CN106026949B - 多频带功率放大器 - Google Patents

多频带功率放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN106026949B
CN106026949B CN201610196053.4A CN201610196053A CN106026949B CN 106026949 B CN106026949 B CN 106026949B CN 201610196053 A CN201610196053 A CN 201610196053A CN 106026949 B CN106026949 B CN 106026949B
Authority
CN
China
Prior art keywords
power amplifier
harmonic
circuit
terminating circuit
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610196053.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106026949A (zh
Inventor
冯景航
S·郑
N·格贝叶休
Y·史
J·P·扬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Conexant Systems LLC
Original Assignee
Conexant Systems LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Conexant Systems LLC filed Critical Conexant Systems LLC
Priority to CN201810914581.8A priority Critical patent/CN109104159B/zh
Publication of CN106026949A publication Critical patent/CN106026949A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106026949B publication Critical patent/CN106026949B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0067Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/191Tuned amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2176Class E amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/171A filter circuit coupled to the output of an amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/18Indexing scheme relating to amplifiers the bias of the gate of a FET being controlled by a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/411Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising two power stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21106An input signal being distributed in parallel over the inputs of a plurality of power amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7209Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

与多频带功率放大器相关的系统、装置和方法。在一些实施例中,一种功率放大器模块包括具有输出级并且配置为接收信号的功率放大器。所述功率放大器模块还包括与所述功率放大器的输出级电连通的第一可编程谐波终端电路。所述第一可编程谐波终端电路包括第一多个电容器和第一多个开关,其中所述第一多个电容器中的至少一个与所述第一多个开关中的至少一个电连通。所述功率放大器模块还包括控制器,其配置为至少部分地基于所述信号的二次谐波频率来更改所述第一可编程谐波终端电路的所述第一多个开关的配置。

Description

多频带功率放大器
相关申请的交叉引用
本申请要求2015年03月31日提交的题为“MULTI-BAND POWER AMPLIFIER”的美国临时申请第62/140,925号的优先权。特此,出于所有目的,将每个上述申请中的内容通过整体引用而明确地合并于此。
技术领域
本申请一般涉及功率放大器。
背景技术
为了提升功率放大器的效率,同时维持良好的线性度,许多线性功率放大器的设计者已经采用F类和逆F类功率放大器。然而,维持F类和逆F类功率放大器的操作经常需要在功率放大器的输出处使用谐波终端(harmonic termination)。跨宽频率带宽维持良好的谐波终端,同时实现更高的最大功率放大器效率可能是困难的。例如,通常来说,功率放大器的效率随带宽增加而降低。
发明内容
在一些实施方式中,本申请涉及一种功率放大器模块。所述功率放大器模块包括:功率放大器,包括输出级,所述功率放大器配置为接收信号。所述功率放大器模块还包括:第一可编程谐波终端电路,与所述功率放大器的输出级电连通,所述第一可编程谐波终端电路包括第一多个电容器和第一多个开关,所述第一多个电容器中的至少一个与所述第一多个开关中的至少一个电连通。所述功率放大器模块还包括:控制器,配置为至少部分地基于所述信号的二次谐波频率来更改所述第一可编程谐波终端电路的所述第一多个开关的配置。
在一些实施例中,所述功率放大器模块还包括:第二可编程谐波终端电路,与所述功率放大器的输出级电连通,所述第二可编程谐波终端电路包括第二多个电容器和第二多个开关。
在一些实施例中,所述第二多个电容器中的至少一个与所述第二多个开关中的至少一个电连通,所述控制器还配置为至少部分地基于所述信号的三次谐波频率来更改所述第二可编程谐波终端电路的所述第二多个开关的配置。
在一些实施例中,响应于与F类操作相关联的控制信号,所述控制器还配置为更改所述第一可编程谐波终端电路的所述第一多个开关的配置以对所述信号的二次谐波频率进行短路,并且更改所述第二可编程谐波终端电路的所述第二多个开关的配置以对所述信号的三次谐波频率呈现开路阻抗。
在一些实施例中,响应于与逆F类操作相关联的控制信号,所述控制器还配置为更改所述第一可编程谐波终端电路的所述第一多个开关的配置以对所述信号的二次谐波频率呈现开路阻抗,并且更改所述第二可编程谐波终端电路的所述第二多个开关的配置以对所述信号的三次谐波频率进行短路。
在一些实施例中,所述控制器还配置为至少部分地基于所述功率放大器的所选择的操作类来更改所述第一可编程谐波终端电路的所述第一多个开关的配置。
在一些实施例中,所述功率放大器支持多种配置。
在一些实施例中,所述功率放大器支持以下配置中的至少两种:F类配置、逆F类配置、E类配置、或J类配置。
在一些实施例中,所述功率放大器模块还包括与所述功率放大器的输出级电连通的输出阻抗匹配网络。
在一些实施例中,所述功率放大器模块还包括与所述功率放大器的输出级电连通的低通滤波器。
在一些实施例中,所述功率放大器模块不包括与所述功率放大器的输出级电连通的输出阻抗匹配网络。
在一些实施方式中,本申请涉及一种无线装置。所述无线装置包括:多条负载线路,所述负载线路中的至少一些对应于不同的通信频率带。所述无线装置还包括:开关网络,配置为将来自所述多条负载线路中的一负载线路电连接到功率放大器。所述无线装置还包括:功率放大器模块,包括功率放大器、与所述功率放大器的输出级电连通的第一可编程谐波终端电路、以及控制器,所述功率放大器配置为接收信号,所述第一可编程谐波终端电路包括第一多个电容器和第一多个开关,所述第一多个电容器中的至少一个与所述第一多个开关中的至少一个电连通,所述控制器配置为至少部分地基于所述信号的二次谐波频率来更改所述第一可编程谐波终端电路的所述第一多个开关的配置。
在一些实施例中,所述功率放大器模块还包括:第二可编程谐波终端电路,与所述功率放大器的输出级电连通,所述第二可编程谐波终端电路包括第二多个电容器和第二多个开关。
在一些实施例中,所述第二多个电容器中的至少一个与所述第二多个开关中的至少一个电连通,所述控制器还配置为至少部分地基于所述信号的三次谐波频率来更改所述第二可编程谐波终端电路的所述第二多个开关的配置。
在一些实施例中,所述功率放大器支持多个操作类。
在一些实施方式中,本申请涉及一种功率放大器模块。所述功率放大器模块包括:多级功率放大器,至少包括第一级和第二级,所述多级功率放大器配置为接收信号。所述功率放大器模块还包括:级间可编程谐波终端电路,位于所述第一级与所述第二级之间,所述级间可编程谐波终端电路包括多个电容器和多个开关,所述多个电容器中的至少一个与所述多个开关中的至少一个电连通。所述功率放大器模块还包括:控制器,配置为至少部分地基于所述信号的谐波频率来更改所述级间可编程谐波终端电路的所述多个开关的配置。
在一些实施例中,所述第二级是所述功率放大器的输出级。
在一些实施例中,所述信号的谐波频率是二次谐波频率或三次谐波频率之一。
在一些实施例中,所述控制器还配置为至少部分地基于所述多级功率放大器的特定操作类来更改所述多个开关的关于所述二次谐波频率或所述三次谐波频率之一的配置。
在一些实施例中,所述放大器的特定操作类对应于来自所述多级功率放大器支持的多个通信频率带中的一通信频率带。
在一些实施例中,所述功率放大器模块还包括:输出级可编程谐波终端电路,位于所述第二级之后并且与所述第二级电连通。
在一些实施例中,所述输出级可编程谐波终端电路支持所述多级功率放大器的多个操作类。
在一些实施方式中,本申请涉及一种无线装置。所述无线装置包括:多条负载线路,所述负载线路中的至少一些对应于不同的通信频率带。所述无线装置还包括:开关网络,配置为将来自所述多条负载线路中的一负载线路电连接到功率放大器。所述无线装置还包括:功率放大器模块,包括多级功率放大器、级间可编程谐波终端电路、以及控制器,所述多级功率放大器至少包括第一级和第二级并配置为接收信号,所述级间可编程谐波终端电路位于所述第一级与所述第二级之间并且包括多个电容器和多个开关,所述多个电容器中的至少一个与所述多个开关中的至少一个电连通,所述控制器配置为至少部分地基于所述信号的谐波频率来更改所述级间可编程谐波终端电路的所述多个开关的配置。
在一些实施例中,所述第二级是所述功率放大器的输出级。
在一些实施例中,所述信号的谐波频率是二次谐波频率或三次谐波频率之一。
在一些实施例中,所述控制器还配置为至少部分地基于所述多级功率放大器的特定操作类来更改所述多个开关的关于所述二次谐波频率或所述三次谐波频率之一的配置。
在一些实施例中,所述功率放大器模块还包括:可编程谐波终端电路,与所述第二级的输出电连通。
附图说明
贯穿附图,重复使用附图标记来指示所参考的元素之间的对应关系。提供附图以说明在这里描述的发明主题的实施例,而不用于限制其范围。
图1是分布式开关谐波终端电路(distributed switched harmonic terminationcircuit)的一个示例的框图。
图2是分布式开关谐波终端电路的一个示例的电路图。
图3是支持多个功率放大器操作类的开关谐波终端电路的一个示例的电路图。
图4是具有共享电路元件的、支持多个功率放大器操作类的开关谐波终端电路的一个示例的电路图。
图5是用于功率放大器的F类操作的开关谐波终端电路的一个示例的电路图。
图6是用于功率放大器的逆F类操作的开关谐波终端电路的一个示例的电路图。
图7是用于功率放大器的E类操作的开关谐波终端电路的一个示例的电路图。
图8是可包括多频带功率放大器的功率放大器模块的一个示例的框图。
图9是可包括图8的功率放大器模块的无线装置的一个示例的框图。
图10是功率放大器类选择处理的一个示例的流程图。
具体实施方式
为了提升功率放大器的效率,同时维持良好的线性度,许多线性功率放大器的设计者已经采用F类和逆F类功率放大器。然而,维持F类和逆F类功率放大器的操作经常需要在功率放大器的输出处使用谐波终端。跨宽频率带宽维持良好的谐波终端,同时实现更高的最大功率放大器效率可能是困难的。例如,通常来说,功率放大器的效率随带宽增加而降低。
用于跨宽带宽维持功率放大器效率的一种方案在于使用若干功率放大器来覆盖整个期望带宽。然而,在设计内包括多个功率放大器会增加无线装置的成本并且需要更大空间用于每个功率放大器。此外,支持多种通信技术(诸如,3G和4G技术)的无线装置也需要多组功率放大器来覆盖用于每种通信技术的所选带宽。
而且,功率放大器在集电极处的输出阻抗通常为大约3欧姆(ohms)。然而,负载线路通常处于50欧姆。因而,变压器(transformer)通常用于对电池电压进行升压,并且帮助将功率放大器的输出阻抗匹配到负载线路阻抗。但是,在许多情况下,例如因为变压以单一频率发生,所以变压以特定频率来执行,通常是较窄的频带。
这里描述的实施例使用开关谐波终端网络来使得功率放大器能够跨宽带宽支持多类操作。在某些实施例中,通过包括可编程开关谐波终端网络,可减少无线装置中包括的功率放大器的数目。例如,在一些情况下,无线装置可包括支持多类操作的两个乃至一个功率放大器。此外,开关谐波终端网络使得功率放大器能够支持多个操作频带。
另外,这里描述的实施例使用可在功率放大器的集电极处将电压升压到例如大约10V的功率放大器设计。通过对电压进行升压,功率放大器的输出阻抗可以接近于50欧姆。因而,在某些情况下,可能不必对电压进行变压,故可省略变压器。此外,可以显著地减小与功率放大器的输出级电连通的输出阻抗匹配网络的尺寸和其所提供的阻抗变换量,并且在一些情况下,甚至可以去除输出阻抗匹配网络或利用低通滤波器来代替它。在以下各专利申请中描述了这里描述的实施例可使用的功率放大器的示例:2015年02月15日提交的题为“REDUCED POWER AMPLIFIER SIZE THROUGH ELIMINATION OF MATCHING NETWORK”的美国临时申请第62/116,448号、2015年02月15日提交的题为“ENHANCED POWER AMPLIFIEREFFICIENCY THROUGH ELIMINATION OF MATCHING NETWORK”的美国临时申请第62/116,449号、2015年02月15日提交的题为“MULTI-BAND POWER AMPLIFICATION SYSTEM HAVINGENHANCED EFFICIENCY THROUGH ELIMINATION OF BAND SELECTION SWITCH”的美国临时申请第62/116,450号、2015年02月15日提交的题为“MULTI-BAND DEVICE HAVING MULTIPLEMINIATURIZED SINGLE-BAND POWER AMPLIFIERS”的美国临时申请第62/116,451号、以及2015年02月15日提交的题为“RADIO-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS DRIVEN BY BOOSTCONVERTER”的美国临时申请第62/116,452号,特此将每个上述申请中的公开内容通过整体引用而合并于此。
有利地,与先前设计的功率放大器相比,在某些实施例中,使用这里描述的开关谐波终端电路使得功率放大器能够支持跨更大带宽的操作。此外,在某些实施例中,使用开关谐波终端电路使得功率放大器能够提供多个类的操作。因而,在某些实施例中,先前可能需要若干功率放大器的无线装置可以使用更少的功率放大器(诸如,两个功率放大器或一个功率放大器),同时支持相同类的操作和频率带。
示例的分布式开关谐波终端电路
图1是分布式开关谐波终端电路的一个示例的框图。图1图示了可在功率放大器模块中包括的电路100的一部分。电路100包括功率放大器(PA)102。在一些情况下,电路100的每个元件可被包括作为功率放大器102的一部分。通常但非必须地,功率放大器102是多级功率放大器,其可包括多个级(例如,两级、三级、五级或十级等)。在图1所图示的具体示例中,功率放大器102为两级放大器,其包括输入级106和输出级104。输入级106和输出级104的晶体管可以是双极结晶体管(BJT)、异质结双极晶体管(HBT)、砷化镓(GaAs)晶体管、场效应晶体管(FET)、或可在功率放大器设计中使用的任何其他类型的晶体管。
尽管未图示,但是应理解,功率放大器102还可包括用于对功率放大器102的晶体管级进行偏置的一个或多个偏置电路。在一些实施例中,可基于在具体时间点使用的具体通信标准(例如,2G、3G、4G或4G LTE)来将不同的偏置值应用到晶体管级(例如,输入级106和输出级104)。而且,PA 102可包括一PA设计,其减小或去除了对于诸如以上援引加入的临时申请(美国临时申请第62/116,448号、美国临时申请第62/116,449号、美国临时申请第62/116,450号、美国临时申请第62/116,451号和美国临时申请第62/116,452号)中描述的、用于对负载线路的阻抗进行匹配的输出阻抗匹配网络的需求。
如图1所示,功率放大器102包括级间开关谐波终端110(有时称为或包括谐波陷波滤波器(harmonic trap filter))。电路100还包括与输出级晶体管104的集电极电连接的输出级开关谐波终端108(有时称为或包括谐波陷波滤波器)。在一些实施例中,级间开关谐波终端110和输出级开关谐波终端108可结合地工作,以提供用于信号的一个或多个谐波的分布式谐波终端。有利地,在某些实施例中,使用级间开关谐波终端110可改善输出级104的效率。
如上所述,功率放大器102可包括多个级。在功率放大器102包括诸如三级或四级之类的多于两级的情况下,可以将开关谐波终端分布在多个级间谐波终端以及输出级谐波终端108之中。例如,在三级功率放大器的第一级与第二级之间、以及第二级与第三级之间可存在级间开关谐波终端。然而,对于许多功率放大器而言,在输出晶体管级之前的晶体管级处信号较小。因而,在许多这样的情况下,级间开关谐波终端可仅存在于功率放大器的输出级之前。
开关谐波终端110和108每个可包括用于处理二次谐波信号(2F0)和三次谐波信号(3F0)的电路。在一些情况下,开关谐波终端110和108可配置为对二次谐波信号和三次谐波信号之一或两者是短路或开路阻抗。一般但非必须地,开关谐波终端110和108可配置为对于二次谐波信号或三次谐波信号之一是短路,对于二次谐波信号或三次谐波信号中的另一个是开路阻抗。通常,开关谐波终端110和108配置为处理在至功率放大器102的RF输入处接收到的信号的二次谐波信号和/或三次谐波信号。一般忽略该信号的其他谐波。然而,在一些情况下,开关谐波终端108和110中的一个或多个可配置为处理在至功率放大器102的RF输入处接收到的信号的其他谐波。
有利地,在某些实施例中,将一个或多个谐波终端电连接到功率放大器可改善功率放大器的效率,并且可对电压波形和电流波形进行整形以得到改善的放大器。例如,可通过以下方式获得改善的F类放大器:将电压波形整形得更像方波,并且将电流波形整形得像半正弦波,使得跨晶体管的电流和电压量减小,且输出晶体管中消耗的功率减少,同时提供期望的输出功率。
经常使用F类功率放大器,这是因为它可以具有较平坦的相对输出功率增益(gainversus output power)和很小的相对输出功率相移(phase shift versus outputpower),直到PA达到压缩点(compression point)为止。因而,F类放大器可用于线性PA。然而,这里的实施例可使用诸如但不限于E类、J类或逆F类的其他类的PA。而且,尽管可以包括多个谐波终端以对偶数谐波进行短路并且为奇数谐波提供开路阻抗,但是一般地,仅为二次和三次谐波提供谐波终端,这例如是因为其他谐波对所接收到的信号具有较小的影响,并且可以简化设计。然而,可以包括用于其他谐波的谐波终端电路。
通常,基频可由输出阻抗匹配网络或低通滤波器来处理。在其他情况下,可提供基频作为电路100的RF输出。
在一些实施例中,电路100还包括输出阻抗匹配网络112。在一些情况下,输出阻抗匹配网络112可包括动态输出阻抗匹配网络。例如,在一些实施例中,输出阻抗匹配网络112可包括在2014年09月30日提交的题为“AUTOMATIC IMPEDANCE MATCHING USING TRUEPOWER INFORMATION”的美国临时申请第62/057,451号中描述的各实施例中的一个或多个,将该申请通过整体引用而合并于此。替换地,输出阻抗匹配网络112可被低通滤波器代替。在一些情况下,电路100可包括输出阻抗匹配网络112和低通滤波器。
图2是分布式开关谐波终端电路200的一个示例的电路图。为了便于图示,图2、3和4省略了图1的附图标记102和对应的虚线框。然而应理解,晶体管级106和104是例如关于图1所图示的功率放大器102的一部分。
如图2所示,级间开关谐波终端110可包括电感器L0’和多个电容器C0’至Cn’。此外,级间开关谐波终端110可包括多个开关,其可用于将电容器C0’至Cn’中的一个或多个电连接到电感器L0’和输出级晶体管104的基极。尽管在电容器C0’与电感器L0’之间没有示出开关,但是应理解,可以存在这样的开关。类似地,尽管在级间开关谐波终端110与功率放大器之间没有图示开关,但是应理解,可以存在这样的开关。
如级间开关谐波终端110那样,输出级开关谐波终端108可包括电感器L0、多个电容器C0至Cn、以及诸如开关S1至Sn之类的一个或多个开关。开关S1至Sn可将电容器C0至Cn中的一个或多个电连接到电感器L0和输出级晶体管的集电极。尽管在电容器C0与电感器L0之间没有图示开关,但是应理解,可以存在这样的开关。类似地,尽管在输出级开关谐波终端108与功率放大器的输出级之间没有图示开关,但是应理解,可以存在这样的开关。开关可以是绝缘体上硅(SOI)开关。
有利地,在某些实施例中,通过在谐波终端电路108和110中包括开关电容器,可以针对特定频率带来优化谐波终端电路。此外,跨频率带更改谐波终端电路的能力使得先前原本包括例如八个PA或低频带和中频带操作的无线装置能够包括两个或一个PA。而且,包括可开关电容器使得能够基于制造商规格和/或与包括PA102的无线装置无线通信的特定通信网络来针对不同操作频率动态地调谐谐波终端电路。
注意,在一些现有的功率放大器设计中,不能针对谐波终端电路接入不同的阻抗,这是因为PA的输出阻抗与负载线路相比太低。有利地,在某些实施例中,在先前合并的临时申请(美国临时申请第62/116,448号、美国临时申请第62/116,449号、美国临时申请第62/116,450号、美国临时申请第62/116,451号、以及美国临时申请第62/116,452号)中描述的PA的更高输出阻抗使得能够使用开关谐波终端,由此使得PA能够支持多个类的操作和更宽的操作频带。
级间开关谐波终端110和输出级开关谐波终端108中的每个可从控制器(未示出)接收一个或多个控制信号。这些控制信号可用于控制谐波终端电路的开关的状态。有利地,在某些实施例中,更改谐波终端电路108和110的能力使得功率放大器能够用于多个频率带。此外,在某些实施例中,更改谐波终端电路108和110的能力使得功率放大器能够满足多个类的操作(例如,E类、J类、F类或逆F类等)。
示例的开关谐波终端——多个PA操作类
图3是支持多个功率放大器操作类的开关谐波终端电路的一个示例的电路图。在图3所示的示例中,电路300支持F类操作和逆F类操作两者。电路300包括谐波终端电路302和谐波终端电路304。
谐波终端电路302配置为支持功率放大器的F类操作。在某些实施例中,谐波终端电路302配置为处理功率放大器所接收到的RF输入信号的二次谐波2F0。随着功率放大器接收到的信号的频率发生改变,谐波频率也发生改变。可通过电连接或断开电容器C1至Cn中的一个或多个来更改谐波终端电路302,以调整用于所接收到的信号的二次谐波的谐波终端。此外,谐波电路302包括电感器L1,其与电容器C1至Cn串联以创建LC电路。
谐波终端电路304配置为支持功率放大器的逆F类操作。在某些实施例中,谐波终端电路304配置为处理功率放大器接收到的RF输入信号的三次谐波3F0。可通过电连接或断开电容器C1’至Cn’中的一个或多个来更改谐波终端电路304,以调整用于所接收到的信号的三次谐波的谐波终端。此外,谐波电路304包括电感器L1’,其与电容器C1’至Cn’串联以创建LC电路。
此外,电路300可包括附加电路系统(circuitry),其可被包括作为输出阻抗匹配网络112的一部分,或被单独地包括,以用于处理其他谐波。例如,在功率放大器操作为F类功率放大器的情况下,电路300可使用附加电路系统来处理RF输入信号的三次谐波。类似地,在功率放大器操作为逆F类功率放大器的情况下,电路300可使用附加电路系统来处理RF输入信号的二次谐波。
图4是具有共享电路元件的、支持多个功率放大器操作类的开关谐波终端电路的一个示例的电路图。在图4所示的示例中,与电路300类似,电路400支持F类操作和逆F类操作两者。电路400包括组合谐波终端电路402,其能够支持多个功率放大器操作类。在图4所示的具体示例中,组合谐波终端电路402包括支持F类操作的谐波终端电路404和支持逆F类操作的谐波终端电路406。
如图4所示,谐波终端电路404和406共享电感器L1。在一些实施方式中,谐波终端电路404和406可共享一个或多个电容器。有利地,在某些实施例中,通过谐波终端电路404和406共享一个或多个电路元件,与单独谐波终端电路相比,组合谐波终端电路402可更小且制造得更便宜。在一些情况下,对于支持多于两类操作的功率放大器而言,通过跨多个谐波终端电路共享电路元件所获得的优点可以倍增。
示例的F类操作开关谐波终端电路
图5是用于功率放大器的F类操作的开关谐波终端电路500的一个示例的电路图。开关谐波终端电路500包括谐波终端电路502和谐波终端电路504。谐波终端电路502可配置为对RF信号的二次谐波进行短路。与之相比,谐波终端电路504可配置为对RF信号的三次谐波呈现开路阻抗。
谐波终端电路502可利用电感器L1和由开关电容器C1表示的多个开关电容器来形成。电感器L1和开关电容器C1可串联地电连接。有利地,在某些实施例中,通过使用多个开关电容器,谐波终端电路502可被调谐为比静态谐波终端电路支持更大的带宽。
谐波终端电路504可包括电感器L2和由开关电容器C2表示的多个开关电容器。电感器L2和开关电容器C2可并联地电连接。有利地,在某些实施例中,通过使用多个开关电容器,谐波终端电路504可被调谐为比静态谐波终端电路支持更大的带宽。
随着接收信号的频率发生变化,谐波终端电路502和504的配置也可发生变化。此外,图5的功率放大器可支持多个通信频带。例如,如图5所示,开关506可用于将功率放大器电连接到可分别对应于通信频带A或通信频带B的负载线路1或负载线路2之一。
示例的逆F类操作开关谐波终端电路
图6是用于功率放大器的逆F类操作的开关谐波终端电路600的一个示例的电路图。在某些实施例中,PA 102可配置为用于较高频率。在一些这样的情况下,可能难以将PA102配置为F类放大器。因而,在某些实施例中,PA 102可配置为逆F类放大器。有利地,在某些实施例中,包括开关谐波终端电路600使得PA 102能够用作逆F类PA 102。此外,如关于图3和4所示的那样,利用这里描述的实施例,可以使用单个PA来提供F类和逆F类操作两者。因而,无线装置可利用一个PA而非两个PA来支持两类操作。
开关谐波终端电路600包括谐波终端电路602和谐波终端电路604。谐波终端电路602可配置为对RF信号的三次谐波进行短路。与之相比,谐波终端电路604配置为对RF信号的二次谐波呈现开路阻抗。换言之,开关谐波终端电路600可与开关谐波终端电路500相反地配置。此外,与图5类似,图6的功率放大器可支持多个通信频带。
谐波终端电路602可利用电感器L1和由开关电容器C1表示的多个开关电容器来形成。电感器L1和开关电容器C1可串联地电连接。谐波终端电路604可包括电感器L2和由开关电容器C2表示的多个开关电容器。电感器L2和开关电容器C2可并联地电连接。有利地,如电路502和504那样,在某些实施例中,通过使用多个开关电容器,谐波终端电路602和604可被调谐为比静态谐波终端电路支持更大的带宽。
示例的E类操作开关谐波终端电路
图7是用于功率放大器的E类操作的开关谐波终端电路700的一个示例的电路图。开关谐波终端电路700包括谐波终端电路702和谐波终端电路704。谐波终端电路702可与谐波终端电路502或602之一相似地配置。类似地,谐波终端电路704可与谐波终端电路504或604之一相似地配置。另外,谐波终端电路702和704每个可分别包括开关S1和S2,其分别在电气上位于功率放大器104的集电极与开关电容器C1和C2之间。如图7所示,当开关S1闭合且开关S2断开时,图7所示的设计可用于支持E类功率放大器。
在某些实施例中,电路700还可支持功率放大器的F类或逆F类操作中的一个或多个。开关S1和S2可基于从控制器(未示出)接收到的控制信号而断开或闭合。通过断开S1且闭合S2,谐波终端电路702和704可如图6和7关于其中图示的谐波终端电路所示的那样进行配置。因而,通过更改开关S1和S2的配置,功率放大器可切换为作为F类或逆F类功率放大器进行操作。此外,类似于图5和6,图7的功率放大器可支持多个通信频带,如通过包括开关506以及负载线路1和2所图示的那样。
示例的功率放大器模块
图8是可包括多频带功率放大器102的功率放大器模块800的一个示例的框图。功率放大器模块800可包括多个元件。这些元件例如可包括功率放大器102和控制器806。这些功率放大器模块元件中的每个可实现在相同的电路晶片(die)上。替换地,功率放大器模块800的各元件中的至少一些可以实现在不同的电路晶片上。有利地,通过将元件实施在不同的电路晶片上,可以针对功率放大器模块800的不同电路元件使用不同的半导体技术。例如,PA 102可使用砷化镓(GaAs)技术来实施,而控制器806可使用硅(Si)来实施。
功率放大器102可包括偏置电路802,其可对功率放大器102的一个或多个级进行偏置。对功率放大器102的一个或多个级进行偏置可包括将偏置电流施加到功率放大器102的晶体管。
此外,功率放大器模块800可包括一个或多个可编程谐波终端电路804。例如,可编程谐波终端电路804可包括开关谐波终端电路108、110、302、304、402、404、406、502、504、602、604、702或704中的一个或多个。可编程谐波终端电路804的选择和/或所选择的可编程谐波终端电路804的配置可由控制器806执行。
控制器806可包括可编程谐波终端电路控制器814、PA偏置控制器810和PA类控制器812。PA偏置控制器810可包括用于选择偏置电路802和/或用于控制由偏置电路802提供的偏置电流的控制器。PA偏置控制器810可通过更改偏置电路802来设置PA 102的操作点。
PA类控制器812可包括用于选择功率放大器102的操作类的控制器。此外,PA类控制器812可基于功率放大器102的类的选择来选择一个或多个可编程谐波终端电路804以电连接到功率放大器102。例如,如果功率放大器102将要操作为F类功率放大器,则PA类控制器812可选择可编程谐波终端电路502和504作为将要与功率放大器102电连通的可编程谐波终端电路804。
可编程谐波终端电路控制器814可包括用于配置可编程谐波终端电路804的控制器。配置可编程谐波终端电路804可包括断开或闭合可编程谐波终端电路804的一个或多个开关,从而将可编程谐波终端电路804的一个或多个电容器电连接到功率放大器102。例如,假设可编程谐波终端电路804包括组合谐波终端电路402,那么开关S1至Sn中的一个或多个和/或开关S1’至Sn’中的一个或多个可由可编程谐波终端电路控制器814配置。
在一些实施例中,由控制器806中的一个或多个控制器提供的控制信号可由功率放大器模块800的制造商和/或包括功率放大器模块800的无线装置的制造商来确定。例如,制造商设计在特定频率带内包括功率放大器模块800功能和/或使用特定类的功率放大器的无线装置,制造商可将一个或多个控制编程到无线装置的存储器中。控制器806可访问无线装置的存储器以确定用于功率放大器102、偏置电路802和/或可编程谐波终端电路804的一个或多个控制信号。
替换地或附加地,控制器806可至少部分地基于无线装置的操作环境来确定控制信号。此外,在一些情况下,控制器806可至少部分地基于与包括功率放大器模块800的无线装置通信的基站的控制和/或请求来确定控制信号。
示例无线装置
图9是可包括图8的功率放大器模块800的无线装置900的一个示例的框图。尽管无线装置900图示了仅一个功率放大器模块(PAM),但是在一些情况下,无线装置900可包括多个PAM,每个PAM可以具有或可以不具有与PAM 800相同的配置。然而,本申请的实施例使得无线装置能够使用一个功率放大器102来支持多个放大器类的操作以及多个通信频带和技术。因而,尽管一些无线装置900可包括多个PAM 800,但是在某些实施例中,无线装置900可包括单个PAM 800,同时支持多个通信标准(诸如,2G、3G、4G和4G LTE等)。而且应理解,无线装置900只是无线装置的一个非限制性示例,无线装置900的其他实施例也是可行的。
在一些实施例中,功率放大器模块800可被包括作为更大的功率放大系统930的一部分,功率放大系统930可以是片上系统(SoC或SOC)。该功率放大系统930可以是发射机的一部分。如图9所示,无线装置900可包括单独的收发机904,其与功率放大系统930电通信。然而,在另一些实施例中,功率放大系统930可以是收发机904的一部分。在一些实施方式中,功率放大系统930可以是前端模块(FEM)的一部分。
功率放大系统930可包括多个开关。例如,功率放大系统930可包括天线开关916,其用于跨一个或多个频率带从天线902A发射或接收信号。此外,功率放大系统930可包括开关912,其用于基于一个或多个所支持的通信频带来选择不同的负载线路。另外,开关912和916可用于从多个双工器914A、914B、914C和914D(其可以统称为双工器914)中进行选择。双工器914使得能够进行与天线902A的双向通信。
在一些情况下,PAM 800可以从收发机904接收RF信号,收发机904可按照已知方式进行配置和操作,以生成待放大和发射的RF信号,并且处理所接收到的信号。在一些实施方式中,PAM 800被包括作为发射机的一部分,发射机可包括在收发机904中。在一些这样的情况下,PAM 800可以处理用于发射的信号,而不处理接收信号。在另一些实施方式中,PAM800可以处理接收信号和例如要发射到基站的信号两者。
收发机904可以与基带子系统906进行交互,基带子系统906配置为提供适于由一个或多个用户接口元件进行处理的数据和/或话音信号与适于由收发机904进行处理的RF信号之间的转换。收发机904还可以电连接到功率管理部件922,功率管理部件922配置为管理用于无线装置的操作的功率。这种功率管理还可以控制基带子系统906和PAM 800以及其他部件的操作。此外,功率管理部件922可以向开关模式升压转换器(switch mode boostconverter)(未示出)提供供电电压,开关模式升压转换器可在向PA 102提供电压之前升高电压。还应理解,功率管理部件922可包括诸如电池之类的电源。替换地或附加地,一个或多个电池可以是无线装置900内的单独部件。
无线装置900的各个部件之间的多个连接是可能的,并且被从图9中省略,以仅用于图示清楚和不限制本申请。例如,功率管理部件922可以电连接到基带子系统906、PAM800、DSP 924或其他部件926。作为第二示例,基带子系统906可以连接到用户接口处理器908,其可以促进向用户提供的和/或从用户接收的话音和/或数据的输入和输出。
基带子系统906还可以连接到存储器910,存储器910可配置为存储数据和/或指令以促成无线装置900的操作,和/或向用户提供信息的存储。此外,在一些实施例中,存储器910可以包括平均功率跟踪(APT)表或其他数据结构。APT表可以识别与可以由基站识别的目标功率水平对应的用于PA 102的目标电压电平。例如,一旦从基站接收到目标功率水平,无线装置就可访问APT表以确定对应的目标电压电平。该目标电压电平可用于设置PA 102的操作点。此外,APT表可包括基于PA 102的操作类和/或期望的通信频带的不同目标电压电平。
在一些实施例中,呼叫处理器918可与基站进行通信。该呼叫处理器918可以解释来自基站的命令,并且可以基于从基站接收到的命令来访问APT表。此外,呼叫处理器918可指示PAM 800调整PA 102的操作点。而且,呼叫处理器918可指示控制器806将PA 102配置为以诸如E类、J类、F类、或逆F类等之类的特定类来进行操作。对PA 102的操作进行配置可包括配置可编程谐波终端电路804。另外,呼叫处理器918可指示控制器806将PA 102配置为处理特定频率带内的信号。
除了前述部件之外,无线装置900还可包括一个或多个中央处理器920。每个中央处理器920可包括一个或多个处理器内核。此外,无线装置900可包括一个或多个天线902A、902B。在一些情况下,无线装置400中的一个或多个天线可配置为以不同频率或在不同频率范围内进行发射和/或接收。此外,一个或多个天线可配置为工作于不同的无线网络。因而,例如,天线902A可配置为在2G网络上发射和接收信号,天线902B可配置为在3G或4G LTE网络上发射和接收信号。在一些情况下,天线902A和902B可两者都配置为例如在2.5G网络上但是以不同的频率来发射和接收信号。
在一些实施方式中,每个天线可以与PAM 800和/或功率放大系统930进行电通信。替换地或附加地,每个天线可与不同的PAM或功率放大系统相关联或电通信。因而,虽然天线902A与功率放大系统930电通信,但是天线902B可与另一功率放大系统(未示出)电通信。而且,在某些实施例中,天线902A可以是主天线(primary antenna),天线902B可以是分集天线,或反之亦可。
多个其他的无线装置配置可以利用这里描述的一个或多个特征。例如,无线装置不必是多频带装置。在另一示例中,无线装置可包括诸如分集天线之类的附加天线、以及诸如Wi-Fi、蓝牙和GPS之类的附加连接特征。此外,无线装置900可包括任何数目的附加部件926,诸如模数转换器、数模转换器、图形处理单元、固态驱动器等。而且,无线装置900可包括可以在一个或多个无线网络上通信并且可以包括PA 102和/或PAM 800的任何类型的装置。例如,无线装置900可以是包括智能电话或非智能电话(dumbphone)的蜂窝电话、平板电脑、膝上型计算机、视频游戏装置、智能设备等。
示例的功率放大器类选择处理
图10是功率放大器类选择处理1000的一个示例的流程图。应理解,处理1000是用于选择和/或配置诸如功率放大器102之类的功率放大器的操作类的处理的一个示例。用于选择和/或配置功率放大器的操作类的其他处理也是可行的。例如,处理1000的操作可按照不同的顺序来执行或基本上并行地执行。因而,关于处理1000描述的操作的顺序是为了便于描述,而非限制处理1000。而且应理解,包括各种硬件、软件、固件、或其组合的各种系统可实施处理1000的至少某些部分。例如,处理1000可至少部分地由控制器806、可编程谐波终端电路控制器814、PA偏置控制器810、PA类控制器812、上述的各种组合等来执行。为了简化论述而非限制本申请,将关于特定系统来描述处理1000。
在块1002中,例如在PA类控制器812接收PA类控制信号时,处理1000可以开始。PA类控制信号可从呼叫处理器918接收和/或可从存储器910访问获得。替换地,PA类控制器812可至少部分地基于从存储器910访问的、从呼叫处理器918接收的、或从基站接收的信息或配置数据来生成PA类控制信号。在一些情况下,PA类控制信号可包括由无线装置900的制造商提供的和/或来自基站的配置信息。
在块1004中,PA类控制器812至少部分地基于在块1002中接收到的PA类控制信号来识别PA类。在块1006中,PA类控制器812将与在块1004中识别出的PA类相关联的二次谐波陷波滤波器连接到功率放大器102的输出级104。在一些实施方式中,二次谐波陷波滤波器可以是多个二次谐波陷波滤波器之一。多个二次谐波陷波滤波器中的至少一些可与功率放大器102的不同操作类相关联。例如,一个二次谐波陷波滤波器可与F类功率放大器相关联,另一个二次谐波陷波滤波器可与逆F类功率放大器相关联。
在块1008中,PA类控制器812将其余的二次谐波陷波滤波器与功率放大器102的输出级104断开。在一些实施例中,块1008可以是可选的或被省略。例如,在其余的谐波陷波滤波器已经与功率放大器102断开的情况下,块1008被省略。
在块1010中,PA类控制器812将与在块1004中识别出的PA类相关联的三次谐波陷波滤波器连接到功率放大器102的输出级104。在一些实施方式中,三次谐波陷波滤波器可以是多个三次谐波陷波滤波器之一。多个三次谐波陷波滤波器中的至少一些可与功率放大器102的不同操作类相关联。例如,一个三次谐波陷波滤波器可与F类功率放大器相关联,另一个三次谐波陷波滤波器可与E类功率放大器相关联。
在块1012中,PA类控制器812将其余的三次谐波陷波滤波器与功率放大器102的输出级104断开。在一些实施例中,块1012可以是可选的或被省略。例如,在其余的谐波陷波滤波器已经与功率放大器102断开的情况下,块1012被省略。
在块1006和1010中连接的谐波陷波滤波器的功能可取决于功率放大器102的类的类型。在一些情况下,在块1006中连接的二次谐波陷波滤波器可对于二次谐波频率或2F0频率呈现短路。此外,在一些这样的情况下,在块1010中连接的三次谐波陷波滤波器可对于三次谐波频率或3F0频率呈现开路阻抗。例如,如图5所示,F类放大器可包括这样的配置。在其他情况下,在块1006中连接的二次谐波陷波滤波器可对于二次谐波频率或2F0频率呈现开路阻抗。此外,在一些这样的情况下,在块1010中连接的三次谐波陷波器可对于三次谐波频率或3F0频率呈现短路。例如,如图5所示,逆F类放大器可包括这样的配置。
在某些实施例中,谐波陷波滤波器可连接到功率放大器102的输出级104,以用于接收信号的附加谐波,诸如四次谐波、五次谐波等。然而,在另一些情况下,谐波陷波滤波器仅用于接收信号的二次谐波或三次谐波。
在一些实施方式中,可包括附加的谐波陷波滤波器作为级间开关谐波终端110。如例如图1所示,附加的级间开关谐波终端110可与输出晶体管104的基极电连通。通常,不包括级间谐波陷波滤波器来作为功率放大器102的附加级的一部分,这是因为一般来说,接收信号的增益太小,以致于基本上无法受益于在功率放大器102较前级处包括级间谐波陷波滤波器。然而,在某些实施例中,可以包括附加的级间谐波陷波滤波器作为功率放大器102的一部分。例如,在三级功率放大器中,可以在输出级之前和倒数第二个晶体管级之前包括级间谐波陷波滤波器。
在块1014中,可编程谐波终端电路控制器814识别用于该功率放大器类的操作频率。可编程谐波终端电路控制器814可通过访问存储器910中的用于控制的制造商程序来确定操作频率。通常,特定PA类的操作频率是静态的,并且是基于无线装置900的制造商规格的。然而,在一些情况下,操作频率可以是动态的。例如,在一些情况下,操作频率可基于与基站的距离和/或来自基站的命令而不同。
在块1016中,可编程谐波终端电路控制器814至少部分地基于在块1014中识别的操作频率来配置二次谐波陷波滤波器的一个或多个开关。通过配置二次谐波陷波滤波器的一个或多个开关,谐波陷波滤波器的一个或多个电容器可电连接到功率放大器102的输出级104的集电极。此外,在一些情况下,二次谐波级间谐波陷波滤波器的一个或多个电容器可电连接到功率放大器102的输出级104的基极。
在块1018中,可编程谐波终端电路控制器814至少部分地基于在块1014中识别的操作频率来配置三次谐波陷波滤波器的一个或多个开关。通过配置三次谐波陷波滤波器的一个或多个开关,谐波陷波滤波器的一个或多个电容器可电连接到功率放大器102的输出级104的集电极。此外,在一些情况下,三次谐波级间谐波陷波滤波器的一个或多个电容器可电连接到功率放大器102的输出级104的基极。
在块1020中,控制器806至少部分地基于PA类和基本操作频率来更改输出阻抗匹配网络112。基本操作频率可对应于谐波陷波滤波器处理的谐波频率。在一些情况下,PA102是高阻抗功率放大器。因而,在一些情况下,与其他功率放大器设计相比,需要更小的阻抗变换器。而且,在一些情况下,阻抗变换器不是必需的。因而,在一些情况下,输出阻抗匹配网络112可被省略。因此,在一些情况下,块1020可以是可选的或被省略。在一些这样的情况下,功率放大器102可电连接到低通滤波器。
在某些实施例中,处理1000可用于更改PA 102的操作类和PA 102的操作频率中的一个或多个。因而,在某些实施例中,这里描述的实施例使得能够实现无线装置900和PA102的动态操作。经常地,PA 102的操作类和操作频率在特定呼叫期间或在与基站的特定通信时隙期间将是静态的。然而,在一些情况下,PA 102可在呼叫期间被重新配置。例如,在基站之间的切换期间,PA 102可重新配置以支持不同的类和/或频率。
术语
除非上下文清楚地另有要求,否则贯穿说明书和权利要求书,要按照与排他性或穷尽性的意义相反的包括性的意义,也就是说,按照“包括但不限于”的意义来阐释术语“包括(comprise)”、“包含(comprising)”等。术语“耦接”用于指代两个元件之间的连接,该术语是指可以直接地连接、或者借助于一个或多个中间元件来连接的两个或更多元件。另外,当在本申请中使用时,术语“在这里”、“上面”、“下面”和相似含义的术语应该是指作为整体的本申请,而不是本申请的任何具体部分。在上下文允许时,使用单数或复数的以上详细描述中的术语也可以分别包括复数或单数。提及两个或更多项目的列表时的术语“或”,这个术语涵盖该术语的以下解释中的全部:列表中的任何项目、列表中的所有项目、和列表中项目的任何组合。
本发明实施例的以上详细描述不意欲是穷尽性的,或是将本发明限于上面所公开的精确形式。尽管上面出于说明的目的描述了本发明的具体实施例和用于本发明的示例,但是如本领域技术人员将认识到的,在本发明范围内的各种等效修改是可能的。例如,尽管按照给定顺序呈现了处理或块,但是替换的实施例可以执行具有不同顺序的步骤的处理,或采用具有不同顺序的块的系统,并且一些处理或块可以被删除、移动、添加、减去、组合和/或修改。可以按照各种不同的方式来实现这些处理或块中的每一个。同样地,尽管有时将处理或块示出为串行地执行,但是相反地,这些处理或块也可以并行地执行,或者可以在不同时间进行执行。
可以将在这里提供的本发明的教导应用于其他系统,而不必是上述的系统。可以对上述的各个实施例的元素和动作进行组合,以提供进一步的实施例。
除非另有具体说明,或者在如所使用的上下文中另有理解,否则在这里使用的条件语言,除了别的以外诸如“可以”、“可能”、“会”、“例如”等,一般意欲表明某些实施例包括、而另一些实施例不包括某些特征、元素和/或状态。因而,这样的条件语言一般无意暗示特征、元素和/或状态是以任何方式而为一个或多个实施例所必需的,或者暗示一个或多个实施例一定包括用于在有或没有设计者输入或提示的情况下判断在任何特定实施例中是否包括或将要执行这些特征、元素和/或特征的逻辑。
除非另有具体说明,或者在如所使用的上下文中另有理解,否则诸如短语“X、Y或Z中的至少一个”之类的析取语言(disjunctive language)一般用于呈现一项目、条目等可以是X、Y或Z,或者其任意组合(例如,X、Y和/或Z)。因而,这种析取语言一般并非意欲并且不应该暗示某些实施例需要呈现X的至少一个、Y的至少一个、或Z的至少一个的每一个。
除非另有明确说明,否则诸如“一”或“一个”之类的冠词一般应该解释为包括一个或多个所描述的项目。相应地,诸如“一种装置,被配置为”之类的短语意欲包括哟个或多个所列举的装置。这种一个或多个所列举的装置也可以被共同地配置为执行所说明的叙述(recitation)。例如,“一种处理器,被配置为执行叙述A、B和C”可以包括被配置为执行叙述A的第一处理器,其被配置为执行叙述B和C的第二处理器结合地工作。
尽管已经描述了本发明的某些实施例,但是已经仅仅借助于示例呈现了这些实施例,并且所述实施例不意欲限制本申请的范围。其实,可以按照多种其他形式来实施在这里描述的新颖方法和系统;此外,可以做出在这里描述的方法和系统的形式上的各种省略、替换和改变,而没有脱离本申请的精神。附图和它们的等效物意欲涵盖如将落入本申请的范围和精神内的这种形式或修改。

Claims (27)

1.一种功率放大器模块,包括:
功率放大器,包括第一级和第二级,所述功率放大器配置为接收信号;
第一可编程谐波终端电路,位于所述功率放大器的第一级和第二级之间,所述第一可编程谐波终端电路包括第一多个电容器和第一多个开关,所述第一多个电容器中的至少一个与所述第一多个开关中的至少一个电连通;以及控制器,配置为至少部分地基于所述信号的二次谐波频率来更改所述第一可编程谐波终端电路的所述第一多个开关的配置。
2.根据权利要求1所述的功率放大器模块,还包括与所述功率放大器的输出级电连通的第二可编程谐波终端电路,所述第二可编程谐波终端电路包括第二多个电容器和第二多个开关。
3.根据权利要求2所述的功率放大器模块,其中,所述第二多个电容器中的至少一个与所述第二多个开关中的至少一个电连通,所述控制器还配置为至少部分地基于所述信号的三次谐波频率来更改所述第二可编程谐波终端电路的所述第二多个开关的配置。
4.根据权利要求3所述的功率放大器模块,其中,响应于与F类操作相关联的控制信号,所述控制器还配置为更改所述第一可编程谐波终端电路的所述第一多个开关的配置以对所述信号的二次谐波频率进行短路,并且更改所述第二可编程谐波终端电路的所述第二多个开关的配置以对所述信号的三次谐波频率呈现开路阻抗。
5.根据权利要求3所述的功率放大器模块,其中,响应于与逆F类操作相关联的控制信号,所述控制器还配置为更改所述第一可编程谐波终端电路的所述第一多个开关的配置以对所述信号的二次谐波频率呈现开路阻抗,并且更改所述第二可编程谐波终端电路的所述第二多个开关的配置以对所述信号的三次谐波频率进行短路。
6.根据权利要求1所述的功率放大器模块,其中,所述控制器还配置为至少部分地基于所述功率放大器的所选择的操作类来更改所述第一可编程谐波终端电路的所述第一多个开关的配置。
7.根据权利要求1所述的功率放大器模块,其中,所述功率放大器支持多种配置。
8.根据权利要求5所述的功率放大器模块,其中,所述功率放大器支持以下配置中的至少两种:F类配置、逆F类配置、E类配置、或J类配置。
9.根据权利要求2所述的功率放大器模块,还包括与所述功率放大器的输出级电连通的输出阻抗匹配网络。
10.根据权利要求2所述的功率放大器模块,还包括与所述功率放大器的输出级电连通的低通滤波器。
11.根据权利要求2所述的功率放大器模块,其中,所述功率放大器模块不包括与所述功率放大器的输出级电连通的输出阻抗匹配网络。
12.一种无线装置,包括:
多条负载线路,所述负载线路中的至少一些对应于不同的通信频率带;
开关网络,配置为将来自所述多条负载线路中的一负载线路电连接到功率放大器,所述功率放大器包括第一级和第二级;以及
功率放大器模块,包括所述功率放大器、位于所述功率放大器的第一级和第二级之间的第一可编程谐波终端电路、以及控制器,所述功率放大器配置为接收信号,所述第一可编程谐波终端电路包括第一多个电容器和第一多个开关,所述第一多个电容器中的至少一个与所述第一多个开关中的至少一个电连通,所述控制器配置为至少部分地基于所述信号的二次谐波频率来更改所述第一可编程谐波终端电路的所述第一多个开关的配置。
13.根据权利要求12所述的无线装置,其中,所述功率放大器模块还包括与所述功率放大器的输出级电连通的第二可编程谐波终端电路,所述第二可编程谐波终端电路包括第二多个电容器和第二多个开关。
14.根据权利要求13所述的无线装置,其中,所述第二多个电容器中的至少一个与所述第二多个开关中的至少一个电连通,所述控制器还配置为至少部分地基于所述信号的三次谐波频率来更改所述第二可编程谐波终端电路的所述第二多个开关的配置。
15.根据权利要求12所述的无线装置,其中,所述功率放大器支持多个操作类。
16.一种功率放大器模块,包括:
多级功率放大器,至少包括第一级和第二级,所述多级功率放大器配置为接收信号;
级间可编程谐波终端电路,位于所述第一级与所述第二级之间,所述级间可编程谐波终端电路包括多个电容器和多个开关,所述多个电容器中的至少一个与所述多个开关中的至少一个电连通;以及
控制器,配置为至少部分地基于所述信号的谐波频率来更改所述级间可编程谐波终端电路的所述多个开关的配置。
17.根据权利要求16所述的功率放大器模块,其中,所述第二级是所述功率放大器的输出级。
18.根据权利要求16所述的功率放大器模块,其中,所述信号的谐波频率是二次谐波频率或三次谐波频率之一。
19.根据权利要求18所述的功率放大器模块,其中,所述控制器还配置为至少部分地基于所述多级功率放大器的特定操作类来更改所述多个开关的关于所述二次谐波频率或所述三次谐波频率之一的配置。
20.根据权利要求19所述的功率放大器模块,其中,所述多级功率放大器的特定操作类对应于来自所述多级功率放大器支持的多个通信频率带中的一通信频率带。
21.根据权利要求16所述的功率放大器模块,还包括位于所述第二级之后并且与所述第二级电连通的输出级可编程谐波终端电路。
22.根据权利要求21所述的功率放大器模块,其中,所述输出级可编程谐波终端电路支持所述多级功率放大器的多个操作类。
23.一种无线装置,包括:
多条负载线路,所述负载线路中的至少一些对应于不同的通信频率带;
开关网络,配置为将来自所述多条负载线路中的一负载线路电连接到多级功率放大器;以及
功率放大器模块,包括所述多级功率放大器、级间可编程谐波终端电路、以及控制器,所述多级功率放大器至少包括第一级和第二级,并且配置为接收信号,所述级间可编程谐波终端电路位于所述第一级与所述第二级之间并且包括多个电容器和多个开关,所述多个电容器中的至少一个与所述多个开关中的至少一个电连通,所述控制器配置为至少部分地基于所述信号的谐波频率来更改所述级间可编程谐波终端电路的所述多个开关的配置。
24.根据权利要求23所述的无线装置,其中,所述第二级是所述多级功率放大器的输出级。
25.根据权利要求23所述的无线装置,其中,所述信号的谐波频率是二次谐波频率或三次谐波频率之一。
26.根据权利要求25所述的无线装置,其中,所述控制器还配置为至少部分地基于所述多级功率放大器的特定操作类来更改所述多个开关的关于所述二次谐波频率或所述三次谐波频率之一的配置。
27.根据权利要求23所述的无线装置,其中,所述功率放大器模块还包括与所述第二级的输出电连通的可编程谐波终端电路。
CN201610196053.4A 2015-03-31 2016-03-31 多频带功率放大器 Active CN106026949B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810914581.8A CN109104159B (zh) 2015-03-31 2016-03-31 多频带功率放大器

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562140925P 2015-03-31 2015-03-31
US62/140,925 2015-03-31

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810914581.8A Division CN109104159B (zh) 2015-03-31 2016-03-31 多频带功率放大器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106026949A CN106026949A (zh) 2016-10-12
CN106026949B true CN106026949B (zh) 2018-07-31

Family

ID=56937694

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610196053.4A Active CN106026949B (zh) 2015-03-31 2016-03-31 多频带功率放大器
CN201810914581.8A Active CN109104159B (zh) 2015-03-31 2016-03-31 多频带功率放大器

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810914581.8A Active CN109104159B (zh) 2015-03-31 2016-03-31 多频带功率放大器

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9882587B2 (zh)
JP (1) JP6336504B2 (zh)
KR (1) KR101800539B1 (zh)
CN (2) CN106026949B (zh)
DE (1) DE102016205264A1 (zh)
TW (1) TWI620411B (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9419568B2 (en) * 2013-06-03 2016-08-16 Skyworks Solutions, Inc. Circuits and methods related to power amplifier efficiency based on multi-harmonic approximation
JP6336504B2 (ja) * 2015-03-31 2018-06-06 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 多重帯域電力増幅器
US10122403B2 (en) 2016-01-12 2018-11-06 Fractus Antennas, S.L. Wireless device
US10103754B2 (en) * 2016-07-17 2018-10-16 Skyworks Solutions, Inc. Architectures and methods related to transmit signal routing with re-use of filters
US10418994B1 (en) * 2017-07-12 2019-09-17 Xilinx, Inc. Circuit for and method of extending the bandwidth of a termination block
CN109286380A (zh) * 2017-07-21 2019-01-29 成都华为技术有限公司 功率放大器
CN107634766A (zh) * 2017-08-25 2018-01-26 广东欧珀移动通信有限公司 射频电路、天线装置及电子设备
CN107528548A (zh) * 2017-08-29 2017-12-29 清华大学 基于多阻抗零点互调匹配网络的宽带多频功率放大器
JP2019079872A (ja) 2017-10-23 2019-05-23 株式会社村田製作所 半導体装置
CN108233886A (zh) * 2018-03-12 2018-06-29 锐石创芯(深圳)科技有限公司 宽频阻抗匹配模块及包含其的装置
WO2019179304A1 (en) * 2018-03-20 2019-09-26 Huawei Technologies Co., Ltd. Tunable filter
US10587226B2 (en) * 2018-03-20 2020-03-10 Nxp Usa, Inc. Amplifier device with harmonic termination circuit
CN108462500A (zh) * 2018-03-28 2018-08-28 努比亚技术有限公司 一种降低辐射杂散的方法、装置、终端及可读存储介质
CN108923755B (zh) * 2018-06-12 2022-01-28 合肥工业大学 一种带减压负载电路的小直流馈电电感e类功率放大器
CN109286376A (zh) * 2018-10-18 2019-01-29 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种基于二次谐波控制的高效率双频j类堆叠功率放大器
JP2020072447A (ja) 2018-11-02 2020-05-07 株式会社村田製作所 電力増幅回路
CN109450388A (zh) * 2018-12-26 2019-03-08 东莞理工学院 改善谐波性能的宽带匹配电路及功率放大器
CN109787571B (zh) * 2019-01-23 2020-09-25 曹秀妹 一种可切换工作频率的双模式功率放大器
US10965330B2 (en) 2019-02-13 2021-03-30 University Of Utah Research Foundation Apparatuses and methods for tunable digital power amplifiers
CN110224707A (zh) * 2019-05-31 2019-09-10 惠州Tcl移动通信有限公司 一种band14信号的抑制电路和智能终端设备
CN210836533U (zh) * 2019-08-20 2020-06-23 王燕 无线接收电路和无线控制设备
WO2021206176A1 (ja) 2020-04-10 2021-10-14 株式会社村田製作所 電力増幅装置
US11671122B2 (en) 2020-08-26 2023-06-06 Skyworks Solutions, Inc. Filter reuse in radio frequency front-ends
US11601144B2 (en) 2020-08-26 2023-03-07 Skyworks Solutions, Inc. Broadband architectures for radio frequency front-ends
CN112564645B (zh) * 2021-02-18 2021-05-28 广州慧智微电子有限公司 一种多频低噪声放大器
TWI795768B (zh) * 2021-05-06 2023-03-11 立積電子股份有限公司 具有諧波濾波電路的功率放大器
KR20230040667A (ko) * 2021-09-16 2023-03-23 삼성전자주식회사 전력 관리 집적 회로를 포함하는 전자 장치 및 그 운용 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1282142A (zh) * 1999-07-26 2001-01-31 恩尼技术公司 并联高压金属氧化物半导体场效应晶体管高功率稳态放大器
US6232841B1 (en) * 1999-07-01 2001-05-15 Rockwell Science Center, Llc Integrated tunable high efficiency power amplifier
CN1295409A (zh) * 2000-11-24 2001-05-16 大连大显集团有限公司 用于双向有线电视网电缆调制解调器的下行接收电路和上行调制电路
CN1479969A (zh) * 2000-10-10 2004-03-03 ���������Ǽ���Э�� E/f类开关功率放大器
CN101465622A (zh) * 2007-12-18 2009-06-24 北京东微世纪科技有限公司 D类音频功率放大器
CN102844982A (zh) * 2010-03-30 2012-12-26 德克萨斯仪器股份有限公司 单电源d类放大器

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5229732A (en) 1990-01-16 1993-07-20 Fujitsu Limited High frequency amplifier having stable amplification operation
US5095285A (en) 1990-08-31 1992-03-10 Texas Instruments Incorporated Monolithically realizable harmonic trapping circuit
US5592122A (en) 1994-05-19 1997-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Radio-frequency power amplifier with input impedance matching circuit based on harmonic wave
JP2994231B2 (ja) 1995-06-30 1999-12-27 日本電気株式会社 半導体装置
US6236274B1 (en) 2000-01-04 2001-05-22 Industrial Technology Research Institute Second harmonic terminations for high efficiency radio frequency dual-band power amplifier
US6803817B2 (en) * 2003-02-12 2004-10-12 M/A-Com, Inc. Dual band power amplifier with improved isolation
US6954623B2 (en) * 2003-03-18 2005-10-11 Skyworks Solutions, Inc. Load variation tolerant radio frequency (RF) amplifier
US7379714B2 (en) * 2004-04-02 2008-05-27 Interdigital Technology Corporation Method and apparatus for dynamically adjusting a transmitter's impedance
JP2008516511A (ja) 2004-10-08 2008-05-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Mosトランジスタによってスイッチングされるキャパシタのアレイ
WO2008007330A2 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Nxp B.V. Load-line adaptation
EP3958468B1 (en) * 2008-02-28 2024-01-31 pSemi Corporation Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device
JP5091773B2 (ja) * 2008-06-11 2012-12-05 株式会社東芝 増幅器及び増幅器モジュール
US8149050B2 (en) 2009-11-13 2012-04-03 Qualcomm, Incorporated Cascaded amplifiers with transformer-based bypass mode
JP2011166363A (ja) 2010-02-08 2011-08-25 Mitsubishi Electric Corp 広帯域高出力増幅器
CN101888213A (zh) * 2010-04-30 2010-11-17 苏州英诺迅科技有限公司 线性度和效率提高的推挽式射频功率放大器
US8611834B2 (en) 2010-11-01 2013-12-17 Cree, Inc. Matching network for transmission circuitry
US8461931B1 (en) 2010-11-01 2013-06-11 Anadigics, Inc. Wideband RF power amplifier for multi-mode multi-band applications
KR101899509B1 (ko) 2011-11-11 2018-09-20 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 높은 전력 부가 효율을 갖는 플립칩 선형 전력 증폭기
CN103178790B (zh) 2011-12-26 2018-02-06 Qorvo美国公司 多模射频放大装置
US8803615B2 (en) * 2012-01-23 2014-08-12 Qualcomm Incorporated Impedance matching circuit with tunable notch filters for power amplifier
US8666339B2 (en) * 2012-03-29 2014-03-04 Triquint Semiconductor, Inc. Radio frequency power amplifier with low dynamic error vector magnitude
WO2014029413A1 (en) * 2012-08-20 2014-02-27 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Device for frequency tripling
US9602063B2 (en) * 2013-03-12 2017-03-21 Peregrine Semiconductor Corporation Variable impedance match and variable harmonic terminations for different modes and frequency bands
US9419568B2 (en) * 2013-06-03 2016-08-16 Skyworks Solutions, Inc. Circuits and methods related to power amplifier efficiency based on multi-harmonic approximation
JP6336504B2 (ja) * 2015-03-31 2018-06-06 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 多重帯域電力増幅器
US10277062B2 (en) * 2015-07-30 2019-04-30 Qualcomm Incorporated System and method for detecting and characterizing an object for wireless charging
EP3349354B1 (en) * 2017-01-16 2020-04-29 MediaTek Inc. Class-f power amplifier matching network

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6232841B1 (en) * 1999-07-01 2001-05-15 Rockwell Science Center, Llc Integrated tunable high efficiency power amplifier
CN1282142A (zh) * 1999-07-26 2001-01-31 恩尼技术公司 并联高压金属氧化物半导体场效应晶体管高功率稳态放大器
CN1479969A (zh) * 2000-10-10 2004-03-03 ���������Ǽ���Э�� E/f类开关功率放大器
CN1295409A (zh) * 2000-11-24 2001-05-16 大连大显集团有限公司 用于双向有线电视网电缆调制解调器的下行接收电路和上行调制电路
CN101465622A (zh) * 2007-12-18 2009-06-24 北京东微世纪科技有限公司 D类音频功率放大器
CN102844982A (zh) * 2010-03-30 2012-12-26 德克萨斯仪器股份有限公司 单电源d类放大器

Also Published As

Publication number Publication date
TW201642584A (zh) 2016-12-01
US10355724B2 (en) 2019-07-16
DE102016205264A1 (de) 2016-10-06
US20160294333A1 (en) 2016-10-06
US20200162115A1 (en) 2020-05-21
US20180227000A1 (en) 2018-08-09
CN106026949A (zh) 2016-10-12
JP6336504B2 (ja) 2018-06-06
US9882587B2 (en) 2018-01-30
US10886953B2 (en) 2021-01-05
KR20160117354A (ko) 2016-10-10
JP2016195393A (ja) 2016-11-17
CN109104159A (zh) 2018-12-28
CN109104159B (zh) 2022-07-01
KR101800539B1 (ko) 2017-11-23
TWI620411B (zh) 2018-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106026949B (zh) 多频带功率放大器
US10623046B2 (en) Multi-band device with reduced band loading
JP6890146B6 (ja) フロントエンドアーキテクチャ、2g信号を処理する方法、フロントエンドモジュール、及び無線装置
CN104980263B (zh) 与无线射频接收器中无开关载波聚合相关的电路和方法
CN106559049B (zh) 具有集成无源器件和导电迹线的网络、有关模块和装置
KR20160146739A (ko) 광대역 전력 증폭기 시스템 및 방법
CN105375883A (zh) 具有可调阻抗终端电路的多尔蒂功率放大器组合器
CN106208987A (zh) 具有并行功能的功率放大器的组合输出匹配网络和滤波器
CN105375946A (zh) 用于双天线应用的发送前端模块
CN105099371A (zh) 与功率放大器中低功率效率改善相关的系统、电路和方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1229959

Country of ref document: HK

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant