CN106100632A

CN106100632A - 用于具有低噪声的经温度补偿的振荡器的系统和方法

Info

Publication number: CN106100632A
Application number: CN201610267045.4A
Authority: CN
Inventors: J·P·弗斯特纳
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2015-04-30
Filing date: 2016-04-26
Publication date: 2016-11-09
Anticipated expiration: 2036-04-26
Also published as: US20160322977A1; US9577647B2; KR101782728B1; KR20160129755A; DE102016206632A1; CN106100632B

Abstract

本公开的各个实施例公开了一种用于具有低噪声的经温度补偿的振荡器的系统和方法。一种压控振荡器装置，该装置包括压控振荡器和旁路部件。该压控振荡器具有输出和调谐端口。该输出以操作频率提供输出信号。该调谐端口被配置为根据所施加的电压选择操作频率。该压控振荡器具有活动部分和非活动部分。在活动部分期间，该输出信号为非零数值。该旁路部件被配置为在该压控振荡器的活动部分期间旁路补偿信号施加于该调谐端口。该旁路补偿信号对该压控振荡器的振荡器温度进行补偿。

Description

用于具有低噪声的经温度补偿的振荡器的系统和方法

技术领域

本公开总体涉及振荡器，具体涉及用于具有低噪声的温度补偿振荡器的系统和方法。

背景技术

诸如RF信号振荡器之类的信号振荡器得到广泛应用。例如，上述应用包括信号处理、数据通信、电路装置测试、目标检测等。关键特性在于该信号振荡器生成具有稳定振荡频率的振荡信号。否则，处理误差、通信误差、目标检测等，可能无法得到适当的处理。

对振荡信号有影响的一种环境条件是温度。温度的变化导致振荡频率出现所不期望出现的变化。该变化被称作温度漂移。

一种对压控振荡器(VCO)中的温度漂移进行补偿的技术是使用锁相环(PLL)。这种技术能够对温度漂移进行补偿，然而向电路添加PLL增加了复杂度和成本。一种用于VCO的频率稳定化的可替换方案是使用具有适当温度系数的高Q(电介质)共振器。然而，利用激光进行频率居中(frequency centering)的成本和工作量很高。

需要在没有额外的高成本部件的情况下和缓或应对温度漂移的技术。

发明内容

在一个实施例中，本公开提供了一种压控振荡器装置，包括：压控振荡器，其具有输出和调谐端口，其中该输出以操作频率提供输出信号，该调谐端口被配置为根据所施加的电压来选择该操作频率，并且该压控振荡器具有活动部分和非活动部分；以及旁路部件，其被配置为在该压控振荡器的活动部分期间向该调谐端口施加旁路补偿信号，其中该旁路补偿信号对该压控振荡器的振荡器温度进行补偿。

在又一实施例中，本公开提供了一种具有低的温度系数的传感器装置，包括：混频器路径，被配置为接收输入信号并且根据该输入信号生成经混频的信号；压控振荡器，被配置为基于振荡器输入电压生成振荡器输出；放大器路径，被配置为根据该振荡器输出生成输出信号；旁路部件，被配置为在该压控振荡器的活动部分期间向该振荡器输入电压施加旁路补偿信号；与环境温度成正比的(PTAT)部件，被配置为在该压控振荡器的非活动部分期间生成PTAT补偿并且采用该PTAT补偿将该旁路部件充电。

在另一实施例中，本公开提供了一种操作具有低的温度系数的振荡器的方法，包括：根据操作频率向该振荡器的输入施加调谐电压；确定温度补偿系数；基于当前温度和该温度补偿系数确定和生成PTAT补偿；在非活动部分期间通过该PTAT补偿将旁路部件充电；以及通过该旁路部件施加旁路补偿信号以针对该振荡器的温度变化进行补偿。

附图说明

图1是图示了使用旁路补偿信号的压控振荡器装置的框图。

图2是图示了温度补偿装置的框图。

图3是图示了PTAT部件采用反相供电电压的VCO装置的示图。

图4是示出了VCO装置和各种电源电压的操作的时序图。

图5是图示了使用旁路补偿信号的生成RF信号的装置的RF收发器的框图。

图6是图示了操作具有低的温度系数或零温度系数的压控振荡器的方法的流程图。

具体实施方式

现在将参考附图对本发明进行描述，其中通篇使用同样的附图标记来指代同样的要素，并且其中所图示的结构和设备并非必然依比例绘制。

RF信号振荡器被用于包括但并不局限于通信系统、运动感应、雷达系统等的应用。典型的RF振荡器是压控振荡器(VCO)。对于非锁定RF信号振荡器的一个要求是，其具有低的或接近零的温度依赖性。

通常的VCO具有温度依赖性，并且其操作频率根据温度变化而发生变化或漂移。该效应被称作温度漂移。操作频率的变化能够由温度系数来表示。经常地，VCO的温度系数是负数，这是因为在温度升高时VCO晶体管的速度下降。VCO的调谐特性经常是正的，这意味着随着调谐电压的升高，其操作频率单调地增加。补偿信号能够被用于，通过向VCO的调谐输入施加该补偿信号，来使VCO的温度系数和温度驱动和缓。该补偿信号由部件所生成，并且具有(在该特定示例情形中)与环境温度成正比的(PTAT)特性。

该补偿信号通常具有一定量的噪声。因此，施加该补偿信号，会引入不期望的对VCO的频率调制，从而在该VCO所生成的振荡信号中形成相位噪声。在连续波操作模式中，能够通过使用具有诸如低于1kHz的低的截止频率的低通滤波器，来尝试去除在补偿信号中的噪声。然而，可能无法应用该低通滤波器，并且/或者应用该低通滤波器可能不能从补偿信号去除大量的噪声。而且，在(快速)脉冲操作模式中，可能无法应用具有低截止频率的低通滤波。

另一种应对温度依赖性的方法是，使用锁相环(PLL)来稳定VCO的操作频率。PLL能够被用来将VCO锁定至石英稳定的独立的基准频率。可替代地，能够使用微处理器来测量VCO的操作频率，并且对VCO进行调整，以校正VCO的操作频率。以上方法要求VCO自身之外的大量额外工作，这使得材料清单增加、管芯面积消耗增加以及更高的功耗。

以下所描述的系统、装置、方法等，仅利用了在VCO的非活动部分期间施加/生成的旁路补偿信号。从而，来自旁路补偿信号的噪声的影响被和缓。

图1是图示了使用旁路补偿信号的压控振荡器装置100的框图。装置100生成输出信号，该输出信号具有低的温度系数或零温度系数的、稳定的操作频率。

装置100包括压控振荡器(VCO)102和旁路部件108。VCO 102以简化形式示出，并且包括调谐端口104和输出106。调谐电压被施加于调谐端口104，以选择性地配置VCO操作频率。该调谐电压或特性通常、但非必然地，为正，因为所施加的调谐电压越高所导致的操作频率就越高。输出106提供在由该调谐电压所指定的VCO操作频率下的振荡器输出信号112。输出信号112具有基本上稳定的操作频率，并且随着温度变化基本上不发生漂移。

VCO 102的输出信号112通常被生成为，具有使功耗和缓的占空比。在一个实施例中，输出信号112被生成为具有1:1000量级的占空比，其中VCO 102在1毫秒期间是活动的，而在999毫秒内是非活动的。在活动部分期间，该输出信号为高；而在非活动部分期间，该输出信号为低。在非活动部分期间消耗的功率更少，从而能够通过选择适当占空比来降低DC功耗。

在VCO 102的活动部分期间，由旁路部件108向VCO调谐端口104施加旁路补偿信号110。在VCO 102的活动部分期间，旁路部件108是非活动的，而是由被充电的旁路电容器向VCO调谐端口104提供调谐信号。通常，旁路部件108包括电容器，并且具有大的电容，这使得其电压在活动VCO周期期间基本上保持恒定。旁路补偿信号110以电压的形式被施加。该信号仅在VCO的非活动部分期间被生成，并且被旁路部件108所接收和存储。针对VCO 102，旁路补偿信号110提供温度补偿，使温度漂移和缓并且使温度系数和缓。此外，由于在VCO的活动部分期间，部件110并不被充电；因此在活动部分期间，在生成该信号时所产生的噪声并不被进一步送至VCO调谐端口104。

在一个示例中，旁路部件108包括一个或多个电容器。该一个或多个电容器可以串联地和/或并联地配置。由于活动部分的持续时间短，所以仅需要相对较小的电容。

如以上所描述的，通过将旁路补偿信号110施加于调谐端口104，使温度系数(TC)和缓。该温度系数借由根据温度变化的频率变化来定义。

T C = \frac{d f}{d T}

TC通常是取决于VCO的调谐元件的正值。应用或用途会要求最小的固有温度系数，这能够通过生成并使用旁路补偿信号110而获得。此外，由于信号110仅在VCO 102非活动时才会生成，因而噪声的引入被和缓。

图2是图示了温度补偿装置200的框图。装置200提供了在VCO的非活动部分期间生成并且施加的旁路补偿信号，但是在VCO的活动部分期间并不生成该旁路补偿信号。

装置200包括旁路部件108以及与环境温度成正比(PTAT)部件210。旁路部件108提供旁路补偿信号110，该旁路补偿信号110被施加于VCO的调谐端口，诸如关于图1所描述的。

PTAT部件210感应或利用温度212，以在其输出处生成PTAT补偿信号。温度212可以被表达为绝对值(K)或者相对于环境数值的偏差。PTAT部件210被配置为，根据温度来改变该PTAT补偿信号。

PTAT部件210可以包括电路装置，诸如但并不限于，一个或多个单核或多核处理器。该一个或多个处理器可以包括通用处理器和专用处理器(例如，图形处理器、应用处理器等)的组合。该一个或多个处理器能够耦合至存储器存储装置，以实现各种应用和/或操作系统。

温度补偿系数(TCC)基于VCO的操作和/或性能而生成。TCC能够经由测试来确定，以及/或者通过数学方法来确定。通常，随着温度的升高，VCO的操作频率或速度下降。因此，在该示例中，PTAT补偿要求提高在VCO的调谐端口所施加的电压，以便对升高的温度作出补偿。类似地，随着温度的下降，VCO的操作频率或速度升高。因此，PTAT补偿要求降低在调谐端口所施加的电压，以便对下降的温度作出补偿。PTAT补偿的量或变化，是基于TCC以及温度或温度变化的。此外，需要注意的是，VCO的调谐特性通常是非线性的，而PTAT的输出则通常是线性的。在补偿信号具有相对于VCO的反相的特性时，能够实现VCO温度漂移的最优或较好的补偿。

PTAT补偿被提供至旁路部件108。在一个示例中，旁路部件108通过使用该PTAT补偿而被重新充电达到该PTAT补偿的电压。

PTAT部件210在VCO的非活动部分期间，是操作或活动的；而在VCO的活动部分期间，是非活动的。从而，旁路部件108在VCO的非活动部分期间被充电。

当旁路部件108施加旁路补偿信号110时，PTAT部件210是非活动的。从而，在PTAT部件210活动时所生成和/或出现的噪声，在旁路补偿信号被施加时并不存在。因此，所生成的噪声得以被避免，从而并不使得VCO的操作出现退化。

能够使用各种技术，以便在VCO活动时，使PTAT部件210无效或去激励；并且在VCO非活动时，使PTAT部件210使能或激活。在一个示例中，时钟信号被连接至VCO和PTAT部件210的使能端子。用于PTAT部件210的信号，是用于VCO的使能信号的反相形式。在另一个示例中，具有被选择的占空比的VCC被提供至VCO，而所提供的VCC的反相形式被提供至PTAT部件210。

图3是图示了PTAT部件采用反相供电电压的VCO装置300的示图。装置300使用旁路补偿信号，以便生成具有低的温度系数或零温度系数的稳定操作频率的VCO输出信号。

装置300包括VCO 102、旁路补偿部件108、PTAT部件210和供电电压反相器312。VCO 102被提供有供电电压VCC_VCO，该供电电压VCC_VCO具有如下这样的占空比：其中该供电电压在周期相对短的部分为高的或活动的，或者在该周期相对长的部分为低的或非活动。在一个示例中，针对1:1000的占空比，VCC_VCO在1毫秒内为高或ON，并且在999毫秒内为低或OFF。

供电电压反相器312被配置为，在其输入处接收VCC_VCO，并且在其输出处提供PTAT供电电压VCC_PTAT。该VCC_PTAT是VCC_VCO的反相形式。因此，继续上述示例，针对1:1000的占空比，VCC_PTAT在1毫秒内为低或OFF，并且在999毫秒内为高或ON。

PTAT部件210根据VCC_PTAT而是活动或非活动的。从而，在VCO 102为活动时，PTAT部件210是非活动的；而在VCO 102为非活动时，PTAT部件210是活动的。

旁路部件108在该示例中被示为电容器，在VCO 102为活动时，向VCO 102的调谐器端口施加旁路补偿信号，并且在VCO 102为非活动、而PTAT部件210为活动时，由PTAT部件210进行充电。

图4是示出了VCO装置和各种电源电压的操作的时序图400。时序图400被示为一个示例，并且应理解为也能够利用其它的时序和占空比定量。

时序图400利用沿x轴的时间(t)以及沿y轴的电压(V)所示出。第一供电被示为VCC_VCO，其是用于图3的VCO 102的供电。如果VCC_VCO为高或ON，则VCO是活动的并进行操作。如果VCC_VCO为低或OFF，则VCO是非活动的。第二供电被示为VCC_PTAT，其是用于图3的PTAT部件210的供电电压。如果VCC_PTAT为高或ON，则PTAT部件210是活动的，而如果VCC_PTAT为低或OFF，则PTAT部件210是非活动的。

VCC_PTAT是相对于VCC_VCO的反相形式，这诸如由图2的反相器部件312来完成。VCC_VCO在VCO的活动部分期间为高或ON，而在VCO的非活动部分为低或OFF。因此，VCC_PTAT在VCO活动时为OFF，并且VCC_PTAT在VCO非活动时为ON。

图5是图示了使用旁路补偿信号的生成RF信号的收发器装置500的框图。装置500生成RF输出信号，该RF输出信号具有低或零温度系数的具有稳定频率。装置500能够被用于运动检测、雷达应用、目标检测等。在一个示例中，装置500被用来生成24GHz的传感器信号。也可以考虑其它的应用。

装置500包括混频器路径514、放大器路径516、VCO 102、旁路部件108和PTAT部件210。通过参考以上针对同样编号的部件的描述，能够获得部件的附加的描述。

混频器路径514接收输入信号，并且执行至中间频率的或者直接至基带的降频转换。VCO 102的输出信号被提供至放大路径，该放大路径放大并生成RF输出信号。该RF输出信号能够被用于传感器应用等。

VCO 102在其输入处接收电压形式的调谐输入(TUN_INPUT)。该TUN_INPUT被设置为与VCO输出信号的被选择操作频率相对应的数值。

PTAT部件210基于所感应或测量到的温度、以及该TUN_INPUT，生成PTAT补偿信号。该补偿信号包括针对TUN_INPUT的电压调整，其对温度变化作出补偿。然而，该PTAT补偿信号并不在VCO 102活动时被施加于VCO输入。可以理解的是，在一个应用中，旁路部件108被持续地连接至VCO的调谐端口。PTAT部件10仅在VCO 102的非活动部分期间是活动的。从而，PTAT部件210所生成的信号噪声并不被提供至VCO 102，并且并不使得RF输出信号退化。

旁路部件108在VCO 102的非活动部分期间，根据PTAT补偿信号被充电。旁路部件108被配置为，在VCO 102的活动部分期间，向VCO输入施加旁路补偿电压。

VCO 102和PTAT部件210被配置为，以反相方式进行操作，从而使得在VCO活动时PTAT部件210是非活动的，而在VCO 102为非活动时PTAT部件210是活动的。一种适用技术是使用分压器电路生成用于VCO 102的供电电压(VCC_VCO)，VCC_VCO开启和关闭VCO 102。反相器随后对VCC_VCO进行反相，以生成VCC_PTAT，VCC_PTAT向PTAT部件210进行供电。

旁路部件108可以是无源的或有源的电荷存储设备。在一个示例中，旁路部件108是电容器。

图6是图示了操作具有低的温度系数或零温度系数的压控振荡器的方法600的流程图。该方法以基本上独立于当前温度和/或温度变化的稳定操作频率生成输出信号。

方法600在框602开始，其中选择调谐电压，并将该调谐电压施加于压控振荡器的调谐输入。该调谐电压是根据所要求或所期望的操作频率而选择的。该调谐电压被施加于调谐输入。

在框604，与环境温度成正比(PTAT)部件针对该压控振荡器确定温度补偿系数(TCC)。该TCC能够通过在各种温度下、针对被选择的频率来测量输出频率，而生成。也能够使用用于确定和/或改进TCC的其它适用机制。该TCC表示针对温度变化的频率变化。

在框606，该PTAT部件基于该温度补偿系数和当前温度，确定并生成PTAT补偿。该PTAT补偿，应对由于温度的影响所导致的该压控振荡器的操作频率变化。如上文所示出的，温度升高，趋向于使得未经补偿的操作频率降低；而温度下降，则趋向于使得未经补偿的操作频率升高。

该PTAT补偿通常仅在该压控振荡器的非活动部分期间生成。当生成该PTAT补偿时，该PTAT补偿可以包括不期望的噪声。如果该噪声被施加于该压控振荡器的调谐输入，则会使得输出退化、并且/或者引入不期望的频率变化。在该压控振荡器的非活动部分期间，该VCO是非活动的，从而在PTAT补偿中出现的噪声不会影响其操作。

在框608，旁路部件在VCO的非活动部分期间被充电。该旁路部件通过PTAT补偿被充电。在一个示例中，该旁路部件是、或者包括，适当地布置的一个或多个电容器。该PTAT补偿，将旁路部件充电至可以小于或者大于调谐电压的电压电平。

在框610，该旁路补偿信号由旁路部件施加，其使得调谐电压在VCO的活动部分期间基本上保持恒定。此时，该PTAT部件是无效的或非活动的，因此并不将噪声送至VCO。

在框612，该VCO根据经改变的调谐电压而生成VCO输出信号。该输出信号独立于温度和/或环境温度的变化而被生成。

虽然该方法被图示并且在下文中被描述为一系列的动作或事件，但是应认识到的是，所图示出的这样的动作或事件的顺序并非以限制的含义进行解释。例如，一些动作可以与这里所图示和/或描述的不同地，以不同的顺序进行和/或与其它动作或事件同时进行。此外，并非需要所有的所图示的动作，以实施这里公开的一个或多个方法或实施例。而且，这里所描绘的一个或多个动作可以在一个或多个单独的动作和/或阶段中执行。

应认识到的是，请求保护的主题可以通过使用标准的编程和/或工程技术，而被实施为方法、装置或制品，以生产出软件、固件、硬件或者它们的组合，从而控制计算机以实施所公开的主题(例如，图1、图2等中所示的系统等，是可以被用来实施上述方法的系统的非限制性示例)。如这里所使用的术语“制品”意在包含能够从任何计算机可读设备、载体或媒体进行访问的计算机程序。显然，本领域技术人员将会认识到，能够针对该配置进行多种修改，而并不背离所请求保护的主体的范围或精神。

公开了一种压控振荡器装置。该装置包括压控振荡器和旁路部件。该压控振荡器具有输出和调谐端口。该输出以操作频率提供输出信号。该调谐端口被配置为根据所施加的电压来选择操作频率。该压控振荡器具有活动部分和非活动部分。在活动部分期间，该输出信号为非零数值。该旁路部件被配置为在该压控振荡器的活动部分期间向该调谐端口施加旁路补偿信号。该旁路补偿信号对该压控振荡器的振荡器温度进行补偿。

在该装置的一个变化例中，该旁路部件仅在该压控振荡器的非活动部分期间被充电。

在另一变化例中，该装置进一步包括与环境温度成正比的(PTAT)部件，其被配置为仅在该压控振荡器的非活动部分期间生成PTAT补偿并且将该PTAT补偿提供至该旁路部件。

公开了一种具有低的温度系数的传感器装置。该装置包括混频器路径、压控振荡器、放大器路径、旁路部件和PTAT部件。该混频器路径被配置为接收输入信号并且根据该输入信号生成经混频的信号。该压控振荡器被配置为基于振荡器输入电压生成振荡器输出。该放大器路径被配置为根据该振荡器输入生成输出信号。该旁路部件被配置为在该压控振荡器的活动部分期间将旁路补偿信号施加于该振荡器的输入电压。该PTAT部件被配置为在该压控振荡器的非活动部分期间生成PTAT补偿并且采用该PTAT补偿将该旁路部件充电。

在一个示例中，该旁路部件包括电容器。

公开了一种操作具有低的温度系数的振荡器的方法。将针对操作频率的调谐电压施加于压控振荡器的调谐输入。针对该压控振荡器确定温度补偿系数。PTAT部件基于该温度补偿系数和当前温度确定和生成PTAT补偿。在该压控振荡器的非活动部分期间通过该PTAT补偿被充电。该旁路部件将旁路补偿信号施加于该调谐端口。该压控振荡器生成压控振荡器输出信号。该输出信号的操作频率独立于当前温度。

特别地，关于以上所描述的部件或结构(组件、器件、电路、系统等)所执行的各种功能而言，除非另外有所指示，否则被用来描述这样的部件的术语(包括对“装置”的提及)意在对应于执行所描述部件的所指定功能的(例如，功能上等同的)任意部件或结构，即使其与执行本发明这里所说明的示例性实施方式中的功能所公开结构在结构上并不等同。此外，虽然本发明的特定结构已经仅关于若干实施方式之一而被公开，但是如对于任何给定或特定应用而言所期望且有利的，这样的特征可以与其它实施方式中的一个或多个其它特征进行组合。此外，就在详细说明和权利要求中的任一者中所使用的术语“包含”、“具有”、“含有”、“带有”或者其变化形式的范围而言，这样的术语意在以类似于术语“包括”的方式而是包括性的。

Claims

1.一种压控振荡器装置，包括：

压控振荡器，其具有输出和调谐端口，其中所述输出以操作频率提供输出信号，所述调谐端口被配置为根据所施加的电压来选择所述操作频率，并且所述压控振荡器具有活动部分和非活动部分；以及

旁路部件，其被配置为在所述活动部分期间将旁路补偿信号施加于所述调谐端口，其中所述旁路补偿信号对所述压控振荡器的振荡器温度进行补偿。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述旁路部件是无源部件。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述旁路部件仅在所述压控振荡器的非活动部分期间被充电。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述压控振荡器具有被选择的占空比以使功耗和缓，并且所述活动部分短于所述非活动部分。

5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括与环境温度成正比的(PTAT)部件，所述PTAT部件被配置为仅在所述压控振荡器的非活动部分期间生成PTAT补偿并且将所述PTAT补偿提供至所述旁路部件。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述PTAT部件在所述压控振荡器的活动部分期间是非活动的。

7.根据权利要求5所述的装置，其中所述PTAT部件针对所述压控振荡器确定温度补偿系数。

8.根据权利要求5所述的装置，其中所述PTAT部件被配置为根据所述振荡器温度而生成所述PTAT补偿。

9.根据权利要求5所述的装置，其中所述PTAT部件通过被施加于所述PTAT部件的使能端子的无效/使能信号而在所述压控振荡器的活动部分期间被无效。

10.根据权利要求5所述的装置，其中所述压控振荡器由振荡器供电电压进行供电。

11.根据权利要求5所述的装置，进一步包括反相器以将振荡器供电电压反相为用于所述PTAT部件的PTAT供电电压。

12.一种具有低的温度系数的传感器装置，包括：

混频器路径，被配置为接收输入信号并且根据所述输入信号生成经混频的信号；

压控振荡器，被配置为基于振荡器输入电压生成振荡器输出；

放大器路径，被配置为根据所述振荡器输出生成输出信号；

旁路部件，被配置为在所述压控振荡器的活动部分期间将旁路补偿信号施加于所述振荡器输入电压；以及

与环境温度成正比的(PTAT)部件，被配置为在所述压控振荡器的非活动部分期间生成PTAT补偿并且采用所述PTAT补偿将所述旁路部件充电。

13.根据权利要求12所述的装置，其中所述振荡器输出在独立于所述压控振荡器的温度的、稳定的操作频率下。

14.根据权利要求12所述的装置，其中所述旁路部件包括电容器。

15.根据权利要求12所述的装置，其中所述旁路部件的所述旁路补偿信号通过补偿电压来修改所述振荡器输入电压，所述补偿电压对温度漂移进行补偿。

16.根据权利要求12所述的装置，其中所述PTAT部件在所述压控振荡器的活动部分期间被无效。

17.一种操作具有低的温度系数的振荡器的方法，包括：

根据操作频率将调谐电压施加于所述振荡器的输入；

确定温度补偿系数；

基于当前温度和所述温度补偿系数确定和生成PTAT补偿；

在非活动部分期间通过所述PTAT补偿将旁路部件充电；以及

通过所述旁路部件施加旁路补偿信号以针对所述振荡器的温度变化进行补偿。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述PTAT补偿部件基于在各种温度下的对所述压控振荡器的测试确定所述温度补偿分量。

19.根据权利要求17所述的方法，其中产生所述PTAT补偿包括，将噪声引入所述PATA补偿。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述旁路补偿信号不包含被引入的所述噪声。