CN106066556A - 具有改善的电场发生的显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了具有改善的电场发生的显示装置。本发明涉及一种能够更稳定地形成水平电场的显示装置。根据本发明的示例性实施例的显示装置包括：基底；薄膜晶体管，设置在基底上；微腔，具有第一侧、与第一侧相对的第二侧和在第一侧与第二侧之间延伸的上表面；像素电极，连接至薄膜晶体管并沿第一侧设置；共电极，沿第二侧延伸；顶层，覆盖像素电极、共电极和微腔的上表面；液晶层，设置在微腔中。

Description

具有改善的电场发生的显示装置
本申请要求于2015年4月21日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0056031号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明的实施例总体涉及显示装置。更具体地讲，本发明的实施例涉及具有改善的电场发生的显示装置。
背景技术
液晶显示器是已经发现广泛接受性的一种平板显示器。液晶显示器具有其上形成有诸如像素电极和共电极的场发生电极的两个显示面板，以及置于面板之间的液晶层。向场发生电极施加电压以在液晶层中产生电场，并且由此电场来确定液晶层的液晶分子的取向。因此，控制入射光的偏振，从而执行图像显示。
形成液晶显示器的两个显示面板可以是薄膜晶体管阵列面板和对向显示面板。在薄膜晶体管阵列面板中，发送栅极信号的栅极线和发送数据信号的数据线彼此交叉地形成，并具有连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管以及连接到薄膜晶体管的像素电极。对向显示面板可以包括阻光构件、滤色器、共电极等。如果需要，阻光构件、滤色器和共电极可以形成在薄膜晶体管阵列面板中。
然而，在传统的液晶显示器中，使用两个基底导致显示装置过于沉重、制造昂贵并且需要过多的时间来制造。
在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对发明的背景技术的理解，因此上述信息可能包含不形成对本领域普通技术人员而言在该国已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示装置，通过制造具有一个基底的显示装置来使该显示装置具有减轻的重量、减小的厚度、减少的成本和加工时间。
另外，本发明的实施例提供一种显示装置，该显示装置能够形成更稳定的水平电场。
根据本发明的示例性实施例的显示装置包括：基底；薄膜晶体管，设置在基底上；微腔，具有第一侧、与第一侧相对的第二侧和在第一侧与第二侧之间延伸的上表面；像素电极，连接至薄膜晶体管并沿第一侧设置；共电极，沿第二侧延伸；顶层，覆盖像素电极、共电极和微腔的上表面；以及液晶层，设置在微腔中。
显示装置还可以包括设置在基底上的栅极线、参考电压线和数据线。第一电极可以从参考电压线突出并与共电极叠置，并且共电极可以连接至第一电极。
参考电压线可以与栅极线位于同一层中并且可以在与栅极线平行的方向上延伸。
数据线可以在与像素电极和共电极平行的方向上延伸。
共电极可以与像素电极位于同一层中。
像素电极的高度可以大于像素电极的厚度。
共电极的高度可以大于共电极的厚度。
微腔可以是第一微腔，显示装置还可以包括具有第一侧和相对的第二侧的第二微腔，像素电极可以沿第二微腔的第一侧设置，共电极可以沿第二微腔的第二侧设置。
像素电极和共电极均可以具有：第一部分，沿第一方向定向；以及第二部分，连接至第一部分并且沿与第一方向不同的第二方向定向。
数据线可以具有：第一部分，沿第一方向定向；以及第二部分，连接至第一部分并且沿与第一方向不同的第二方向定向。
制造根据本发明的示例性实施例的显示装置的方法包括：在基底上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成钝化层；在钝化层上形成牺牲层；沿牺牲层的相对的侧面形成像素电极和共电极；在像素电极、共电极和牺牲层上形成顶层；去除牺牲层以形成微腔；将液晶材料注入到微腔中。
所述方法还可以包括：在钝化层中形成第一接触孔以暴露薄膜晶体管的至少一部分，并通过第一接触孔将像素电极连接至薄膜晶体管。
所述方法还可以包括：在基底上形成参考电压线和第一电极，第一电极从参考电压线突出；在钝化层中形成第二接触孔以暴露第一电极的至少一部分，并通过第二接触孔将共电极连接至第一电极。
所述方法还可以包括：在基底上形成栅极线和数据线，并且参考电压线和第一电极可以与栅极线位于同一层中。
参考电压线可以在与栅极线平行的方向上延伸。
像素电极和共电极可以大致彼此平行地延伸。
共电极可以与像素电极位于同一层中。
像素电极的高度可以大于像素电极的厚度。
共电极的高度可以大于共电极的厚度。
像素电极和共电极均可以具有：第一部分，沿第一方向定向；以及第二部分，连接至第一部分并且沿与第一方向不同的第二方向定向。
根据本发明的示例性实施例的显示装置具有以下效果。
根据本发明的示例性实施例的显示装置通过使用一个基底来制造，使得可以减轻重量、减小厚度、减少成本和加工时间。
另外，像素电极和共电极设置在微腔的两侧，像素电极和共电极的高度大于厚度，从而在水平方向上形成稳定的电场。
附图说明
图1是根据本发明的示例性实施例的显示装置的一个像素的平面图。
图2是沿图1的线II-II截取的根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图。
图3是沿图1的线III-III截取的根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图。
图4至图17是制造根据本发明的示例性实施例的显示装置的方法的工艺剖视图。
图18是根据本发明的示例性实施例的显示装置的一个像素的平面图。
具体实施方式
在下文中，将参照示出发明的示例性实施例的附图更充分地描述本发明。如本领域技术人员将认识到的那样，在全部不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
在附图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。因此，各幅附图不是按比例绘制的。在整个说明书中，同样的附图标记指示同样的元件。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
所有的数值性的值是近似的，并且可以变化。具体材料和组合物的所有示例被认为是非限制性的，并且仅为示例性的。可以使用其他合适的材料和组合物代替。
将参照图1至图3描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。
图1是根据本发明的示例性实施例的显示装置的一个像素的平面图；图2是沿图1的线II-II截取的根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图；图3是沿图1的线III-III截取的根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图3，栅极线121和从栅极线121突出的栅电极124形成在由诸如透明玻璃或塑料的材料制成的绝缘基底110上。
栅极线121传输栅极信号并且主要沿水平方向延伸。
另外，参考电压线131和从参考电压线131突出的第一电极135形成在基底110上。参考电压线131和第一电极135可以与栅极线121位于同一层中并且可以由与栅极线121的材料相同的材料制成。参考电压线131通常与栅极线121平行地延伸。第一电极135以相对于参考电压线131的预定角度被定向，并且就此在近似竖直的方向上延伸。
参考电压线131传输诸如共电压的预定电压。第一电极135连接至参考电压线131，从而接收来自参考电压线131的预定电压。
栅极绝缘层140形成在栅极线121和栅电极124上。栅极绝缘层140可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。此外，栅极绝缘层140可以由单层或多层制成。
半导体154形成在栅极绝缘层140上。半导体154可以位于栅电极124上。如果需要，半导体154可以位于数据线171下面。半导体154可以由非晶硅、多晶硅或金属氧化物制成。
在半导体154上还可以形成欧姆接触件(未示出)。欧姆接触件可以由硅化物或者掺杂有高浓度的n型杂质的n+氢化非晶硅制成。
数据线171和与数据线171分开的漏电极175形成在半导体154和栅极绝缘层140上。数据线171包括源电极173，源电极173和漏电极175被设置为在半导体154上方彼此面对。
数据线171传输数据信号并且主要在竖直方向上延伸，从而与栅极线121交叉。数据线171可以与第一电极135沿同一方向延伸。
如图1中所示，源电极173不从数据线171突出，而是可以简单地为数据线171的一部分。漏电极175可以包括与源电极173或数据线171大致平行地延伸的杆状部以及与杆状部相对的延伸部。
栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体154一起共同地形成薄膜晶体管(TFT)。薄膜晶体管可以用作传输数据线171的数据电压的开关元件。在这种情况下，薄膜晶体管的沟道形成在位于源电极173和漏电极175之间的半导体154中。
钝化层180形成在数据线171、源电极173、漏电极175以及暴露在源电极173和漏电极175之间的半导体154上。钝化层180可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成，并且可以由单层或多层形成。
滤色器230和阻光构件220形成在钝化层180上。
滤色器230分别位于多个像素中，并且每个滤色器230可以显示诸如三原色红、绿和蓝之一的一种原色。滤色器230不限于三原色红、绿和蓝，还可以显示蓝绿、品红、黄和白色系颜色。任何颜色都考虑。
阻光构件220可以位于像素的边界上。即，阻光构件220形成在相邻的滤色器230之间的区域中。阻光构件220形成在像素和薄膜晶体管的边界上以防止光泄漏。
第一绝缘层240还可以形成在滤色器230和阻光构件220上。第一绝缘层240可以由有机绝缘材料制成并且可以具有使滤色器230和阻光构件220的上表面平坦化的功能。第一绝缘层240可以由双层结构制成，该双层结构包括由有机绝缘材料制成的层和由无机绝缘材料制成的层。另外，如果需要，可以省略第一绝缘层240。
第一接触孔181穿过钝化层180、阻光构件220和第一绝缘层240而形成。第一接触孔181可以暴露薄膜晶体管的至少一部分，特别是漏电极175的至少一部分。
另外，第二接触孔183穿过栅极绝缘层140、钝化层180、滤色器230和第一绝缘层240而形成。第二接触孔183可以暴露第一电极135的至少一部分。
像素电极191和共电极270形成在第一绝缘层240上。像素电极191和共电极270可以位于同一层中并且可以由同一材料制成。像素电极191和共电极270可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明金属氧化物制成。另外，像素电极191和共电极270可以由不透明的金属材料制成。
微腔305位于像素电极191和共电极270之间。即，像素电极191和共电极270位于微腔305的侧面，并且微腔305被像素电极191和共电极270包围。
像素电极191可以位于一个像素的两个边缘处，并且可以主要沿竖直方向延伸。共电极270可以位于一个像素的中心处，并且可以主要沿竖直方向延伸。即，像素电极191沿共电极270的两个相对侧设置。微腔305均位于共电极270的一侧和像素电极191之间。即，被共电极270分开的两个微腔305位于一个像素中。然而，本发明不限于此，多于两个的微腔305可以位于一个像素中。
参照图1，在平面图中，像素电极191和共电极270均被形成为具有延长的条形。像素电极191和共电极270在彼此平行的方向上延伸。另外，像素电极191和共电极270可以在平行于数据线171的方向上延长，并且可以在平行于第一电极135的方向上延伸。
参照图3，在该剖视图中，像素电极191的高度h1大于其厚度t1(即，其材料层的厚度)，共电极270的高度h2也大于其厚度t2。像素电极191的高度h1和共电极270的高度h2与微腔305的高度和盒间隙(cellgap)两者对应。
像素电极191与漏电极175的一部分叠置并且通过第一接触孔181连接至漏电极175。因此，像素电极191通过第一接触孔181连接至薄膜晶体管并且当薄膜晶体管导通时通过数据线171接收数据电压。
共电极270与第一电极135叠置并且通过第二接触孔183连接至第一电极135。因此，共电极270通过参考电压线131接收预定电压。
由液晶分子310制成的液晶层形成在微腔305中。液晶分子310可以在相对于基底110的水平方向上倾斜或定向。即，可以实现水平取向。使液晶分子310进行取向的取向层(未示出)可以形成在微腔305中。取向层可以被形成为接触像素电极191和共电极270。
如果像素电极191接收数据电压，共电极270接收其他预定电压，则在像素电极191和共电极270之间产生电场。因此，根据液晶分子310的引导方向(induced direction)改变位于微腔305中的液晶分子310的方向和经过液晶层的光的亮度。
当像素电极191和共电极270的高度大于相应的厚度时，可以稳定地形成水平电场。更通常地，像素电极191和共电极270被形成为相对薄，并且被定向成使得产生的电场除了具有可能存在的任何竖直分量之外还具有显著的水平分量。在本示例性实施例中，像素电极191和共电极270位于液晶分子310的相对侧上。因此，液晶分子310受像素电极191和共电极270之间产生的水平电场的控制，从而进一步实现稳定控制。
第二绝缘层350还可以形成在像素电极191、共电极270和微腔305上。第二绝缘层350可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成，如果需要可以省略第二绝缘层350。
顶层360形成在第二绝缘层350上。顶层360可由有机材料制成。顶层360被形成为覆盖每个微腔305的上表面以及侧面的一部分。顶层360可以通过硬化工艺来硬化以保持微腔305的形状。
顶层360被形成为不覆盖每个微腔305的一个侧面的一部分，未覆盖的部分被称作注入孔307。在显示装置的制造工艺中，通过注入孔307暴露微腔305的一部分，使得取向材料或液晶材料可以通过注入孔307注入到微腔305中。
第三绝缘层370还可以形成在顶层360上。第三绝缘层370可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料形成。第三绝缘层370可以形成为覆盖顶层360的上表面和/或侧面。第三绝缘层370保护顶层360并且如有需要可以省略第三绝缘层370。
覆盖件390形成在第三绝缘层370上。覆盖件390形成为覆盖使微腔305的一部分暴露的注入孔307。即，覆盖件390可以密封微腔305，使得包含在微腔305中的液晶分子310不会泄漏。覆盖件390与液晶分子310接触，所以优选的是，覆盖件390由不与液晶分子310反应的材料形成。例如，覆盖件390可以由聚对二甲苯制成。
覆盖件390可以是诸如双层结构或三层结构的多层结构。双层包括由不同材料制成的两个层。三层包括三个层，并且两个相邻层的材料彼此不同。例如，覆盖件390可以包括由有机绝缘材料制成的层和由无机绝缘材料制成的层。
尽管未在附图中示出，但还可以在显示装置的上表面和下表面上形成偏振器。偏振器可以形成为第一偏振器和第二偏振器两者。第一偏振器可以附于基底110的下表面，第二偏振器可以附于覆盖件390。
接着，将参照图4至图17以及图1来描述制造根据本发明的示例性实施例的显示装置的方法。
图4至图17是示出制造根据本发明的示例性实施例的显示装置的方法的工艺剖视图。图4、图6、图8、图10、图12、图14和图16是同样的剖视图。图5、图7、图9、图11、图13、图15和图17是同样的剖视图。
首先，如图4和图5中所示，在由玻璃或塑料制成的基底110上形成栅极线121和从栅极线121突出的栅电极124。栅极线121主要在水平方向上延伸。
另外，形成与栅极线121分开的参考电压线131和从参考电压线131突出的第一电极135。参考电压线131和第一电极135可以与栅极线121在同一工艺中形成并且可以由与栅极线121的材料相同的材料制成。
可以在与栅极线121平行的方向上形成参考电压线131。第一电极135主要在竖直方向上延伸。
在栅极线121、栅电极124、参考电压线131和第一电极135上形成栅极绝缘层140。栅极绝缘层140可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成，并且可以制造成单层或多层。
如图6和图7中所示，在栅极绝缘层140上沉积诸如非晶硅、多晶硅或金属氧化物的半导体材料并使其图案化以形成半导体154。将半导体154形成为与栅电极124叠置。
接着，沉积金属材料并使其图案化以形成数据线171、源电极173和漏电极175。金属材料可以由单层或多层制成。
可以将数据线171形成为在大致竖直的方向上延伸，数据线171可以在与第一电极135平行的方向上延伸。
源电极173被连接至数据线171，并且可以简单地为数据线171的一部分。源电极173和漏电极175可以位于栅电极124上。源电极173和漏电极175在栅电极124上彼此分开。
可以沉积半导体材料和金属材料并且同时使其图案化以形成半导体154、数据线171、源电极173和漏电极175。在这种情况下，半导体154也形成在数据线171下面。
栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体154一起共同形成薄膜晶体管(TET)。
如图8和图9中所示，在数据线171、源电极173、漏电极175和暴露在源电极173与漏电极175之间的半导体154上形成钝化层180。钝化层180可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料形成，并且可以由单层或多层制成。
接着，在钝化层180上形成滤色器230。在每个像素中形成滤色器230，可以沿列方向在不同的像素中形成具有相同颜色的滤色器230。在形成具有三种颜色的滤色器230的情况下，首先可以形成具有第一颜色的第一滤色器230，然后可以通过使掩模移位来形成具有第二颜色的第二滤色器230，再而可以通过使掩模移位来形成具有第三颜色的第三滤色器230。
接着，通过使用能够阻挡光的材料，在钝化层180上形成阻光构件220。阻光构件220可以沿每个像素的边界形成并且可以形成在薄膜晶体管上。可以将阻光构件220形成为与栅极线121、参考电压线131和数据线171叠置。
接着，在滤色器230和阻光构件220上形成第一绝缘层240。第一绝缘层240由有机绝缘材料形成，从而使滤色器230和阻光构件220的上表面平坦化。另外，第一绝缘层240可以由包括由有机绝缘材料制成的层和由无机绝缘材料制成的层的双层制成。
使钝化层180、阻光构件220和第一绝缘层240图案化以形成暴露漏电极175的至少一部分的第一接触孔181。另外，使栅极绝缘层140、钝化层180、滤色器230和第一绝缘层240图案化以形成暴露第一电极135的至少一部分的第二接触孔183。
如图10和图11中所示，在第一绝缘层240上形成牺牲层300。在每个像素中形成牺牲层300。将牺牲层300图案化以使其不形成在第一电极135和数据线171上。即，从第一电极135和数据线171上方去除(或者在第一电极135和数据线171上方从未曾沉积)牺牲层300。
在图12中，并如图13中所示，在牺牲层300上沉积诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明金属氧化物或者不透明的金属材料并使其图案化以形成像素电极191和共电极270。
将像素电极191和共电极270形成为覆盖牺牲层300的侧面。像素电极191可以位于一个像素的两个边缘处并且主要在竖直方向上延伸。将像素电极191形成为覆盖牺牲层300的邻近于或紧挨着数据线171的侧面。共电极270可以位于一个像素的中心处并且主要在竖直方向上延伸。将共电极270形成为覆盖牺牲层300的邻近于第一电极135的侧面。
以延长的条形形成像素电极191和共电极270。像素电极191和共电极270彼此平行地延伸。另外，像素电极191和共电极270可以与数据线171平行地延伸并且也可以与第一电极135平行地延伸。
像素电极191的高度h1大于其厚度t1，共电极270的高度h2大于其厚度t2。像素电极191的高度h1和共电极270的高度h2与牺牲层300的高度对应。
像素电极191形成为与漏电极175的一部分叠置并且通过第一接触孔181连接至漏电极175。共电极270形成为与第一电极135叠置并且通过第二接触孔183连接至第一电极135。
如图14和图15中所示，在像素电极191、共电极270和牺牲层300上形成第二绝缘层350。第二绝缘层350可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料制成。
接着，在第二绝缘层350上涂覆有机材料并且使其图案化以形成顶层360。可以使有机材料图案化，以去除与栅极线121、参考电压线131和薄膜晶体管叠置的部分。将顶层360形成为覆盖牺牲层300的上表面以及侧面的一部分。此外，将顶层360形成为覆盖像素电极191和共电极270。使顶层360形成为不覆盖牺牲层300的所述侧面的剩余部分(例如，从牺牲层300的所述侧面的所述剩余部分去除顶层360)。
在形成顶层360之后，将光照射在顶层360上以执行固化工艺。如果执行固化工艺，则顶层360硬化使得即使在顶层360之下形成空的空间，也可以保持顶层360的形状。
接着，可以在顶层360上形成由诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料制成的第三绝缘层370。
如图16和图17中所示，通过在基底110上的使牺牲层300暴露的地方涂敷显影剂溶液或剥离剂溶液来完全去除牺牲层300。也可以通过灰化工艺来完全去除牺牲层300。
当去除牺牲层300时，在牺牲层300位于的部分处产生微腔305。像素电极191和共电极270分别位于每个微腔305的两侧处，并且每个微腔305被其各自的像素电极191和共电极270所包围。即，每个微腔305位于各自的像素电极191和共电极270之间。
每个微腔305的一部分通过顶层360被去除的部分而暴露，每个暴露的部分被称作注入孔307。
接着，通过旋涂法或喷墨法将包含取向材料的取向剂滴在基底110上，并且通过注入孔307将取向剂注入到每个微腔305中。在取向剂被注入到微腔305中之后，执行硬化工艺使得取向材料的溶液组分(即，溶剂)蒸发并且取向材料保留在微腔305的内壁处，从而形成取向层(未示出)。
接着，通过旋涂法或喷墨法将液晶材料滴到基底110上，并且借助毛细管力将液晶材料通过注入孔307注入到微腔305内部。因此，在每个微腔305内部形成由液晶分子310制成的液晶层。
接着，沉积不与液晶分子310反应的材料以形成覆盖件390。将覆盖件390形成为覆盖注入孔307以密封微腔305，使得形成在微腔305内部的液晶分子310不从微腔305泄漏。
接着，虽然未示出，但还可以将偏振器附于显示装置的上侧和下侧。偏振器可以包括第一偏振器和第二偏振器。第一偏振器可以附于基底110的下侧，第二偏振器可以附于覆盖件390。
接着，将参照图18描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。
图18中所示的根据本发明的示例性实施例的显示装置与图1至图3中所示的根据本发明的示例性实施例的显示装置大致相同。与先前的示例性实施例不同，在本示例性实施例中，像素电极和共电极可以具有弯曲的形状。
图18是根据本发明的示例性实施例的显示装置的一个像素的平面图。
与先前的示例性实施例一样，像素电极191和共电极270平行延伸。
尽管在先前的示例性实施例中像素电极191和共电极270在一个像素内部沿一个方向延伸，但本实施例的像素电极191和共电极270在每个像素区域中具有弯曲的形状。如图18中所示，像素电极191和共电极270可以具有在一个像素的中心处弯曲一次的形状。结果，一个像素可以相对于像素电极191和共电极270被弯曲的部分而划分为两个畴。在两个畴中，液晶分子310的取向方向彼此不同，从而改善显示装置的可视性。
数据线171在与像素电极191和共电极270平行的方向上延伸。因此，与像素电极191和共电极270一样，数据线171在每个像素处具有弯曲，即，对于每个像素区域具有在两个不同的方向上延伸的两个不同的部分。
在本示例性实施例中，像素电极191和共电极270在每个像素中弯曲一次。然而，本发明不限于此。而是，像素电极191和共电极270可以弯曲两次或更多次。
尽管已经结合目前被认为是实际的示例性实施例的内容描述了本发明，但将理解的是，本发明不限于所公开的实施例，而是相反，本发明意在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。上述的和其他实施例的各种特征可以以任何方式混合和匹配，以产生与发明一致的进一步的实施例。
<符号的描述>
121：栅极线 131：参考电压线
135：第一电极 171：数据线
191：像素电极 270：共电极
300：牺牲层 305：微腔
307：注入孔 310：液晶分子
360：顶层 390：覆盖件

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
薄膜晶体管，设置在所述基底上；
微腔，具有第一侧、与所述第一侧相对的第二侧和在所述第一侧与所述第二侧之间延伸的上表面；
像素电极，连接至所述薄膜晶体管并沿所述第一侧设置；
共电极，沿所述第二侧延伸；
顶层，覆盖所述像素电极、所述共电极和所述微腔的所述上表面；
液晶层，设置在所述微腔中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
栅极线、参考电压线和数据线，设置在所述基底上；以及
第一电极，从所述参考电压线突出并与所述共电极叠置，
其中，所述共电极连接至所述第一电极。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中：
所述参考电压线与所述栅极线位于同一层中并且在与所述栅极线平行的方向上延伸。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中：
所述数据线在与所述像素电极和所述共电极平行的方向上延伸。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述共电极与所述像素电极位于同一层中。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述像素电极的高度大于所述像素电极的厚度。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述共电极的高度大于所述共电极的厚度。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述微腔是第一微腔，所述显示装置还包括具有第一侧和相对的第二侧的第二微腔，所述像素电极沿所述第二微腔的所述第一侧设置，并且所述共电极沿所述第二微腔的所述第二侧设置。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述像素电极和所述共电极均具有第一部分和第二部分，所述第一部分沿第一方向定向，所述第二部分连接至所述第一部分并且沿与所述第一方向不同的第二方向定向。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中：
所述数据线具有第一部分，沿所述第一方向定向；以及第二部分，连接至所述第一部分并且沿与所述第一方向不同的所述第二方向定向。
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