CN106077535A - 一种石墨烯改性单晶铜的方法 - Google Patents
一种石墨烯改性单晶铜的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106077535A CN106077535A CN201610556508.9A CN201610556508A CN106077535A CN 106077535 A CN106077535 A CN 106077535A CN 201610556508 A CN201610556508 A CN 201610556508A CN 106077535 A CN106077535 A CN 106077535A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- copper
- single crystal
- described step
- copper liquid
- graphene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D11/00—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths
- B22D11/001—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths of specific alloys
- B22D11/004—Copper alloys
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D11/00—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths
- B22D11/005—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths of wire
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D11/00—Continuous casting of metals, i.e. casting in indefinite lengths
- B22D11/10—Supplying or treating molten metal
- B22D11/11—Treating the molten metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/001—Continuous growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B11/06—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt at least one but not all components of the crystal composition being added
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/52—Alloys
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Continuous Casting (AREA)
Abstract
本发明提供一种石墨烯改性单晶铜的方法。该石墨烯改性单晶铜的方法包括以下步骤:(1)在保护气氛下,将粗铜置于坩埚中加热熔化,得到铜液;(2)所述铜液引入到铸型中,加热、加入石墨烯粉体,搅拌;(3)在铸型的出口对铜液进行冷却、使所述铜液沿着铸型出口方向实现单向凝固,并连续牵引连铸,得到铜锭;(4)将所述铜锭经过热处理、冷拉,制得单晶铜线材。本发明制备的石墨烯改性单晶铜具有良好的导电性,且信号传输稳定和可靠,电阻率比单晶铜降低25%以上。
Description
技术领域
本发明涉及单晶铜领域,尤其涉及一种石墨烯改性单晶铜的方法。
背景技术
单晶铜是一种高纯度无氧铜,其整根铜杆仅由一个晶粒组成,不存在晶粒之间产生的“晶界”(“晶界”会对通过的信号产生反射和折射,造成信号失真和衰减),因而具有极高的信号传输性能。
石墨烯是由碳原子构成的只有一层原子厚度的二维晶体,石墨烯既是最薄的材料,也是最强韧的材料,断裂强度比最好的钢材还要高200倍。同时它又有很好的弹性,拉伸幅度能达到自身尺寸的20%。是目前发现的最薄、强度最大、导电导热性能最强的一种新型纳米材料。
中国专利公布号101642775公开一种铜杆连铸连轧生产方法,其步骤如下:以每小时8吨速度向1145℃反射炉中加入铜原料;之后,当铜水温度达1150~1170℃时通入空气30min进行氧化;用木料在1200~1250℃对液态铜进行还原1.5~2小时后,在1120~1130℃条件下出铜并浇铸,在850~880℃铜结晶出锭后,1200转/分~1320转/分的轧机转速下,轧制成铜杆,单晶铜因消除了作为电阻产生源和信号衰减源的晶界而具有优异的综合性能,电阻比普通铜材降低8~10%,信号传输性能也有所改善,但信号传输不是很稳定,导电性能也有待于进一步改善,如何利用石墨烯对单晶铜进行改性使其具备优良的性能具有十分重要的意义。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种石墨烯改性单晶铜的方法,该石墨烯改性单晶铜的方法解决了如何利用石墨烯优良的性能对单晶铜进行改性使其导电性和信号传输性能得到进一步改善的问题。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种石墨烯改性单晶铜的方法,包括以下步骤:
(1)在保护气氛下,将粗铜置于坩埚中加热熔化,得到铜液;
(2)所述铜液引入到铸型中,加热、加入石墨烯粉体,搅拌;
(3)在铸型的出口对铜液进行冷却、使所述铜液沿着铸型出口方向实现单向凝固,并连续牵引连铸,得到铜锭;
(4)将所述铜锭经过热处理、冷拉,制得石墨烯改性单晶铜线材。
其中,所述步骤(1)中保护气氛选自氩气和/或氮气。
其中,所述步骤(1)中坩埚为石墨坩埚。
本发明石墨烯粉体具有优良的强度和导电导热性性能,在单晶铜的连铸过程中加入适量的石墨烯粉体进行改性,制备得到的石墨烯改性单晶铜具有良好的导电性,且信号传输稳定和可靠,电阻率比单晶铜降低25%以上。
其中,所述步骤(1)中加热温度为1200~1350℃,例如可以为1200℃、1210℃、1220℃、1240℃、1250℃、1260℃、1270℃、1280℃、1290℃、1300℃、1320℃、1330℃或1350℃等,优选1250~1300℃,进一步优选1260~1280℃。
其中,所述步骤(2)中加热温度为1070~1150℃例如可以为1070℃、1080℃、1090℃、1100℃、1110℃、1120℃、1130℃、1140℃或1150℃等,优选1100~1130℃,进一步优选1110~1120℃。
其中,所述步骤(2)中石墨烯粉体的加入量为铜液的0.05~1.2wt%,例如可以为0.05wt%、0.08wt%、0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%、1wt%、1.1wt%或1.2wt%等,优选0.2~1wt%,进一步优选0.5~0.8wt%。
其中,所述步骤(3)中冷却方式为冷却水冷却;
优选地,冷却水量为600~1500mL/min,例如可以为600mL/min、650mL/min、700mL/min、750mL/min、800mL/min、900mL/min、1000mL/min、1100mL/min、1200mL/min、1300mL/min、1400mL/min或1500mL/min等,优选900~1300mL/min,优选1100~1200mL/min。
其中,所述步骤(3)中冷却距离10~30cm,例如可以为10cm、11cm、12cm、15cm、16cm、18cm、20cm、22cm、25cm、26cm、28cm或30cm等,优选12~20cm,进一步优选15~18cm。
其中,所述步骤(3)中连铸速度为10~30mm/min,例如可以为10mm/min、11mm/min、12mm/min、15mm/min、16mm/min、18mm/min、20mm/min、22mm/min、24mm/min、25mm/min、26mm/min、28mm/min或30mm/min等,优选12~25mm/min,进一步优选20~22mm/min。
其中,所述步骤(3)中连铸时铜液的静压头为15~20mm,例如可以为15mm、16mm、17mm、18mm、19mm或20mm等,优选16~18mm。
与现有技术相比,本发明的有益效果如下:本发明石墨烯粉体具有优良的强度和导电导热性性能,在单晶铜的连铸过程中加入适量的石墨烯粉体进行改性,制备得到的石墨烯改性单晶铜具有良好的导电性、信号传输稳定性和可靠性,电阻率比单晶铜降低25%以上;本发明制备的石墨烯改性单晶铜具有良好的导电性、信号传输稳定性和可靠性,电阻率比单晶铜降低25%以上。
具体实施方式
下面结合实施例来进一步说明本发明的技术方案。
实施例1:本实施例的石墨烯改性单晶铜的方法,包括以下步骤:
在保护气氛下,将粗铜置于坩埚中加热至1200℃熔化,得到铜液;
铜液引入到铸型中,加热至1070℃、加入占铜液质量0.1wt%的石墨烯粉体,搅拌均匀,在铸型的出口对铜液进行冷却、冷却距离为12cm,使所述铜液沿着铸型出口方向实现单向凝固,并连续牵引连铸,连铸速度为26mm/min,得到铜锭,将铜锭经过热处理、冷拉,制得石墨烯改性单晶铜线材。
实施例2:本实施例的石墨烯改性单晶铜的方法,包括以下步骤:
在氩气保护下,将粗铜置于坩埚中加热至1250℃熔化,得到铜液;
铜液引入到铸型中,加热至1100℃、加入占铜液质量0.5wt%的石墨烯粉体,搅拌均匀,在铸型的出口对铜液按照冷却水量为800mL/min进行冷却、冷却距离为18cm,使所述铜液沿着铸型出口方向实现单向凝固,并连续牵引连铸,铜液的静压头为16mm,连铸速度为25mm/min,得到铜锭,将铜锭经过热处理、冷拉,制得石墨烯改性单晶铜线材。
实施例3:本实施例的石墨烯改性单晶铜的方法,包括以下步骤:
在氮气保护下,将粗铜置于石墨坩埚中加热至1300℃熔化,得到铜液;
铜液引入到铸型中,加热至1100℃、加入占铜液质量0.6wt%的石墨烯粉体,搅拌均匀,在铸型的出口对铜液按照冷却水量为100mL/min进行冷却、冷却距离为16cm,使所述铜液沿着铸型出口方向实现单向凝固,并连续牵引连铸,铜液的静压头为15mm,连铸速度为24mm/min,得到铜锭,将铜锭经过热处理、冷拉,制得石墨烯改性单晶铜线材。
实施例4:本实施例的石墨烯改性单晶铜的方法,包括以下步骤:
在氮气保护下,将粗铜置于石墨坩埚中加热至1350℃熔化,得到铜液;
铜液引入到铸型中,加热至1080℃、加入占铜液质量0.8wt%的石墨烯粉体,搅拌均匀,在铸型的出口对铜液按照冷却水量为1100mL/min进行冷却、冷却距离为18cm,使所述铜液沿着铸型出口方向实现单向凝固,并连续牵引连铸,铜液的静压头为18mm,连铸速度为22mm/min,得到铜锭,将铜锭经过热处理、冷拉,制得石墨烯改性单晶铜线材。
对比例1:本对比例的石墨烯改性单晶铜的方法,包括以下步骤:
在保护气氛下,将粗铜置于坩埚中加热至1200℃熔化,得到铜液;
铜液引入到铸型中,加热至1070℃,在铸型的出口对铜液进行冷却、冷却距离为12cm,使所述铜液沿着铸型出口方向实现单向凝固,并连续牵引连铸,连铸速度为26mm/min,得到铜锭,将铜锭经过热处理、冷拉,制得石墨烯改性单晶铜线材。
将实施例1~4和对比例1制得的石墨烯改性单晶铜进行单向扭转性能、电阻率、导电率、延伸率进行测试结果如下:
通过测试结果可以看出,本发明石墨烯改性单晶铜具有导电性能优良、电阻率低、延伸性好的性能,特别是电阻率比单晶铜降低25%以上。
另外,本发明的石墨烯改性单晶铜的信号传输性能提高10~20%,具有良好的信号传输稳定性。
本发明石墨烯粉体具有优良的强度和导电导热性性能,在单晶铜的连铸过程中加入适量的石墨烯粉体进行改性,制备得到的石墨烯改性单晶铜具有良好的导电性、信号传输稳定性和可靠性,电阻率比单晶铜降低25%以上;本发明制备的石墨烯改性单晶铜具有良好的导电性、信号传输稳定性和可靠性,电阻率比单晶铜降低25%以上。
申请人声明,本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征以及施工方法,但本发明并不局限于上述详细结构特征以及施工方法,即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征以及施工方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (10)
1.一种石墨烯改性单晶铜的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在保护气氛下,将粗铜置于坩埚中加热熔化,得到铜液;
(2)所述铜液引入到铸型中,加热、加入石墨烯粉体,搅拌;
(3)在铸型的出口对铜液进行冷却、使所述铜液沿着铸型出口方向实现单向凝固,并连续牵引连铸,得到铜锭;
(4)将所述铜锭经过热处理、冷拉,制得石墨烯改性单晶铜线材。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(1)中保护气氛选自氩气和/或氮气。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(1)中坩埚为石墨坩埚。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(1)中加热温度为1200~1350℃,优选1250~1300℃,进一步优选1260~1280℃。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(2)中加热温度为1070~1150℃,优选1100~1130℃,进一步优选1110~1120℃。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(2)中石墨烯粉体的加入量为铜液的0.05~1.2wt%,优选0.2~1wt%,进一步优选0.5~0.8wt%。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(3)中冷却方式为冷却水冷却;
优选地,冷却水量为600~1500mL/min,优选900~1300mL/min,优选1100~1200mL/min。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(3)中冷却距离10~30cm,优选12~20cm,进一步优选15~18cm。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(3)中连铸速度为10~30mm/min,优选12~25mm/min,进一步优选20~22mm/min。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(3)中连铸时铜液的静压头为15~20mm,优选16~18mm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610556508.9A CN106077535B (zh) | 2016-07-14 | 2016-07-14 | 一种石墨烯改性单晶铜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610556508.9A CN106077535B (zh) | 2016-07-14 | 2016-07-14 | 一种石墨烯改性单晶铜的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106077535A true CN106077535A (zh) | 2016-11-09 |
CN106077535B CN106077535B (zh) | 2018-06-29 |
Family
ID=57220224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610556508.9A Active CN106077535B (zh) | 2016-07-14 | 2016-07-14 | 一种石墨烯改性单晶铜的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106077535B (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107460536A (zh) * | 2017-08-24 | 2017-12-12 | 武陟吉铨特种金属材料有限公司 | 一种热型模铸v型连续铸造单晶铜的方法 |
CN109570520A (zh) * | 2019-02-15 | 2019-04-05 | 安徽旭晶粉体新材料科技有限公司 | 一种水雾化铜基石墨烯复合粉体及其制备方法 |
CN110280175A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-09-27 | 慧隆(厦门)石墨烯科技有限公司 | 一种改质铜生产装置 |
CN112195422A (zh) * | 2020-09-11 | 2021-01-08 | 中铝材料应用研究院有限公司 | 一种类单晶纯铜的制备方法 |
CN114250006A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-29 | 深圳市帝兴晶科技有限公司 | 一种导热铜箔 |
CN115522091A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-12-27 | 松山湖材料实验室 | 石墨烯铜复合材料及其制备方法 |
CN117012736A (zh) * | 2023-09-04 | 2023-11-07 | 黄山谷捷股份有限公司 | 一种功率模块散热基板及其制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02263548A (ja) * | 1989-04-05 | 1990-10-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 銅単結晶鋳塊の連続製造方法 |
CN1792500A (zh) * | 2006-01-06 | 2006-06-28 | 北京科技大学 | 一种二元铝青铜线材连续定向凝固制备方法 |
CN102974793A (zh) * | 2012-12-10 | 2013-03-20 | 台州学院 | 一种连续制备高纯单晶铜的方法及设备 |
CN104752235A (zh) * | 2015-03-26 | 2015-07-01 | 鹰潭瑞兴铜业有限公司 | 一种铜钯银合金高精超细键合引线制造方法 |
-
2016
- 2016-07-14 CN CN201610556508.9A patent/CN106077535B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02263548A (ja) * | 1989-04-05 | 1990-10-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 銅単結晶鋳塊の連続製造方法 |
CN1792500A (zh) * | 2006-01-06 | 2006-06-28 | 北京科技大学 | 一种二元铝青铜线材连续定向凝固制备方法 |
CN102974793A (zh) * | 2012-12-10 | 2013-03-20 | 台州学院 | 一种连续制备高纯单晶铜的方法及设备 |
CN104752235A (zh) * | 2015-03-26 | 2015-07-01 | 鹰潭瑞兴铜业有限公司 | 一种铜钯银合金高精超细键合引线制造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
李勇等: "石墨烯增强金属基复合材料的研究进展", 《材料导报A:综述篇》 * |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107460536A (zh) * | 2017-08-24 | 2017-12-12 | 武陟吉铨特种金属材料有限公司 | 一种热型模铸v型连续铸造单晶铜的方法 |
CN109570520A (zh) * | 2019-02-15 | 2019-04-05 | 安徽旭晶粉体新材料科技有限公司 | 一种水雾化铜基石墨烯复合粉体及其制备方法 |
CN110280175A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-09-27 | 慧隆(厦门)石墨烯科技有限公司 | 一种改质铜生产装置 |
CN112195422A (zh) * | 2020-09-11 | 2021-01-08 | 中铝材料应用研究院有限公司 | 一种类单晶纯铜的制备方法 |
CN112195422B (zh) * | 2020-09-11 | 2021-12-17 | 中铝材料应用研究院有限公司 | 一种类单晶纯铜的制备方法 |
CN114250006A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-29 | 深圳市帝兴晶科技有限公司 | 一种导热铜箔 |
CN115522091A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-12-27 | 松山湖材料实验室 | 石墨烯铜复合材料及其制备方法 |
CN117012736A (zh) * | 2023-09-04 | 2023-11-07 | 黄山谷捷股份有限公司 | 一种功率模块散热基板及其制造方法 |
CN117012736B (zh) * | 2023-09-04 | 2024-01-26 | 黄山谷捷股份有限公司 | 一种功率模块散热基板及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106077535B (zh) | 2018-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106077535B (zh) | 一种石墨烯改性单晶铜的方法 | |
CN104028961B (zh) | 一种中强度铝合金线及其生产工艺 | |
CN105543540B (zh) | 一种铜铬锆合金及其制备方法 | |
CN102162050B (zh) | 一种制造59%导电率的中强度铝合金线方法 | |
CN101886198A (zh) | 电缆用高导电率铝合金材料及其制备方法 | |
CN107400796B (zh) | 一种耐高温高强无铍铜导线及其制备方法 | |
CN102041418A (zh) | 一种制造57%导电率的中强度铝合金线方法 | |
CN104862509A (zh) | 架空输电导线用高导电率铝杆的制备工艺 | |
CN103160720A (zh) | 一种铝合金棒材的制造方法 | |
CN107841673A (zh) | 一系列Fe‑Co‑Cr‑Ni‑Al高熵合金及其热处理工艺 | |
CN106282651A (zh) | 一种铜银稀土合金超细线及其生产方法 | |
CN102903415B (zh) | 一种异型耐氧化高导电率铝合金碳纤维导线及制造方法 | |
CN106486227B (zh) | 一种镧铈铁基永磁粉及其制备方法 | |
CN104152760B (zh) | 一种高电导率、高强度铝合金及其制备方法 | |
CN109338166A (zh) | 一种Al-Er-B耐热合金单丝及其制备方法 | |
CN110093534A (zh) | 高导电率耐热铝合金,其制备方法以及架空导线用合金铝杆 | |
CN101572152A (zh) | 软磁非晶合金丝及其制备方法 | |
CN108220664A (zh) | 一种高强度铜丝的制备工艺 | |
CN107159739A (zh) | 一种Cu‑Ni‑Si‑Mg合金带材的制备方法 | |
CN103540789A (zh) | 一种结晶器专用的Cu-Mg-Te-P合金棒及其热处理工艺 | |
CN103667801B (zh) | 用于电力输送系统的超高导电率铝合金导线的制备方法 | |
CN101733621A (zh) | Cu-Cr-Zr系合金板材的改性制备方法 | |
CN106756208A (zh) | 一种铜铬锆镧合金 | |
CN107760920A (zh) | 一种高强高导热铜合金及其制备方法 | |
CN104232987B (zh) | 一种弹性锡黄铜合金材料及其制备加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |