CN106025049A - 增光型csp标准led封装工艺及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种增光型CSP标准LED封装工艺，包括LED芯片，LED芯片的上平面和四个侧面均包裹有一层荧光胶层，荧光胶层位于LED芯片的底部边缘位置设有水平向内弯折的挡块。本发明采用的增光型CSP标准LED封装工艺可以从五个面发光，发光面有上发光面和四个侧发光面，不需要在四个侧面重新设置LED灯珠，本产品的这种多面发光结构，可以大幅度的提升LED灯的光照范围。有效解决现有LED灯珠光照范围窄，组装结构复杂的缺点。
Description
技术领域
本发明涉及增光照明工具，特别涉及一种增光型CSP标准LED封装工艺。
背景技术
LED发光二极管已被全球公认为最高效的人造照明技术。具有寿命长、能耗低等优点，随着LED技术的发展，LED光源的性能也越来越好，一般来说，LED灯工作是否稳定，品质好坏，与灯体本身散热至关重要，目前市场上的高亮度LED灯的散热，常常采用自然散热，效果并不理想。LED光源打造的LED灯具，由LED、散热结构、驱动器、透镜组成，因此散热也是一个重要的部分，如果LED不能很好散热，它的寿命也会受影响。此外，现有的LED也存LED灯光照范围较窄等问题。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的上述缺陷，提供一种结构简单、发光范围广、制作成本低的增光型CSP标准LED封装工艺。
为解决现有技术的上述缺陷，本发明提供的技术方案是：一种增光型CSP标准LED封装工艺，包括LED芯片，所述LED芯片的上平面和四个侧面均包裹有一层荧光胶层，所述荧光胶层位于所述LED芯片的底部边缘位置设有水平向内弯折的挡块。
作为本发明增光型CSP标准LED封装工艺的一种改进，所述荧光胶层是有AB胶构件和荧光粉构件组成。
作为本发明增光型CSP标准LED封装工艺的一种改进，所述LED芯片包括蓝宝石层、肖特基结层、多量子阱层和欧姆接触电极层，所述肖特基结层在所述蓝宝石层和多量子阱层之间，所述多量子阱层位于肖特基结层与欧姆接触电极层之间，所述欧姆接触电极层的底部设有P电极，所述P电极的底部设有第一凸点，所述蓝宝石层和所述肖特基结层的一侧底部设有一缺口，在所述缺口处设有N电极，所述N电极的底部设有第二凸点。
作为本发明增光型CSP标准LED封装工艺的一种改进，所述蓝宝石层、肖特基结层、多量子阱层和欧姆接触电极层均呈U形。
作为本发明增光型CSP标准LED封装工艺的一种改进，所述荧光胶层的厚度为0.05mm～0.15mm。
作为本发明增光型CSP标准LED封装工艺的一种改进，所述荧光胶层采用点胶压模机压在所述LED芯片的上平面和四个侧面上。
与现有技术相比，本发明的优点是：本发明采用的增光型CSP标准LED封装工艺可以从五个面发光，发光面有上发光面和四个侧发光面，不需要在四个侧面重新设置LED灯珠，本产品的这种多面发光结构，可以大幅度的提升LED灯的光照范围。有效解决现有LED灯珠光照范围窄，组装结构复杂的缺点。本产品还采用了荧光胶层，荧光胶层采用点胶压模机冲压的方式一体压入LED芯片的上平面和四个侧面上，待荧光胶层冷却固化后定型。
本产品可以安装在各种智能灯具上，能够实现0～100％无极调光，IC具备多通道输出能力，可面向白光和RGB两种模式实现色温调节，标准光组件具有亮度视觉曲线校正功能。
本发明的另一目的是提供一种增光型CSP标准LED封装工艺的制作方法，包括以下步骤：
A)荧光胶调配，将一定量的AB胶和一定量的荧光粉进行混合，搅拌均匀后放在点胶机的胶筒上；
B)压模机的上模具和下模具制作，压模机的上模具和下模具的对应面均设有呈网格状的凹槽，每个下模具的凹槽内均可以放置一个LED芯片，每两个相邻的凹槽之间的距离根据LED芯片的大小进行设定；每个上模具的凹槽内均设有凸块；
C)点胶，将芯片通过机械手搬运的方式，通过前工序按下模具网格的个数排布好的LED芯片搬运至下模具的凹槽上，点胶机将混合后的荧光胶点入凸块内，通过气动装置或电动装置将上模具对应下模具压入，待一定时间后，气动装置或电动装置带动上模具复位；
D)单个LED灯珠裁切，荧光胶冷却定型后将多个LED灯珠连在一起，成为一整块LED灯珠排，将一整块LED灯珠排输送至裁切工位，将LED灯珠排裁切成单个的LED灯珠；
F)成品检测，将单个的LED灯珠输送至检测工站，对每个LED灯珠进行通电导通测试，良品输出，不良品排除。
作为本发明增光型CSP标准LED封装工艺的制作方法的一种改进，步骤C)中的一定时间为3秒～5秒。
本发明的优点是：本发明采用点胶压模的方式将荧光胶压在LED芯片的表面和四个侧面，带冷却定型后即可取出裁切成单个的LED灯珠，该方法步骤简单、容易实施，生产效率高，可以排量生产。
附图说明
下面就根据附图和具体实施方式对本发明及其有益的技术效果作进一步详细的描述，其中：
图1是本发明立体结构图。
附图标记名称：1、LED芯片 2、荧光胶层 3、挡块 11、蓝宝石层 12、肖特基结层 13、多量子阱层 14、欧姆接触电极层 15、P电极 16、第一凸点 17、N电极 18、第二凸点。
具体实施方式
下面就根据附图和具体实施例对本发明作进一步描述，但本发明的实施方式不局限于此。
如图1所示，一种增光型CSP标准LED封装工艺，包括LED芯片1，LED芯片1的上平面和四个侧面均包裹有一层荧光胶层2，荧光胶层2位于LED芯片的底部边缘位置设有水平向内弯折的挡块3。
优选的，荧光胶层2是有AB胶构件和荧光粉构件组成。AB胶构件和荧光粉构件按照一定的比例混合成胶体，然后通过点胶压模机的方式将胶体压入LED芯片1的上平面和四个侧面上，冷却固定后定型。
优选的，LED芯片1包括蓝宝石层11、肖特基结层12、多量子阱层13和欧姆接触电极层14，肖特基结层12在蓝宝石层11和多量子阱层13之间，多量子阱层13位于肖特基结层12与欧姆接触电极层14之间，欧姆接触电极层14的底部设有P电极15，P电极15的底部设有第一凸点16，蓝宝石层11和肖特基结层12的一侧底部设有一缺口，在缺口处设有N电极17，N电极17的底部设有第二凸点18。
优选的，蓝宝石层11、肖特基结层12、多量子阱层13和欧姆接触电极层14均呈U形。呈U型的蓝宝石层11可以从五个面发射光源，增大发光面。
优选的，荧光胶层2的厚度为0.05mm～0.15mm。
优选的，荧光胶层2采用点胶压模机压在LED芯片1的上平面和四个侧面上。五个面发光，发光角度达170°。
本发明的优点是：本发明采用的增光型CSP标准LED封装工艺可以从五个面发光，发光面有上发光面和四个侧发光面，不需要在四个侧面重新设置LED灯珠，本产品的这种多面发光结构，可以大幅度的提升LED灯的光照范围。有效解决现有LED灯珠光照范围窄，组装结构复杂的缺点。本产品还采用了荧光胶层，荧光胶层采用点胶压模机冲压的方式一体压入LED芯片的上平面和四个侧面上，待荧光胶层冷却固化后定型。
实施例一：一种增光型CSP标准LED封装工艺的制作方法，包括以下步骤：
A)荧光胶调配，将一定量的AB胶和一定量的荧光粉进行混合，搅拌均匀后放在点胶机的胶筒上；
B)压模机的上模具和下模具制作，压模机的上模具和下模具的对应面均设有呈网格状的凹槽，每个下模具的凹槽内均可以放置一个LED芯片，每两个相邻的凹槽之间的距离根据LED芯片的大小进行设定；每个上模具的凹槽内均设有凸块；上模具和下模具的凹槽个数均选用80个；
C)点胶，将芯片通过机械手搬运的方式，通过前工序按下模具网格的个数排布好的LED芯片搬运至下模具的凹槽上，点胶机将混合后的荧光胶点入凸块内，通过气动装置或电动装置将上模具对应下模具压入，待3秒钟后，气动装置或电动装置带动上模具复位；
D)单个LED灯珠裁切，荧光胶冷却定型后将多个LED灯珠连在一起，成为一整块LED灯珠排，将一整块LED灯珠排输送至裁切工位，将LED灯珠排裁切成单个的LED灯珠；
F)成品检测，将单个的LED灯珠输送至检测工站，对每个LED灯珠进行通电导通测试，良品输出，不良品排除。
实施例二：一种增光型CSP标准LED封装工艺的制作方法，包括以下步骤：
A)荧光胶调配，将一定量的AB胶和一定量的荧光粉进行混合，搅拌均匀后放在点胶机的胶筒上；
B)压模机的上模具和下模具制作，压模机的上模具和下模具的对应面均设有呈网格状的凹槽，每个下模具的凹槽内均可以放置一个LED芯片，每两个相邻的凹槽之间的距离根据LED芯片的大小进行设定；每个上模具的凹槽内均设有凸块；上模具和下模具的凹槽个数均选用50个；
C)点胶，将芯片通过机械手搬运的方式，通过前工序按下模具网格的个数排布好的LED芯片搬运至下模具的凹槽上，点胶机将混合后的荧光胶点入凸块内，通过气动装置或电动装置将上模具对应下模具压入，待5秒钟后，气动装置或电动装置带动上模具复位；
D)单个LED灯珠裁切，荧光胶冷却定型后将多个LED灯珠连在一起，成为一整块LED灯珠排，将一整块LED灯珠排输送至裁切工位，将LED灯珠排裁切成单个的LED灯珠；
F)成品检测，将单个的LED灯珠输送至检测工站，对每个LED灯珠进行通电导通测试，良品输出，不良品排除。
实施例三：一种增光型CSP标准LED封装工艺的制作方法，包括以下步骤：
A)荧光胶调配，将一定量的AB胶和一定量的荧光粉进行混合，搅拌均匀后放在点胶机的胶筒上；
B)压模机的上模具和下模具制作，压模机的上模具和下模具的对应面均设有呈网格状的凹槽，每个下模具的凹槽内均可以放置一个LED芯片，每两个相邻的凹槽之间的距离根据LED芯片的大小进行设定；每个上模具的凹槽内均设有凸块；上模具和下模具的凹槽个数均选用100个；
C)点胶，将芯片通过机械手搬运的方式，通过前工序按下模具网格的个数排布好的LED芯片搬运至下模具的凹槽上，点胶机将混合后的荧光胶点入凸块内，通过气动装置或电动装置将上模具对应下模具压入，待4秒钟后，气动装置或电动装置带动上模具复位；
D)单个LED灯珠裁切，荧光胶冷却定型后将多个LED灯珠连在一起，成为一整块LED灯珠排，将一整块LED灯珠排输送至裁切工位，将LED灯珠排裁切成单个的LED灯珠；
F)成品检测，将单个的LED灯珠输送至检测工站，对每个LED灯珠进行通电导通测试，良品输出，不良品排除。
本发明的优点是：本发明采用点胶压模的方式将荧光胶压在LED芯片的表面和四个侧面，带冷却定型后即可取出裁切成单个的LED灯珠，该方法步骤简单、容易实施，生产效率高，可以排量生产。本方法制作LED灯珠可以一次性生产50个～100个。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和结构的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同范围限定。
Claims (8)
1.一种增光型CSP标准LED封装工艺，包括LED芯片，其特征在于，所述LED芯片的上平面和四个侧面均包裹有一层荧光胶层，所述荧光胶层位于所述LED芯片的底部边缘位置设有水平向内弯折的挡块。
2.根据权利要求1所述的增光型CSP标准LED封装工艺，其特征在于，所述荧光胶层是有AB胶构件和荧光粉构件组成。
3.根据权利要求2所述的增光型CSP标准LED封装工艺，其特征在于，所述LED芯片包括蓝宝石层、肖特基结层、多量子阱层和欧姆接触电极层，所述肖特基结层在所述蓝宝石层和多量子阱层之间，所述多量子阱层位于肖特基结层与欧姆接触电极层之间，所述欧姆接触电极层的底部设有P电极，所述P电极的底部设有第一凸点，所述蓝宝石层和所述肖特基结层的一侧底部设有一缺口，在所述缺口处设有N电极，所述N电极的底部设有第二凸点。
4.根据权利要求3所述的增光型CSP标准LED封装工艺，其特征在于，所述蓝宝石层、肖特基结层、多量子阱层和欧姆接触电极层均呈U形。
5.根据权利要求4所述的增光型CSP标准LED封装工艺，其特征在于，所述荧光胶层的厚度为0.05mm～0.15mm。
6.根据权利要求1所述的增光型CSP标准LED封装工艺，其特征在于，所述荧光胶层采用点胶压模机压在所述LED芯片的上平面和四个侧面上。
7.一种增光型CSP标准LED封装工艺的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
A)荧光胶调配，将一定量的AB胶和一定量的荧光粉进行混合，搅拌均匀后放在点胶机的胶筒上；
B)压模机的上模具和下模具制作，压模机的上模具和下模具的对应面均设有呈网格状的凹槽，每个下模具的凹槽内均可以放置一个LED芯片，每两个相邻的凹槽之间的距离根据LED芯片的大小进行设定；每个上模具的凹槽内均设有凸块；
C)点胶，将芯片通过机械手搬运的方式，通过前工序按下模具网格的个数排布好的LED芯片搬运至下模具的凹槽上，点胶机将混合后的荧光胶点入凸块内，通过气动装置或电动装置将上模具对应下模具压入，待一定时间后，气动装置或电动装置带动上模具复位；
D)单个LED灯珠裁切，荧光胶冷却定型后将多个LED灯珠连在一起，成为一整块LED灯珠排，将一整块LED灯珠排输送至裁切工位，将LED灯珠排裁切成单个的LED灯珠；
F)成品检测，将单个的LED灯珠输送至检测工站，对每个LED灯珠进行通电导通测试，良品输出，不良品排除。
8.根据权利要求7所述的增光型CSP标准LED封装工艺的制作方法，其特征在于，步骤C)中的一定时间为3秒～5秒。
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