CN105954983A - 显影方法及系统 - Google Patents

显影方法及系统 Download PDF

Info

Publication number
CN105954983A
CN105954983A CN201610566567.4A CN201610566567A CN105954983A CN 105954983 A CN105954983 A CN 105954983A CN 201610566567 A CN201610566567 A CN 201610566567A CN 105954983 A CN105954983 A CN 105954983A
Authority
CN
China
Prior art keywords
spray
adjusting part
substrate
developed
concentration adjusting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610566567.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105954983B (zh
Inventor
罗丽平
刘明悬
张小祥
刘会双
孙增标
李伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201610566567.4A priority Critical patent/CN105954983B/zh
Publication of CN105954983A publication Critical patent/CN105954983A/zh
Priority to US15/647,589 priority patent/US10012906B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN105954983B publication Critical patent/CN105954983B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3057Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the processing units other than the developing unit, e.g. washing units
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/0221Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts
    • B05B13/0228Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts the movement of the objects being rotative
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/04Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation
    • B05B13/0421Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation with rotating spray heads
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • G03F7/3028Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck characterised by means for on-wafer monitoring of the processing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/06Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing
    • G03G15/10Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing using a liquid developer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显影系统及方法,属于显示技术领域,该方法可以应用于显影系统中,该显影系统包括:喷淋组件和浓度调节组件,该方法包括:通过该喷淋组件向待显影基板上的各个显影区域喷淋相同浓度的显影液;通过该浓度调节组件向该待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,使得在显影过程中该待显影基板上各个显影区域的显影速度相同。本发明可以通过该浓度调节组件对待显影基板上各个显影区域内的显影液浓度进行调节,以保证在显影过程中该待显影基板上各个显影区域的显影速度相同,解决了相关技术中显影均匀性较差的问题,提高了显影系统对基板进行显影时的显影均匀性。本发明用于显影。

Description

显影方法及系统
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显影方法及系统。
背景技术
在制备薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor;简称:TFT)阵列基板的过程中,需要经过涂胶、曝光、显影和刻蚀等工艺。其中,显影工艺主要用于去除曝光后的基板上的光刻胶,预先形成所需图形以便进行下一步的刻蚀工艺。
相关技术中,显影工艺中所采用的显影系统一般为喷淋式的显影系统。该显影系统通常包括传输组件以及设置在该传输组件上方的显影液喷嘴,在进行显影时,可以将曝光完成的基板放置在该传输组件上,传输组件可以带动基板沿预设方向移动,同时该显影液喷嘴可以向基板表面喷淋显影液,该显影液可以溶解光刻胶,从而在该基板上预先形成所需图形。
但是,由于基板上不同区域处TFT的密度不同,所需形成的图形密度也不同,从而使得显影过程中基板上不同区域的显影速度也不同,即图形密度低的区域(例如显示区域)显影液消耗多,使得该区域显影液浓度较低,显影速度较慢;图形密度高的区域(例如用于设置栅极驱动电路的驱动区域)显影液消耗少,使得该区域显影液浓度较大,显影速度较快。因此该图形密度较高的区域容易发生过显影,导致显影系统的显影均匀性较差。
发明内容
为了解决相关技术中显影系统的显影均匀性较差的问题,本发明提供了一种显影系统及方法。所述技术方案如下:
一方面,提供了一种显影方法,应用于显影系统中,所述显影系统包括:喷淋组件和浓度调节组件,所述方法包括:
通过所述喷淋组件向待显影基板上的各个显影区域喷淋相同浓度的显影液;
通过所述浓度调节组件向所述待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,使得在显影过程中所述待显影基板上各个显影区域的显影速度相同。
可选的,所述通过所述浓度调节组件向所述待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,包括:
控制所述浓度调节组件的调节参数,使所述浓度调节组件按照所述调节参数向所述待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,所述调节参数包括启动状态、喷淋量和喷淋温度中的至少一种,所述启动状态包括开启或者关闭。
可选的,所述调节参数包括启动状态,所述控制所述浓度调节组件的调节参数,包括:
在显影的过程中,检测所述待显影基板上所述浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域是否为所述目标显影区域;
当所述待显影基板上所述浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域为所述目标显影区域时,开启所述浓度调节组件;
当所述待显影基板上所述浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域不为所述目标显影区域时,关闭所述浓度调节组件。
可选的,所述调节参数包括喷淋量和/或喷淋温度,所述控制所述浓度调节组件的调节参数,包括:
检测所述待显影基板上各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度;
根据所述各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度,控制所述浓度调节组件的喷淋量和/或喷淋温度。
可选的,所述待显影基板上的显影区域包括:显示区域以及所述显示区域周围用于设置栅极驱动电路的驱动区域;
所述根据所述各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度,控制所述浓度调节组件的喷淋量和/或喷淋温度,包括:
计算所述显示区域与所述驱动区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度之差,根据所述光刻胶厚度之差控制所述浓度调节组件的喷淋量和/或喷淋温度,使所述浓度调节组件的喷淋量与所述光刻胶厚度之差正相关,和/或,使所述浓度调节组件的喷淋温度与所述光刻胶厚度之差正相关。
可选的,所述待显影基板上的显影区域包括:显示区域以及所述显示区域周围用于设置栅极驱动电路的驱动区域;
所述目标显影区域为所述驱动区域,所述调节液体能够稀释所述显影液的浓度;或者,所述目标显影区域为所述显示区域,所述调节液体能够浓缩所述显影液的浓度。
另一方面,提供了一种显影系统,所述系统包括:喷淋组件和浓度调节组件;
所述喷淋组件用于向待显影基板上的各个显影区域喷淋相同浓度的显影液;
所述浓度调节组件用于向所述待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,使得在显影过程中所述待显影基板上各个显影区域的显影速度相同。
可选的,所述系统还包括:控制组件;
所述控制组件与所述浓度调节组件电连接,能够控制所述浓度调节组件的调节参数,使所述浓度调节组件按照所述调节参数向所述待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,所述调节参数包括启动状态、喷淋量和喷淋温度中的至少一种,所述启动状态包括开启或者关闭。
可选的,所述调节参数包括启动状态,所述系统还包括:区域检测组件;
所述区域检测组件与所述控制组件电连接,所述区域检测组件用于在显影的过程中,检测所述待显影基板上所述浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域是否为所述目标显影区域;
当所述待显影基板上所述浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域为所述目标显影区域时,向所述控制组件发送启动指令,以便所述控制组件根据所述启动指令开启所述浓度调节组件;
当所述待显影基板上所述浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域不为所述目标显影区域时,向所述控制组件发送关闭指令,以便所述控制组件根据所述关闭指令关闭所述浓度调节组件。
可选的,所述调节参数包括喷淋量和/或喷淋温度,所述系统还包括:厚度检测组件;
所述厚度检测组件与所述控制组件电连接,用于检测所述待显影基板上各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度,并将所述待显影基板上各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度发送至所述控制组件;
所述控制组件,还用于根据所述各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度,控制所述浓度调节组件喷淋调节液体时的喷淋量和/或喷淋温度。
可选的,所述喷淋组件包括多个沿第一方向间隔设置的喷嘴,所述浓度调节组件包括多个沿所述第一方向间隔设置的针孔状喷嘴。
可选的,所述系统还包括:
传输组件,所述传输组件用于承载并沿第二方向传输所述待显影基板,所述第二方向垂直于所述第一方向;
所述喷淋组件和所述浓度调节组件固定设置在所述传输组件的上方。
可选的,所述传输组件包括多个沿所述第二方向间隔设置的传输滚轮。
可选的,所述喷淋组件和所述浓度调节组件沿所述第二方向排列在所述传输组件的上方。
可选的,所述浓度调节组件沿所述第一方向的长度与所述待显影基板的宽度相等,所述待显影基板的宽度方向与所述第一方向平行。
可选的,所述调节液体为去离子水或者浓度大于预设阈值的显影液。
本发明提供的技术方案带来的有益效果是:
本发明提供了一种显影系统及方法,该方法可以应用于显影系统中,该显影系统包括:喷淋组件和浓度调节组件,该方法包括可以通过该浓度调节组件向该待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,使得在显影过程中该待显影基板上各个显影区域的显影速度相同,因此提高了显影系统对基板进行显影时的显影均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1本发明实施例提供的一种显影系统的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种显影方法的流程图;
图3是本发明实施例提供的一种控制浓度调节组件的调节参数的方法流程图;
图4是本发明实施例提供的另一种显影系统的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的又一种显影系统的结构示意图;
图6是图4所示的显影系统的侧视图;
图7是本发明实施例提供的另一种控制浓度调节组件的调节参数的方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1本发明实施例提供的一种显影系统的结构示意图,如图1所示,该显影系统可以包括:喷淋组件10和浓度调节组件11。图2是本发明实施例提供的一种显影方法的流程图,该显影方法可以应用于图1所示的显影系统中,如图2所示,该方法可以包括:
步骤201、通过喷淋组件向待显影基板上的各个显影区域喷淋相同浓度的显影液。
步骤202、通过浓度调节组件向该待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,使得在显影过程中该待显影基板上各个显影区域的显影速度相同。
综上所述,本发明实施例提供了一种显影方法,通过该方法对待显影基板进行显影时,可以通过浓度调节组件向待显影基板上的目标显影区域喷淋调节液体,因此可以通过该浓度调节组件对待显影基板上各个显影区域内的显影液浓度进行调节,以保证在显影过程中该待显影基板上各个显影区域的显影速度相同,提高了该显影系统对基板进行显影时的显影均匀性。
可选的,上述步骤202具体包括:
控制该浓度调节组件的调节参数,使该浓度调节组件按照该调节参数向该待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,该调节参数包括启动状态、喷淋量和喷淋温度中的至少一种,该启动状态包括开启或者关闭。
可选的,该调节参数包括该启动状态,参考图3,上述步骤202中控制该浓度调节组件的调节参数的具体过程可以包括:
步骤2021a、在显影的过程中,检测待显影基板上浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域是否为目标显影区域。
当该待显影基板上该浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域为该目标显影区域时,执行步骤2022a;当该待显影基板上该浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域不为该目标显影区域时,执行步骤2023a。
图4是本发明实施例提供的另一种显影系统的结构示意图,参考图4,该待显影基板00上的显影区域可以包括:显示区域01以及该显示区域01周围用于设置栅极驱动电路的驱动区域02。
当喷淋喷淋组件10向待显影基板00上的各个显影区域喷淋相同浓度且等量的显影液后,由于该驱动区域02中需要形成的TFT个数较多,因此该驱动区域02的图形密度较高,相对于显示区域01,该驱动区域02在单位时间内对显影液的消耗量较少,因此在显影过程中该驱动区域02内的实时显影液浓度较高,显影速度较快。
在本发明实施例中,一方面,该目标显影区域可以为该驱动区域02,该调节液体能够稀释该显影液的浓度,此时该调节液体可以为去离子水;另一方面,该目标显影区域还可以为该显示区域01,该调节液体能够浓缩该显影液的浓度,此时该调节液体可以为浓度大于预设阈值的显影液,该预设阈值可以为喷淋组件10所喷淋的显影液的浓度。通过调节目标显影区域的实时显影液浓度,可以使得该显示区域01内的实时显影液浓度与驱动区域02内的实时显影液浓度相等,进而保证显影过程中该待显影基板00上各个显影区域保持相同的显影速度。
图5是本发明实施例提供的又一种显影系统的结构示意图,如图5所示,该显影系统还可以包括:控制组件12和区域检测组件13,该区域检测组件13与该控制组件12电连接,该控制组件12用于控制该浓度调节组件11的调节参数,该区域检测组件13用于在显影的过程中,检测该待显影基板上该浓度调节组件11的喷淋方向所指向的显影区域是否为该目标显影区域。
在本发明实施例中,该区域检测组件13可以为光栅尺传感器,该光栅尺传感器可以设置在该浓度调节组件11中,该待显影基板上的各个显影区域中可以设置有光栅尺,在显影的过程中,该浓度调节组件11与该待显影基板相对移动时,该光栅尺传感器可以根据不同显影区域中的光栅尺检测并识别该各个显影区域的始末位置。
或者,该区域检测组件13还可以根据待显影基板上各个显影区域的尺寸、相邻显影区域之间的间距以及显影过程中浓度调节组件与待显影基板之间的相对移动速度,确定该浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域是否为该目标显影区域。示例的,图6是图4所示的显影系统的侧视图,假设如图6所示,显影过程中,该浓度调节组件11的位置保持不变,该待显影基板00以速度v匀速沿y方向移动,且如图4所示,该待显影基板00上,相邻两个驱动区域02在y方向上的间距分别为s1和s2,每个驱动区域02在y方向上的宽度为s3(图2中未标示),则该区域调节组件可以确定,在显影过程中,每隔t1时间段或者t2时间段,该浓度调节组件11的喷淋方向所指向的显影区域即为该驱动区域02,其中t1=s1/v,t2=s2/v,因此该区域调节组件可以每隔t1或者t2时间段向该控制组件发送一次启动指令,以便该控制组件根据该启动指令开启该浓度调节组件。此外,该区域调节组件还可以在每次发送启动指令之后,隔t3时间段,再向该控制组件发送关闭指令,以便该控制组件根据该关闭指令关闭该浓度调节组件,其中,t3=s3/v。
步骤2022a、开启该浓度调节组件。
当该待显影基板上该浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域为该目标显影区域时,控制组件可以开启该浓度调节组件。
示例的,假设该目标显影区域为图4所示的驱动区域02,则当浓度调节组件11的喷淋方向指向该驱动区域02时,控制组件可以开启该浓度调节组件11,以便该浓度调节组件11向该驱动区域02喷淋调节液体,例如,可以喷淋去离子水,以降低该驱动区域02的实时显影液浓度。
步骤2023a、关闭该浓度调节组件。
当该待显影基板上该浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域不为该目标显影区域时,控制组件可以关闭该浓度调节组件。
示例的,当浓度调节组件11的喷淋方向指向显示区域01时,控制组件可以关闭该浓度调节组件11,以保证该显示区域01可以保持较高的显影液浓度,从而可以保证在显影过程中,该显示区域和驱动区域的显影速度相同,提高了该显影系统对基板进行显影时的显影均匀性。
可选的,该调节参数可以包括喷淋量和/或喷淋温度,参考图7,上述步骤202中控制该浓度调节组件的调节参数具体可以包括:
步骤2021b、检测待显影基板上各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度。
在本发明实施例中,参考图5,该显影系统中还可以包括:厚度检测组件14,该厚度检测组件14与该控制组件12电连接,用于检测该待显影基板上各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度,并将该待显影基板上各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度发送至该控制组件12。
在实际应用中,可以在批量显影前,先对一张基板样本进行显影测试,在该显影测试的过程中,仅采用喷淋组件10向该待显影的基板样本喷淋显影液。显影测试结束后,可以通过厚度检测组件14检测该基板样本上不同显影区域的光刻胶厚度,并将检测结果发送至该控制组件12。例如,可以分别测量驱动区域02中TFT沟道的光刻胶厚度以及显示区域01中TFT沟道的光刻胶厚度,由于该驱动区域02中对显影液消耗的较少,剩余的显影液浓度较高,因此该驱动区域02中TFT沟道的光刻胶厚度会小于该显示区域01中TFT沟道的光刻胶厚度;或者,上述厚度检测的过程还可以在批量显影的过程中实时进行,本发明实施例对此不做限定。
步骤2022b、根据该各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度,控制浓度调节组件的喷淋量和/或喷淋温度。
如图4所示,该待显影基板00上的显影区域可以包括:显示区域01以及该显示区域01周围用于设置栅极驱动电路的驱动区域02,控制组件12可以计算该显示区域01与该驱动区域02在喷淋显影液后的光刻胶厚度之差,并根据该光刻胶厚度之差控制该浓度调节组件的喷淋量和/或喷淋温度,使该浓度调节组件的喷淋量与该光刻胶厚度之差正相关,和/或,使该浓度调节组件的喷淋温度与该光刻胶厚度之差正相关。
示例的,该控制组件12中可以存储有如表1所示的光刻胶厚度之差与调节参数的对应关系,该调节参数包括喷淋量和喷淋温度,其中喷淋量v1<v2<v3,则从表1中可以看出,随着光刻胶厚度之差的增加,浓度调节组件向目标显影区域喷淋调节液体时的喷淋量也越大,喷淋温度(即调节液体的温度)也越高。假设控制组件12接收到厚度检测组件14发送的检测结果为:显示区域01的TFT沟道的光刻胶厚度为0.5微米um,驱动区域02的TFT沟道的光刻胶厚度为0.4um时,由于该两个区域的光刻胶厚度之差为0.1um,则根据表1所示的对应关系,该控制组件12可以确定在批量显影过程中,该浓度调节组件11的喷淋量为v1ml/s,喷淋温度为23℃。
表1
因此,在批量显影的过程中,该浓度调节组件11可以根据控制组件12设置的喷淋量:v1ml/s和喷淋温度:23℃向目标显影区域喷淋调节液体,使得在显影完成后,各个显影区域内的光刻胶厚度相同,从而提高了显影的均匀性。
需要说明的是,一般情况下,浓度调节组件的喷淋量越大,对目标显影区域中显影液浓度的调节量也越大;浓度调节组件所喷淋的调节液体的喷淋温度越高,该目标显影区域的显影速度也越快。
在实际应用中,通过显影系统完成上述显影操作后,可以将该显影完成的基板送入至清洗单元,该清洗单元可以向基板表面喷洒去离子水,以便对该基板上残留的显影液进行清洗;清洗完成的基板由水平状态变换为的倾斜状态(倾斜角度可以为5度左右),并传输至风刀干燥系统进行干燥;干燥完成后的基板再由倾斜状态变换回水平状态,以便进入下一步的刻蚀工序。
综上所述,本发明实施例提供了一种显影方法,通过该方法对待显影基板进行显影时,可以通过浓度调节组件向待显影基板上的目标显影区域喷淋调节液体,因此可以通过该浓度调节组件对待显影基板上各个显影区域内的显影液浓度进行调节,以保证在显影过程中该待显影基板上各个显影区域的显影速度相同,提高了该显影系统对基板进行显影时的显影均匀性。
本发明实施例提供了一种显影系统,参考图1,该系统可以包括:喷淋组件10和浓度调节组件11,该喷淋组件10用于向待显影基板00上的各个显影区域喷淋相同浓度的显影液。
该浓度调节组件11用于向该待显影基板00上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,使得在显影过程中该待显影基板00上各个显影区域的显影速度相同。
综上所述,本发明实施例提供了一种显影系统,该显影系统除了包括喷淋组件,还包括浓度调节组件,由于该浓度调节组件可以向待显影基板上的目标显影区域喷淋调节液体,因此可以通过该浓度调节组件对待显影基板上各个显影区域内的显影液浓度进行调节,以保证在显影过程中该待显影基板上各个显影区域的显影速度相同,提高了该显影系统对基板进行显影时的显影均匀性。
可选的,图4是本发明实施例提供的另一种显影系统的结构示意图,参考图4,该待显影基板00上的显影区域可以包括:显示区域01以及该显示区域周围用于设置栅极驱动电路的驱动区域02。
在本发明实施例中,一方面,该目标显影区域可以为该驱动区域02,该调节液体能够稀释该显影液的浓度,此时该调节液体可以为去离子水。通过浓度调节组件11向该驱动区域02喷淋雾状的去离子水,可以稀释该驱动区域02内的显影液浓度,使得该驱动区域02内的实时显影液浓度与显示区域01内的实时显影液浓度相等,进而保证显影过程中该待显影基板00上各个显影区域保持相同的显影速度。
另一方面,该目标显影区域还可以为该显示区域01,该调节液体能够浓缩该显影液的浓度,此时该调节液体可以为浓度大于预设阈值的显影液,该预设阈值可以为喷淋组件10所喷淋的显影液的浓度。通过浓度调节组件11向该显示区域01喷淋浓度大于预设阈值的显影液,可以浓缩该显示区域01内的显影液浓度,使得该显示区域01内的实时显影液浓度与驱动区域02内的实时显影液浓度相等,进而保证显影过程中该待显影基板00上各个显影区域保持相同的显影速度。
可选的,参考图5,该系统还可以包括:控制组件12,该控制组件12与该浓度调节组件11电连接,能够控制该浓度调节组件11的调节参数,该调节参数可以包括启动状态、喷淋量和喷淋温度中的至少一种,该启动状态包括开启或者关闭,该浓度调节组件的喷淋温度是指该浓度调节组件所喷淋的调节液体的温度。
当该调节参数包括启动状态时,参考图5,该系统还可以包括:区域检测组件13。该区域检测组件13与该控制组件12电连接,该区域检测组件13用于在显影的过程中,检测该待显影基板上该浓度调节组件11的喷淋方向所指向的显影区域是否为该目标显影区域。
当该待显影基板上该浓度调节组件11的喷淋方向所指向的显影区域为该目标显影区域时,向该控制组件12发送启动指令,以便该控制组件12根据该启动指令开启该浓度调节组件11。
当该待显影基板上该浓度调节组件11的喷淋方向所指向的显影区域不为该目标显影区域时,该区域检测组件13还可以向该控制组件12发送关闭指令,以便该控制组件12根据该关闭指令关闭该浓度调节组件11。
在实际应用中,该区域检测组件可以为光栅尺传感器,该光栅尺传感器可以设置在该浓度调节组件中,该待显影基板上的各个显影区域中可以设置有光栅尺,在显影的过程中,该浓度调节组件与该待显影基板相对移动时,该光栅尺传感器可以根据不同显影区域中的光栅尺检测并识别该各个显影区域的始末位置。
可选的,当该调节参数包括喷淋量和/或喷淋温度时,参考图5,该系统还可以包括:厚度检测组件14。
该厚度检测组件14与该控制组件12电连接,用于检测该待显影基板上各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度,并将该待显影基板上各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度发送至该控制组件12。
该控制组件12,还用于根据该各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度,控制该浓度调节组件11喷淋调节液体时的喷淋量和/或喷淋温度。
需要说明的是,在实际应用中,该控制组件、区域检测组件和厚度检测组件可以为三个独立的组件,或者该区域检测组件和厚度检测组件也可以集成在该控制组件中,即该控制组件还可以具备区域检测和厚度检测的功能。
进一步的,参考图4,该喷淋组件10可以包括多个沿第一方向x间隔设置的喷嘴,该浓度调节组件11可以包括多个沿该第一方向x间隔设置的针孔状喷嘴,示例的,如图4所示,该浓度调节组件11可以包括多个密集排布的超细针孔状喷嘴。由于每个针孔状喷嘴的喷淋量较小,在显影的过程中,可以通过控制针孔状喷嘴开启的个数精确调整该浓度调节组件的喷淋量,因此可以提高该浓度调节组件11的调节精度。
需要说明的是,在实际应用中,该控制组件12控制该浓度调节组件11的启动状态时,可以对每个针孔状喷嘴的启动状态分别进行控制。例如,该控制组件12可以任意组合各个针孔状喷嘴的开启与关闭,
可选的,参考图4,该系统还可以包括:传输组件15。该传输组件15可以包括多个沿该第二方向y间隔设置的传输滚轮150。
该传输组件15用于承载并沿第二方向y传输该待显影基板00,该第二方向垂直于该第一方向x,参考图4和图6,该喷淋组件10和该浓度调节组件11固定设置在该传输组件15的上方,且沿该第二方向y依次排列在该传输组件15的上方。
本发明实施例提供的该显影系统可以设置在显影腔室中,该显影腔室具有入口和出口,该传输组件15可以将该待显影基板00从显影腔室的入口沿第二方向y传输至显影腔室的出口,待显影基板00在传输的过程中,喷淋组件10会先向待显影基板上的各个显影区域喷淋显影液,之后,当待显影基板00上的目标显影区域传输至浓度调节组件12的喷淋方向所指向的区域时,该浓度调节组件12可以向该目标显影区域喷淋调节液体。
进一步的,如图4所示,该浓度调节组件11沿该第一方向x的长度d与该待显影基板00的宽度w相等,以保证该浓度调节组件11的喷淋范围可以覆盖该待显影基板00上的各个显影区域,其中,该待显影基板00的宽度方向与该第一方向x平行。
需要说明的是,本发明实施例中所述的显影过程即为显影液溶解光刻胶的过程,显影速度即为光刻胶溶解的速度。
综上所述,本发明实施例提供了一种显影系统,该显影系统除了包括喷淋组件,还包括浓度调节组件,由于该浓度调节组件可以向待显影基板上的目标显影区域喷淋调节液体,因此可以通过该浓度调节组件对待显影基板上各个显影区域内的显影液浓度进行调节,以保证在显影过程中该待显影基板上各个显影区域的显影速度相同,避免驱动区域由于显影液浓度过高造成过显影,导致该驱动区域中TFT沟道光刻胶偏薄或缺失,以致于在刻蚀工艺中TFF沟道有源层被刻穿而发生开路(也称为Chanel open不良),提高了该显影系统对基板进行显影时的显影均匀性,降低了基板驱动区域出现不良的概率,提升了产品良率。并且,本发明实施例提供的显影系统可以适用于不同产品的显影工艺中,不会改变现有显影过程中基板的运动方式和显影液的涂覆方法,因此不会额外引入可能会导致显影不均匀的因素。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为描述的方便和简洁,上述描述的显影系统的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应描述,在此不再赘述。此外,本发明中术语“和/或”,仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种显影方法,其特征在于,应用于显影系统中,所述显影系统包括:喷淋组件和浓度调节组件,所述方法包括:
通过所述喷淋组件向待显影基板上的各个显影区域喷淋相同浓度的显影液;
通过所述浓度调节组件向所述待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,使得在显影过程中所述待显影基板上各个显影区域的显影速度相同。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过所述浓度调节组件向所述待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,包括:
控制所述浓度调节组件的调节参数,使所述浓度调节组件按照所述调节参数向所述待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,所述调节参数包括启动状态、喷淋量和喷淋温度中的至少一种,所述启动状态包括开启或者关闭。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述调节参数包括启动状态,所述控制所述浓度调节组件的调节参数,包括:
在显影的过程中,检测所述待显影基板上所述浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域是否为所述目标显影区域;
当所述待显影基板上所述浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域为所述目标显影区域时,开启所述浓度调节组件;
当所述待显影基板上所述浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域不为所述目标显影区域时,关闭所述浓度调节组件。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述调节参数包括喷淋量和/或喷淋温度,所述控制所述浓度调节组件的调节参数,包括:
检测所述待显影基板上各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度;
根据所述各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度,控制所述浓度调节组件的喷淋量和/或喷淋温度。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述待显影基板上的显影区域包括:显示区域以及所述显示区域周围用于设置栅极驱动电路的驱动区域;
所述根据所述各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度,控制所述浓度调节组件的喷淋量和/或喷淋温度,包括:
计算所述显示区域与所述驱动区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度之差,根据所述光刻胶厚度之差控制所述浓度调节组件的喷淋量和/或喷淋温度,使所述浓度调节组件的喷淋量与所述光刻胶厚度之差正相关,和/或,使所述浓度调节组件的喷淋温度与所述光刻胶厚度之差正相关。
6.根据权利要求1至4任一所述的方法,其特征在于,所述待显影基板上的显影区域包括:显示区域以及所述显示区域周围用于设置栅极驱动电路的驱动区域;
所述目标显影区域为所述驱动区域,所述调节液体能够稀释所述显影液的浓度;或者,所述目标显影区域为所述显示区域,所述调节液体能够浓缩所述显影液的浓度。
7.一种显影系统,其特征在于,所述系统包括:喷淋组件和浓度调节组件;
所述喷淋组件用于向待显影基板上的各个显影区域喷淋相同浓度的显影液;
所述浓度调节组件用于向所述待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,使得在显影过程中所述待显影基板上各个显影区域的显影速度相同。
8.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,所述系统还包括:
控制组件;
所述控制组件与所述浓度调节组件电连接,能够控制所述浓度调节组件的调节参数,使所述浓度调节组件按照所述调节参数向所述待显影基板上的目标显影区域喷淋改变显影液浓度的调节液体,所述调节参数包括启动状态、喷淋量和喷淋温度中的至少一种,所述启动状态包括开启或者关闭。
9.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述调节参数包括启动状态,所述系统还包括:区域检测组件;
所述区域检测组件与所述控制组件电连接,所述区域检测组件用于在显影的过程中,检测所述待显影基板上所述浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域是否为所述目标显影区域;
当所述待显影基板上所述浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域为所述目标显影区域时,向所述控制组件发送启动指令,以便所述控制组件根据所述启动指令开启所述浓度调节组件;
当所述待显影基板上所述浓度调节组件的喷淋方向所指向的显影区域不为所述目标显影区域时,向所述控制组件发送关闭指令,以便所述控制组件根据所述关闭指令关闭所述浓度调节组件。
10.根据权利要求8所述的系统,其特征在于,所述调节参数包括喷淋量和/或喷淋温度,所述系统还包括:厚度检测组件;
所述厚度检测组件与所述控制组件电连接,用于检测所述待显影基板上各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度,并将所述待显影基板上各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度发送至所述控制组件;
所述控制组件,还用于根据所述各个显影区域在喷淋显影液后的光刻胶厚度,控制所述浓度调节组件喷淋调节液体时的喷淋量和/或喷淋温度。
11.根据权利要求7至10任一所述的系统,其特征在于,
所述喷淋组件包括多个沿第一方向间隔设置的喷嘴,所述浓度调节组件包括多个沿所述第一方向间隔设置的针孔状喷嘴。
12.根据权利要求11所述的系统,其特征在于,所述系统还包括:
传输组件,所述传输组件用于承载并沿第二方向传输所述待显影基板,所述第二方向垂直于所述第一方向;
所述喷淋组件和所述浓度调节组件固定设置在所述传输组件的上方。
13.根据权利要求12所述的系统,其特征在于,
所述传输组件包括多个沿所述第二方向间隔设置的传输滚轮。
14.根据权利要求12所述的系统,其特征在于,
所述喷淋组件和所述浓度调节组件沿所述第二方向排列在所述传输组件的上方。
15.根据权利要求11所述的系统,其特征在于,
所述浓度调节组件沿所述第一方向的长度与所述待显影基板的宽度相等,所述待显影基板的宽度方向与所述第一方向平行。
16.根据权利要求7至10任一所述的系统,其特征在于,
所述调节液体为去离子水或者浓度大于预设阈值的显影液。
CN201610566567.4A 2016-07-18 2016-07-18 显影方法及系统 Expired - Fee Related CN105954983B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610566567.4A CN105954983B (zh) 2016-07-18 2016-07-18 显影方法及系统
US15/647,589 US10012906B2 (en) 2016-07-18 2017-07-12 Developing method and developing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610566567.4A CN105954983B (zh) 2016-07-18 2016-07-18 显影方法及系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105954983A true CN105954983A (zh) 2016-09-21
CN105954983B CN105954983B (zh) 2019-11-08

Family

ID=56900140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610566567.4A Expired - Fee Related CN105954983B (zh) 2016-07-18 2016-07-18 显影方法及系统

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10012906B2 (zh)
CN (1) CN105954983B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108255024A (zh) * 2018-01-31 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显影装置及其显影方法、光刻设备
CN109407387A (zh) * 2018-10-29 2019-03-01 武汉华星光电技术有限公司 显影装置及基板显影方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003007581A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 現像方法および現像装置
CN1441321A (zh) * 2002-02-27 2003-09-10 三菱化学工程株式会社 显影液供给装置
CN101424886A (zh) * 2001-08-28 2009-05-06 东京威力科创股份有限公司 显影液涂布装置
CN102830595A (zh) * 2012-08-24 2012-12-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显影液监控方法及设备

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6384894B2 (en) * 2000-01-21 2002-05-07 Tokyo Electron Limited Developing method and developing unit
JP3869306B2 (ja) * 2001-08-28 2007-01-17 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像液塗布装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003007581A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 現像方法および現像装置
CN101424886A (zh) * 2001-08-28 2009-05-06 东京威力科创股份有限公司 显影液涂布装置
CN1441321A (zh) * 2002-02-27 2003-09-10 三菱化学工程株式会社 显影液供给装置
CN102830595A (zh) * 2012-08-24 2012-12-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显影液监控方法及设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108255024A (zh) * 2018-01-31 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显影装置及其显影方法、光刻设备
CN109407387A (zh) * 2018-10-29 2019-03-01 武汉华星光电技术有限公司 显影装置及基板显影方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20180017871A1 (en) 2018-01-18
US10012906B2 (en) 2018-07-03
CN105954983B (zh) 2019-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69837972T2 (de) Verfahrensregelung für photoresistente beschichtung mit solventdampfsensor
US4688918A (en) Negative type photoresist developing apparatus
CN101414132B (zh) 显影装置
DE10362373B3 (de) Substratbehandlungsverfahren und -einrichtung
HRP20150252T1 (hr) Postupak proizvodnje farmaceutskih proizvoda
DE102004011850B4 (de) Schleuderbeschichtungsvorrichtung und -verfahren
CN105954983A (zh) 显影方法及系统
CN102540769A (zh) 显影方法
CN104952765A (zh) 基板处理装置、喷嘴以及基板处理方法
CN105116695B (zh) 显影装置及光刻设备
US6425497B1 (en) Method and apparatus for dispensing resist solution
US20230393481A1 (en) Resist pump buffer tank and method of resist defect reduction
JP5890018B2 (ja) 薬液処理装置
JPH117324A (ja) 希薄溶液の製造方法および装置
KR20010030215A (ko) 기판처리시스템 및 기판처리방법
JPH06182283A (ja) 薬液ノズル
JPS636843A (ja) 基板現像処理方法
CN108940744B (zh) 一种涂布设备和涂膜异常检测方法
KR0120379Y1 (ko) 감광액 롤 코팅 장치
JPH04177716A (ja) 露光装置
CN101263584A (zh) 处理衬底的方法和设备
JPS60138550A (ja) レジスト現像装置
KR20230062147A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4679403B2 (ja) 基板乾燥装置、基板乾燥方法、及び基板の製造方法
JP4431180B2 (ja) 基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20191108

Termination date: 20200718