CN106030413A - 光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种包括阻挡系统(3)的光刻设备，及使用如所描述的光刻设备中的任一个的器件制造方法。所述阻挡系统用以维持阻挡装置(4)内的气体的受保护体积。可在所述光刻设备的不同部件相对于彼此而移动时维持所述受保护体积。所述阻挡系统可用于所述光刻设备内的不同部位中。所述阻挡装置的几何构型影响所述受保护体积如何高效地被维持，尤其是在高速的情况下。本发明的几何构型减少从所述阻挡装置外部进入所述受保护体积的环境气体的量。

Description

光刻设备和器件制造方法

技术领域

本发明涉及光刻设备和用于制造器件的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

衬底可被形成图案的速率(被称为生产率)是光刻设备系统中的主要性能标准，且增加此速率是有益的。生产率取决于多个因素，例如，曝光进行的速度及测量可被执行的速度。因此，有益的是针对曝光及测量两者具有高的扫描速度。然而，重要的是在高的扫描速度的情况下维持测量及图案形成的准确度。

大气系统中的辐射束传递通过气体，此情形例如在光刻设备中发生。气体的特性的局部波动可影响传递通过所述气体的辐射束。在已知设备中，阻挡装置用以减少气体波动对辐射束的影响。然而，已知的阻挡装置在高速度下变得不太有效。因此，本发明的目的是提供一种具有改进的阻挡系统的设备。

发明内容

根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，其包括第一部件及第二部件，所述第一部件及所述第二部件被配置成在扫描方向及基本上垂直于所述扫描方向的步进方向中的一个方向上经历相对于彼此的相对移动，其中：所述第一部件具有第一表面；所述第二部件具有第二表面；其中所述第一表面与所述第二表面彼此面对；所述第一表面及所述第二表面中的至少一个特定表面容纳阻挡系统；且所述阻挡系统被配置成提供阻挡装置，所述阻挡装置能够操作以减少或防止环境气体流入至介于所述第一表面与所述第二表面之间的气体的受保护体积中；且所述阻挡系统包括如下特征中的至少一个：壁，所述壁包围与所述第一表面及所述第二表面中的所述特定表面相邻的所述受保护体积的一部分；及至少一个开口，其适用于来自于所述至少一个开口的阻挡气体的流动以建立包围与所述第一表面及所述第二表面中的所述特定表面相邻的所述受保护体积的一部分的气帘；所述阻挡装置在所述扫描方向及所述步进方向所处的平面中具有几何构型，且所述阻挡装置能够操作以引导环境气体在所述受保护体积周围的流动，所述环境气体的流动由所述第一部件与所述第二部件的所述相对移动诱发；所述几何构型具有第一角部及第二角部；当所述第一部件与所述第二部件在所述扫描方向及所述步进方向中的一特定方向上相对于彼此而移动时，所述第一角部用作所述阻挡装置的前边缘且所述第二角部用作所述阻挡装置的后边缘；且当所述第一部件与所述第二部件在与所述特定方向相反的另一方向上相对于彼此而移动时，所述第一角部用作所述阻挡装置的所述后边缘且所述第二角部用作所述阻挡装置的所述前边缘。

根据本发明的一方面，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括第一部件及第二部件，所述第一部件及所述第二部件被配置成在扫描方向及基本上垂直于所述扫描方向的步进方向中的一个上经历相对于彼此的相对移动，其中：所述第一部件具有第一表面；所述第二部件具有第二表面；其中所述第一表面与所述第二表面彼此面对；所述第一表面及所述第二表面中的至少一个特定表面容纳阻挡系统；且所述阻挡系统被配置成提供阻挡装置，所述阻挡装置能够操作以减少或防止环境气体流入至介于所述第一表面与所述第二表面之间的气体的受保护体积中：且所述阻挡系统包括如下特征中的至少一个：壁，所述壁包围与所述第一表面及所述第二表面中的所述特定表面相邻的所述受保护体积的一部分；及至少一个开口，其适用于来自于所述至少一个开口的阻挡气体流动以建立包围与所述第一表面及所述第二表面中的所述特定表面相邻的所述受保护体积的所述部分的气帘；所述阻挡装置在平面图中具有带角的几何构型，所述带角的几何构型具有与所述扫描方向及所述步进方向中的特定方向都不垂直的在角部之间的边。

根据本发明的一方面，提供一种器件制造方法，所述器件制造方法包括：将投影束投影至定位于衬底台上的衬底上；及可选地使用辐射束以测量所述设备的性质，其中所述投影束及所述辐射束中的至少一个穿过阻挡系统，所述阻挡系统被配置成提供阻挡装置，所述阻挡装置能够操作以减少或防止环境气体流入至介于所述光刻设备的第一表面与第二表面之间的气体的受保护体积中，所述受保护体积供所述投影束及所述辐射束中的至少一个穿过，所述光刻设备包括具有第一表面的第一部件且还包括具有第二表面的第二部件，所述第一部件及所述第二部件被配置成在扫描方向及基本上垂直于所述扫描方向的步进方向中的一个方向上经历相对于彼此的相对移动，其中所述阻挡装置在所述扫描方向及所述步进方向所处的平面中具有几何构型，且所述阻挡装置能够操作以引导所述环境气体在所述受保护体积周围的流动，所述环境气体的流动由所述第一部件与所述第二部件的所述相对移动诱发；所述几何构型具有第一角部及第二角部；当所述第一部件与所述第二部件在所述扫描方向及所述步进方向中的一特定方向上相对于彼此而移动时，所述第一角部用作所述阻挡装置的前边缘且所述第二角部用作所述阻挡装置的后边缘；且当所述第一部件与所述第二部件在与所述特定方向相反的另一方向上相对于彼此而移动时，所述第一角部用作所述阻挡装置的后边缘且所述第二角部用作所述阻挡装置的前边缘。

根据本发明的一方面，提供一种器件制造方法，所述器件制造方法包括：将投影束投影至定位于衬底台上的衬底上、及可选地使用辐射束以测量光刻设备的性质，其中所述投影束及所述辐射束中的至少一个穿过阻挡系统，所述阻挡系统被配置成提供阻挡装置，所述阻挡装置能够操作以减少或防止环境气体流入至介于所述光刻设备的第一表面与第二表面之间的气体的受保护体积中，所述受保护体积用于所述投影束及所述辐射束中的至少一个穿过，所述光刻设备包括具有第一表面的第一部件且还包括具有第二表面的第二部件，所述第一部件及所述第二部件配置成在扫描方向及基本上垂直于所述扫描方向的步进方向中的一个方向上经历相对于彼此的相对移动，所述阻挡装置在平面图中具有带角的几何构型，所述带角的几何构型具有与所述扫描方向及所述步进方向中的一特定方向都不垂直的、在角部之间的边。

附图说明

现在将仅作为举例、参考所附的示意图来描述本发明的实施例，附图中相应的附图标记指示了相应的部件，并且其中：

-图1示出根据本发明一实施例的光刻设备；

-图2描绘根据本发明的一实施例的光刻设备的衬底台的示意性平面图；

-图3A描绘根据本发明的一实施例的阻挡系统的平面图；

-图3B描绘根据本发明的一实施例的阻挡系统的侧视图；

-图4描绘根据本发明的一实施例的阻挡系统，其中所述阻挡系统相对于扫描方向而倾斜：

-图5示出根据本发明一实施例的阻挡系统；

-图6A、图6B及图6C描绘根据本发明的一实施例的阻挡系统，其中所述阻挡系统包括壁；

-图7描绘根据本发明的一实施例的阻挡系统，其中传感器是用于测量衬底的表面的形貌的水平传感器；

-图8A、图8B及图8C描绘根据本发明的一实施例的阻挡系统，其位于图案形成装置附近。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明实施例的光刻设备。所述设备包括：

照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，UV辐射)；

支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据特定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；

衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据特定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和

投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多个管芯)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述照射系统可以被考虑或可以不被考虑以形成所述光刻设备的部分。

所述支撑结构支撑所述图案形成装置，即，承载所述图案形成装置的重量。所述图案形成装置支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。这里使用的任何术语“掩模版”或“掩模”可以看作与更为上位的术语“图案形成装置”同义。

这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应该注意的是，赋予辐射束的图案可能不与衬底的目标部分上的所需图案精确地对应(例如，如果所述图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。

所述光刻设备还可以是这种类型：其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液体还可以施加到光刻设备中的其他空间，例如掩模和投影系统之间的空间。浸没技术用于提高投影系统的数值孔径在本领域是熟知的。这里使用的术语“浸没”并不意味着必须将结构(例如衬底)浸入到液体中，而仅意味着在曝光过程中液体位于投影系统和该衬底之间。

所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器、或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(在图1中没有明确地示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如掩模)MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分(这些公知为划线对齐标记)之间的空间中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。

所描绘的设备可用于扫描模式中。在扫描模式中，掩模台MT和衬底台WT被同步地扫描，而赋予给所述辐射束的图案被投影到目标部分C上(即，单一动态曝光)。所述衬底台WT相对于所述掩模台MT的速度和方向可以由所述投影系统PS的(缩小)放大和图像反转特征而确定。替代地，在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持基本上静止，并且在所述衬底台WT被移动或扫描的同时，将赋予辐射束的图案被投影到目标部分C上。

在扫描模式中，为了曝光目标部分的列或行，衬底台可沿着曲折路径移动或在扫描方向上前后移动。可当衬底台WT正沿着扫描方向向前或向后移动时发生曝光。两个移动方向是等效的。纯粹地为了易于描述，将一个方向称作前向扫描方向且将另一方向称作后向扫描方向。

衬底台(和/或掩模台MT)在扫描模式中移动的方向是扫描方向SC。衬底台WT(及/或掩模台MT)可在曲折移动期间或在列或行之间在步进方向ST上移动。步进方向ST大致垂直于扫描方向SC。扫描方向SC及步进方向ST可分别被称作X方向和Y方向，反之亦然。

光刻设备使用各种不同辐射束。这些辐射束包括投影束，其是用来以图案辐照衬底的辐射束。辐射束也包括用以测量所述设备的不同部件的位置或属性的各种测量束。辐射束受到所述束穿过的气体影响。

若干因素可影响辐射束如何传播通过气体。例如，温度、湿度及组分可影响气体的折射率。这些因素的局部化变化及湍流可导致气体的折射率的非均一性及时间变化。穿过气体的辐射束受到折射率的非均一性及时间变化影响。例如，折射率的改变可变更投影束的轨迹和/或引入波前误差(即，投影束中的波前的不规则性)。测量误差可由沿着测量束的路径的折射率的变化而诱发。例如，测量误差可导致设备的部件的定位的不准确。任何这些不准确可变更图案化的束在衬底上的位置，且可具有对重叠的有害影响。

已知系统处于合适位置以设法减少辐射束B所穿过的周围环境气体的折射率的波动。例如，已知系统包括通过从表面中的开口喷出阻挡气体而提供的气帘。气帘形成阻碍气帘外部的周围环境气体的流动的阻挡装置。可围绕一体积提供气帘，使得所述体积内的气体与气帘外部的环境气体有效地分离。可调节所述体积内的气体，使得所述气体相比于所述体积外部的气体是更均匀的。因此，气帘可用以提供围绕辐射束所穿过的体积的阻挡装置，以便保护辐射束免受所述体积外部的环境气体的改变的影响。此体积被称作受保护体积。所述体积内的气体被称作受保护气体。然而，进入至受保护体积中的任何未经调节的环境气体可影响辐射束的传播且诱发误差。

尽管已知系统使用气帘作为阻挡装置以减少折射率的变化，但诸如风洞试验的各种测试及模拟已示出，随着扫描速度增加，越来越多的未经调节环境气体进入至受保护体积中且污染经调节的受保护气体。

当包括阻挡装置的部件正移动、或存在着流动的围绕阻挡装置的相对移动时，气帘可被认为是所述流动中的可变形体。由于不同部件的相对移动而在阻挡装置的边缘处显现停滞气体区。在这些停滞区处，停滞气体累积，导致压力上升，此情形将向内施加力作用于阻挡装置上。由于停滞区而产生的力随着速度增加而增加。压力在阻挡装置处增加，且显现了促使所述气体阻挡装置外部的环境气体进入受保护体积的压力梯度。气体以此方式进入至受保护体积中可被称为击破(break-through)。因此，在高速度的情况下，已知阻挡装置相比于不具备这些阻挡装置的先前系统并不提供显著优点。

在高扫描速度下，未经调节的环境气体的击破可能是显著的。此问题在扫描方向上比在步进方向上更显著，这是因为在扫描方向上的相对移动的速度趋向于大于在步进方向上的速度。例如，在测量期间在扫描方向SC上的移动速度是大约2米/秒，且在步进方向ST上的移动速度是大约0.8米/秒。

本发明旨在通过在不减少设备的部件的移动速度的情况下防止或降低所述停滞气体的气穴在阻挡装置的边缘处的显现而最小化击破。这是通过尽可能快速地减少阻挡装置的前边缘处的环境气体的量而实现的。本发明确认，具有与流动方向垂直的阻挡装置的界面会增加停滞区的大小。

在本发明中，阻挡装置被配置成使得减少停滞区且保护所述阻挡装置内的受保护体积。通过如下方式来减少停滞区：使本体成流线型，使得其相比于在流动方向上具有相同(或相似)横截面积的本体而言具有较少阻碍。通过如下方式来减少阻挡装置处的停滞区：将几何构型(即，在平面图中的形状)及取向给予阻挡装置以使得随着阻挡装置移动(相对于所述流动)，阻挡装置的侧部不垂直于环境气体的流动。平面图是扫描方向SC及步进方向ST所处的平面。换句话说，使阻挡装置的几何构型相对于环境气体的流动在进行扫描时在受保护体积的外部的某一方向(例如，环境气体的流动的方向)上成流线型。

本发明提供阻挡系统，所述阻挡系统被配置成提供阻挡装置，所述阻挡装置可操作以减少环境气体流入至介于第一表面与第二表面之间的受保护体积中。辐射束可穿过在所述表面之间的受保护体积。因此，可控制辐射束所穿过的受保护气体。辐射束可以是投影束或测量束。下文将在不同实施例中详细地描述本发明。

在实施例中，提供包括第一部件及第二部件的光刻设备。在此实施例中，第一部件包括衬底台WT且第二部件包括栅格G。栅格G安装于参考框架RF上。第一部件及第二部件被配置成在扫描方向SC及步进方向ST中之一或二者上经历相对于彼此的相对移动。第一部件或第二部件可保持静止，而另一部件相对于其而移动。第一部件及第二部件也可在除了扫描方向SC及步进方向ST以外的方向上相对于彼此而移动。

衬底台WT具有第一表面1，且第二部件具有第二表面，在第二表面上具有栅格G。所述第一表面1与所述第二表面彼此面对。第一表面1与第二表面可彼此面对，使得它们处于平行平面中。所述两个表面可以是水平的，如图3B所描绘。图2描绘衬底台WT的示意性平面图，其中中心箭头指示衬底台WT相对于第二部件的相对移动。在此实施例中，衬底台WT上的箭头指示出，衬底台WT与第二部件在扫描方向SC上相对于彼此而移动。

在此实施例中，衬底台WT上的第一表面1容纳至少一个阻挡系统3。在图2的衬底台WT上，可看到四个阻挡系统3。在衬底台WT上可包括尚未示出的其他部件，例如，用以保持衬底所需要的部件。每个阻挡系统3被配置成提供阻挡装置4，阻挡装置4可操作以减少环境气体流入至介于第一表面1与第二表面之间的气体的受保护体积中。所示的阻挡系统3中的每个包括至少一个开口，所述至少一个开口经调适用于阻挡气体从所述至少一个开口的流动以建立包围与第一表面1的相邻的受保护体积的部分的气帘。

在此实施例中，阻挡装置4在扫描方向SC及步进方向ST所处的平面中具有几何构型。阻挡装置4可操作以引导环境气体围绕受保护体积流动，所述环境气体的流动是由衬底台WT与第二部件的相对移动诱发。环境气体的流动可以是物体移动通过的环境气体。环境气体的流动可由物体通过环境气体的移动诱发，即使环境气体有效地静止也如此。环境气体的流动可以是相对的流动，例如，相对于物体。

图3A示出阻挡系统3，其中阻挡装置4的几何构型包括第一角部5及第二角部6。可看出，所述实施例还包括用于发射测量束30的辐射源20，及用于检测测量束30的传感器40。测量束被投影朝向栅格G(图3B所示出)。被配置用来检测测量束30的传感器40用以指示栅格G相对于辐射源20和/或传感器40的位置和/或移动。传感器使用栅格G来测量所述光刻设备的部件相对于彼此的位置。

在此实施例中，第二部件包括第二表面上的栅格G。栅格G可直接地位于第二表面上的第二部件上。替代地，第二部件包括栅格板，其中栅格板的表面是第二表面。在此实施例中，第二部件是参考框架RF，其具有第二表面上的栅格G、或附接于第二表面上的栅格板。

阻挡装置4在所述图中被描绘为线，而非实体物件。而此实施例中的阻挡装置4相当于是不具有精确边界的流动和/或压力区，且如所描绘的阻挡装置4应被视为具有大体上如所示的形状。

图3A、图6A及图8C中的形状示出可用于本发明中的不同形状的示例。所描绘的形状包括菱形及六边形。然而，清楚地存在着将会落入本发明的权利要求书的范围内的许多变型，例如，风筝状几何构型，其中第一对边具有相同长度，且第二对边具有相同长度，但与第一对边的长度不同。对于所披露的所有实施例中的阻挡系统，所示出的阻挡装置的形状、及未被描绘的其他形状是可互换的。

使用本发明的几何构型且优化所述阻挡装置4形状的优点在于，这可导致在平面图中所述阻挡装置4所需要的总空间减少。在已知光刻系统中，使用多个传感器，且在不同系统之间常常存在重叠，例如，围绕传感器的气帘可直接地被喷出至围绕不同传感器的相对表面上的阻挡系统上。此重叠可减少所述传感器之一或二者的准确度。用于本发明中的几何构型减小了阻挡装置4所需要的在平面图中的区域，且如此减低了阻挡系统3所需要的在平面图中的区域，从而使得在不同阻挡系统之间可存在较少重叠。

至少第一角部5及第二角部6未必是如图2及图3A所描绘的尖锐点。几何构型的角部可以是圆形的，其具有预定半径。该几何构型具有长轴及短轴，如稍后所描述。每个半径优选地小于短轴的10％。

如在图3A中，如所描绘的阻挡装置几何构型的边在平面图中是笔直的。几何构型的边并不必是笔直的，而是所述边中的至少一个可具有曲率半径。所述边中的至少一个边可在平面图中具有弯曲形状。

用于建立所述阻挡装置4(即，气帘)的至少一个开口被配置成围绕所述辐射源20及传感器40，以便提供对所述测量束所穿过的受保护体积加以屏蔽的阻挡气体的流动。在此实施例中，所述阻挡系统3包括开口，所述开口适用于阻挡气体从所述开口的流动以建立包围与第一表面1相邻的受保护体积的气帘。图3B中示出通过所述阻挡系统3中心的横截面(在图3A中被标记为X-X)。如在图3B中可看出，受保护体积被界定于衬底台WT的表面与栅格G之间，其中阻挡气体是由衬底台WT上的开口控制。

阻挡装置4减少从阻挡装置4外部进入介于第一表面1与第二表面之间的气体的受保护体积的环境气体的量。同样，阻挡系统3提供阻挡装置4以保护及维持阻挡装置4内的受保护体积。可控制或调节受保护体积内部的受保护气体，这减少了影响到如上文所描述的测量束30的折射率波动。

受保护气体是受保护体积内的气体。受保护气体可源自阻挡气体，和/或可通过另一出口(在所述图中未示出)而提供至受保护体积中。

阻挡装置4的几何构型是由阻挡气体出口(即，如图3A及图3B所示出的第一表面1上的开口)的部位所限定。阻挡气体由源50提供。因为辐射源20及传感器40被设置于移动物体上，所以阻挡气体的流动必须在衬底台WT相对于第二部件以高达2米/秒的速度移动期间以及在停止时都维持均一性及稳定性。另外，阻挡气体的流动需要对于光刻设备中的环境气体的其他干扰而言是稳固/鲁棒的。第一开口110被设置为邻近于辐射源20及传感器40。第一开口110被配置以提供来自源50的第一阻挡气体。第一阻挡气体可以是气体的混合物，例如，人造空气；或可以是单一气体，例如，诸如氮气等惰性气体。第一阻挡气体可在其温度、其湿度和/或组分方面被调节。在射出所述开口110时，第一阻挡气体移动至传感器辐射束路径。

第一开口110被构造用以提供具有第一流动特性的第一阻挡气体。第一流动特性可以是湍流的。第一流动速度可以是大约10米/秒至20米/秒。因而，第一流动可被描述成高速度射流。第一开口110可以是单一连续开口，或诸如呈一条线的离散开口这样的一系列开口。第一开口110在图3A中被描绘成单一连续开口。第一开口110被配置成使得射出第一开口110的第一阻挡气体围绕测量束路径和/或流入测量束路径中。

提供第二开口120。第二开口120被构造及配置成用以提供来自源50的第二阻挡气体。第二阻挡气体和第一阻挡气体可以从同一源供给。第二阻挡气体可以是气体的混合物，例如，人造空气；或可以是单一气体，例如，诸如氮气等惰性气体。第二阻挡气体可在其温度、其湿度和/或组分方面被调节。

来自第二开口120的第二阻挡气体被设置为与来自第一开口110的第一阻挡气体邻近。第二开口120被构造及配置成用以提供具有第二流动特性的第二阻挡气体。第二流动的速度可低于第一流动的速度。第二流动可具有大约1米/秒的速度。第二流动特性不同于第一流动特性。第二流动特性可以是层流的。从第二开口120排出的第二阻挡气体的流动充当屏蔽以防止相对于传感器40的光轴位于第二开口120径向外部的未经调节的环境气体由从第一开口110排出的第一阻挡气体的湍流所夹带。因此，第二开口120被配置成使得第二阻挡气体的流动防止未经调节的环境气体到达传感器辐射束路径。

第二开口120可以是单一连续开口，或诸如呈一条线的离散开口这样的—系列开口。第二开口120在图3A中被描绘成单一连续开口。

辐射源20及传感器40被定位成使得辐射束30穿过由第一开口110及第二开口120所提供的阻挡装置内的受保护体积。辐射源20及传感器40可经定位成邻近于受保护体积，辐射源20及传感器40可被插入于参考框架RF内，或辐射源20及传感器40可在受保护体积内。在图3A所示出的平面图中，可看出辐射源20及传感器40是由第一开口110及第二开口120围绕。此外，第二开口120位于第一开口110的在第一开口110与环境气体之间的相对侧上。第一开口110是内部开口。第二开口120是外部开口。

在图3A中可看出，第一开口110及第二开口120二者围绕所述辐射源20及传感器40。第一开口110与第二开口120是同心的。

第一开口110及第二开口120提供阻挡气体流动，如图3B所图示。阻挡气体流动是在实质上与测量束30的路径的方向平行的方向上。即，所述流动朝向第二部件的表面上的栅格G。通过第一开口110的第一阻挡流是湍流。湍流夹带来自从第二开口120排出的层流的第二阻挡气体。这在衬底台WT正以高速度移动时确保良好的动态混合性质。另外，通过恰好在湍流的第一阻挡气体流动的外部主动地供应第二阻挡气体来避免由湍流俘获未经调节的环境气体。第二阻挡气体的层流通过吹走或屏蔽将要进入受保护体积的任何未经调节的环境气体而充当密封件。未经调节的环境气体保持于层流外部，且被防止进入受保护体积。

阻挡装置4的几何构型具有第一角部5及第二角部6。当衬底台WT与第二部件在扫描方向SC(例如，前向扫描方向)上相对于彼此而移动时，第一角部5充当阻挡装置4的前边缘且第二角部6充当阻挡装置4的后边缘。当衬底台WT与第二部件在与扫描方向SC相反的方向(例如，后向扫描方向)上相对于彼此而移动时，第一角部5充当阻挡装置4的后边缘且第二角部6充当阻挡装置4的前边缘。前向扫描方向由图2中的箭头描绘。

前角部是与环境气体的流动会合的所述阻挡装置4的第一部分。后角部是在相对移动的方向上的阻挡装置4的最后部的部分。这意思是所述流动不会以垂直于阻挡装置4的表面的角度而与所述表面会合，即，阻挡装置4的边缘相对于所述流动是倾斜的。由于此几何构型，可有效地引导所述流围绕阻挡装置4。这是有益的，因为阻挡装置4是更流线型的，这减少了停滞区。这样，降低(或防止)击破的量，这减少了未经调节的环境气体进入受保护体积中。减少了测量束30所穿过的受保护体积中的气体的温度、湿度和/或组分的变化，且可由测量系统进行经改进的测量。这可例如通过基于这些测量来控制部件相对于彼此的位置而改进所述辐射束在衬底上的定位。

如图3A所描绘且根据上述实施例，阻挡装置4在平面图中具有带角的几何构型，所述带角的几何构型具有都不与扫描方向SC及步进方向ST中的特定方向垂直的角部之间的边。所述带角的几何构型具有前角部及后角部。向阻挡装置4提供与扫描方向SC及步进方向ST均不垂直的边有助于减少如上文所描述的停滞区。这样，本发明提供减少环境气体流入至阻挡装置4内的受保护体积中的阻挡装置4。

图3A示出具有几何构型的阻挡装置4，所述几何构型具有通过其中心且穿过所述几何构型的角部中的两个角部的假想线。该假想线可穿过所述几何构型的中心及至少一个角部。该假想线位于第一方向上。在此实施例中，第一方向与扫描方向SC相同，如在图2及图3A中可看出。在此实施例中，假想线穿过作为前角部的第一角部5及作为后角部的第二角部6。

图3A所示出的阻挡装置4的几何构型在第一方向(长轴)上的最大尺寸大于在正交于第一方向的第二方向(短轴)上的最大尺寸。这意味着几何构型在第一方向上伸长。几何构型的伸长导致更流线型的形状，其可辅助环境流动围绕阻挡装置4的移动且减少击破。

纵横比是在第一方向上的最大尺寸与在第二方向上的最大尺寸的比率。纵横比可以被优化以变更积聚于阻挡装置4的一个或多个边处的停滞区。纵横比可被变更以使形状成流线型。优化的比率可能取决于部件相对于彼此而移动的速度、阻挡系统3的部位、用以容纳所述阻挡系统3的表面等等。此外，所述阻挡装置几何构型的比率及总体尺寸受到阻挡装置4内所需要的最小体积约束。例如，在本实施例中，阻挡装置4必须足够大以容纳辐射源20及传感器40。

纵横比可以是至少1.3:1，优选地是至少1.5:1。在本实施例中，纵横比可高达2.5:1。尽管不一定要使用高纵横比来产生成流线型几何构型，但较伸长的几何构型(即，具有较高纵横比)很可能将是更流线型的，从而使得更有效地将所述流动引导于阻挡装置4周围。可根据所需几何构型和/或形状而选择纵横比。所需纵横比可取决于光刻设备内的阻挡系统3的部位，如另外实施例中所描述。

相邻边可影响几何构型成流线型的程度。如图2及图3A所描绘，该几何构型具有四个边。通常，几何构型可具有(但不限于)四个至八个边(四个及八个边包括在内)，即，4个、5个、6个、7个或8个边。

相邻边的长度可相同，如图3A所描绘。此外，可使该几何构型相对于与第一方向平行的且也与垂直于第一方向及第二方向二者的方向平行的平面对称。这样，图3A的几何构型在平面图中在第一方向上在假想线的两侧上形成镜像图像。并不必需使几何构型是对称的。然而，具有对称几何构型提供了使得跨所述阻挡装置4内的受保护体积的压力差最小化的优点。通过最小化所述压力差，减少了跨越所述受保护体积的通过阻挡装置4的气体流动。这是有益的，因为这减少了进入至受保护体积中的环境气体的量。

第一开口110及第二开口120各自被示出是围绕所述几何构型的单一连续开口。如所提及，第一开口110可以是一系列离散开口，和/或第二开口120可以是一系列离散开口。

在实施例中，开口可用来提供动态气体阻挡装置。此实施例与上述实施例相同，除了阻挡装置几何构型是动态阻挡装置几何构型(即，阻挡装置几何构型具有可变形状)以外。例如，可通过变更由所述阻挡系统3提供的气体流动来变更所述动态阻挡装置几何构型，如将进一步所描述。如所提及，第一开口110及第二开口120中的每一个可包括一系列离散开口。用于第—开口110的一系列离散开口将被称作第一出口。用于第二开口120的—系列离散开口将被称作第二出口。第一出口及第二出口可由阻挡系统3控制以释放阻挡气体。不同出口可在不同时刻释放阻挡气体以控制所提供的气体阻挡装置的几何构型。可控制第一出口及第二出口以选择性地从不同的个别出口释放阻挡气体，以产生在平面图中具有不同几何构型的阻挡装置。这样，第一出口中的一些和/或第二出口中的一些可不被用来(即，对于特定形状/几何构型可能并非必要)分别提供第一开口110和/或第二开口120。

第一出口可用以提供用于第一开口110的给定形状。可不同时使用全部第一出口，即，为了提供所需形状，可使用第一出口的仅一子集来提供第一开口110。第二出口可用以提供用于第二开口120的给定形状。可不同时使用全部第二出口，即，为了提供所需形状，可使用第二出口的仅一子集以提供第二开口120。可通过控制所述出口使得阻挡装置几何构型可改变(即，动态的)来变更由第一开口110及第二开口120中的每一个提供的几何构型。可使得用于第一开口110及第二开口120的出口是可互换的，即，当变更阻挡装置几何构型时，用于第一开口110的离散出口可用于第二开口120，反之亦然。

提供具有可变形状的阻挡装置几何构型可以是有益的，这是因为所述几何构型可适用于优化围绕所述阻挡装置4的环境气体的流动，这(如所提及)可帮助减少环境气体击破至受保护体积中。例如，可通过从不同出口(即，第一出口的不同子集和/或第二出口的不同子集)释放阻挡气体来变更阻挡装置几何构型的取向。可依赖于不同因素(例如，部件的相对移动的速度)而优化阻挡装置4的几何构型，诸如，取向。

在上述实施例中，重要方向是设备的部件以相对高速度移动的方向，例如，扫描方向SC及步进方向ST。光刻设备内的环境气体通常是湍流的，而无特定主流动方向。例如，在衬底台WT的位置，环境气体是由来自影响光刻设备内的全局流动行为的各种源(例如，气体喷洒装置等等)的气体组成。环境气体的流动也可受到其他特征(例如，气体抽取器等等)影响。然而，在扫描期间，可变形体将经历的最大流动速度通常是由在扫描方向SC上的扫描速度确定。相比于此速度，在其他方向上的所有其他流动速度通常是可忽略的，这是因为扫描方向SC通常是部件相对于彼此以比在其他方向上的移动速度更高的速度移动的方向。因此，当部件相对于彼此在扫描方向SC而非步进方向ST上移动时，问题趋向于更显著，这是因为部件趋向于在此方向上较快速地移动。

有益的是优化所述阻挡装置相对于由部件的相对移动引起的环境气体流动的方向的几何构型。相对流动方向是由第一部件与第二部件的相对移动诱发的在受保护体积外部的环境气体的流动的方向。此方向可不在与扫描方向SC相同的方向上。

不同实施例可具有几何构型的不同的优化取向。可通过参考倾角来限定几何构型的取向，所述倾角是假想线(通过中心及至少一个角部的线)与扫描方向SC的之间的角度，即，(通过几何构型的假想线的)第一方向相对于扫描方向SC而倾斜。图4中针对阻挡系统100示出倾角α。阻挡系统100可与先前实施例中所描述的阻挡系统(诸如，图2及图3A所描绘的阻挡系统3)相同，且在整个本申请中可与阻挡系统3互换。倾角α可被优化以改进在由部件的相对移动引起的环境气体的流动的方向上的流线型。前边缘105及后边缘106在图4中不与扫描方向SC成一直线。

优化的倾角α可取决于所述光刻设备内的阻挡装置的部位而变化。优化的倾角α可取决于影响环境气体在阻挡装置周围的移动的各种因素，例如，第一部件的速度、第二部件的速度、阻挡系统100的部位，和/或由于所述部件的相对移动导致的环境气体的流动的方向。所需倾角α也可取决于什么其他部件围绕或接近阻挡系统100而变化，即，可影响围绕所述阻挡系统100的环境气体的相对流动的什么其他部件在附近。在第一方向与扫描方向SC之间可不存在倾斜，如图2及图3A所示出。然而，在另一实施例中，取决于相对流动而优化了倾角。例如，在一些实施例中，第一方向与扫描方向SC之间的倾角α(如图4所指示)优选地大于0°和/或小于90°。更优选地，倾角α大于5°。倾角α可介于0°与60°之间，优选地介于30°与60°之间，或更佳地介于40°与50°之间。

在所述实施例中的任一个中，可利用标记和/或目标来替换栅格G以供传感器40检测。

下文描述另外实施例。在以下实施例中，光刻设备的特征在结构及功能方面类似于所描述的先前实施例，且因此提供相同优点。以下实施例中将仅讨论所述实施例之间的差异。

在实施例中，第一部件是传感器模块SM，且第二部件是具有栅格G的衬底台WT。传感器模块SM具有第一表面1，且衬底台WT具有第二表面。传感器模块SM容纳阻挡系统3，如先前所描述。栅格G可直接地标记于衬底台WT自身上，或替代地，衬底台WT包括栅格板，使得第二部件的表面是栅格板上的栅格G。在此实施例中，辐射源20及传感器40在第一部件上，即，在传感器模块SM上，而非如先前实施例中在衬底台WT上。有效地，除了第一部件与第二部件已被互换之外，此实施例在很大程度上与先前实施例相同。图5中描绘此实施例的示例。在此实施例中，传感器模块SM可安装至参考框架RF，或是参考框架RF的一部件。在此实施例中，可利用标记和/或目标来替换栅格G以供传感器40检测。

在实施例中，如上文所描述的本发明被应用于包括光学系统及目标和/或标记的测量系统。如上文所描述的阻挡系统3被设置于一表面上，且阻挡装置4围绕标记和/或目标(而非如上文所描述围绕辐射源20和/或传感器40)，即，阻挡系统3在与辐射源20和/或传感器40相对的表面上。

在实施例中，如上文所描述的本发明被应用于被配置用以对衬底W上的标记进行检测的对准传感器。如上文所描述的阻挡系统3被设置于一表面上，且阻挡系统3与对准传感器处于与衬底W相对的同一表面上。阻挡系统3可围绕多个对准传感器，所述对准感测器中的每个对穿过由单一阻挡装置所围绕的受保护体积的辐射束进行检测。此外，不同类型的多个传感器可由一个阻挡装置围绕。此外，相同类型的多个传感器可由一个阻挡装置围绕。每个对准传感器可测量衬底上的不同标记，和/或多个对准传感器可用以检测同一标记。补充地或替代地，可提供多个阻挡系统3，阻挡系统3中的每个与一个对准传感器关联而使用。

在一实施例中，本发明的阻挡系统可应用于可附接至参考框架RF或形成参考框架RF的一部分的对准传感器。在US2008/0043212A1中描述了对准传感器的一示例，其全文以引用方式并入本文中。

在实施例中，阻挡系统3可包括壁，所述壁包围与第一表面及第二表面中的特定表面相邻的受保护体积的部分。在此实施例中，所述壁围绕所限定的体积。所述壁是始于第一表面或第二表面的突起部。所述壁具有与上文针对气帘所描述的几何构型中的任一个相同的几何构型。

当使用气帘时，击破可能是一个问题。当使用所述壁时，不会发生击破，但环境气体可在所述壁的顶部上方、或所述壁下方流动至受保护体积中。因此，在本实施例中，阻挡装置具备与上文所描述的几何构型相同的几何构型以减少环境气体的流动至受保护体积中。当存在相对移动时，阻挡装置几何构型的形状引导在所述阻挡装置周围的流动。这样，此情形减少(或防止)进入受保护体积的环境气体的量。结果，穿过受保护体积的辐射束相比于若置放在使用不根据本发明的替代几何构型的阻挡装置内的情况而言受影响较小。

图6A及图6B中描绘此实施例。在此实施例中，第一部件是在第一表面上具有传感器240的衬底台WT，且阻挡系统提供围绕所述传感器240的阻挡装置200。传感器240可以是用以测量投影束230的透射图像传感器或能量传感器(也被称为束斑传感器)。当传感器240在使用中时，投影束230穿过由阻挡装置200保护的受保护体积。投影束230穿过透射标记板250而传递至传感器240。在此实施例中，阻挡装置200是壁。图6A中示出可用于此实施例的几何构型。此几何构型可与如所描述的针对任何其他阻挡装置所提供的几何构型互换。在图6B中可看到根据此实施例的阻挡系统的示例，图6B以侧视图示出通过图6A的横截面V-V的透射图像传感器。

在图6C中看到上述实施例的变型，其中反射标记板260代替透射标记板250而设置于第一表面上。投影束230从标记板260反射且由传感器(图中未示出)检测。在此示例中，传感器可以不在第一表面或第二表面中的任一个上。

在实施例中，本发明的阻挡系统应用于水平传感器285，水平传感器285用以测量表面的形貌，在此情况下测量衬底W的形貌。图7中描绘此实施例的示例。在此实施例中，第一部件是衬底W，且第二部件容纳所述阻挡系统及水平传感器285，且阻挡系统提供可以是壁的阻挡装置290。第二部件可以是附接至参考框架RF或形成参考框架RF的一部分的传感器模块。在此实施例中，辐射束是测量束270，且从不在第一部件或第二部件中的任一个上的辐射源280发射。通常，用于水平传感器285的测量束270从衬底W反射，之后以远非垂直的入射角到达水平传感器285。在此实施例中，测量束270穿过邻近于水平传感器285的受保护体积。可在进行衬底W的扫描时或在进行测量时使用水平传感器285。可在投影束的至少一部分周围利用本发明的阻挡系统以在投影束在不同部件之间穿过时保护所述投影束。例如，阻挡系统可用以保护图案化的投影束以减少受保护气体的折射率波动，所述波动可影响在图案形成设备MA与衬底W之间的投影束的路径。

在实施例中，投影束穿过所述阻挡系统。在此实施例中，第一部件是被称作透镜顶部环境(LTE)板310的板，所述板在支撑结构MT与投影系统PS的顶部之间，其具有第一表面301。图8A描绘本实施例的阻挡系统300。投影系统PS的顶部透镜320在LTE板310下方。第二部件是支撑结构MT。支撑结构MT的底部表面通常是第二表面302。投影束穿过LTE板310中的开口360。LTE板310可包括具有侧壁360a及360b的开口360，侧壁360a及360b彼此基本上平行且基本上垂直于支撑结构MT的扫描方向SC。LTE板310的第—表面301容纳所述阻挡系统300。

在图8A中，阻挡系统300包括开口311及312(可提供更多或更少的开口)以用于建立包围与第一表面301相邻的受保护体积的一部分的阻挡装置(即，气帘)。如先前实施例中的任一个中描述的阻挡系统可用来保护在LTE板310与支撑结构MT之间的受保护气体的受保护体积。阻挡系统300可包括可具备上述几何构型中的任一个几何构型的阻挡装置。如图8A所描绘，此实施例可不包括辐射源、传感器、栅格G，或标记和/或目标。投影束穿过受保护体积而传递至投影系统PS，且不太可能受到受保护体积外部的气体影响。这样，本实施例提供本发明的优点，如上文所描述。图8B以平面图示出包括LTE板310的此实施例的示例性的几何构型。图8B示出可如何将与上述实施例相似的阻挡装置几何构型提供于LTE板310上。在此示例中，阻挡系统提供阻挡装置，所述阻挡装置使用开口311及312以排出气体来保护所述阻挡装置内的体积。如上文所描述，开口311及312可以是连续的或离散的。投影束穿过受保护体积，通过开口360而到达投影系统PS。图8B的阻挡装置几何构型可与例如图4、图6A及图8C所描绘的其他实施例的阻挡装置几何构型互换。

操作装置板370可视情况提供于LTE板310的开口360中。图8B中未示出此操作装置板370。WO2013/174646A1披露了包括操作装置板370的光刻设备。操作装置板370位于图案形成装置MA与衬底W之间以控制辐射束的聚焦。如WO2013/174646A1中描述的与操作装置板370相关的设备的全文是以引用方式而整体并入本发明中。

图8C描绘用于此实施例的几何构型的示例，包括操作装置板370。操作装置板370可被适配成围绕X及Y方向而倾斜，其中X方向是扫描方向SC且Y方向是步进方向ST。操作装置板370可用以通过影响投影束在进入至投影系统PS中时的定位而调整投影束在衬底W上的定位。可使用致动器(图中未示出)而使操作装置板370倾斜。使操作装置板370倾斜会使投影束移位，从而使得投影至衬底W上的图像移位。通过使操作装置板370围绕在Y方向上轴线倾斜，将产生在X方向上的图像移位，而使操作装置板370围绕在X方向上轴线倾斜将造成在Y方向上的图像移位。使操作装置板370在两个方向上倾斜将会提供在X方向及Y方向二者上的移位。

操作装置板370可由对所讨论的辐射而言透明的任何材料制成，例如，合适的材料将会是玻璃。操作装置板370可由挠性材料制成，使得除了倾斜移动以外或代替倾斜移动，操作装置板370也可弯曲，这可造成聚焦的移位。可由沿着操作装置板370的边缘中的一个或更多个而提供的一个或更多个致动器(图中未示出)来产生操作装置板370的弯曲。

在每个实施例中，许多参数可被优化以改进所述阻挡装置内的受保护体积的稳定性。这些参数包括但不限于假想线(通过几何构型的中心及至少一个角部)与特定方向(或由部件的相对移动引起的环境气体的流动的方向)之间的倾角α、几何构型在第一方向上的最大尺寸与几何构型在第二方向上的最大尺寸的比率、相邻边的长度，及几何构型的对称性。

第一部件及第二部件中的每一个可以是光刻设备的多个不同部件。除了第一部件及第二部件的变型之外，上述实施例的特征可保持相同。例如，第一部件可以是如下之一：衬底W、衬底台WT、参考框架RF、投影系统PS、支撑结构MT、图案形成设备MA、照明系统IL的部件，或光刻设备的另一部件。例如，第二部件可以是如下部件中的一个不同部件：衬底W、衬底台WT、参考框架RF、投影系统PS、支撑结构MT、图案形成装置MA、照明系统IL的部件，或光刻设备的另一部件。

此外，阻挡系统可与传感器、辐射源以及标记和/或目标中的至少一个被容纳于同一表面上。替代地或附加地，阻挡系统可被容纳于与传感器、辐射源以及标记和/或目标中的至少一个相对的表面上。

在任一个上述实施例中，用以建立气帘的开口可与壁互换，反之亦然。除了用以建立气帘的开口以外、或代替用以建立气帘的开口，也可提供壁。

各种阻挡系统可被设置于光刻设备内。这样，可在贯穿光刻设备的不同部位中应用所述阻挡系统。可使用相同或不同实施例来提供多个阻挡系统。

可在器件制造方法中使用根据上述实施例中的至少一个实施例的光刻设备以使用投影束来辐照衬底。

虽然在本文中已经做出了具体参考，在制造IC(集成电路)中使用光刻设备，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

虽然上文已经做出了对于本发明的实施例的使用的具体参考，将本发明的实施例用于光学光刻术的情况中，但是应该注意到，本发明的实施例可以用在其它的应用中，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的形貌印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置被从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。

这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(UV)(例如具有或约为365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有在5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。

在允许的情况下，术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的以及静电的光学部件。

尽管已经在上文描述了本发明的具体实施例，但是将认识到，本发明可以按与已经描述的方式不同的其他方式实现。

本说明书是为了说明而不是限制。因此，本领域技术人员应该认识到，在不背离权利要求的范围的情况下可以对本发明做出修改。

Claims (14)

1.一种光刻设备，所述光刻设备包括第一部件及第二部件，所述第一部件及所述第二部件被配置成在扫描方向和基本上垂直于所述扫描方向的步进方向中的一个方向上经历相对于彼此的相对移动，其中：

所述第一部件具有第一表面；

所述第二部件具有第二表面；

其中所述第一表面与所述第二表面彼此面对；

所述第一表面及所述第二表面中的至少一个特定表面容纳阻挡系统；且

所述阻挡系统被配置成提供阻挡装置，所述阻挡装置能够操作以减少或防止环境气体流入至介于所述第一表面与所述第二表面之间的气体的受保护体积中；且

所述阻挡系统包括如下特征中的至少一个：

壁，其包围与所述第一表面及所述第二表面中的所述特定表面相邻的所述受保护体积的一部分；和

至少一个开口，其适于来自于所述至少一个开口的阻挡气体流动以建立包围与所述第一表面及所述第二表面中的所述特定表面相邻的所述受保护体积的一部分的气帘；

所述阻挡装置在所述扫描方向及所述步进方向所处的平面中具有几何构型，且所述阻挡装置能够操作以引导环境气体在所述受保护体积周围流动，所述环境气体的流动是由所述第一部件与所述第二部件的所述相对移动诱发的；

所述几何构型具有第一角部及第二角部；

当所述第一部件与所述第二部件在所述扫描方向及所述步进方向中的一特定方向上相对于彼此而移动时，所述第一角部用作所述阻挡装置的前边缘且所述第二角部用作所述阻挡装置的后边缘；和

当所述第一部件与所述第二部件在与所述特定方向相反的另一方向上相对于彼此而移动时，所述第一角部用作所述阻挡装置的后边缘且所述第二角部用作所述阻挡装置的前边缘。

2.根据所述权利要求1所述的光刻设备，其中在所述第一表面及所述第二表面中的所述特定表面处，限定在第一方向上的假想线，所述假想线穿过所述第一角部及所述第二角部。

3.根据所述权利要求2所述的光刻设备，其中所述几何构型相对于所述第一方向是对称的，和/或其中所述几何构型在所述第一方向上伸长，和/或其中所述第一方向相对于所述特定方向倾斜。

4.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中所述开口或所述开口中的至少一个是提供阻挡气体的湍流的内部开口，和/或其中所述开口或所述开口中的至少一个是提供阻挡气体的层流的外部开口。

5.根据前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中辐射束穿过所述受保护体积。

6.根据所述权利要求5所述的光刻设备，其中所述辐射束是被引导至传感器的辐射束。

7.根据所述权利要求6所述的光刻设备，其中所述第一部件和/或所述第二部件上具有至少一个目标以供所述传感器检测。

8.根据所述权利要求6所述的光刻设备，其中所述传感器是用于测量一个物体相对于另一物件的对准的对准传感器。

9.根据所述权利要求6、7或8所述的光刻设备，其中所述第一部件和所述第二部件中的一个包括衬底台，且所述第一部件和所述第二部件中的另一个包括参考框架。

10.根据所述权利要求8或9所述的光刻设备，其中所述受保护体积与所述传感器接触。

11.根据所述权利要求6所述的光刻设备，其中所述传感器是用于测量表面的形貌的水平传感器。

12.根据所述权利要求9、10或11所述的光刻设备，其中所述光刻设备包括在用于将投影束投影至衬底上的投影系统的顶部上的板，且所述第一部件和所述第二部件中的一个包括所述板。

13.根据所述权利要求12所述的光刻设备，其中所述光刻设备包括图案形成装置台，且所述第一部件和所述第二部件中的另一个包括所述图案形成装置台。

14.一种器件制造方法，所述器件制造方法包括：将投影束投影至定位于衬底台上的衬底上、及可选地使用辐射束以测量光刻设备的性质，其中所述投影束及所述辐射束中的至少一个穿过阻挡系统，所述阻挡系统被配置成提供阻挡装置，所述阻挡装置能够操作以减少或防止环境气体流入至介于所述光刻设备的第一表面与第二表面之间的气体的受保护体积中，所述受保护体积用于所述投影束及所述辐射束中的至少一个穿过，所述光刻设备包括具有第一表面的第一部件且还包括具有第二表面的第二部件，所述第一部件及所述第二部件配置成在扫描方向及基本上垂直于所述扫描方向的步进方向中的一个方向上经历相对于彼此的相对移动，

其中所述阻挡装置在所述扫描方向及所述步进方向所处的平面中具有几何构型，且所述阻挡装置能够操作以引导环境气体在所述受保护体积周围流动，所述环境气体的流动是由所述第一部件与所述第二部件的所述相对移动诱发的；

所述几何构型具有第一角部及第二角部；

当所述第一部件与所述第二部件在所述扫描方向及所述步进方向中的一特定方向上相对于彼此而移动时，所述第一角部用作所述阻挡装置的前边缘且所述第二角部用作所述阻挡装置的后边缘；和

当所述第一部件与所述第二部件在与所述特定方向相反的另一方向上相对于彼此而移动时，所述第一角部用作所述阻挡装置的后边缘且所述第二角部用作所述阻挡装置的前边缘。