CN106075722B - 植入式神经刺激装置的频率校正方法及校正系统 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示了一种植入式神经刺激装置的频率校正方法及校正系统,所述方法包括:在所述植入式神经刺激装置中增加第一定时器及第二定时器;所述第一定时器的计数值根据所述植入式神经刺激装置处于休眠状态下使用的低频时钟的计数进行调整;所述第二定时器的计数值根据所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下使用的CPU指令执行时钟的计数调整;根据所述第一定时器的计数值和所述第二定时器的计数值变化,调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。本发明在不增加植入式神经刺激装置的功耗的前提下,稳定了CPU指令执行时钟的频率,增加设备的稳定性;进而使操作者对该植入式神经刺激装置具有更好的用户体验。

Description

植入式神经刺激装置的频率校正方法及校正系统
技术领域
本发明涉及医疗器械领域,尤其涉及一种植入式神经刺激装置的频率校正方法及校正系统。
背景技术
植入式神经刺激装置包括植入式脑深部电刺激装置(DBS),植入式脑皮层刺激装置(CNS),植入式脊椎电刺激装置(SCS),植入式骶神经电刺激装置(SNS),植入式迷走神经电刺激装置(VNS)等;随着社会的发展与进步,对医疗系统的发展尤为重视,特别是与人体息息相关的植入式神经刺激装置的发展。
在实际应用过程中,用户尤为对植入式神经刺激装置的功耗要求非常苛刻,所述植入式神经刺激装置的功耗关系到其运行的稳定性。所述植入式神经刺激装置运行过程中,包括两个状态:休眠状态和唤醒状态。通常情况下,CPU在休眠状态下时,主要用来响应时钟中断和产生电刺激,故使用低频时钟,功耗较低;当所述CPU接收到外部唤醒信号后,其处于唤醒状态,此时, 启动内部快速时钟,即:CPU指令执行时钟,进入快速侦听状态;现有技术中,在快速侦听状态下,每间隔一段时间侦听一次,侦听时间持续越久,所述植入式神经刺激装置的性能越好;现有技术的优选实施中,由于RF通讯时的电流通常需要达到20mA左右,因此,需要尽量压缩RF通讯的侦听时间,现有技术所能达到的效果为:每2秒侦听20ms,该20ms侦听时间已经是个极限;相应的,若满足上述需求,CPU指令执行时钟需稳定在某个值以上作为保证。
现有技术中,由于是CPU指令执行时钟来源于CPU内部RC振荡器产生的时钟,频率偏差比较大,虽然可以通过校验,使频率稳定在特定值,然而由于电阻R和电容C受温度、供电电压的影响,频率漂移的可能仍然存在。
发明内容
本发明的目的在于提供一种植入式神经刺激装置的频率校正方法及校正系统。
为实现上述目的之一,本发明一实施方式的采用植入式神经刺激装置的频率校正方法,所述方法包括以下步骤:在所述植入式神经刺激装置中增加第一定时器及第二定时器;
所述第一定时器的计数值根据所述植入式神经刺激装置处于休眠状态下使用的低频时钟的计数进行调整;
所述第二定时器的计数值根据所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下使用的CPU指令执行时钟的计数调整;
根据所述第一定时器的计数值和所述第二定时器的计数值变化,调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述方法还包括:
在所述植入式神经刺激装置中增加表格基址寄存器,所述表格基址寄存器的计数值根据所述第二定时器的计数值进行调整;
植入式神经刺激装置初次启动后,对植入式神经刺激装置进行初始化,以使其各个参数的初始值全部归零;
实时监测所述第一定时器的计数值、所述表格基址寄存器的计数值、以及植入式神经刺激装置的状态值;
当所述第一定时器的计数值等于预设的第一定时器阈值、所述状态值大于预设状态阈值时,将所述第一定时器的计数值清零,将所述状态值修改为等于预设状态阈值;同时,判断所述表格基址寄存器的计数值是否等于预设的表格基址寄存器阈值;
若是,继续监测植入式神经刺激装置的各个参数;
若否,根据表格基址寄存器的计数值与所述表格基址寄存器阈值的大小关系,调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述方法还包括:
每间隔预定的中断时间后,
将所述状态值加1,将所述第一定时器的计数值调整为等于预设的第一定时器阈值的数值;将所述第二定时器的计数值和所述表格基址寄存器的计数值清零。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述表格基址寄存器的计数值根据第二定时器的计数以及所述中断时间进行调整。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述方法包括:
通过调整RSELx寄存器、DCOx寄存器、MODx寄存器至少其中之一的工作频率调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
为实现上述目的之一,本发明一实施方式的采用植入式神经刺激装置的频率校正系统,所述系统包括:存储模块,所述存储模块包括:第一定时器及第二定时器;
所述第一定时器的计数值根据所述植入式神经刺激装置处于休眠状态下使用的低频时钟的计数进行调整;
所述第二定时器的计数值根据所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下使用的CPU指令执行时钟的计数调整;
处理模块,用于:根据所述第一定时器的计数值和所述第二定时器的计数值变化,调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述存储模块还包括:表格基址寄存器;
所述表格基址寄存器的计数值根据所述第二定时器的计数值进行调整;
所述处理模块具体用于:
植入式神经刺激装置初次启动后,对植入式神经刺激装置进行初始化,以使其各个参数的初始值全部归零;
实时监测所述第一定时器的计数值、所述表格基址寄存器的计数值、以及植入式神经刺激装置的状态值;
当所述第一定时器的计数值等于预设的第一定时器阈值、所述状态值大于预设状态阈值时,将所述第一定时器的计数值清零,将所述状态值修改为等于预设状态阈值;同时,判断所述表格基址寄存器的计数值是否等于预设的表格基址寄存器阈值;
若是,继续监测植入式神经刺激装置的各个参数;
若否,根据表格基址寄存器的计数值与所述表格基址寄存器阈值的大小关系,调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述处理模块还用于:
每间隔预定的中断时间后,
将所述状态值加1,将所述第一定时器的计数值调整为等于预设的第一定时器阈值的数值;将所述第二定时器的计数值和所述表格基址寄存器的计数值清零。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述表格基址寄存器的计数值根据第二定时器的计数以及所述中断时间进行调整。
作为本发明实施方式的进一步改进,所述处理模块还用于:通过调整RSELx寄存器、DCOx寄存器、MODx寄存器至少其中之一的工作频率调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明的一种植入式神经刺激装置的频率校正方法及校正系统,在所述植入式神经刺激装置中增加第一定时器及第二定时器;并根据所述第一定时器的计数值和所述第二定时器的计数值变化,判断休眠状态使用的慢时钟以及唤醒状态使用的CPU指令执行时钟的频率变化,进而根据休眠状态使用的慢时钟实时对唤醒状态使用的CPU指令执行时钟进行校准,使所述植入式神经刺激装置免受温度、供电电压的影响,在不增加植入式神经刺激装置的功耗的前提下,稳定了CPU指令执行时钟的频率,增加设备的稳定性;进而使操作者对该植入式神经刺激装置具有更好的用户体验。
附图说明
图1是本发明一实施方式中植入式神经刺激装置的频率校正方法的流程图;
图2是本发明一优选实施方式中植入式神经刺激装置的频率校正方法的流程图;
图3是本发明一实施方式中植入式神经刺激装置的频率校正系统的模块图;
图4是本发明一具体示例中,DCOx寄存器和RSELx寄存器的范围和步长对应关系示意图。
具体实施方式
以下将结合附图所示的具体实施方式对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明,本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
植入式神经刺激装置启动后,一直保持两个状态的切换,休眠状态和唤醒状态。通常情况下,植入式神经刺激装置一直处于休眠状态下,即慢速侦听状态,当外部程控仪需要与所述植入式神经刺激装置连接时,可使用磁铁等方式触发植入式神经刺激装置中的干簧管动作,进而使植入式神经刺激装置处于唤醒状态,即快速侦听状态。现有技术中,为了使该装置工作在最佳状态,在唤醒状态下,通常每2秒侦听20ms,在20ms侦听时间内,植入式神经刺激装置接收外部程控仪发出的查询指令并且做出快速响应,其中响应指令执行时间通常需要6ms左右,因此CPU指令执行速度至关重要,即CPU指令执行时钟的稳定性对植入式神经刺激装置的影响至关重要。
如图1所示,在本发明的第一实施方式中的植入式神经刺激装置的频率校正方法,所述方法包括以下步骤:
在所述植入式神经刺激装置中增加第一定时器及第二定时器;所述第一定时器的计数值根据所述植入式神经刺激装置处于休眠状态下使用的低频时钟的计数进行调整;
所述第二定时器的计数值根据所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下使用的CPU指令执行时钟的计数调整;
通常情况下,预设一中断时间,每间隔预定的中断时间后,将所述第一定时器的计数值加1;
本发明具体实施方式中,所述中断时间可根据需要具体设定,通常情况下,所述中断时间为1ms至10s之间;本实施方式中,所述中断时间选定0.5s。
本发明优选实施方式中,在所述植入式神经刺激装置中增加表格基址寄存器,所述表格基址寄存器的计数值根据所述第二定时器的计数值进行调整;具体的,所述表格基址寄存器的数值根据第二定时器的计数、所述中断时间、以及预设的分频频率进行调整,所述表格基址寄存器的计数值=(所述中断时间*所述第二定时器的计数值)/所述分频频率;所述分频频率为系统预设固定数值,其可以根据需要进行调整,在此不做详细赘述。
例如:所述CPU指令执行时钟的执行频率为1*106HZ,所述分频频率为100,所述第一定时器用于记录该数值,则每个中断时间后,所述表格基址寄存器的计数值=1*106*0.5/100=5000个脉冲,在本发明的具体实施方式中,所述CPU指令执行时钟的执行频率会随着外部的环境进行变换,此时,所述表格基址寄存器的计数值也会随之变化,本发明的目的即是通过所述表格基址寄存器的计数值变化,监测所述CPU指令执行时钟的执行频率变化,进而通过调整相应的寄存器参数,将所述CPU指令执行时钟的执行频率恢复至常态。
进一步的,所述植入式神经刺激装置的频率校正方法还包括:
根据所述第一定时器的计数值和所述第二定时器的计数值变化,调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
结合图2所示,本发明优选实施方式中,所述植入式神经刺激装置的频率校正方法具体包括:
植入式神经刺激装置初次启动后,对植入式神经刺激装置进行初始化,以使其各个参数的初始值全部归零;
实时监测所述第一定时器的计数值、所述表格基址寄存器的计数值、以及植入式神经刺激装置的状态值;
当所述第一定时器的计数值等于预设的第一定时器阈值、所述状态值大于预设状态阈值时,将所述第一定时器的计数值清零,将所述状态值修改为等于预设状态阈值;同时,判断所述表格基址寄存器的计数值是否等于预设的表格基址寄存器阈值;
若是,继续监测植入式神经刺激装置的各个参数;
若否,根据表格基址寄存器的计数值与所述表格基址寄存器阈值的大小关系,调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
本发明具体示例中,通过调整RSELx寄存器、DCOx寄存器、MODx寄存器至少其中之一的工作频率调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
结合图4所示,所述RSELx寄存器为4位寄存器,有0-15共16种频率范围供调整;所述DCOx寄存器为3位寄存器,有0-7工8种频率范围供调整,通常情况下,在其他条件不变的前提下,所述DCOx寄存器紧邻的两个频率,其步长差为10%左右;所述MODx寄存器为5位寄存器,其用于切换DCOx和DCOx+1之间的频率,需要说明的是,当DCOx寄存器的取值为 7时,MODx寄存器的值不起作用,在此不做详细赘述。
所述第一定时器阈值、表格基址寄存器阈值、状态值阈值均为系统预设阈值,且为计数值,其通常以数字进行表示,例如:第一定时器阈值以数字1表示,所述状态值阈值以数字1表示;所述表格基址寄存器阈值通常根据所述中断时间以及所述CPU指令执行时钟的理论执行频率设定,接续上述示例,所述表格基址寄存器阈值为5000,在此不做详细赘述。
所述步骤S2中,所述方法还包括:
每间隔预定的中断时间后,将所述状态值加1,将所述第一定时器的计数值调整为等于预设的第一定时器阈值的数值;将所述第二定时器的计数值和所述表格基址寄存器的计数值清零。
为了方便理解,本发明一具体示例中,初始状态下,选定DCOx寄存器和RSELx寄存器均工作在中间范围的频率,例如:RSELx = 7 and DCOx = 3,所述植入式神经刺激装置运行过程中,其CPU执行代码使用MCLK主时钟, MCLK主时钟即上述内容中的CPU指令执行时钟,该时钟频率来源于快速启动的RC时钟DOC;本发明即是采用处于休眠状态下使用的低频时钟校验RC时钟DOC。
本实施方式中,所述低频时钟为低功耗的晶振,例如:32.768KHZ。预定的中断时间为为0.5s;设定所述状态阈值为1,所述第一定时器阈值为1,设定所述CPU指令执行时钟的理论值为1MHZ,相应的,所述表格基址寄存器阈值为5000。
所述植入式神经刺激装置初次启动后,对植入式神经刺激装置进行初始化,以使其各个参数的初始值全部归零;即:第一定时器的计数值、第二定时器的计数值、表格基址寄存器的计数值均为0;
进一步的,当第一定时器的计数值等于预设的第一定时器阈值,即所述第一定时器的计数值为1,所述状态值大于预设状态阈值时,即所述状态值大于1时,将所述第一定时器的值清零,将所述状态值修改为1,并判断表格基址寄存器的计数值是否等于预设的表格基址寄存器阈值,即所述表格基址寄存器的计数值是否等于5000;若表格基址寄存器的计数值等于5000,则继续监测植入式神经刺激装置的各个参数;若表格基址寄存器的计数值大于5000,则将RSELx寄存器、DCOx寄存器、MODx寄存器至少其中之一的工作频率降低,若表格基址寄存器的计数值小于5000, 则将RSELx寄存器、DCOx寄存器、MODx寄存器至少其中之一的工作频率增大。
结合图3所示,本发明一实施方式中,植入式神经刺激装置的频率校正系统包括:存储模块100、处理模块200;存储模块100包括:第一定时器101及第二定时器102。
在所述植入式神经刺激装置中增加第一定时器101及第二定时器102;第一定时器101的计数值根据所述植入式神经刺激装置处于休眠状态下使用的低频时钟的计数进行调整;
第二定时器102的计数值根据所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下使用的CPU指令执行时钟的计数调整;
通常情况下,预设一中断时间,处理模块200用于每间隔预定的中断时间后,将第一定时器101的计数值加1;
本发明具体实施方式中,所述中断时间可根据需要具体设定,通常情况下,所述中断时间为1ms至10s之间;本实施方式中,所述中断时间选定0.5s。
本发明优选实施方式中,在所述植入式神经刺激装置中增加表格基址寄存器103,表格基址寄存器103的计数值根据第二定时器102的计数值进行调整;具体的,表格基址寄存器103的数值根据第二定时器102的计数以及所述中断时间进行调整,所述表格基址寄存器的计数值=(所述中断时间*所述第二定时器的计数值)/所述分频频率;所述分频频率为系统预设固定数值,其可以根据需要进行调整,在此不做详细赘述。
例如:所述CPU指令执行时钟的执行频率为1*106HZ,所述分频频率为100,所述第一定时器用于记录该数值,则每个中断时间后,所述表格基址寄存器的计数值=1*106*0.5/100=5000个脉冲,在本发明的具体实施方式中,所述CPU指令执行时钟的执行频率会随着外部的环境进行变换,此时,表格基址寄存器103的计数值也会随之变化,本发明的目的即是通过表格基址寄存器103的计数值变化,监测所述CPU指令执行时钟的执行频率变化,进而通过调整相应的寄存器参数,将所述CPU指令执行时钟的执行频率恢复至常态。
进一步的,处理模块200还用于:根据第一定时器101的计数值和所述第二定时器102的计数值变化,调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
本发明优选实施方式中,处理模块200具体用于:
植入式神经刺激装置初次启动后,对植入式神经刺激装置进行初始化,以使其各个参数的初始值全部归零;
实时监测所述第一定时器101的计数值、表格基址寄存器103的计数值、以及植入式神经刺激装置的状态值;
当第一定时器101的计数值等于预设的第一定时器101阈值、所述状态值大于预设状态阈值时,将第一定时器101的计数值清零,将所述状态值修改为等于预设状态阈值;同时,判断所述表格基址寄存器103的计数值是否等于预设的表格基址寄存器103阈值;
若是,继续监测植入式神经刺激装置的各个参数;
若否,根据表格基址寄存器103的计数值与表格基址寄存器103阈值的大小关系,调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
本发明具体示例中,通过调整RSELx寄存器104、DCOx寄存器105、MODx寄存器106至少其中之一的工作频率调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
结合图4所示,RSELx寄存器104为4位寄存器,有0-15共16种频率范围供调整;DCOx寄存器105为3位寄存器,有0-7工8种频率范围供调整,通常情况下,在其他条件不变的前提下,DCOx寄存器105紧邻的两个频率,其步长差为10%左右;MODx寄存器106为5位寄存器,其用于切换DCOx和DCOx+1之间的频率,需要说明的是,当DCOx寄存器的取值为7时,MODx寄存器106的值不起作用,在此不做详细赘述。
第一定时器101阈值、表格基址寄存器103阈值、状态值阈值均为系统预设阈值,且为计数值,其通常以数字进行表示,例如:第一定时器101阈值以数字1表示,状态值阈值以数字1表示;表格基址寄存器103阈值通常根据所述中断时间以及所述CPU指令执行时钟的理论执行频率设定,接续上述示例,表格基址寄存器103阈值为5000,在此不做详细赘述。
处理模块200还用于:每间隔预定的中断时间后,将所述状态值加1,将第一定时器101的计数值调整为等于预设的第一定时器101阈值的数值;将第二定时器102的计数值和表格基址寄存器103的计数值清零。
为了方便理解,本发明一具体示例中,初始状态下,选定DCOx寄存器1和RSELx寄存器104均工作在中间范围的频率,例如:RSELx = 7 and DCOx = 3,所述植入式神经刺激装置运行过程中,其CPU执行代码使用MCLK主时钟, MCLK主时钟即上述内容中的CPU指令执行时钟,该时钟频率来源于快速启动的RC时钟DOC;本发明即是采用处于休眠状态下使用的低频时钟校验RC时钟DOC。
本实施方式中,所述低频时钟为低功耗的晶振,例如:32.768KHZ。预定的中断时间为为0.5s;设定所述状态阈值为1,所述第一定时器101阈值为1,设定所述CPU指令执行时钟的理论值为1MHZ,相应的,所述表格基址寄存器103阈值为5000。
所述植入式神经刺激装置初次启动后,对植入式神经刺激装置进行初始化,以使其各个参数的初始值全部归零;即:第一定时器101的计数值、第二定时器102的计数值、表格基址寄存器103的计数值均为0;
进一步的,当第一定时器101的计数值等于预设的第一定时器101阈值,即所述第一定时器101的计数值为1,所述状态值大于预设状态阈值时,即所述状态值大于1时,将所述第一定时器101的值清零,将所述状态值修改为1,并判断表格基址寄存器103的计数值是否等于预设的表格基址寄存器103阈值,即所述表格基址寄存器103的计数值是否等于5000;若表格基址寄存器103的计数值等于5000,则继续监测植入式神经刺激装置的各个参数;若表格基址寄存器103的计数值大于5000,则将RSELx寄存器104、DCOx寄存器105、MODx寄存器106至少其中之一的工作频率降低,若表格基址寄存器103的计数值小于5000, 则将RSELx寄存器104、DCOx寄存器105、MODx寄存器106至少其中之一的工作频率增大。
与现有技术相比,本发明的一种植入式神经刺激装置的频率校正方法及校正系统,在所述植入式神经刺激装置中增加第一定时器及第二定时器;并根据所述第一定时器的计数值和所述第二定时器的计数值变化,判断休眠状态使用的慢时钟以及唤醒状态使用的CPU指令执行时钟的频率变化,进而根据休眠状态使用的慢时钟实时对唤醒状态使用的CPU指令执行时钟进行校准,使所述植入式神经刺激装置免受温度、供电电压的影响,在不增加植入式神经刺激装置的功耗的前提下,稳定了CPU指令执行时钟的频率,增加设备的稳定性;进而使操作者对该植入式神经刺激装置具有更好的用户体验。
为了描述的方便,描述以上装置时以功能分为各种模块分别描述。当然,在实施本申请时可以把各模块的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。
以上所描述的装置实施方式仅仅是示意性的,其中所述作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的,作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施方式方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下,即可以理解并实施。
应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施方式中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明,它们并非用以限制本发明的保护范围,凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种植入式神经刺激装置的频率校正方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
在所述植入式神经刺激装置中增加第一定时器,第二定时器,及表格基址寄存器;
所述第一定时器的计数值根据所述植入式神经刺激装置处于休眠状态下使用的低频时钟的计数进行调整;
所述第二定时器的计数值根据所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下使用的CPU指令执行时钟的计数调整;
所述表格基址寄存器的计数值根据所述第二定时器的计数值进行调整;植入式神经刺激装置初次启动后,对植入式神经刺激装置进行初始化,以使其各个参数的初始值全部归零;
实时监测所述第一定时器的计数值、所述表格基址寄存器的计数值、以及植入式神经刺激装置的状态值;
当所述第一定时器的计数值等于预设的第一定时器阈值、所述状态值大于预设状态阈值时,将所述第一定时器的计数值清零,将所述状态值修改为等于预设状态阈值;同时,判断所述表格基址寄存器的计数值是否等于预设的表格基址寄存器阈值;
若是,继续监测植入式神经刺激装置的各个参数;
若否,根据表格基址寄存器的计数值与所述表格基址寄存器阈值的大小关系,调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
2.根据权利要求1所述的植入式神经刺激装置的频率校正方法,其特征在于, 所述方法还包括:
每间隔预定的中断时间后,
将所述状态值加1,将所述第一定时器的计数值调整为等于预设的第一定时器阈值的数值;将所述第二定时器的计数值和所述表格基址寄存器的计数值清零。
3.根据权利要求2所述的植入式神经刺激装置的频率校正方法,其特征在于,
所述表格基址寄存器的计数值根据第二定时器的计数以及所述中断时间进行调整。
4.根据权利要求1至3任一项所述的植入式神经刺激装置的频率校正方法,其特征在于,所述方法包括:
通过调整RSELx寄存器、DCOx寄存器、MODx寄存器至少其中之一的工作频率调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
5.一种植入式神经刺激装置的频率校正系统,其特征在于,所述系统包括:
存储模块,所述存储模块包括:第一定时器,第二定时器,及表格基址寄存器;
所述第一定时器的计数值根据所述植入式神经刺激装置处于休眠状态下使用的低频时钟的计数进行调整;
所述第二定时器的计数值根据所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下使用的CPU指令执行时钟的计数调整;
所述表格基址寄存器的计数值根据所述第二定时器的计数值进行调整;
处理模块,所述处理模块用于:植入式神经刺激装置初次启动后,对植入式神经刺激装置进行初始化,以使其各个参数的初始值全部归零;
实时监测所述第一定时器的计数值、所述表格基址寄存器的计数值、以及植入式神经刺激装置的状态值;
当所述第一定时器的计数值等于预设的第一定时器阈值、所述状态值大于预设状态阈值时,将所述第一定时器的计数值清零,将所述状态值修改为等于预设状态阈值;同时,判断所述表格基址寄存器的计数值是否等于预设的表格基址寄存器阈值;
若是,继续监测植入式神经刺激装置的各个参数;
若否,根据表格基址寄存器的计数值与所述表格基址寄存器阈值的大小关系,调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
6.根据权利要求5所述的植入式神经刺激装置的频率校正系统,其特征在于,
所述处理模块还用于:
每间隔预定的中断时间后,
将所述状态值加1,将所述第一定时器的计数值调整为等于预设的第一定时器阈值的数值;将所述第二定时器的计数值和所述表格基址寄存器的计数值清零。
7.根据权利要求6所述的植入式神经刺激装置的频率校正系统,其特征在于,所述表格基址寄存器的计数值根据第二定时器的计数以及所述中断时间进行调整。
8.根据权利要求6所述的植入式神经刺激装置的频率校正系统,其特征在于,
所述处理模块还用于:通过调整RSELx寄存器、DCOx寄存器、MODx寄存器至少其中之一的工作频率调整所述植入式神经刺激装置处于唤醒状态下的工作频率。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5737323A (en) * 1995-02-07 1998-04-07 Nokia Mobile Phones Limited Radio telephone
CN1322075A (zh) * 2000-04-04 2001-11-14 德克萨斯仪器股份有限公司 用任意频率的可用时钟产生时钟的装置和方法
CN1529954A (zh) * 2001-05-25 2004-09-15 三菱电机株式会社 定时控制装置及定时控制方法
CN1961489A (zh) * 2004-04-01 2007-05-09 高通股份有限公司 被编程用于确定和消除可能的多径误差以提高针对热致误差校正睡眠时钟的精度的网络无线通信设备
CN103189099A (zh) * 2010-10-29 2013-07-03 美敦力公司 基于高精度基准时钟的低功率系统时钟校准

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5737323A (en) * 1995-02-07 1998-04-07 Nokia Mobile Phones Limited Radio telephone
CN1322075A (zh) * 2000-04-04 2001-11-14 德克萨斯仪器股份有限公司 用任意频率的可用时钟产生时钟的装置和方法
CN1529954A (zh) * 2001-05-25 2004-09-15 三菱电机株式会社 定时控制装置及定时控制方法
CN1961489A (zh) * 2004-04-01 2007-05-09 高通股份有限公司 被编程用于确定和消除可能的多径误差以提高针对热致误差校正睡眠时钟的精度的网络无线通信设备
CN103189099A (zh) * 2010-10-29 2013-07-03 美敦力公司 基于高精度基准时钟的低功率系统时钟校准

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