CN106026918B - 一种温补晶振芯片通信方法、温补晶振芯片及温补晶振 - Google Patents

一种温补晶振芯片通信方法、温补晶振芯片及温补晶振 Download PDF

Info

Publication number
CN106026918B
CN106026918B CN201610292367.4A CN201610292367A CN106026918B CN 106026918 B CN106026918 B CN 106026918B CN 201610292367 A CN201610292367 A CN 201610292367A CN 106026918 B CN106026918 B CN 106026918B
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal oscillator
temperature compensating
compensating crystal
oscillator chip
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610292367.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106026918A (zh
Inventor
周奕
郑宏志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangzhou Ruixin Microelectronics Co.,Ltd.
Original Assignee
Xi'an Ruixin Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xi'an Ruixin Microelectronics Co Ltd filed Critical Xi'an Ruixin Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201610292367.4A priority Critical patent/CN106026918B/zh
Publication of CN106026918A publication Critical patent/CN106026918A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106026918B publication Critical patent/CN106026918B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/02—Details
    • H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

本发明涉及一种温补晶振芯片通信方法、温补晶振芯片和温补晶振，利用温补晶振芯片上自有的压电控制引脚，定义共享压电控制引脚，使压电控制引脚同时成为温补晶振芯片的通信控制引脚，实现温补晶振芯片与温补晶振芯片外部测试设备的通信和编程，完成对温补晶振芯片温度调整校准，省去专用的温补晶振芯片通信编程引脚，降低了芯片尺寸，降低了温补晶振芯片的成本，为温补晶振的小型化和易用性做出实质性推动。

Description

一种温补晶振芯片通信方法、温补晶振芯片及温补晶振
技术领域
本发明涉及一种芯片，尤其涉及一种温补晶振芯片通信方法、温补晶振芯片及温补晶振。
背景技术
温补晶振(TCXO，Temperature Compensate crystal Oscillator)是一种石英晶体振荡器，其通过内部的温补晶振芯片中附加的温度补偿电路来补偿由周围温度变化产生的晶体振荡频率变化，实现高精度的频率温度稳定度。温补晶振广泛应用于各种通信设备中，如智能手机，无线对讲机，无线通信基站等。
温补晶振在生产时，需要进行温度校准并对温补晶振内部的温补晶振芯片进行编程。常见的做法是在温补晶振的芯片上，引出专门的芯片引脚，用于和外接的温补晶振芯片测试设备通信。如图1所示是传统对温补晶振芯片进行温度校准和编程的示意图。传统方法中温补晶振芯片外部测试设备和温补晶振芯片通信的通信总线需要3根线，温补晶振芯片也需要额外的3个引脚来实现通信。但是，专用的编程引脚增加温补晶振芯片的复杂度，大大增加芯片的面积和成本，带来极大的不利。
发明内容
有鉴于此，有必要针对上述专用编程引脚增加温补晶振芯片复杂度，大大增加温补晶振芯片面积和成本的问题，提供一种温补晶振芯片通信方法。
同时本发明还提供一种温补晶振芯片和温补晶振。
本发明提供的一种温补晶振芯片通信方法，包括如下步骤：
S10：在温补晶振芯片进行温度测试校准时，将压电控制引脚定义成共享协议通信引脚，供温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线的共享协议与温补晶振芯片进行通信，对温补晶振芯片编程，写入温度调整参数；
S20：温度测试校准完毕后，在收到温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线发送的编程烧写指令时，将压电控制引脚切换到用于温补晶振芯片编程烧写的高电压，并将温度调整参数永久烧写到温补晶振芯片上；
S30：在完成温度调整参数烧写后，切断压电控制引脚的通信和编程功能并重新启动后，将压电控制引脚重切换回压电控制功能。
在其中的一个实施方式中，所述编程烧写的高电压为6.5V。
本发明提供的一种温补晶振芯片，包括：压电控制引脚和引脚定义切换单元；在温补晶振芯片进行温度测试校准时，所述引脚定义切换单元将所述压电控制引脚定义成共享协议通信引脚，供温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线的共享协议与温补晶振芯片进行通信并对温补晶振芯片进行编程存入温度调整参数；温度测试校准完毕后，在温补晶振芯片收到温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线发送的编程烧写指令时，所述引脚定义切换单元将所述压电控制引脚切换到用于温补晶振芯片编程烧写的高电压，供温补晶振芯片将温度调整参数永久烧写到温补晶振芯片上；在完成温度调整参数烧写后，所述引脚定义切换单元切断所述压电控制引脚的通信和编程功能并重新启动后，将压电控制引脚重切换回压电控制功能。
在其中的一个实施方式中，所述编程烧写的高电压为6.5V。
本发明提供的一种温补晶振，包括有温补晶振芯片，所述温补晶振芯片包括压电控制引脚和引脚定义切换单元；在温补晶振芯片进行温度测试校准时，所述引脚定义切换单元将所述压电控制引脚定义成共享协议通信引脚，供温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线的共享协议与温补晶振芯片进行通信并对温补晶振芯片进行编程存入温度调整参数；温度测试校准完毕后，在温补晶振芯片收到温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线发送的编程烧写指令时，所述引脚定义切换单元将所述压电控制引脚切换到用于温补晶振芯片编程烧写的高电压，供温补晶振芯片将温度调整参数永久烧写到温补晶振芯片上；在完成温度调整参数烧写后，所述引脚定义切换单元切断所述压电控制引脚的通信和编程功能并重新启动后，将压电控制引脚重切换回压电控制功能。
在其中的一个实施方式中，所述编程烧写的高电压为6.5V。
本发明温补晶振芯片通信方法、温补晶振芯片和温补晶振，利用温补晶振芯片上自有的压电控制引脚，定义共享压电控制引脚，使压电控制引脚同时成为温补晶振芯片的通信控制引脚，实现温补晶振芯片与温补晶振芯片外部测试设备的通信和编程，完成对温补晶振芯片温度调整校准，省去专用的温补晶振芯片通信编程引脚，降低了芯片尺寸，降低了温补晶振芯片的成本，为温补晶振的小型化和易用性做出实质性推动。
附图说明
图1所示是传统对温补晶振芯片进行温度校准和编程的示意图；
图2是一个实施例中温补晶振芯片通信方法的流程图；
图3是一个实施例中温补晶振芯片的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
图2是一个实施例中温补晶振芯片通信方法的流程图，如图2所示，该温补晶振芯片通信方法包括如下步骤：
S10：在温补晶振芯片进行温度测试校准时，将压电控制引脚定义成共享协议通信引脚，供温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线的共享协议与温补晶振芯片进行通信，对温补晶振芯片编程，写入温度调整参数。
为对温补晶振芯片进行温度校准，需要有引脚来连接外部测试设备进行通信，在该实施例中，将压电控制引脚定义成共享协议通信引脚，供温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线的共享协议与温补晶振芯片进行通信，无需引出专门的引脚，从而降低温补晶振芯片的复杂度，减小温补晶振芯片的面积，降低温补晶振的生产成本。
S20：温度测试校准完毕后，在收到温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线发送的编程烧写指令时，将压电控制引脚切换到用于温补晶振芯片编程烧写的高电压，并将温度调整参数永久烧写到温补晶振芯片上。
在将压电控制引脚定义成共享协议通信引脚后，温补晶振芯片外部测试设备对温补晶振芯片编程，写入温度调整参数，在收到温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线发送的编程烧写指令时，对压电控制引脚进行切换，切换到用于温补晶振芯片编程烧写的高电压，实现编程烧写。优选的，编程烧写的高电压为6.5V。
S30：在完成温度调整参数烧写后，切断压电控制引脚的通信和编程功能并重新启动后，将压电控制引脚重切换回压电控制功能。
在完成温度测试校准、温度调整参数烧写后将压电控制引脚切换回压电控制功能，无需再承担通信和编程功能。
该温补晶振芯片通信方法，利用温补晶振芯片上自有的压电控制引脚，定义共享压电控制引脚，使压电控制引脚同时成为温补晶振芯片的通信控制引脚，实现温补晶振芯片与温补晶振芯片外部测试设备的通信和编程，完成对温补晶振芯片温度调整校准，省去专用的温补晶振芯片通信编程引脚，降低了芯片尺寸，降低了温补晶振芯片的成本，为温补晶振的小型化和易用性做出实质性推动。
同时，本发明还提供一种温补晶振芯片。如图3所示，该温补晶振芯片100包括压电控制引脚110和引脚定义切换单元120。在温补晶振芯片100进行温度测试校准时，引脚定义切换单元120将压电控制引脚110定义成共享协议通信引脚，供温补晶振芯片外部测试设备200通过通信总线300的共享协议与温补晶振芯片100进行通信并对温补晶振芯片100进行编程存入温度调整参数。温度测试校准完毕后，在温补晶振芯片100收到温补晶振芯片外部测试设备200通过通信总线300发送的编程烧写指令时，引脚定义切换单元120将压电控制引脚110切换到用于温补晶振芯片100编程烧写的高电压，供温补晶振芯片100将温度调整参数永久烧写到温补晶振芯片100上。在完成温度调整参数烧写后，引脚定义切换单元120切断压电控制引脚110的通信和编程功能并重新启动后，将压电控制引脚110重切换回压电控制功能。优选的，编程烧写的高电压为6.5V。
该温补晶振芯片100，利用温补晶振芯片100上自有的压电控制引脚110，定义共享压电控制引脚110，使压电控制引脚110同时成为温补晶振芯片110的通信控制引脚，实现温补晶振芯片110与温补晶振芯片外部测试设备的通信和编程，完成对温补晶振芯片100温度调整校准，省去专用的温补晶振芯片100通信编程引脚，降低了芯片尺寸，降低了温补晶振芯片的成本，为温补晶振的小型化和易用性做出实质性推动。
此外，本发明还提供一种温补晶振。该温补晶振包括有温补晶振芯片。如图2所示，温补晶振芯片100包括压电控制引脚110和引脚定义切换单元120。在温补晶振芯片100进行温度测试校准时，引脚定义切换单元120将压电控制引脚110定义成共享协议通信引脚，供温补晶振芯片外部测试设备200通过通信总线300的共享协议与温补晶振芯片100进行通信并对温补晶振芯片100进行编程存入温度调整参数。温度测试校准完毕后，在温补晶振芯片100收到温补晶振芯片外部测试设备200通过通信总线300发送的编程烧写指令时，引脚定义切换单元120将压电控制引脚110切换到用于温补晶振芯片100编程烧写的高电压，供温补晶振芯片100将温度调整参数永久烧写到温补晶振芯片100上。在完成温度调整参数烧写后，引脚定义切换单元120切断压电控制引脚110的通信和编程功能并重新启动后，将压电控制引脚110重切换回压电控制功能。优选的，编程烧写的高电压为6.5V。
该温补晶振，利用温补晶振芯片100上自有的压电控制引脚110，定义共享压电控制引脚110，使压电控制引脚110同时成为温补晶振芯片110的通信控制引脚，实现温补晶振芯片110与温补晶振芯片外部测试设备的通信和编程，完成对温补晶振芯片100温度调整校准，省去专用的温补晶振芯片100通信编程引脚，降低了芯片尺寸，降低了温补晶振芯片的成本，为温补晶振的小型化和易用性做出实质性推动。
本发明温补晶振芯片通信方法、温补晶振芯片和温补晶振，利用温补晶振芯片上自有的压电控制引脚，定义共享压电控制引脚，使压电控制引脚同时成为温补晶振芯片的通信控制引脚，实现温补晶振芯片与温补晶振芯片外部测试设备的通信和编程，完成对温补晶振芯片温度调整校准，省去专用的温补晶振芯片通信编程引脚，降低了芯片尺寸，降低了温补晶振芯片的成本，为温补晶振的小型化和易用性做出实质性推动。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种温补晶振芯片通信方法，其特征在于，包括如下步骤：
S10：在温补晶振芯片进行温度测试校准时，将压电控制引脚定义成共享协议通信引脚，供温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线的共享协议与温补晶振芯片进行通信，对温补晶振芯片编程，写入温度调整参数；
S20：温度测试校准完毕后，在收到温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线发送的编程烧写指令时，将压电控制引脚切换到用于温补晶振芯片编程烧写的高电压，并将温度调整参数永久烧写到温补晶振芯片上；
S30：在完成温度调整参数烧写后，切断压电控制引脚的通信和编程功能并重新启动后，将压电控制引脚重切换回压电控制功能。
2.根据权利要求1所述的温补晶振芯片通信方法，其特征在于，所述编程烧写的高电压为6.5V。
3.一种温补晶振芯片，其特征在于，包括：压电控制引脚和引脚定义切换单元；在温补晶振芯片进行温度测试校准时，所述引脚定义切换单元将所述压电控制引脚定义成共享协议通信引脚，供温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线的共享协议与温补晶振芯片进行通信并对温补晶振芯片进行编程存入温度调整参数；温度测试校准完毕后，在温补晶振芯片收到温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线发送的编程烧写指令时，所述引脚定义切换单元将所述压电控制引脚切换到用于温补晶振芯片编程烧写的高电压，供温补晶振芯片将温度调整参数永久烧写到温补晶振芯片上；在完成温度调整参数烧写后，所述引脚定义切换单元切断所述压电控制引脚的通信和编程功能并重新启动后，将压电控制引脚重切换回压电控制功能。
4.根据权利要求3所述的温补晶振芯片，其特征在于，所述编程烧写的高电压为6.5V。
5.一种温补晶振，包括有温补晶振芯片，其特征在于：所述温补晶振芯片包括压电控制引脚和引脚定义切换单元；在温补晶振芯片进行温度测试校准时，所述引脚定义切换单元将所述压电控制引脚定义成共享协议通信引脚，供温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线的共享协议与温补晶振芯片进行通信并对温补晶振芯片进行编程存入温度调整参数；温度测试校准完毕后，在温补晶振芯片收到温补晶振芯片外部测试设备通过通信总线发送的编程烧写指令时，所述引脚定义切换单元将所述压电控制引脚切换到用于温补晶振芯片编程烧写的高电压，供温补晶振芯片将温度调整参数永久烧写到温补晶振芯片上；在完成温度调整参数烧写后，所述引脚定义切换单元切断所述压电控制引脚的通信和编程功能并重新启动后，将压电控制引脚重切换回压电控制功能。
6.根据权利要求5所述的温补晶振，其特征在于，所述编程烧写的高电压为6.5V。
CN201610292367.4A 2016-05-05 2016-05-05 一种温补晶振芯片通信方法、温补晶振芯片及温补晶振 Active CN106026918B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610292367.4A CN106026918B (zh) 2016-05-05 2016-05-05 一种温补晶振芯片通信方法、温补晶振芯片及温补晶振

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610292367.4A CN106026918B (zh) 2016-05-05 2016-05-05 一种温补晶振芯片通信方法、温补晶振芯片及温补晶振

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106026918A CN106026918A (zh) 2016-10-12
CN106026918B true CN106026918B (zh) 2019-02-05

Family

ID=57081939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610292367.4A Active CN106026918B (zh) 2016-05-05 2016-05-05 一种温补晶振芯片通信方法、温补晶振芯片及温补晶振

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106026918B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201243273Y (zh) * 2008-07-08 2009-05-20 广州市天马电讯科技有限公司 温补压控恒温晶体振荡器
TW201131977A (en) * 2009-12-24 2011-09-16 Nihon Dempa Kogyo Co Piezoelectric oscillator
CN102201786A (zh) * 2010-03-26 2011-09-28 日本电波工业株式会社 电压控制型温度补偿晶体振荡器
CN102332863A (zh) * 2011-07-20 2012-01-25 广州市天马电讯科技有限公司 恒温控制的压控温补晶体振荡器
CN104753485A (zh) * 2013-12-25 2015-07-01 精工爱普生株式会社 振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备以及移动体

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2341316A1 (en) * 2000-03-17 2001-09-17 Samir Kuliev Digital indirectly compensated crystal oscillators

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201243273Y (zh) * 2008-07-08 2009-05-20 广州市天马电讯科技有限公司 温补压控恒温晶体振荡器
TW201131977A (en) * 2009-12-24 2011-09-16 Nihon Dempa Kogyo Co Piezoelectric oscillator
CN102201786A (zh) * 2010-03-26 2011-09-28 日本电波工业株式会社 电压控制型温度补偿晶体振荡器
CN102332863A (zh) * 2011-07-20 2012-01-25 广州市天马电讯科技有限公司 恒温控制的压控温补晶体振荡器
CN104753485A (zh) * 2013-12-25 2015-07-01 精工爱普生株式会社 振荡电路、振荡器及其制造方法、电子设备以及移动体

Also Published As

Publication number Publication date
CN106026918A (zh) 2016-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20180261908A1 (en) Time-variant antenna module for wireless communication devices
US8024145B2 (en) Method and system for signal generation via a temperature sensing crystal integrated circuit
US10312860B2 (en) Reducing duration of start-up period for a crystal oscillator circuit
CN103891134B (zh) 单差分变压器核
WO2005096496A1 (en) Methods and apparatus for tuning in an inductive system
CN108063618B (zh) 一种vco自动校准电路和方法
CN106464259A (zh) 减少晶体振荡器启动时间
US9225341B2 (en) Automatic amplitude control circuit
US9118459B2 (en) Wireless communication device and activation method of the wireless communication device
CN106026918B (zh) 一种温补晶振芯片通信方法、温补晶振芯片及温补晶振
US7944315B2 (en) Programmable voltage-controlled oscillator
US9838023B2 (en) Slow-clock calibration method and unit, clock circuit, and mobile communication terminal
BR102013000051A2 (pt) Gerador de clock com compensação de erro de frequência e dispositivo móvel que usa o mesmo
CN104869628B (zh) 空调电控装置的时钟校准方法、空调电控装置、终端及系统
US8902796B2 (en) Power-efficient multi-mode transceiver synthesizer configurations
CN203434934U (zh) 一种扩展的晶体振荡时钟电路及电路板和移动终端
CN102420569A (zh) 一种线性电压控制晶体振荡器
US10411717B2 (en) Device and method for multiple reference system timer
KR20140117938A (ko) 링형 전압 제어 발진기
CN105337614B (zh) 利用射频芯片温度补偿晶体特性的装置及方法
WO2022111340A1 (zh) 一种时钟校准电路
US8466752B2 (en) System and method for supporting different types of oscillator circuits
CN202385053U (zh) 一种线性电压控制晶体振荡器
US9356600B2 (en) IO driver impedance calibration
US6236282B1 (en) Crystal reference and oscillator circuit using same

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 510700 office card position 5f-k1-35 of Youke workshop, Guangzhou Knowledge City, room 506, No. 2, Tengfei First Street, Huangpu District, Guangzhou City, Guangdong Province

Patentee after: Guangzhou Ruixin Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: Room 106, building 11, No.60, West Avenue, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi 710119

Patentee before: XI'AN RUIXIN MICROELECTRONICS Co.,Ltd.