CN106098745B - 一种内嵌双层膜的lnoi晶片及其制备方法 - Google Patents
一种内嵌双层膜的lnoi晶片及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106098745B CN106098745B CN201610474749.9A CN201610474749A CN106098745B CN 106098745 B CN106098745 B CN 106098745B CN 201610474749 A CN201610474749 A CN 201610474749A CN 106098745 B CN106098745 B CN 106098745B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- lnoi
- lithium niobate
- duplicature
- embedded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 37
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 claims abstract description 24
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N tunicamycin Natural products CC(C)CCCCCCCCCC=CC(=O)NC1C(O)C(O)C(CC(O)C2OC(C(O)C2O)N3C=CC(=O)NC3=O)OC1OC4OC(CO)C(O)C(O)C4NC(=O)C MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种内嵌双层膜的LNOI晶片及其制备方法，该晶体的整体结构自基底向上层依序包括：硅或铌酸锂基底(1)、二氧化硅缓冲层(2)、金电极层(3)、半导体有机高分子层(4)和铌酸锂薄膜层(5)，所述金电极层(3)和所述半导体有机高分子层(4)为内嵌双层膜。与现有技术相比，本发明极大地降低了波导的损耗，波导性能优良；使LNOI材料形成电流回路起到了很重要的便利作用，显著提高了LNOI材料形成光学或微电子学器件的可行性；本发明将直接推动基于LNOI平台的集成光路和器件向实用化方向迈进，可为下一代光电混合集成芯片的研发提供支撑。
Description
技术领域
本发明涉及集成光电子学技术领域，具体涉及一种内嵌Au和半导体有机高分子双层膜的LNOI晶片结构及其制作方法。
背景技术
铌酸锂(LiNbO3)是目前已知的居里温度最高(1210oC)和自发极化最大(0.70C/m)的铁电体材料，由于具有优良的压电、电光、声光、热释电及非线性光学等特性，是至今人们所发现的光子学性能最多、综合指标最好的铁电体材料，被广泛地应用于声学、光学、光通讯、光集成等领域。
以超大规模集成电路为代表的微电子技术已发展到了极高的水平，进一步提高集成电路性能的方向之一，是将传播速度更快、信息容量更大的光引进集成电路，形成光电子集成，即进入集成光电子学领域。在这一领域的杰出代表是绝缘衬底硅(SOI)光波导与器件。然而，传统铌酸锂光波导制备采用质子交换或钛扩散技术，其波导的芯层和包层折射率梯度小，对光场的限制较弱；与绝缘衬底硅(SOI)光波导相比，传统铌酸锂光波导的横截面大，弯曲损耗高，最终形成的器件尺寸大，很难实现大规模光子器件单片集成。
近年来随着技术革新，出现了与SOI光波导一样的绝缘衬底铌酸锂(LNOI)，LNOI光波导的芯层和包层折射率梯度大，横截面小，弯曲损耗低，同时继承了铌酸锂优良的光子学性能，甚至还能以单晶硅为基底，因此，LNOI是用于开发大规模集成光电子器件的理想平台。截止目前，已经在LNOI材料上分别实现了Y分束器、电光调制器、微环共振器以及二次谐波发生器等。用于制作LNOI纳米线、微环等结构加工工艺也日趋成熟和完善。与PPLN光波导相对应的周期极化(PP)LNOI光波导更加具有重要的应用价值，是未来LNOI平台上的大规模集成光电子芯片中的不可或缺的关键一环。然而，有关的PP-LNOI光波导的制作工艺和功能器件却鲜有报道。其原因还在于PP-LNOI光波导制备较为困难，现有的工艺方案还不能满足实际的应用场景。
发明内容
为了解决现有技术中LNOI光波导制备过程中所面临的技术难题，本发明提出了一种内嵌双层膜的LNOI晶片及其制备方法，该晶片结构采用新的绝缘衬底材料和复合结构，解决了制约LNOI材料周期极化过程中电流回路的构成问题。
本发明提出了一种内嵌双层膜的LNOI晶片，该晶体的整体结构自基底向上依序包括：硅或铌酸锂基底1、二氧化硅缓冲层2、金电极层3、半导体有机高分子层4和铌酸锂薄膜层5，所述金电极层3和所述半导体有机高分子层4为内嵌双层膜。
本发明还提出了一种内嵌双层膜的LNOI晶片的制作方法，该方法包括以下步骤：
步骤一、选用光学级Z切0.5mm厚同成份铌酸锂基底6为初始材料，采用He+离子注入的方式在铌酸锂体材料表面生成一层铌酸锂薄膜层5；
步骤二、采用热氧化方式在铌酸锂晶体基底1上制备二氧化硅缓冲层2；
步骤三、基于二氧化硅缓冲层2，采用直流溅射的方式制备金电极层3；以及，基于金电极层3，制备半导体有机高分子层4；
步骤四、将步骤一中获得的He+离子注入过的铌酸锂体材料倒置在制备好的半导体有机高分子层4之上，表面键合，在半导体有机高分子层4表面形成铌酸锂薄膜层5；
步骤五、将步骤四所获得的样品加热到200℃，将铌酸锂体材料6与制备的LNOI晶片分离，再将分离后的铌酸锂薄膜层5上表面进行机械抛光，最终得到内嵌Au和半导体有机高分子双层膜的LNOI晶片。
与现有技术相比，本发明的一种内嵌双层膜的LNOI晶片极大地降低了波导的损耗，波导性能优良；使LNOI材料形成电流回路起到了很重要的便利作用，显著提高了LNOI材料形成光学或微电子学器件的可行性；本发明将直接推动基于LNOI平台的集成光路和器件向实用化方向迈进，可为下一代光电混合集成芯片的研发提供支撑。
附图说明
图1为本发明的一种内嵌双层膜的LNOI晶片整体结构示意图；
图2为本发明的一种内嵌双层膜的LNOI晶片制备方法过程示意图；附图标记：1、硅或铌酸锂基底，2、二氧化硅缓冲层，3、金电极层，4、半导体有机高分子层，5、铌酸锂薄膜层，6、铌酸锂体材料。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明所述的内嵌Au(金)和半导体有机高分子层双层膜的LNOI晶片的整体结构自基底向上层，依序包括硅或铌酸锂基底1、二氧化硅缓冲层2、金电极层3、半导体有机高分子层4、铌酸锂薄膜层5和铌酸锂体材料6。半导体有机高分子层(4)的厚度与二氧化硅缓冲层(2)的厚度相近。
本发明的内嵌Au和半导体有机高分子双层膜的LNOI晶片制备方法包括以下步骤：
步骤一、选用光学级Z切0.5mm厚同成份铌酸锂晶片为初始材料，采用He+离子注入的方式在铌酸锂体材料6表面生成一层500nm～5μm的薄膜；在铌酸锂体材料表面一层500nm～5μm的薄膜与铌酸锂体材料可以分离开来；
步骤二、若选用硅作为基底材料，则采用热氧化方式在硅基底上制备二氧化硅缓冲层，若选用铌酸锂作为基底材料，则采用PECVD化学气相沉积法在铌酸锂表面制备二氧化硅缓冲层；；此步骤中需将纯净的硅片在1100℃下干氧氧化10h(小时)以上；
步骤三、基于二氧化硅缓冲层，采用直流溅射的方式制备金电极层，金电极层的厚度在100nm～200nm左右，直流溅射时冲入氩气，使压强维持在0.4Pa左右；基于金电极层，采用沉积、溶胶-凝胶制或者其他等效的技术方式备半导体有机高分子层；根据所采用铌酸锂薄膜层的厚度，半导体有机高分子层的厚度可以是500nm～5μm之间；
步骤死四、将步骤一中获得的He+离子注入过的铌酸锂体材料倒置在制备好的半导体有机高分子层之上，表面键合，在半导体有机高分子层表面形成铌酸锂薄膜层；铌酸锂薄膜层与铌酸锂体材料的结合力弱于键合后的界面；
步骤五、将步骤四所获得的样品加热到200℃，将铌酸锂体材料与制备的LNOI晶片分离，最后再将分离后的铌酸锂薄膜层上表面进行机械抛光，最终得到内嵌Au和半导体有机高分子双层膜的LNOI晶片。
在上述制备方法中，本发明制备二氧化硅缓冲层采用的方法，所制备的二氧化硅均匀、致密，与铌酸锂的折射率差很大，能够在波导传输过程中起到良好的作用，极大地降低了波导的损耗；创新性地提出在原有LNOI晶片的结构中添加一层金电极层和一层半导体有机高分子膜。电极层采用的金，其导电性能极佳，化学成分稳定，对使LNOI材料形成电流回路起到了很重要的便利作用，显著提高了LNOI材料形成光学或微电子学器件的可行性；应用半导体有机高分子层，有助于减弱金电极层带来的波导损耗，并使LNOI材料形成电流回路起到了辅助作用半导体有机高分子膜层在击穿电压以下的电场环境下保持绝缘特性，在击穿电压以上的电场作用下，变成良导体，可配合下层金电极现实铌酸锂材料的极化。在铌酸锂体材料表面采用He+离子注入方式制备铌酸锂薄膜，形成的薄膜晶体缺陷少，光学均匀性好，具有很好的电光和非线性效应，波导性能优良，且损耗较小，能广泛用于用于无线电通讯、雷达、导航等无线电领域；采用铌酸锂薄膜替代传统的铌酸锂光波导，能够在很大程度上提高器件的集成度，减小器件的体积，使器件中光机电的结合更加方便，使相关器件的多样性大大增加。
Claims (3)
1.一种内嵌双层膜的LNOI晶片，其特征在于，该晶片的整体结构自基底向上依序包括：硅或铌酸锂基底(1)、二氧化硅缓冲层(2)、金电极层(3)、半导体有机高分子层(4)和铌酸锂薄膜层(5)，所述金电极层(3)和所述半导体有机高分子层(4)为内嵌双层膜。
2.如权利要求1所述的一种内嵌双层膜的LNOI晶片的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、选用光学级Z切0.5mm厚同成份铌酸锂体材料(6)为初始材料，采用He+离子注入的方式在铌酸锂体材料表面生成一层铌酸锂薄膜层(5)；
步骤二、硅或铌酸锂基底(1)上制备二氧化硅缓冲层(2)；
步骤三、基于二氧化硅缓冲层(2)，采用直流溅射的方式制备金电极层(3)；以及，基于金电极层(3)，制备半导体有机高分子层(4)；
步骤四、将步骤一所获得的He+离子注入过的铌酸锂体材料倒置在制备好的半导体有机高分子层(4)之上，表面键合，在半导体有机高分子层(4)表面形成铌酸锂薄膜层(5)；
步骤五、将步骤四所获得的样品加热到200℃，将铌酸锂体材料(6)与制备的LNOI晶片分离，再将分离后的铌酸锂薄膜层(5)上表面进行机械抛光，最终得到内嵌Au和半导体有机高分子双层膜的LNOI晶片。
3.如权利要求2所述的一种内嵌双层膜的LNOI晶片的制备方法，所述步骤二具体包括以下处理：若选用硅作为基底材料，则采用热氧化方式在硅基底上制备二氧化硅缓冲层，若选用铌酸锂作为基底材料，则采用PECVD化学气相沉积法在铌酸锂基底表面制备二氧化硅缓冲层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610474749.9A CN106098745B (zh) | 2016-06-21 | 2016-06-21 | 一种内嵌双层膜的lnoi晶片及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610474749.9A CN106098745B (zh) | 2016-06-21 | 2016-06-21 | 一种内嵌双层膜的lnoi晶片及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106098745A CN106098745A (zh) | 2016-11-09 |
| CN106098745B true CN106098745B (zh) | 2018-12-18 |
Family
ID=57253794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610474749.9A Active CN106098745B (zh) | 2016-06-21 | 2016-06-21 | 一种内嵌双层膜的lnoi晶片及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106098745B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11880067B2 (en) | 2020-05-07 | 2024-01-23 | Honeywell International Inc. | Integrated environmentally insensitive modulator for interferometric gyroscopes |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6304685B1 (en) * | 2000-05-05 | 2001-10-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Low drive voltage LiNbO3 intensity modulator with reduced electrode loss |
| CN101796724A (zh) * | 2007-12-17 | 2010-08-04 | 太阳诱电株式会社 | 弹性波元件、通信组件、以及通信装置 |
| CN204045636U (zh) * | 2014-07-30 | 2014-12-24 | 河北工程大学 | 双绝缘层有机薄膜晶体管 |
| CN105158849A (zh) * | 2015-10-26 | 2015-12-16 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4178328B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2008-11-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
| WO2008038506A1 (fr) * | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dispositif d'onde acoustique limite |
-
2016
- 2016-06-21 CN CN201610474749.9A patent/CN106098745B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6304685B1 (en) * | 2000-05-05 | 2001-10-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Low drive voltage LiNbO3 intensity modulator with reduced electrode loss |
| CN101796724A (zh) * | 2007-12-17 | 2010-08-04 | 太阳诱电株式会社 | 弹性波元件、通信组件、以及通信装置 |
| CN204045636U (zh) * | 2014-07-30 | 2014-12-24 | 河北工程大学 | 双绝缘层有机薄膜晶体管 |
| CN105158849A (zh) * | 2015-10-26 | 2015-12-16 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11880067B2 (en) | 2020-05-07 | 2024-01-23 | Honeywell International Inc. | Integrated environmentally insensitive modulator for interferometric gyroscopes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106098745A (zh) | 2016-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110703382B (zh) | 一种高集成度铌酸锂/氮化硅光波导集成结构及其制备方法 | |
| JP6154465B2 (ja) | 能動及び受動構造を備えたフォトニック回路を製造する方法 | |
| US9182544B2 (en) | Fabrication of planar light-wave circuits (PLCS) for optical I/O | |
| CN109613647B (zh) | 一种铌酸锂/氮化硅光波导集成结构及其制备方法 | |
| CN109298551A (zh) | 一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法 | |
| SG191239A1 (en) | Planar polarization rotator | |
| CN109613632B (zh) | 基于柔性表面等离激元耦合器的可调谐振腔及其制备方法 | |
| TW201133579A (en) | Optical modulator utilizing wafer bonding technology | |
| CN110618488B (zh) | 一种带氮化硅层的单晶薄膜及其制备方法 | |
| CN108225297A (zh) | 一种二氧化硅波导与铌酸锂薄膜垂直耦合的谐振式集成光学陀螺 | |
| CN105759463A (zh) | 一种波导热光开关及其制作方法 | |
| CN109116590A (zh) | 硅和铌酸锂混合集成光调制器及其制备方法 | |
| CN111175892A (zh) | 一种铌酸锂光波导器件及其制备方法 | |
| CN105974614A (zh) | 一种采用脊形波导的马赫曾德光调制器晶片结构及其制备工艺 | |
| US20140086523A1 (en) | Poling structures and methods for photonic devices employing electro-optical polymers | |
| CN110235238A (zh) | 用于射频应用的结构 | |
| US9791621B2 (en) | Integrated semiconductor optical coupler | |
| CN106098745B (zh) | 一种内嵌双层膜的lnoi晶片及其制备方法 | |
| CN114415400A (zh) | 一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法 | |
| CN107305297A (zh) | 基于铌酸锂单晶薄膜的宽带行波电光调制器 | |
| Saha et al. | Fabrication and characterization of optical devices on lithium niobate on insulator chips | |
| CN104317071B (zh) | 一种基于石墨烯的平面光波导偏振分束器 | |
| JP4653391B2 (ja) | 光制御素子の製造方法 | |
| US10591755B2 (en) | Direct-drive polymer modulator methods of fabricating and materials therefor | |
| CN102508338A (zh) | 基于铌酸锂光子线的光定向耦合器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210723 Address after: Room 321-17, building 6-b, international enterprise R & D Park, No. 75, Tiansheng Road, Jiangbei new area, Nanjing, Jiangsu 210043 Patentee after: Nanjing Dingxin Photoelectric Technology Co.,Ltd. Address before: 300072 Tianjin City, Nankai District Wei Jin Road No. 92 Patentee before: Tianjin University |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231030 Address after: 230000, 3rd Floor, Building D4, Innovation Industrial Park, No. 800 Wangjiang West Road, High tech Zone, Hefei City, Anhui Province Patentee after: Hefei Photon Computing Intelligent Technology Co.,Ltd. Address before: Room 321-17, building 6-b, international enterprise R & D Park, No. 75, Tiansheng Road, Jiangbei new area, Nanjing, Jiangsu 210043 Patentee before: Nanjing Dingxin Photoelectric Technology Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |