CN105986235B - 多功能卷绕镀膜设备及方法 - Google Patents

多功能卷绕镀膜设备及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105986235B
CN105986235B CN201610493694.6A CN201610493694A CN105986235B CN 105986235 B CN105986235 B CN 105986235B CN 201610493694 A CN201610493694 A CN 201610493694A CN 105986235 B CN105986235 B CN 105986235B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
coating
vacuum chamber
electron gun
straight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610493694.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105986235A (zh
Inventor
朱文廓
朱刚劲
朱刚毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GUANGDONG TENGSHENG TECHNOLOGY INNOVATION Co.,Ltd.
Original Assignee
Guangdong Tecsun Vacuum Technology Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Tecsun Vacuum Technology Engineering Co Ltd filed Critical Guangdong Tecsun Vacuum Technology Engineering Co Ltd
Priority to CN201610493694.6A priority Critical patent/CN105986235B/zh
Publication of CN105986235A publication Critical patent/CN105986235A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105986235B publication Critical patent/CN105986235B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开一种多功能卷绕镀膜设备及方法,其设备中,真空室的离子处理区上方设置离子处理机构,镀膜区内设置磁控溅射镀膜机构和条形电子发射装置,镀膜区下方设有e型电子枪镀膜机构,镀膜区一侧设有直式电子枪镀膜机构,坩埚设于e型电子枪镀膜机构下方,卷绕机构设于真空室内。其方法是先在真空室中安装e型电子枪镀膜机构、磁控溅射镀膜机构或直式电子枪镀膜机构中的一种,柔性基材通过卷绕机构在真空室内进行输送,通过离子处理机构对柔性基材进行表面处理,再通过已安装好的镀膜机构对柔性基材进行表面镀膜。本多功能卷绕镀膜设备集成度高,设备成本低,占用空间也小,使用灵活而方便。

Description

多功能卷绕镀膜设备及方法
技术领域
本发明涉及柔性基材镀膜技术领域,特别涉及一种多功能卷绕镀膜设备及方法。
背景技术
目前,柔性基材的镀膜工艺主要有e型电子枪蒸镀法、直式电子枪蒸镀法以及磁控溅射法等。在传统的镀膜工艺中,都是采用单一功能的镀膜装置来进行膜层镀制的,遇到不同性质的膜层材料时,需采用不同类型的镀膜机构来获得。如:对于高熔点粉末或颗粒材料,需采用e型电子枪蒸镀法来获得;对于比e型枪要求更大功率、更大扫描幅度的材料,需采用直式电子枪蒸镀法来获得;对于金属或绝缘物、基材温升要求小的材料,需采用磁控溅射法来获得。对于大批量的柔性基材镀膜生产来说,上述的传统方式使用方便,加工效率也高。然而,对于小产量的生产或实验室的开发研究工作来说,传统的加工方式并不适用,一次实验可能需要配备多套设备才能完成,其设备成本相当高,占用的空间也大。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,针对柔性基材的小产量镀膜加工或实验室需要,提供一种集成度高、设备成本较低的多功能卷绕镀膜设备。
本发明的另一目的在于提供一种通过上述设备实现的多功能卷绕镀膜方法。
本发明的技术方案为:一种多功能卷绕镀膜设备,包括真空室、卷绕机构、离子处理机构、e型电子枪镀膜机构、磁控溅射镀膜机构、直式电子枪镀膜机构和条形电子发射装置,真空室内设有离子处理区和镀膜区,离子处理区上方设置离子处理机构,镀膜区内设置磁控溅射镀膜机构和条形电子发射装置,镀膜区下方设有e型电子枪镀膜机构,镀膜区一侧设有直式电子枪镀膜机构,与直式电子枪镀膜机构相配合的坩埚设于e型电子枪镀膜机构下方,卷绕机构设于真空室内,柔性基材设于卷绕机构上。
所述真空室的主体为横置的圆筒状结构,主体一侧的下部开口并向下延伸有一段直管体,e型电子枪镀膜机构安装于直管体内。即真空室的主体及下部直管体形成中空的“q”形结构。
所述直管体的一侧设有向上倾斜延伸的侧管体,直式电子枪镀膜机构通过侧管体安装于真空室一侧。与直式电子枪镀膜机构相配合的坩埚位于直管体中的e型电子枪镀膜机构安装处,直式电子枪镀膜机构从侧管体中照射至直管体中的坩埚,使坩埚内的膜层材料产生蒸发,从而对镀膜区内的柔性基材表面进行镀膜。
所述直管体一侧位于侧管体下方处设有活动小门,e型电子枪镀膜机构设于活动小门内侧。活动小门的设置可方便e型电子枪镀膜机构及坩埚的装卸及维护。
所述卷绕机构包括放卷辊、收卷辊、水冷辊、导辊和张力检测辊,放卷辊和收卷辊设于真空室的一侧,水冷辊设于真空室的另一侧,柔性基材依次卷绕于放卷辊、水冷辊和收卷辊上,放卷辊与水冷辊之间以及收卷辊与水冷辊之间分别设有导辊和张力检测辊。
所述磁控溅射镀膜机构和条形电子发射装置分别设于水冷辊下方。
所述真空室的外侧还设有膜厚检测机构,膜厚检测机构与直式电子枪镀膜机构相平行设置。
所述坩埚上方还设有水冷挡板。预熔时关闭水冷挡板,可防止膜层材料的氧化物污染柔性基材。
通过上述设备实现的多功能卷绕镀膜方法,包括以下步骤:
(1)根据实际镀膜工艺的需要,在真空室中安装e型电子枪镀膜机构、磁控溅射镀膜机构或直式电子枪镀膜机构中的一种;
(2)柔性基材通过卷绕机构在真空室内进行输送,输送过程中,柔性基材先经过离子处理区,通过离子处理机构对柔性基材进行表面处理,然后再送入镀膜区,由已安装好的镀膜机构对柔性基材进行表面镀膜。
其中,在所述步骤(1)中,在真空室中安装直式电子枪镀膜机构时,还可以在镀膜区中安装条形电子发射装置,直式电子枪镀膜机构带条形电子发射装置同时使用,可在膜层附着时同时加热,实现膜层结晶状态改变,获得更高质量的膜层;在真空室中安装磁控溅射镀膜机构的同时,还可以在镀膜区中安装同步式掩膜机构,磁控溅射镀膜机构带同步式掩膜机构同时使用,可实现掩膜镀膜,节省后续膜层刻蚀工序。
上述多功能卷绕镀膜设备使用时,可通过在真空室外配备分子泵或扩散泵等抽真空机组,在安装好卷绕机构、镀膜机构及离子处理机构后,实现对真空室进行抽真空,抽真空机组采用现有设备通用的抽真空机组即可。
上述多功能卷绕镀膜设备中,离子处理机构、e型电子枪镀膜机构、磁控溅射镀膜机构、直式电子枪镀膜机构、条形电子发射装置和同步式掩膜机构均可采用相应的传统结构即可。
本发明相对于现有技术,具有以下有益效果:
本多功能卷绕镀膜设备及方法通过在单一的真空室中设置多种镀膜机构的安装位置,根据实际的工艺需要选择相应的镀膜机构进行安装后使用,其设备集成度高,设备成本低,占用空间也小,使用灵活而方便,尤其适用于实验室研究使用或小产量加工的镀膜工艺。
附图说明
图1为本多功能卷绕镀膜设备的整体结构示意图。
图2为本多功能卷绕镀膜设备实施例1的结构示意图。
图3为本多功能卷绕镀膜设备实施例2的结构示意图。
图4为本多功能卷绕镀膜设备实施例3的结构示意图。
图5为本多功能卷绕镀膜设备实施例4的结构示意图。
图6为本多功能卷绕镀膜设备实施例5的结构示意图。
上述各图中,1为真空室,2为放卷辊,3为离子处理机构,4为水冷辊,5为张力检测辊,6为导辊,7为收卷辊,8为磁控溅射镀膜机构,9为同步式掩膜机构,10为e型电子枪镀膜机构,11为直式电子枪镀膜机构,12为水冷挡板,13为坩埚,14为膜厚检测机构,15为活动小门,16为条形电子发射机构,17为离子处理区,18为镀膜区,19为直管体,20为侧管体。
具体实施方式
下面结合实施例,对本发明作进一步的详细说明,但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
本实施例的多功能卷绕镀膜设备采用e型电子枪蒸镀法对柔性基材进行表面镀膜加工。
多功能卷绕镀膜设备的整体结构如图1所示,包括真空室、卷绕机构、离子处理机构、e型电子枪镀膜机构、磁控溅射镀膜机构、直式电子枪镀膜机构、条形电子发射装置和同步式掩膜机构,真空室内设有离子处理区和镀膜区,离子处理区上方设置离子处理机构,镀膜区内设置磁控溅射镀膜机构、条形电子发射装置和同步式掩膜机构,镀膜区下方设有e型电子枪镀膜机构,镀膜区一侧设有直式电子枪镀膜机构,与直式电子枪镀膜机构相配合的坩埚设于e型电子枪镀膜机构下方,卷绕机构设于真空室内,柔性基材设于卷绕机构上。
其中,真空室的主体为横置的圆筒状结构,主体一侧的下部开口并向下延伸有一段直管体,e型电子枪镀膜机构安装于直管体内。即真空室的主体及下部直管体形成中空的“q”形结构。直管体的一侧设有向上倾斜延伸的侧管体,直式电子枪镀膜机构通过侧管体安装于真空室一侧。与直式电子枪镀膜机构相配合的坩埚位于直管体中的e型电子枪镀膜机构安装处,直式电子枪镀膜机构从侧管体中照射至直管体中的坩埚,使坩埚内的膜层材料产生蒸发,从而对镀膜区内的柔性基材表面进行镀膜。直管体一侧位于侧管体下方处设有活动小门,e型电子枪镀膜机构设于活动小门内侧。活动小门的设置可方便e型电子枪镀膜机构及坩埚的装卸及维护。
卷绕机构包括放卷辊、收卷辊、水冷辊、导辊和张力检测辊,放卷辊和收卷辊设于真空室的一侧,水冷辊设于真空室的另一侧,柔性基材依次卷绕于放卷辊、水冷辊和收卷辊上,放卷辊与水冷辊之间以及收卷辊与水冷辊之间分别设有导辊和张力检测辊。磁控溅射镀膜机构、条形电子发射装置和同步式掩膜机构分别设于水冷辊下方。真空室的外侧还设有膜厚检测机构,膜厚检测机构与直式电子枪镀膜机构相平行设置。
根据e型电子枪蒸镀法的工艺需求,本实施例的多功能卷绕镀膜设备结构如图2所示,在真空室的镀膜区下部安装e型电子枪镀膜机构。使用时,柔性基材通过卷绕机构在真空室内进行输送,输送过程中,柔性基材先经过离子处理区,通过离子处理机构对柔性基材进行表面处理,然后再送入镀膜区,由e型电子枪镀膜机构对柔性基材进行表面镀膜。
实施例2
本实施例的多功能卷绕镀膜设备采用磁控溅射法对柔性基材表面进行镀膜加工。多功能卷绕镀膜设备的结构如图3所示,与实施例1相比,其不同之处在于:根据磁控溅射法的工艺需求,在真空室的镀膜区内安装磁控溅射镀膜机构,使用时,柔性基材通过卷绕机构在真空室内进行输送,输送过程中,柔性基材先经过离子处理区,通过离子处理机构对柔性基材进行表面处理,然后再送入镀膜区,由磁控溅射镀膜机构对柔性基材进行表面镀膜。
实施例3
本实施例的多功能卷绕镀膜设备采用磁控溅射法对柔性基材表面进行镀膜加工。多功能卷绕镀膜设备的结构如图4所示,与实施例2相比较,其不同之处在于:在真空室中安装磁控溅射镀膜机构的同时,同时在镀膜区中安装同步式掩膜机构,磁控溅射镀膜机构带同步式掩膜机构同时使用,可实现掩膜镀膜,节省后续膜层刻蚀工序。
实施例4
本实施例的多功能卷绕镀膜设备采用直式电子枪蒸镀法对柔性基材表面进行镀膜加工。多功能卷绕镀膜设备的结构如图5所示,与实施例1相比较,其不同之处在于:根据直式电子枪蒸镀法的工艺需求,在真空室的一侧安装直式电子枪镀膜机构,并在镀膜区下方安装坩埚,同时,坩埚上方还设有水冷挡板。预熔时关闭水冷挡板,可防止膜层材料的氧化物污染柔性基材。使用时,柔性基材通过卷绕机构在真空室内进行输送,输送过程中,柔性基材先经过离子处理区,通过离子处理机构对柔性基材进行表面处理,然后再送入镀膜区,直式电子枪镀膜机构对柔性基材进行表面镀膜。
实施例5
本实施例的多功能卷绕镀膜设备采用直式电子枪蒸镀法对柔性基材表面进行镀膜加工。多功能卷绕镀膜设备的结构如图6所示,与实施例4相比较,其不同之处在于:在真空室中安装直式电子枪镀膜机构的同时,还在镀膜区中安装条形电子发射装置,直式电子枪镀膜机构带条形电子发射装置同时使用,可在膜层附着时同时加热,实现膜层结晶状态改变,获得更高质量的膜层。
如上所述,便可较好地实现本发明,上述实施例仅为本发明的较佳实施例,并非用来限定本发明的实施范围;即凡依本发明内容所作的均等变化与修饰,都为本发明权利要求所要求保护的范围所涵盖。

Claims (9)

1.多功能卷绕镀膜设备,其特征在于,包括真空室、卷绕机构、离子处理机构、e型电子枪镀膜机构、磁控溅射镀膜机构、直式电子枪镀膜机构和条形电子发射装置,真空室内设有离子处理区和镀膜区,离子处理区上方设置离子处理机构,镀膜区内设置磁控溅射镀膜机构和条形电子发射装置,镀膜区下方设有e型电子枪镀膜机构,镀膜区一侧设有直式电子枪镀膜机构,与直式电子枪镀膜机构相配合的坩埚设于e型电子枪镀膜机构下方,卷绕机构设于真空室内,柔性基材设于卷绕机构上。
2.根据权利要求1所述的多功能卷绕镀膜设备,其特征在于,所述真空室的主体为横置的圆筒状结构,主体一侧的下部开口并向下延伸有一段直管体,e型电子枪镀膜机构安装于直管体内。
3.根据权利要求2所述的多功能卷绕镀膜设备,其特征在于,所述直管体的一侧设有向上倾斜延伸的侧管体,直式电子枪镀膜机构通过侧管体安装于真空室一侧。
4.根据权利要求3所述的多功能卷绕镀膜设备,其特征在于,所述直管体一侧位于侧管体下方处设有活动小门,e型电子枪镀膜机构设于活动小门内侧。
5.根据权利要求1所述的多功能卷绕镀膜设备,其特征在于,所述卷绕机构包括放卷辊、收卷辊、水冷辊、导辊和张力检测辊,放卷辊和收卷辊设于真空室的一侧,水冷辊设于真空室的另一侧,柔性基材依次卷绕于放卷辊、水冷辊和收卷辊上,放卷辊与水冷辊之间以及收卷辊与水冷辊之间分别设有导辊和张力检测辊。
6.根据权利要求5所述的多功能卷绕镀膜设备,其特征在于,所述磁控溅射镀膜机构和条形电子发射装置分别设于水冷辊下方。
7.根据权利要求1所述的多功能卷绕镀膜设备,其特征在于,所述真空室的外侧还设有膜厚检测机构,膜厚检测机构与直式电子枪镀膜机构相平行设置。
8.根据权利要求1所述的多功能卷绕镀膜设备,其特征在于,所述坩埚上方还设有水冷挡板。
9.根据权利要求1~8任一项所述设备实现的多功能卷绕镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)根据实际镀膜工艺的需要,选择真空室中e型电子枪镀膜机构、磁控溅射镀膜机构或直式电子枪镀膜机构中的一种;
(2)柔性基材通过卷绕机构在真空室内进行输送,输送过程中,柔性基材先经过离子处理区,通过离子处理机构对柔性基材进行表面处理,然后再送入镀膜区,由已选择的镀膜机构对柔性基材进行表面镀膜。
CN201610493694.6A 2016-06-27 2016-06-27 多功能卷绕镀膜设备及方法 Active CN105986235B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610493694.6A CN105986235B (zh) 2016-06-27 2016-06-27 多功能卷绕镀膜设备及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610493694.6A CN105986235B (zh) 2016-06-27 2016-06-27 多功能卷绕镀膜设备及方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105986235A CN105986235A (zh) 2016-10-05
CN105986235B true CN105986235B (zh) 2018-09-07

Family

ID=57044486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610493694.6A Active CN105986235B (zh) 2016-06-27 2016-06-27 多功能卷绕镀膜设备及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105986235B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106929806B (zh) * 2016-10-25 2020-06-02 广东振华科技股份有限公司 高阻隔纳米无机非金属薄膜、其制备方法以及真空卷绕镀膜设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1732284A (zh) * 2002-12-26 2006-02-08 凸版印刷株式会社 真空蒸镀装置及蒸镀薄膜制造方法
CN101946022A (zh) * 2008-04-14 2011-01-12 株式会社爱发科 卷绕式真空成膜装置
CN103436844A (zh) * 2013-08-19 2013-12-11 肇庆市腾胜真空技术工程有限公司 一种低温沉积柔性基材ito膜镀膜装置及方法
CN205710897U (zh) * 2016-06-27 2016-11-23 广东腾胜真空技术工程有限公司 多功能卷绕镀膜设备

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1732284A (zh) * 2002-12-26 2006-02-08 凸版印刷株式会社 真空蒸镀装置及蒸镀薄膜制造方法
CN101946022A (zh) * 2008-04-14 2011-01-12 株式会社爱发科 卷绕式真空成膜装置
CN103436844A (zh) * 2013-08-19 2013-12-11 肇庆市腾胜真空技术工程有限公司 一种低温沉积柔性基材ito膜镀膜装置及方法
CN205710897U (zh) * 2016-06-27 2016-11-23 广东腾胜真空技术工程有限公司 多功能卷绕镀膜设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN105986235A (zh) 2016-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3337914B1 (en) Method and apparatus for co-sputtering multiple targets
CN106133877B (zh) 具有多阴极的沉积系统及其制造方法
CN1950922B (zh) 将溅射源和偏压功率频率施加到工件上的金属等离子体汽相沉积和再溅射的设备
CN104884667B (zh) 基板处理设备
CN102220561B (zh) 用于磁控溅射装置中的环状阴极
EP1999292B1 (en) Sputtering apparatus
US10262838B2 (en) Deposition system with integrated cooling on a rotating drum
CN107245701A (zh) 一种多靶材磁控溅射卷绕镀膜机及镀膜方法
US11674213B2 (en) Sputtering apparatus including gas distribution system
US9175383B2 (en) Double-coating device with one process chamber
CN105986235B (zh) 多功能卷绕镀膜设备及方法
CN205710897U (zh) 多功能卷绕镀膜设备
JP4901696B2 (ja) 成膜装置
CN208201109U (zh) 用于磁控溅射生产线的一体式溅射环靶
EP2081212B1 (en) Double-Coating Device with one Process Chamber
US20140174911A1 (en) Methods and Systems for Reducing Particles During Physical Vapor Deposition
JP2006299362A (ja) スパッタ成膜装置
CN110408912A (zh) 一种多片式旋转等离子体增强原子层沉积成膜装置
US20220076932A1 (en) Plasma film forming apparatus and plasma film forming method
WO2021244738A1 (en) Deposition apparatus, processing system, method of maintaining a deposition apparatus, and method of manufacturing a layer of an optoelectronic device
US20140174914A1 (en) Methods and Systems for Reducing Particles During Physical Vapor Deposition
JP5239218B2 (ja) カラーフィルタの製造方法
CN106048553B (zh) 一种薄膜性能测试中的制片的方法
WO2019096391A1 (en) Method and apparatus for vapor depositing an insulation layer of metal oxide on a substrate
CN102212779A (zh) 磁控溅射镀膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20211202

Address after: 526000 room 336, third floor, oxygen bar Mingxuan Garden Club B, Kengkou new town, Dinghu District, Zhaoqing City, Guangdong Province

Patentee after: GUANGDONG TENGSHENG TECHNOLOGY INNOVATION Co.,Ltd.

Address before: 526060 binri industrial village, Duanzhou 1st Road, Zhaoqing City, Guangdong Province

Patentee before: GUANGDONG TENGSHENG VACUUM TECHNOLOGY ENGINEERING CO.,LTD.