 | 4．37 | 3．95 |
| Pop(mW)@ITh+25mA，65℃ | 5．06 | 4．56 | 3．87 | 3．58 | 3．12 |
| Pop(mW)@ITh+25mA，85℃ | 3．99 | 3．86 | 3．34 | 3．12 | 2．75 |
| 斜率(mW／mA) | 0．24 | 0．22 | 0．18 | 0．17 | 0．16 |
| 外部η | 0．46 | 0．41 | 0．35 | 0．33 | 0．30 |
| Δη，25-65℃(dB) | -0．73 | -0．67 | -0．45 | -0．79 | -1．17 |
| Δη，25-85℃(dB) | -1．56 | -1．25 | -1．03 | -1．30 | -1．46 |
| 波长(nm)@25℃ | 1347 | 1363 | 1367 | ||
| FWHM | 1．00 | 0．70 | 0．30 |
表2
从表2明显可见，本发明几乎都能满足表1的规定。不管在波导和激活区中的铝的高摩尔部分，最初寿命测试表明：没有大的刻面损坏或短期衰变。这些寿命试验与上述传统的认识相反，其结果是铝氧化引起长期衰变。
所生成三组比较例类似于上面例子。然而，它们的不同在于，量子阱阻挡层的成份从1．0-Al-Q变成为0．95-AL-Q、1．1-AL-Q或1．2-AL-Q。在0．95-AL-Q和1．2-AL-Q的情况下，合成激光器表明有明显差的特性。特别是在85℃和最短空腔长度下，它们表现出两倍的阈值电流和额定工作电流时的光输出仅一半。具有阻挡(势垒)成份为1．1-AL-Q的激光器被认为是勉强的但是适用的。
本发明不限于特定结构和第一详细实施例中给定的成份。
势垒(阻挡层)厚度可从10nm延伸到20nm，而制约层厚度每个可从50nm变化到200nm。n型InP包层，如果使用的话，其范围同样可从0．5至5μm，而P型包层从1至5μm。
压缩形变的精度值并不重要。量子阱的铝含量可改变且可为零。
详细例子涉及1．3μm激光器，但是本发明能用于具有上面1．3μm详细描述的最佳成份类型的其它发射波长。
本发明最重要(但不仅仅限于此)的应用是它用于激光器或其它连续的光发射器。本发明有关的应用是作为具有高增益和高效率的半导体放大器。当然，一种激光器实质上就是一种带有光反馈的放大器。
阻挡(势垒)层，相对于InP不变形，它可以拉伸形变，由此局部或全部解除量子阱层的可压缩形变。因此，可包括大量可压缩量子阱层而不会超过总的假同晶厚度。
在本发明的另一实施例中，量子阱由可压缩InGaAsP构成。InGaAsP量子阱和ALGaInAs阻挡层，鉴于这两种材料之间的带隙偏移，而能最佳化以提供优良的二极管激光器。
于是本发明提供一种可在高温下工作的高效激光器，它的应用已在1．3μm发射带上得到证实。
Claims (4)
1．一种具有上、下包层的二极管激光器，它包含导电类型相反的Ⅲ-Ⅳ簇半导体成分，一激活层配置在所述上、下包层之间，并包含：至少一可压缩形变的量子阱，它包含Ga In As化合物；和阻挡层，这些阻挡层夹心于所述量子阱，其特征在于，满足晶格匹配条件的所述阻挡层包含的成份是ALxGay In1-x-y As，每个所述阻挡层有一带隙波长λ在0．95和1．2μm之间，其中，λ、x、y由下列等式确定：
晶格匹配条件y=0．468-0．983x；
带隙能量Eg=0．36+2．093x+0．629y+0．577x2+0．456y2；
带隙波长λ与带隙能量Eg的关系λ(μm)=1．24／Eg(eV)。
2．如权利要求1所述的二极管激光器，其特征在于，每个所述阻挡层包含拉伸形变的ALGa In As用于补偿所述量子阱层中的压缩变形。
3．如权利要求1所述的二极管激光器，其特征在于，所述Ga InAs化合物是In Ga AsP。
4．如权利要求1所述的二极管激光器，其特征在于，所述的GaIn As的化合物是ALGa In As。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 94109147 CN1061478C (zh) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 高温不用冷却的二极管激光器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 94109147 CN1061478C (zh) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 高温不用冷却的二极管激光器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1118527A CN1118527A (zh) | 1996-03-13 |
| CN1061478C true CN1061478C (zh) | 2001-01-31 |
Family
ID=5033791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 94109147 Expired - Fee Related CN1061478C (zh) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | 高温不用冷却的二极管激光器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1061478C (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6381380B1 (en) | 1998-06-24 | 2002-04-30 | The Trustees Of Princeton University | Twin waveguide based design for photonic integrated circuits |
| WO2005099421A2 (en) | 2004-04-14 | 2005-10-27 | The Trustees Of Princeton University | Monolithic wavelength stabilized asymmetric laser |
| US7333689B2 (en) | 2005-09-30 | 2008-02-19 | The Trustees Of Princeton University | Photonic integrated devices having reduced absorption loss |
| US7343061B2 (en) | 2005-11-15 | 2008-03-11 | The Trustees Of Princeton University | Integrated photonic amplifier and detector |
| US7826693B2 (en) | 2006-10-26 | 2010-11-02 | The Trustees Of Princeton University | Monolithically integrated reconfigurable optical add-drop multiplexer |
| CN104466675B (zh) * | 2014-12-15 | 2017-08-29 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 窄发散角脊波导半导体激光器 |
| CN106033866B (zh) * | 2015-03-20 | 2019-12-03 | 云晖科技有限公司 | 垂直腔面发射激光器 |
| JP6740780B2 (ja) * | 2016-07-28 | 2020-08-19 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置 |
| EP4050741A1 (en) * | 2021-02-26 | 2022-08-31 | EFFECT Photonics B.V. | Monolithic photonic integrated circuit and opto-electronic system comprising the same |
-
1994
- 1994-09-09 CN CN 94109147 patent/CN1061478C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1118527A (zh) | 1996-03-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5381434A (en) | High-temperature, uncooled diode laser | |
| US5251225A (en) | Quantum-well diode laser | |
| Thijs et al. | High-performance 1.5 mu m wavelength InGaAs-InGaAsP strained quantum well lasers and amplifiers | |
| US4882734A (en) | Quantum well heterostructure lasers with low current density threshold and higher TO values | |
| US4599728A (en) | Multi-quantum well laser emitting at 1.5 μm | |
| US5010374A (en) | Quantum well laser utilizing an inversion layer | |
| US5889805A (en) | Low-threshold high-efficiency laser diodes with aluminum-free active region | |
| US5306923A (en) | Optoelectric device with a very low series resistance | |
| US5222090A (en) | 700-850 nanometer semiconductor diode laser | |
| CN1061478C (zh) | 高温不用冷却的二极管激光器 | |
| US5422902A (en) | BeTe-ZnSe graded band gap ohmic contact to p-type ZnSe semiconductors | |
| Kasukawa et al. | 1.3 mu m InAs/sub y/P/sub 1/-/sub/y-InP strained-layer quantum-well laser diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition | |
| Okamoto et al. | TM mode gain enhancement in GaInAs-InP lasers with tensile strained-layer superlattice | |
| US5329135A (en) | Light emitting device for achieving high luminous efficiency and high saturation level of light output | |
| US5936990A (en) | Semiconductor laser | |
| WO1999057790A2 (en) | Laser diode having separate-confinement, highly strained quantum wells | |
| Fukunaga et al. | High-power 0.8 µm InGaAsP/InGaP/AlGaAs single quantum well lasers with tensile-strained InGaP barriers | |
| Mondry et al. | Low threshold current density 1.5 μm (In, Ga, Al) As quantum well lasers grown by MBE | |
| Kito et al. | Enhanced relaxation oscillation frequency of 1.3 μm strained-layer multiquantum well lasers | |
| CN216390032U (zh) | 脊型波导高功率半导体激光器芯片 | |
| GB1585723A (en) | Infra-red light emissive devices | |
| Zah et al. | High-temperature operation of AlGaInAs/InP lasers1994 | |
| US6636541B1 (en) | Semiconductor laser device | |
| Lee et al. | MOCVD growth of strained multiple quantum well structure for 1.3 μm InAsP/InP laser diodes | |
| JPH0529715A (ja) | 歪量子井戸構造半導体素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: TELCORDIA TECH INC. Free format text: FORMER OWNER: TURLEKODIYA TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20100921 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20100921 Address after: new jersey Patentee after: Telcordia Tech Inc. Address before: new jersey Patentee before: Telcordia Technologies, Inc. |
|
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20010131 Termination date: 20130909 |