CN106085267A - 一种抗静电抗磁防刮高透保护膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及保护膜技术领域，具体涉及一种抗静电抗磁防刮高透保护膜及其制备方法，该抗静电抗磁防刮高透保护膜包括从上往下依次贴合的保护膜层、使用膜层和剥离膜，保护膜层包括保护膜和贴合于保护膜下表面的剥离胶层；使用膜层包括贴合于剥离胶层下表面的抗静电硬化层、贴合于抗静电硬化层下表面的基材、贴合于基材下表面的粘结层、贴合于粘结层下表面的抗磁薄膜、以及贴合于抗磁薄膜下表面的粘胶层，粘胶层的下表面与剥离膜的上表面贴合。本发明的抗静电抗磁防刮高透保护膜通过采用抗静电硬化层和抗磁薄膜，使得保护膜同时具有抗静电、抗电磁和防刮花的优点，在保持高透过率的同时，具有良好的抗电磁效果。

Description

一种抗静电抗磁防刮高透保护膜及其制备方法

技术领域

本发明涉及保护膜技术领域，具体涉及一种抗静电抗磁防刮高透保护膜及其制备方法。

背景技术

目前的抗磁膜通常采用贴金属箔或者镀金属层的方法进行生产，难以得到透明性好的抗磁保护膜。而且现在市面上的普通保护膜功能比较单一，难以同时满足消费者日益增长的各种功能需求。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种抗静电抗磁防刮高透保护膜，该抗静电抗磁防刮高透保护膜同时具有抗静电、抗电磁和防刮花的优点，在保持高透过率的同时，具有良好的抗电磁效果。

本发明的另一目的在于提供一种抗静电抗磁防刮高透保护膜的制备方法，该制备方法步骤简单，操作控制方便，质量稳定，生产效率高，生产成本低，可大规模工业化生产。

本发明的目的通过下述技术方案实现：一种抗静电抗磁防刮高透保护膜，包括从上往下依次贴合的保护膜层、使用膜层和剥离膜，保护膜层包括保护膜和贴合于保护膜下表面的剥离胶层；使用膜层包括贴合于剥离胶层下表面的抗静电硬化层、贴合于抗静电硬化层下表面的基材、贴合于基材下表面的粘结层、贴合于粘结层下表面的抗磁薄膜、以及贴合于抗磁薄膜下表面的粘胶层，粘胶层的下表面与剥离膜的上表面贴合。

优选的，所述保护膜、剥离膜均为PET薄膜、PVC薄膜、PC薄膜、OPP薄膜和PE薄膜中的任意一种。本发明通过采用上述薄膜作为保护膜和剥离膜，其光透过率高。

所述剥离胶层、粘结层和粘胶层均为硅胶层、亚克力胶层、压敏胶层和OCA胶水层中的任意一种。本发明通过采用上述粘结材料层作为剥离胶层、粘结层和粘胶层，其粘结效果好，环保。

所述基材为光透过率在92%以上的PET薄膜、PVC薄膜、PC薄膜和OPP薄膜中的任意一种。本发明通过采用上述光透过率在92%以上的薄膜作为基材，其光透过率高。

所述抗磁薄膜为光透过率在92%以上的聚苯胺薄膜、聚吡咯薄膜和聚噻吩薄膜中的任意一种。本发明通过采用上述光透过率在92%以上的薄膜作为抗磁薄膜，其抗电磁效果好。

所述保护膜、剥离膜的厚度均为25-75μm。优选的，所述保护膜、剥离膜的厚度均为25μm、35μm、45μm、50μm、65μm或75μm。更为优选的，所述保护膜、剥离膜的厚度均为50μm。

所述剥离胶层、粘结层、抗磁薄膜和粘胶层的厚度均为5-20μm。优选的，所述剥离胶层、粘结层、抗磁薄膜和粘胶层的厚度均为5μm、8μm、12μm、16μm或20μm。更为优选的，所述剥离胶层、粘结层、抗磁薄膜和粘胶层的厚度均为12μm。

所述抗静电硬化层的厚度为2-8μm。优选的，所述抗静电硬化层的厚度为2μm、4μm、5μm、6μm或8μm。更为优选的，所述抗静电硬化层的厚度为5μm。

所述基材的厚度为25-50μm。优选的，所述基材的厚度为25μm、30μm、35μm、40μm、45μm或50μm。更为优选的，所述基材的厚度为40μm。

优选的，所述抗静电硬化层由抗静电胶水经涂布后固化制得，所述抗静电胶水包括如下重量份的原料：胶水100份和抗静电剂0.1-3份。本发明通过将抗静电剂的用量控制在0.1%-3%，制得的抗静电胶水抗静电效果好，使得保护膜同时具有抗静电、抗电磁和防刮花的优点。

优选的，所述胶水为丙烯酸胶水、聚氨酯胶水和环氧聚酯胶水中的至少一种。本发明通过采用上述胶水，其粘结效果好，固化速度快。

所述抗静电剂为胺的衍生物、季铵盐、硫酸酯、磷酸酯和聚乙二醇的衍生物中的至少一种。本发明通过采用上述抗静电剂，制得的抗静电胶水抗静电效果好，使得保护膜同时具有抗静电、抗电磁和防刮花的优点。

优选的，所述胺的衍生物为甲胺、乙胺、乙二胺、三乙胺、甲乙胺、甲乙丙胺、甲基异丙基胺、1,3丙二胺、苯胺、苯甲胺、对甲苯胺、二苯胺、N-乙基苯胺、N,N-二甲基苯胺、N-甲基-N-乙基苯胺和N,N-二甲基对甲基苯胺中的至少一种。本发明通过采用上述胺的衍生物，制得的抗静电胶水抗静电效果好，使得保护膜同时具有抗静电、抗电磁和防刮花的优点。

优选的，所述季铵盐为四甲基溴化铵、四乙基溴化铵、四丙基溴化铵和四丁基溴化铵中的至少一种。本发明通过采用上述季铵盐，制得的抗静电胶水抗静电效果好，使得保护膜同时具有抗静电、抗电磁和防刮花的优点。

优选的，所述硫酸酯为硫酸甲酯、硫酸二甲酯、硫酸乙酯、硫酸二乙酯、硫酸亚丙酯、硫酸二丙酯和硫酸二丁酯中的至少一种。本发明通过采用上述硫酸酯，制得的抗静电胶水抗静电效果好，使得保护膜同时具有抗静电、抗电磁和防刮花的优点。

优选的，所述磷酸酯为磷酸甲酯、磷酸二甲酯、磷酸三甲酯、磷酸二乙酯、磷酸三乙酯、磷酸三丙酯、磷酸一丁酯、磷酸二丁酯和磷酸三丁酯中的至少一种。本发明通过采用上述磷酸酯，制得的抗静电胶水抗静电效果好，使得保护膜同时具有抗静电、抗电磁和防刮花的优点。

优选的，所述聚乙二醇的衍生物为聚乙二醇醚、聚乙二醇酯、聚乙二醇胺和聚乙二醇酸中的至少一种。本发明通过采用上述聚乙二醇的衍生物，制得的抗静电胶水抗静电效果好，使得保护膜同时具有抗静电、抗电磁和防刮花的优点。

本发明的另一目的通过下述技术方案实现：一种抗静电抗磁防刮高透保护膜的制备方法，包括如下步骤：

（1）取一基材，在基材的上表面涂布一层抗静电胶水，固化后形成抗静电硬化层；

（2）取一保护膜，在保护膜的一面涂布一层粘结剂，固化后形成剥离胶层，将剥离胶层的下表面与抗静电硬化层的上表面贴合；

（3）在基材的下表面涂布一层粘结剂，固化后形成粘结层，并在粘结层的下表面贴合一层抗磁薄膜；

（4）在抗磁薄膜的下表面涂布一层粘结剂，固化后形成粘胶层，在粘胶层的下表面贴合一层剥离膜，制得抗静电抗磁防刮高透保护膜。

本发明的有益效果在于：本发明的抗静电抗磁防刮高透保护膜通过采用抗静电硬化层和抗磁薄膜，使得保护膜同时具有抗静电、抗电磁和防刮花的优点，在保持高透过率的同时，具有良好的抗电磁效果。

本发明的制备方法步骤简单，操作控制方便，质量稳定，生产效率高，生产成本低，可大规模工业化生产。

附图说明

图1是本发明的局部剖视图。

附图标记为：1—保护膜层、11—保护膜、12—剥离胶层、2—使用膜层、21—抗静电硬化层、22—基材、23—粘结层、24—抗磁薄膜、25—粘胶层、3—剥离膜。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1对本发明作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本发明的限定。

实施例1

见图1，一种抗静电抗磁防刮高透保护膜，包括从上往下依次贴合的保护膜层1、使用膜层2和剥离膜3，保护膜层1包括保护膜11和贴合于保护膜11下表面的剥离胶层12；使用膜层2包括贴合于剥离胶层12下表面的抗静电硬化层21、贴合于抗静电硬化层21下表面的基材22、贴合于基材22下表面的粘结层23、贴合于粘结层23下表面的抗磁薄膜24、以及贴合于抗磁薄膜24下表面的粘胶层25，粘胶层25的下表面与剥离膜3的上表面贴合。

所述保护膜11、剥离膜3均为PET薄膜；所述剥离胶层12、粘结层23和粘胶层25均为硅胶层；所述基材22为光透过率在92%以上的PET薄膜；所述抗磁薄膜24为光透过率在92%以上的聚苯胺薄膜。

所述保护膜11、剥离膜3的厚度均为25μm；所述剥离胶层12、粘结层23、抗磁薄膜24和粘胶层25的厚度均为5μm；所述抗静电硬化层21的厚度为2μm；所述基材22的厚度为25μm。

所述抗静电硬化层21由抗静电胶水经涂布后固化制得，所述抗静电胶水包括如下重量份的原料：胶水100份和抗静电剂0.1份。

所述胶水为丙烯酸胶水；所述抗静电剂为胺的衍生物。

所述胺的衍生物为甲胺、乙胺、乙二胺、三乙胺、甲乙胺、甲乙丙胺、甲基异丙基胺、1,2丙二胺、苯胺、苯甲胺、对甲苯胺、二苯胺、N-乙基苯胺、N,N-二甲基苯胺、N-甲基-N-乙基苯胺和N,N-二甲基对甲基苯胺中的至少一种。

一种抗静电抗磁防刮高透保护膜的制备方法，包括如下步骤：

（1）取一基材22，在基材22的上表面涂布一层抗静电胶水，固化后形成抗静电硬化层21；

（2）取一保护膜11，在保护膜11的一面涂布一层粘结剂，固化后形成剥离胶层12，将剥离胶层12的下表面与抗静电硬化层21的上表面贴合；

（2）在基材22的下表面涂布一层粘结剂，固化后形成粘结层23，并在粘结层23的下表面贴合一层抗磁薄膜24；

（4）在抗磁薄膜24的下表面涂布一层粘结剂，固化后形成粘胶层25，在粘胶层25的下表面贴合一层剥离膜3，制得抗静电抗磁防刮高透保护膜。

实施例2

本实施例与上述实施例1的不同之处在于：所述保护膜11、剥离膜3均为PVC薄膜；所述剥离胶层12、粘结层23和粘胶层25均为亚克力胶层；所述基材22为光透过率在92%以上的PVC薄膜；所述抗磁薄膜24为光透过率在92%以上的聚吡咯薄膜。

所述保护膜11、剥离膜3的厚度均为25μm；所述剥离胶层12、粘结层23、抗磁薄膜24和粘胶层25的厚度均为8μm；所述抗静电硬化层21的厚度为4μm；所述基材22的厚度为20μm。

所述抗静电硬化层21由抗静电胶水经涂布后固化制得，所述抗静电胶水包括如下重量份的原料：胶水100份和抗静电剂0.5份。

所述胶水为聚氨酯胶水；所述抗静电剂为季铵盐。

所述季铵盐为四甲基溴化铵、四乙基溴化铵、四丙基溴化铵和四丁基溴化铵中的至少一种。

实施例2

本实施例与上述实施例1的不同之处在于：所述保护膜11、剥离膜3均为PC薄膜；所述剥离胶层12、粘结层23和粘胶层25均为压敏胶层；所述基材22为光透过率在92%以上的PC薄膜；所述抗磁薄膜24为光透过率在92%以上的聚噻吩薄膜。

所述保护膜11、剥离膜3的厚度均为50μm；所述剥离胶层12、粘结层23、抗磁薄膜24和粘胶层25的厚度均为12μm；所述抗静电硬化层21的厚度为5μm；所述基材22的厚度为25μm。

所述抗静电硬化层21由抗静电胶水经涂布后固化制得，所述抗静电胶水包括如下重量份的原料：胶水100份和抗静电剂1份。

所述胶水为环氧聚酯胶水；所述抗静电剂为硫酸酯。

所述硫酸酯为硫酸甲酯、硫酸二甲酯、硫酸乙酯、硫酸二乙酯、硫酸亚丙酯、硫酸二丙酯和硫酸二丁酯中的至少一种。

实施例4

本实施例与上述实施例1的不同之处在于：所述保护膜11、剥离膜3均为OPP薄膜；所述剥离胶层12、粘结层23和粘胶层25均为OCA胶水层；所述基材22为光透过率在92%以上的OPP薄膜；所述抗磁薄膜24为光透过率在92%以上的聚苯胺薄膜。

所述保护膜11、剥离膜3的厚度均为65μm；所述剥离胶层12、粘结层23、抗磁薄膜24和粘胶层25的厚度均为16μm；所述抗静电硬化层21的厚度为6μm；所述基材22的厚度为40μm。

所述抗静电硬化层21由抗静电胶水经涂布后固化制得，所述抗静电胶水包括如下重量份的原料：胶水100份和抗静电剂2份。

所述胶水为丙烯酸胶水；所述抗静电剂为磷酸酯。

所述磷酸酯为磷酸甲酯、磷酸二甲酯、磷酸三甲酯、磷酸二乙酯、磷酸三乙酯、磷酸三丙酯、磷酸一丁酯、磷酸二丁酯和磷酸三丁酯中的至少一种。

实施例5

本实施例与上述实施例1的不同之处在于：所述保护膜11、剥离膜3均为PE薄膜；所述剥离胶层12、粘结层23和粘胶层25均为硅胶层；所述基材22为光透过率在92%以上的PET薄膜；所述抗磁薄膜24为光透过率在92%以上的聚吡咯薄膜。

所述保护膜11、剥离膜3的厚度均为75μm；所述剥离胶层12、粘结层23、抗磁薄膜24和粘胶层25的厚度均为20μm；所述抗静电硬化层21的厚度为8μm；所述基材22的厚度为50μm。

所述抗静电硬化层21由抗静电胶水经涂布后固化制得，所述抗静电胶水包括如下重量份的原料：胶水100份和抗静电剂2份。

所述胶水为聚氨酯胶水；所述抗静电剂为聚乙二醇的衍生物。

所述聚乙二醇的衍生物为聚乙二醇醚、聚乙二醇酯、聚乙二醇胺和聚乙二醇酸中的至少一种。

上述实施例为本发明较佳的实现方案，除此之外，本发明还可以其它方式实现，在不脱离本发明构思的前提下任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种抗静电抗磁防刮高透保护膜，包括从上往下依次贴合的保护膜层、使用膜层和剥离膜，保护膜层包括保护膜和贴合于保护膜下表面的剥离胶层；其特征在于：使用膜层包括贴合于剥离胶层下表面的抗静电硬化层、贴合于抗静电硬化层下表面的基材、贴合于基材下表面的粘结层、贴合于粘结层下表面的抗磁薄膜、以及贴合于抗磁薄膜下表面的粘胶层，粘胶层的下表面与剥离膜的上表面贴合。

2.根据权利要求1所述的一种抗静电抗磁防刮高透保护膜，其特征在于：所述保护膜、剥离膜均为PET薄膜、PVC薄膜、PC薄膜、OPP薄膜和PE薄膜中的任意一种；所述剥离胶层、粘结层和粘胶层均为硅胶层、亚克力胶层、压敏胶层和OCA胶水层中的任意一种；所述基材为光透过率在92%以上的PET薄膜、PVC薄膜、PC薄膜和OPP薄膜中的任意一种；所述抗磁薄膜为光透过率在92%以上的聚苯胺薄膜、聚吡咯薄膜和聚噻吩薄膜中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种抗静电抗磁防刮高透保护膜，其特征在于：所述抗静电硬化层由抗静电胶水经涂布后固化制得，所述抗静电胶水包括如下重量份的原料：胶水100份和抗静电剂0.1-3份。

4.根据权利要求3所述的一种抗静电抗磁防刮高透保护膜，其特征在于：所述胶水为丙烯酸胶水、聚氨酯胶水和环氧聚酯胶水中的至少一种；所述抗静电剂为胺的衍生物、季铵盐、硫酸酯、磷酸酯和聚乙二醇的衍生物中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的一种抗静电抗磁防刮高透保护膜，其特征在于：所述胺的衍生物为甲胺、乙胺、乙二胺、三乙胺、甲乙胺、甲乙丙胺、甲基异丙基胺、1,3丙二胺、苯胺、苯甲胺、对甲苯胺、二苯胺、N-乙基苯胺、N,N-二甲基苯胺、N-甲基-N-乙基苯胺和N,N-二甲基对甲基苯胺中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的一种抗静电抗磁防刮高透保护膜，其特征在于：所述季铵盐为四甲基溴化铵、四乙基溴化铵、四丙基溴化铵和四丁基溴化铵中的至少一种。

7.根据权利要求4所述的一种抗静电抗磁防刮高透保护膜，其特征在于：所述硫酸酯为硫酸甲酯、硫酸二甲酯、硫酸乙酯、硫酸二乙酯、硫酸亚丙酯、硫酸二丙酯和硫酸二丁酯中的至少一种。

8.根据权利要求4所述的一种抗静电抗磁防刮高透保护膜，其特征在于：所述磷酸酯为磷酸甲酯、磷酸二甲酯、磷酸三甲酯、磷酸二乙酯、磷酸三乙酯、磷酸三丙酯、磷酸一丁酯、磷酸二丁酯和磷酸三丁酯中的至少一种。

9.根据权利要求4所述的一种抗静电抗磁防刮高透保护膜，其特征在于：所述聚乙二醇的衍生物为聚乙二醇醚、聚乙二醇酯、聚乙二醇胺和聚乙二醇酸中的至少一种。

10.如权利要求1-9任一项所述的一种抗静电抗磁防刮高透保护膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

（1）取一基材，在基材的上表面涂布一层抗静电胶水，固化后形成抗静电硬化层；

（2）取一保护膜，在保护膜的一面涂布一层粘结剂，固化后形成剥离胶层，将剥离胶层的下表面与抗静电硬化层的上表面贴合；

（3）在基材的下表面涂布一层粘结剂，固化后形成粘结层，并在粘结层的下表面贴合一层抗磁薄膜；

（4）在抗磁薄膜的下表面涂布一层粘结剂，固化后形成粘胶层，在粘胶层的下表面贴合一层剥离膜，制得抗静电抗磁防刮高透保护膜。