CN208201109U - 用于磁控溅射生产线的一体式溅射环靶 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种用于磁控溅射生产线的一体式溅射环靶，包括磁控溅射室、电信号输入口和靶杆，磁控溅射室包括靶材固定座、靶材、靶导磁座、磁钢和靶头座，所述的靶材设置在所述的靶材固定座的下部，所述的靶杆连接所述的靶头座，所述的磁钢设置在靶头座和靶导磁座内，其特征在于：还设置有匀气环、氩气通入管和集成法兰，所述的匀气环设置在所述的磁控溅射室的上部，所述的匀气环上设置有孔，匀气环连接所述的氩气通入管，所述的靶杆和氩气通入管设置在集成法兰上，其优点是：适合大功率输入，带有射频防护功能，提升薄膜质量，装置的集成度高。

Description

用于磁控溅射生产线的一体式溅射环靶

技术领域

本实用新型涉及一种溅射环靶，具体是一种用于磁控溅射生产线的一体式溅射环靶，用于科研型磁控溅射镀膜机上，是制备金属及半导体薄膜的核心装置。

背景技术

磁控溅射的工作原理是指电子在电场的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出氩正离子和新的电子，新电子飞向基片，氩离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射，在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。

而现有是溅射环靶不太适合大功率输入，尤其是射频功率，且射频防护不到位，容易有射频信号漏出，同时在溅射开始时，存在杂质，影响薄膜质量。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题是克服现有技术中存在的不足，而提供一种适合大功率输入且带有防护功能的用于磁控溅射生产线的一体式溅射环靶。

本申请解决上述技术问题所采用的技术方案包括：一种用于磁控溅射生产线的一体式溅射环靶，包括磁控溅射室、电信号输入口和靶杆，磁控溅射室包括靶材固定座、靶材、靶导磁座、磁钢和靶头座，所述的靶材设置在所述的靶材固定座的下部，所述的靶杆连接所述的靶头座，所述的磁钢设置在靶头座和靶导磁座内，其特征在于：还设置有匀气环、氩气通入管和集成法兰，所述的匀气环设置在所述的磁控溅射室的上部，所述的匀气环上设置有孔，匀气环连接所述的氩气通入管，所述的靶杆和氩气通入管设置在集成法兰上。

优选的，还设置有不锈钢水管，所述的不锈钢水管设置在所述的靶杆内，不锈钢水管的上端连接所述的磁控溅射室。

优选的，还设置有屏蔽罩，所述的不锈钢水管的下端设置在所述的屏蔽罩内，所述的电信号输入口设置在屏蔽罩外。

优选的，还设置有挡板和杆，所述的挡板与所述的杆连接，杆设置在所述的集成法兰上。

本申请具有以下特点:适合大功率输入，带有射频防护功能，提升薄膜质量，装置的集成度高。

附图说明

图1是本申请实施例的主视图。

图2是本申请实施例的俯视图。

图3是本申请实施例的图1的A-A剖视图。

图4是本申请实施例的图3的A的局部放大图。

图5是本申请实施例的图3的B的局部放大图。

图中：1集成法兰，21挡板，22杆，23旋转电机，3匀气环，31孔，32氩气通入管，41靶材固定座，42靶材，43靶导磁座，44磁钢，45靶头座，5靶杆，51不锈钢水管，52电信号输入口，6屏蔽罩。

具体实施方式

下面结合附图并通过实施例对本申请作进一步的详细说明，以下实施例是对本申请的解释而本申请并不局限于以下实施例。

如图1至图5所示, 一种用于磁控溅射生产线的一体式溅射环靶包括安装在集成法兰1上的杆22和靶杆5，挡板21设置在杆22的上部，杆22的下部设置有旋转电机23,在刚刚开始溅射时，存在杂质，挡板21在旋转电机23的作用下可绕杆22进行180度旋转将挡板21盖住环靶，待杂质溅射完毕时，将挡板21再进行180度旋转，使环靶正常溅射镀膜，靶杆5的上端为磁控溅射室，磁控溅射室包括靶材固定座41、靶材42、靶导磁座43、磁钢44和靶头座45，靶材42设置在靶材固定座41的下部，靶杆5连接靶头座45，磁钢44设置在靶头座45和靶导磁座43内，磁钢44提供磁场，在靶杆5内设置有不锈钢水管51，不锈钢水管51的上端连接磁控溅射室，不锈钢水管51的下端设置在屏蔽罩6内，电信号输入口52设置在屏蔽罩6外，将电信号的输入点设置的比较远，可减少发热量，适合大功率输入，在磁控溅射室的上部还设置有匀气环3，匀气环3上设置有多个孔31，使惰性气体的出气均匀，提高溅射的膜的质量，氩气通入管32的上端连接匀气环3，氩气通入管32的下端穿过集成法兰1，利用一个集成法兰1，将杆22、靶杆5和氩气通入管32都集成在一起，可实现挡板和靶面同步升降，并增加了溅射气体导入接口以及匀气环3，使起辉气压降低30%，提高了膜的质量。

本申请中有关上面、下面等位置关系的说明都是依据实施例的附图来描述的。

本说明书中所描述的以上内容仅仅是对本申请所作的举例说明；而且，本申请零部件所取的名称也可以不同，凡依本申请专利构思所述的构造、特征及原理所做的等效或简单变化，均包括于本申请的保护范围内。

Claims (4)

1.一种用于磁控溅射生产线的一体式溅射环靶，包括磁控溅射室、电信号输入口和靶杆，磁控溅射室包括靶材固定座、靶材、靶导磁座、磁钢和靶头座，所述的靶材设置在所述的靶材固定座的下部，所述的靶杆连接所述的靶头座，所述的磁钢设置在靶头座和靶导磁座内，其特征在于：还设置有匀气环、氩气通入管和集成法兰，所述的匀气环设置在所述的磁控溅射室的上部，所述的匀气环上设置有孔，匀气环连接所述的氩气通入管，所述的靶杆和氩气通入管设置在集成法兰上。

2.根据权利要求1所述的用于磁控溅射生产线的一体式溅射环靶，其特征在于：还设置有不锈钢水管，所述的不锈钢水管设置在所述的靶杆内，不锈钢水管的上端连接所述的磁控溅射室。

3.根据权利要求2所述的用于磁控溅射生产线的一体式溅射环靶，其特征在于：还设置有屏蔽罩，所述的不锈钢水管的下端设置在所述的屏蔽罩内，所述的电信号输入口设置在屏蔽罩外。

4.根据权利要求1所述的用于磁控溅射生产线的一体式溅射环靶，其特征在于：还设置有挡板和杆，所述的挡板与所述的杆连接，杆设置在所述的集成法兰上。