CN106011790A - 一种ald腔体门盖 - Google Patents

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CN106011790A
CN106011790A CN201610398058.5A CN201610398058A CN106011790A CN 106011790 A CN106011790 A CN 106011790A CN 201610398058 A CN201610398058 A CN 201610398058A CN 106011790 A CN106011790 A CN 106011790A
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cavity door
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CN201610398058.5A
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何丹农
尹桂林
卢静
金彩虹
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Shanghai National Engineering Research Center for Nanotechnology Co Ltd
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Shanghai National Engineering Research Center for Nanotechnology Co Ltd
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus

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Abstract

本发明公开一种ALD反应腔体门盖，包括盖板（1）以及与盖板相连的盖沿（2），盖板上的V型凹槽（3），盖沿的外表面的弧形凹槽（4）。本发明通过盖沿的引入以及V型凹槽和弧形凹槽的引入，大幅度增加了反应腔内反应气体扩散进入外腔的路径，增加了气体扩散的难度，提升了腔体气密性。同时盖沿还起到了承载与定位的作用，便于门盖的开启与关闭。

Description

一种ALD腔体门盖
技术领域
本发明涉及一种ALD（原子层沉积）系统中，用于反应腔的门盖，尤其涉及一种气敏性良好的门盖。
背景技术
原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔并在沉积基体上化学吸附并反应并形成沉积膜的一种方法，作为一种新兴的薄膜制备技术，在微电子领域、光电领域、太阳能领域以及纳米材料领域等有着非常广泛的应用。一般原子层沉积反应，需要对反应腔体进行加热，且通常的原子层沉积设备，反应腔处于一个更大腔体的内部。外部腔体中安装加热电阻、反射板等，通过辐射的方式对反应腔体进行加热。通常情况下，反应腔体的气压低于外部腔体。此外，基底样品须通过外腔放入内腔。因此，反应腔体的门盖，必须方便开启，以便样品的放入与取出，更重要的，必须有较好的隔绝，以防止反应腔体中的反应气体溢出进入外部腔体。一般的腔体门盖，通常为简单平板状，在使用初期，密封性还能确保，但是随着长时间的高温下使用，平板有可能发生少量变形，导致密封性不好。
发明内容
为克服现有技术的不足，本发明提出一种ALD反应腔体门盖，通过多种结构的复合设计，大幅度提升了反应腔体内气体扩散进入外腔的难度，确保了腔体的密闭性。
一种ALD反应腔体门盖，其特征在于，包括盖板（1）以及与盖板相连的盖沿（2），盖板上的V型凹槽（3），盖沿的外表面的弧形凹槽（4）。
其盖板（1）为圆形盖板。
其盖沿（2）与盖板（1）相连，呈圆柱状垂直于盖板，且离盖板边缘有一定距离。
其V型凹槽（3）开在盖沿外部的盖板表面，凹槽角度为60度，边长为3-5mm。
弧形凹槽（4）开在盖沿外表面，弧度为60度，弧半径为4-5mm。
其材质为304不锈钢。
本发明提出一种ALD反应腔体门盖，包括盖板以及与盖板相连的盖沿，盖板上的V型凹槽，盖沿的外表面的弧形凹槽。
所述盖板为圆形，用于反应腔的封闭。
本发明具有如下优点：
1、盖沿的引入，使得反应腔与盖沿外表面以及盖板边缘部分全面接触，反应腔密封时接触面积进一步增大，同时垂直的密封结构，大幅度密封结构的热稳定性，且提升了气体扩散难度，因而提升了气密性；
2、V型凹槽以及弧形凹槽的引入，进一步使得反应腔体内气体扩散进入外腔的卢静变得复杂，进一步提高了气体扩散难度，提升了气密性。
3、盖沿除起到了密封的作用以外，还起到了承载和定位的功能，方便了门盖的开启与关闭。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作出详细的说明，其中：
图1为本发明较佳实施例的部分结构示意图；
图2位本发明较佳实施例的剖视图；
图3为本发明与反应腔体密封时的部分结构示意图。
具体实施方式
如图1、图2与图3 所示，为本发明较佳实施例的结构示意图，所述的一种ALD反应腔体门盖，其包括圆形盖板（1）以及与盖板相连的盖沿（2），盖板上的V型凹槽（3），盖沿的外表面的弧形凹槽（4），门盖的材质为304不锈钢。盖沿（2）与盖板（1）相连，呈圆柱状垂直于盖板，且离盖板边缘有一定距离。V型凹槽（3）开在盖沿外部的盖板表面，凹槽角度为60度，边长为3~5mm。弧形凹槽（4）开在盖沿外表面，弧度为60度，弧半径为4~5mm。门盖与内腔密封情况，如图3所示，盖沿的外表面与反应腔内表面形成密封，盖板在盖沿以外的部分与反应腔表面形成密封，同时盖沿还起到了承载与定位的作用，门盖与反应腔可用卡扣锁紧。

Claims (6)

1.一种ALD反应腔体门盖，其特征在于，包括盖板（1）以及与盖板相连的盖沿（2），盖板上的V型凹槽（3），盖沿的外表面的弧形凹槽（4）。
2.如权利要求1 所述的ALD反应腔体门盖，其特征在于，其盖板（1）为圆形盖板。
3.如权利要求1 所述的ALD反应腔体门盖，其特征在于，其盖沿（2）与盖板（1）相连，呈圆柱状垂直于盖板，且离盖板边缘有一定距离。
4.如权利要求1 所述的ALD反应腔体门盖，其特征在于，其V型凹槽（3）开在盖沿外部的盖板表面，凹槽角度为60度，边长为3-5mm。
5.如权利要求1 所述的ALD反应腔体门盖，其特征在于，弧形凹槽（4）开在盖沿外表面，弧度为60度，弧半径为4-5mm。
6.如权利要求1 所述的ALD反应腔体门盖，其特征在于，其材质为304不锈钢。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

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