CN105977185A - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

公开了基板处理装置。本发明涉及的基板处理装置，其特征在于，包括：主体(100)，提供作为基板处理空间的腔室(101)；气体入口(300)，向腔室(101)内供应基板处理气体(g)；气体出口(400)，向外部排出腔室(101)内的基板处理气体(g)；加热器(200)，配置在腔室(101)内，对腔室(101)内部进行加热；温度控制器(500)，配置在主体(100)的外侧面，控制主体(100)内侧面的温度；隔热体(150)，在主体(100)的内侧面隔着规定距离配置；以及主体加热器(250)，配置在主体(100)的内侧面和隔热体(150)的外侧面之间。

Description

基板处理装置

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置。更详细而言，涉及一种具备控制主体内侧面的温度的温度控制器以及主体加热器，从而能够将主体内侧壁的温度保持在规定温度，以避免基板处理气体或挥发性物质在主体的内侧壁冷凝的基板处理装置。

背景技术

在制造显示装置或半导体元件时使用的基板处理装置中，对基板进行处理的腔室内部会供应以及排出大量气体。这些气体为了达到在基板上形成薄膜、或在基板上的薄膜上形成图案、或使腔室内部的气氛换气等为目的而供应至腔室内部，并从腔室排出至外部。

在基板处理过程中，腔室内壁会被供应至腔室内部的气体或从基板挥发的气体污染。在基板处理过程中，腔室内部需要保持规定的工艺温度以及工艺压力，此时，由于腔室外部和腔室内部的温差以及压差，会发生气体在主体内壁冷凝的现象。被冷凝的气体在反复进行的基板处理过程中重复蒸发以及冷凝，或者与其他化学成分的气体进行反应，或者在特定温度环境下变质，因此会进一步污染主体内壁。

结果，现有的基板处理装置，主体内壁的污染物质在以后的基板处理过程中再蒸发并流入到基板上而污染基板，因此，产品的可靠性降低，产量下降。

另外，现有的基板处理装置，需洗涤主体内壁上的污染物质或更换主体内壁本身，因此，产品的生产成本会增加。

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明是为了解决上述现有技术的所有问题而提出的，目的在于提供一种将主体内壁保持在规定温度以使气体不在主体内壁冷凝的基板处理装置。

另外，本发明的目的在于，提供一种同时使用温度控制器以及主体加热器从而将主体内壁迅速保持在所需温度的基板处理装置。

另外，本发明的目的在于，提供一种保持主体内壁不受污染从而提高产品的可靠性以及产量的基板处理装置。

解决问题的技术方案

为了达成上述目的，本发明的一实施例涉及的基板处理装置，其特征在于，包括：主体，提供作为基板处理空间的腔室；气体入口(inlet)，向所述腔室内供应基板处理气体；气体出口(outlet)，向外部排出所述腔室内的基板处理气体；加热器，配置在所述腔室内，对所述腔室内部进行加热；温度控制器，配置在所述主体的外侧面，控制所述主体内侧面的温度；隔热体，在所述主体的内侧面隔着规定距离配置；以及主体加热器，配置在所述主体的内侧面和所述隔热体的外侧面之间。

发明效果

根据如上所述构成的本发明，将主体内壁保持在规定温度，因此气体不会在主体内壁冷凝。

另外，本发明同时使用了温度控制器以及主体加热器，从而能够将主体内壁迅速保持在所需的温度。

另外，本发明保持主体内壁不受污染，因此能够提高产品的可靠性以及产量。

附图说明

图1是示出本发明的一实施例涉及的基板处理装置的整体结构的立体图。

图2是示出本发明的一实施例涉及的基板处理装置的主剖视图。

图3是示出本发明的一实施例涉及的基板处理装置的左、右侧剖视图。

图4是图2的“A”以及“B”的放大图。

图5是示出本发明的一实施例涉及的温度控制器的动作的概略图。

图6是示出本发明的一实施例涉及的气体入口以及气体出口的剖视图。

图7是示出本发明的一实施例涉及的基板处理装置上形成有物质排出孔的状态的立体图。

附图标记

10：基板 11：基板支架

100：主体 101：腔室

110：门 120：加强肋条

130：物质排出孔 200：加热器

210：主加热器 220：副加热器

250：主体加热器 300：气体入口

350：防冷凝气体入口 400：气体出口

500：温度控制器 600：主体壁加热模块

700：主体壁冷却模块 d：排出冷凝气体

g：基板处理气体 n：防冷凝气体

具体实施方式

对于后述的本发明的详细说明，参照了例示出能够实施本发明的特定实施例的附图。这些实施例充分详细说明，以便本领域技术人员能够实施本发明。应理解为，本发明的各种实施例虽彼此不同，但无需相互排斥。例如，这里所记载的特定形状、结构以及特性与一个实施例相关，在不超出本发明的精神以及范围的情况下，可以由其他实施例实现。另外，应理解为，各公开的实施例内的个别结构要素的位置或配置在不超出本发明的精神以及范围的情况下可以变更。因此，后述的详细说明并非旨在限定本发明，本发明的范围仅以权利要求书和其等同的所有范围限定。附图中的相似的附图标记在多方面表示相同或相似的功能，为方便起见，长度以及面积、厚度等和其形状有可能被夸大示出。

在本说明书中，基板可以理解为，包括用于LED、LCD等显示装置的基板、半导体基板、太阳能电池基板等的所有基板，可以优选理解为，用于柔性(Flexible)显示基板的柔性基板。

另外，在本说明书中，基板处理工序可以理解为，包括沉积工序、热处理工序等，可以优选理解为，在非柔性(Non-Flexible)基板上形成柔性基板、在柔性基板上形成图案、分离柔性基板等的工序。

下面，参照附图，对本发明的实施例涉及的基板处理装置进行详细说明。

图1是示出本发明的一实施例涉及的基板处理装置的整体结构的立体图，图2是示出本发明的一实施例涉及的基板处理装置的主剖视图，图3是示出本发明的一实施例涉及的基板处理装置的左、右侧剖视图，图4是图2的“A”以及“B”的放大图。

参照图1至图4，本实施例涉及的基板处理装置可以包括主体100、隔热体150、加热器200、主体加热器250、气体入口(inlet)300、气体出口(outlet)400以及温度控制器500。

主体100构成腔室101，该腔室101是内部装载基板10并对其进行处理的密闭空间。在本说明书中，腔室101空间为后述的隔热体150的内侧面空间，应理解为实际执行基板处理的空间。换言之，在主体100内部空间，通过隔热体150内侧面形成的空间为腔室101，主体100内侧面和隔热体150外侧面之间形成的空间是独立的。

主体100大致呈六方体形状，主体100的材料可以是石英(Quartz)、不锈钢(SUS)、铝(Aluminium)、石墨(Graphite)、碳化硅(Silicon carbide)或氧化铝(Aluminium oxide)中的至少任一种。

在腔室101内部可以配置有多个基板10。多个基板10可以配置为分别具有一定间隔，以被基板支架11支承或安放于晶舟(未图示)的方式配置于腔室101内部。

在主体100的一面(例如，前面)可以形成有出入口115，该出入口115为装载/卸载基板10的通道。出入口115仅形成于主体100的一面(例如，前面)，也可以形成于相反面(例如，后面)。

门110可以设置于主体100的一面(即，形成有出入口115的面)。门可以设置为能够沿着前后方向、左右方向或上下方向滑动。门110可以开闭出入口115，当然，也可以根据出入口115的开闭与否来开闭腔室101。另外，门110和主体100的形成有出入口115的面之间可以夹设有O形环(O-ring)等密封部件(未图示)，以使出入口115完全被门110密封。

另一方面，在主体100的外侧面上可以结合有加强肋条120。在工序中，主体100内部会因受到强压或高温的影响而产生破损或变形。因此，在主体100的外侧面上结合加强肋条120，从而能够提高主体100的耐久性。根据需要，也可以只在特定外侧面或部分外侧面上结合加强肋条120。

隔热体150可以配置于主体100的内侧面。换言之，隔热体150可以设置于主体内部的后面、上下面以及两侧面，以彼此连接或一体的形式，具有对应于主体100的六方体形状。

隔热体150可以配置为，与主体100的内侧面隔着规定距离，规定距离优选大于主体加热器250的厚度或直径，以便能够配置后述的主体加热器250。另外，隔热体150可以无限制地使用公知的隔热材料，但是优选使用热变形小的材料。

隔热体150的作用在于，不仅起到固有的隔热作用，即防止腔室101内部的热量损失，还起到提供空间的作用，即提供能够在主体100的内侧面和隔热体150的外侧面之间的空间151(参照图4)配置主体加热器250的空间，也起到阻隔膜的作用，即隔离通过后述的防冷凝气体入口350供应的防冷凝气体n(参照图4)，使其只供应至主体100的内侧面和隔热体150的外侧面之间的空间151。

在隔热体150的相应部分可以形成有孔155，以便从后述的主体100的一侧面连通至另一侧面的加热器200能够通过。

加热器200可以包括：主加热器210，其对腔室101的内部进行加热而形成基板处理气氛，并对基板10直接进行加热；以及副加热器220，其防止腔室101内部的热量损失。

主加热器210可以在与装载/卸载基板10的方向垂直的方向上隔着一定间隔配置，可以沿着基板10的层叠方向在垂直方向上隔着一定间隔配置。副加热器220可以沿着与装载/卸载基板10的方向平行的方向配置在腔室101的内壁(或，隔热体150的内侧面)，并沿着基板10的层叠方向在垂直方向上隔着一定间隔。

主加热器210可以包括多个发热体211以及设置于各发热体211的两端的端子212，副加热器220也可以同样的包括多个发热体221以及设置于各发热体221的两端的端子222。发热体211、221的数量可以根据主体100的大小、基板10的大小以及数量进行各种变更。

发热体211、221为从主体100的一侧面连通至另一侧面的杆(bar)状，可以是在石英管内部插入发热物质的状态。例如，主加热器210的发热体211可以从主体100的左侧面连通至右侧面，副加热器220的发热体221可以从除出入口115部分以外的主体100的前面连通至后面。端子212、222从外部的电源(未图示)接受电力，使发热体211、221产生热量。

因此，通过配置在上部以及下部的加热器200，基板10的整个面积可以被均匀加热，因此，提高基板处理工序的可靠性。

本发明的基板处理装置，其特征在于，在主体100的内侧面和隔热体150的外侧面之间的空间151配置主体加热器250。

相对于对腔室101的内部进行加热，主体加热器250对主体100的内侧面进行加热，从而能够调节主体100内壁的温度。通过调节主体100内壁的温度，可以使后述的挥发性物质不在主体100的内壁冷凝，而是以气体状态存在。优选，主体加热器250可以将主体100的内壁温度保持在50℃至250℃。

特别是，在六方体形状的主体100中，由于在拐角部分热量不均匀地传递，从而导致挥发性物质较多地冷凝在拐角部分，因此，优选主体加热器250集中配置于主体100的拐角部分、或弯曲部分。除此之外，在主体100内侧面中，也可以在具有较大面积的上侧面、下侧面部分增加配置主体加热器250。在图1至图3中示出了，除了拐角部分251之外，在上侧面中央部增加配置一个(253)主体加热器250，在下侧面中央部增加配置三个(255)主体加热器250。

与加热器200相同，主体加热器250具有从主体100的一侧面连通至另一侧面的杆(bar)状，可以是在石英管内部插入发热物质的状态，并且可以包括发热体以及端子。作为一例，在本说明书中示出了主体加热器250沿着垂直于基板10的装载/卸载方向的方向(与主加热器210相同的方向)配置的，但也可以沿着平行于基板10的装载/卸载方向的方向(与副加热器220相同的方向)配置。

另一方面，在主体100的内侧面和隔热体150的外侧面之间的空间151还配置热反射板(未图示)，朝主体100的内侧面反射主体加热器250的辐射热，因此，能够有效地加热主体100的内壁。并且，热反射板(未图示)也具有与隔热体150类似的阻隔膜的作用，即隔离通过后述的防冷凝气体入口350供应的防冷凝气体n(参照图4)，使其只供应至主体100的内侧面和隔热体150的外侧面之间的空间151。

参照图4的(a)，气体入口300可以连接在腔室101(或主体100)的外部一侧面(例如，左侧面)，气体出口400连接在腔室101(或主体100)的外部另一侧面(例如，右侧面)。

气体入口300可以提供朝腔室101内部供应基板处理气体g的通道。气体入口300可以包括：气体流入管320，其与气体储存部(未图示)连接，接收基板处理气体g；以及多个气体供应管310，其以垂直方向上隔着一定间隔的形式形成于气体流入管320。气体供应管310可以贯通主体100以及隔热体150并连接至腔室101内部，并通过形成于气体供应管310的端部的吐出孔311将基板处理气体g供应至腔室101内部。在气体供应管310和主体100之间可以进行规定的密封。

气体出口400可以提供向外部排出腔室101内部的基板处理气体g的通道。气体出口400可以包括：气体流出管420，其与外部的气体排出部(未图示)连接，并排出基板处理气体g；多个气体排出管410，其以垂直方向上隔着一定间隔的形式形成于气体流出管420。气体排出管410可以贯通主体100以及隔热体150并连接至腔室101内部，并通过形成于气体排出管410的端部的排出孔411，将气体从腔室101内部排出至外部。在气体排出管410和主体100之间可以进行规定的密封。

优选，吐出孔311(或，气体供应管310)以及排出孔411(或气体入口管410)分别位于配置在腔室101内的基板10和邻近上部或下部的基板10之间的间隔，以便在腔室101收纳多个基板10时，能够将基板处理气体g均匀供应至基板10，并且易于吸入基板处理气体g而排出至外部。

另一方面，再次参照图1至图4，本发明的处理装置的特征在于，主体100的至少外部一侧面还连接有用于供应防冷凝气体n的防冷凝气体入口350。特别是，优选防冷凝气体入口350连接350a、350b在连接有气体入口300以及气体出口400的主体100的两侧面，以便能够向主体100内侧面的整个范围均匀供应防冷凝气体n。

参照图4的(b)，防冷凝气体入口350可以提供朝主体100的内侧面和隔热体150的外侧面之间的空间151供应防冷凝气体n的通道。防冷凝气体入口350可以包括：防冷凝气体流入管355，其与冷凝气体储存部(未图示)连接，接收防冷凝气体n；多个防冷凝气体供应管351，其以垂直方向上隔着一定间隔的形式形成于防冷凝气体流入管355。防冷凝气体供应管351可以贯通主体100并连接至主体100和隔热体150之间的空间151。即，优选，防冷凝气体供应管351的一端部连接于防冷凝气体流入管355，另一端部配置在主体100和隔热体150之间的空间151。这样，防冷凝气体n能够供应至主体100和隔热体150之间的空间151。

相对于对腔室101内部进行加热，防冷凝气体n与主体加热器250同样地对主体100的内侧面进行加热，从而调节主体100内壁的温度。优选，防冷凝气体n可以将主体100的内壁温度保持在50℃至250℃。

主体加热器250的优点在于，能够迅速控制设置部分(拐角、上侧面、下侧面等)的温度，防冷凝气体n的优点在于，对于主体100和隔热体150之间空间151能够全面均匀地调节主体100的内壁温度。优选，防冷凝气体n为热氮气(Hot-N₂)，但是只要不影响基板处理并且能够防止后述的挥发性物质的冷凝，也可以无限制地使用其他气体。

再次参照图1至图4，本发明的基板处理装置，其特征在于，包括：温度控制器500，配置在主体100的外侧面，并控制主体壁的温度。

优选，温度控制器500可以配置为，与主体壁的外侧面相邻或隔着规定距离，在内部以之字形弯曲配置用于热媒或冷媒流动的导管等。温度控制器500的作用在于，将主体100的内壁温度保持在规定温度，以防止在基板处理过程中在基板10上挥发的物质、供应至腔室101并排出的物质等在主体100的内壁冷凝。优选，将主体100的内壁温度保持在50℃至250℃。

温度控制器500可以配置在主体壁的上部侧510、左右侧520(520a、520b)、下部侧530以及前后侧的门540、550上，但是，在达成本发明的目的情况下，即将主体100的内壁温度保持在规定温度的范围内，也可以在主体100的部分外侧面省略配置温度控制器500。

假设，如果本发明的基板处理装置是对用于柔性显示装置的柔性基板10进行处理，此时，对基板处理过程中主体加热器250、防冷凝气体入口350、温度控制器500的功能进行详细说明。

一般，柔性基板10的制造过程可以分为，在非柔性基板上形成柔性基板的工序、在柔性基板上形成图案的工序、以及从非柔性基板分离柔性基板的工序。

在玻璃、塑料等非柔性基板上形成由聚酰亚胺(Polyimide)等构成的膜，进行热处理使其固化后，在粘接非柔性基板和柔性基板的物质中注入溶剂来减弱粘接力或分解粘接物质，从非柔性基板分离柔性基板，从而完成柔性基板。

此时，所注入的溶剂成分或在柔性基板的形成过程中柔性基板中所包含的溶剂成分挥发，可以通过气体出口400排出至主体100的外部，但是，主体100内壁的温度有可能会较低，所以上述物质因主体100的外部和主体100的内部温差以及压差而在主体100内壁的规定部分无法挥发而被冷凝。结果，会发生在主体100内壁冷凝的溶剂成分污染主体100或在后续工序中污染基板10的问题。因此，本发明的基板处理装置，其特征在于，将主体100的内壁温度保持在气体不会被冷凝的程度，以使包含溶剂的主体100内的气体不在主体100内壁冷凝，而是以气体状态全部排出至外部。

作为一例，包含于基板10上的物质可以是诸如溶剂的挥发性物质，是在50℃至250℃下气化的物质。优选，这样的物质可以是NMP(n-methyl-2-pyrrolidone：正甲基-2-吡咯烷酮)，也可以是IPA、丙酮(Acetone)、PGMEA(Propylene Glycol Monomethyl EtherAcetate：丙二醇单甲醚乙酸酯)等挥发性物质。

为了使上述物质不在主体100内部冷凝而是保持气体状态排出，将主体100的内壁温度保持为所述物质能够气化的温度是理所当然的。为此，可以使用主体加热器250、温度控制器500，还可以增加连接防冷凝气体入口350。在温度控制器500上可以连接主体壁加热模块600和主体壁冷却模块700。

图5是示出本发明的一实施例涉及的温度控制器500的动作的概略图。

参照图5，在温度控制器500、主体壁加热模块600以及主体壁冷却模块700的中间可以设置三通阀(3WV：3way valev)。主体壁加热模块600包括能够瞬间提高冷却水(PCW：Process Cooling Water)的温度的换热器，可以理解为对冷却水进行加热并进行供应的装置，主体壁冷却模块700可以理解为供应冷却水的装置。

作为一例，在基板处理工序时，腔室101(或主体100)内部的基板处理温度可以阶段性地上升，即从80℃上升为150℃、从150℃上升为250℃、从250℃上升为350℃等。在基板处理初期，腔室101内部的基板处理温度为80℃左右，因此，主体100的内壁的温度有可能是相对更低的小于60℃～80℃，作为蒸发区为80℃～150℃左右的挥发性物质中的一种的NMP，在主体100的内壁冷凝的可能性高。因此，在基板处理初期控制三通阀，由主体壁加热模块600加热冷却水P1而供应至温度控制器500，从而可以将主体壁的温度保持在NMP的最小蒸发区的80℃以上。或者，可以控制主体加热器250、防冷凝气体入口350中的至少一个，从而将主体壁的温度保持在NMP的最小蒸发区的80℃以上。当然，也可以组合使用主体加热器250、防冷凝气体入口350以及温度控制器500。

当腔室101内部的基板处理温度小于等于300℃时，启动主体壁加热模块600，若腔室101内部的基板处理温度大于300℃时，控制三通阀，可以从主体壁冷却模块700向温度控制器500供应冷却水P2，从而将主体壁的温度保持在NMP的最小蒸发区的80℃以上。当然，若腔室101内部的基板处理温度大于300℃，则即使不对温度控制器500供应冷却水，主体壁的温度也能达到80℃以上，但是，若主体壁的温度过度上升而大于挥发性物质的蒸发区80℃～250℃，则会产生主体壁的扭曲、破损问题，因此，有必要通过主体壁冷却模块700对温度控制器500适当地供应冷却水。换言之，若腔室101内部的基板处理温度小于等于300℃，则启动主体壁加热模块600，若腔室101内部的基板处理温度大于300℃，则启动主体壁冷却模块700，从而能够将主体100内壁的温度保持在50℃至250℃。

此外，可以控制主体加热器250、防冷凝气体入口350中的至少一个，将主体壁的温度保持在50℃至250℃。作为一例，若腔室101内部的基板处理温度小于等于300℃，则启动主体加热器250或防冷凝气体入口350中的至少一个，若腔室101内部的基板处理温度大于300℃，则中断主体加热器250或防冷凝气体入口350中的至少一个的动作，或者可以通过减少主体加热器250所产生的热量，或者通过降低由防冷凝气体入口350供应的防冷凝气体n的温度，将主体100内壁的温度保持在50℃至250℃。

相对于使用温度控制器500，主体加热器250和防冷凝气体入口350能够更加迅速地控制主体壁的温度，因此，能够进一步有效地防止挥发性物质在主体100内壁冷凝。当然，也可以组合使用主体加热器250、防冷凝气体入口350以及温度控制器500。

如此，本发明的基板处理装置具备主体加热器250、防冷凝气体入口350以及温度控制器500，具有如下优点，将主体100内壁温度保持在规定温度(即，气体的蒸发温度)，从而防止气体在主体100内壁冷凝。另外，气体不在主体100内壁冷凝，而是都能够排出至主体100外部，因此，主体100内壁不受污染，能够提高产品的可靠性以及产量。

另一方面，本发明的基板处理装置还可以具备用于排出被冷凝的气体的单元。下面，参照图6以及图7进行说明。

图6是示出本发明的一实施例涉及的气体入口300以及气体出口400的剖视图。图6的(a)表示气体入口300，图6的(b)表示气体出口400。

可以通过主体加热器250、防冷凝气体入口350以及温度控制器500，防止气体在主体100的内壁冷凝，但是，连接于主体100的外部一侧面(例如，左侧面)以及外部另一侧面(例如，右侧面)的气体入口300和气体出口400部分由于受到外部低温的影响从而气体在其中容易冷凝。被冷凝的气体暂时冷凝于气体入口300的气体供应管310或气体流入管320的内侧，在基板处理工序时，随着基板处理气体g的供应，一同吐出至腔室101内部，从而导致基板10污染。

因此，如图6的(a)所示，气体入口300还可以具备能够排出被冷凝的气体(或，被冷凝的挥发性物质)的排泄端口(drain port)330。排泄端口330可以是只排出被冷凝的液体状态的物质的通道，也可以具备与泵(未图示)等连接而吸入空气的抽吸(suction)功能。可以通过气体供应管320供应气体g，而在气体入口300内部冷凝的气体等可以通过排泄端口330排出d。

与气体入口300同样，气体出口400也可以具有在气体排出管420上连接有排泄端口(未图示)的结构。

另一方面，如图6的(b)所示，气体出口400的作用在于，向外部排出腔室101内部的气体g，因此，无需单独具备排泄端口(未图示)，气体排出管420的端部430可以兼有排泄端口的作用，从而能够向外部排出腔室101内部的气体g的同时，能够向外部一同排出d在气体出口400内部冷凝的气体等。

图7是示出本发明的一实施例涉及的基板处理装置上形成有物质排出孔(hole)130(130a、130b、130c、130d)的状态的立体图。

参照图7，主体100的至少一个侧面，具体而言，参照图6进行说明的除了配置有气体入口300以及气体出口400的主体100的左侧面以及右侧面之外的侧面，可以形成多个物质排出孔130(130a、130b、130c、130d)。物质排出孔连接于配置在外部的抽吸单元(未图示)，能够有效排出在主体100内壁冷凝的物质。

即使发生气体在主体100内壁冷凝的情况，通过物质排出孔130也能向外部排放，因此，能够进一步有效防止主体100内壁的污染，进一步提高产品的可靠性以及产量。

如上所述，通过优选实施例对本发明进行了说明，但是并非限定于所述实施例，在不超出本发明的精神的范围内，该发明所属技术领域的普通技术人员可以进行各种变形和变更。应视为这样的变形例以及变更例均属于本发明的权利要求书范围内。

Claims (14)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

主体，提供作为基板处理空间的腔室；

气体入口，向所述腔室内供应基板处理气体；

气体出口，向外部排出所述腔室内的基板处理气体；

加热器，配置在所述腔室内，对所述腔室内部进行加热；

温度控制器，配置在所述主体的外侧面，控制所述主体的内侧面的温度；

隔热体，隔着规定距离配置在所述主体的内侧面；以及

主体加热器，配置在所述主体的内侧面和所述隔热体的外侧面之间。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述温度控制器、所述主体加热器中的至少一个将所述主体的所述内侧面的温度保持在50℃至250℃，以防止在所述腔室内气化或干燥的基板上的物质在所述主体的内侧面冷凝。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述物质为挥发性物质，是在50℃至250℃下气化的物质。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述主体呈六方体形状，

所述主体加热器配置在所述主体的内侧拐角、内侧上部面、内侧下部面中的至少一处。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述主体的至少一侧面上连接有防冷凝气体入口，所述防冷凝气体入口向所述主体的内侧面和所述隔热体的外侧面之间的空间供应防冷凝气体。

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述防冷凝气体为热氮气。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述主体的内侧面和所述隔热体的外侧面之间还配置有热反射板。

8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

若所述腔室内部的基板处理温度小于等于300℃，则启动所述主体加热器，

若所述腔室内部的基板处理温度大于300℃，则中断所述主体加热器的动作，

将所述主体的所述内壁的温度保持在50℃至250℃。

9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

若所述腔室内部的基板处理温度小于等于300℃，则启动与所述温度控制器连接的主体壁加热模块，

若所述腔室内部的基板处理温度大于300℃，则启动与所述温度控制器连接的主体壁冷却模块，

将所述主体的所述内壁的温度保持在50℃至250℃。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述加热器以及所述主体加热器包括从所述主体的一侧面连通至另一侧面的杆状发热体。

11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述腔室内配置有多个基板。

12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气体入口连接于所述主体的外部的一侧面，

所述气体出口连接于所述主体的外部的另一侧面。

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气体入口或所述气体出口中的至少一个还具备排出所述物质的端口。

14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述主体的至少一个侧面上形成有多个物质排出孔。