CN105953913A - 一种基于频率校正电路的高频检波系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基于频率校正电路的高频检波系统，其特征在于：主要由处理芯片U，带通滤波电路，串接在带通滤波电路和处理芯片U的IN管脚之间的电阻R6，正极经电阻R7后与处理芯片U的C1管脚相连接、负极接分别与处理芯片U的GND管脚相连接的电容C3，正极与处理芯片U的C2管脚相连接、负极与处理芯片U的GND管脚相连接的电容C4，以及串接在带通滤波电路和电容C3的负极之间的频率校正电路，P极与处理芯片U的C3管脚相连接、N极接地的二极管D5等组成。本发明可以对高频信号的频率进行校正，从而使本发明可以更好的对高频信号进行识别。

Description

一种基于频率校正电路的高频检波系统

技术领域

本发明涉及一种检波系统，具体是指一种基于频率校正电路的高频检波系统。

背景技术

检波器可以检出波动信号中某种有用信息，其是用于识别振荡信号存在或变化的器件，也可用于提取外界所携带的信息。目前检波器已被广泛应用于地质勘探和工程测量或测量设备运行时的噪音等，其给人们带来了很大的便利。

然而，目前市面上的检波器所使用的检波系统无法准确的识别出高频信号，严重影响了检波器的勘探结果。

发明内容

本发明的目的在于克服现有的检波系统无法准确的识别出高频信号的缺陷，提供一种基于频率校正电路的高频检波系统。

本发明的目的通过下述技术方案实现：一种基于频率校正电路的高频检波系统，主要由处理芯片U，带通滤波电路，串接在带通滤波电路和处理芯片U的IN管脚之间的电阻R6，正极经电阻R7后与处理芯片U的C1管脚相连接、负极接分别与处理芯片U的GND管脚相连接的电容C3，正极与处理芯片U的C2管脚相连接、负极与处理芯片U的GND管脚相连接的电容C4，以及串接在带通滤波电路和电容C3的负极之间的频率校正电路，P极与处理芯片U的C3管脚相连接、N极接地的二极管D5，正极与处理芯片U的F0管脚相连接、负极与二极管D5的N极相连接的电容C7，N极与处理芯片U的VCC管脚相连接、P极接电源的二极管D4，负极经电阻R8后与二极管D4的P极相连接、正极则与带通滤波电路相连接的电容C5，以及与处理芯片U的OUT管脚相连接的线性放大电路组成；所述处理芯片U的GND管脚接地。

进一步的，所述频率校正电路由三极管VT4，三极管VT5，场效应管MOS1，场效应管MOS2，串接在三极管VT4的基极和集电极之间的电阻R12，P极与三极管VT4的基极相连接、N极则与三极管VT4的发射极相连接的二极管D6，负极与三极管VT4的发射极相连接、正极经电阻R13后与场效应管MOS2的栅极相连接的电容C9，串接在三极管VT5的基极和发射极之间的电阻R14，P极与三极管VT5的基极相连接、N极经电阻R16后与场效应管MOS1的栅极相连接的二极管D7，N极与场效应管MOS2的栅极相连接、P极与三极管VT5的集电极相连接的二极管D8，串接在场效应管MOS2的源极和场效应管MOS1的源极之间的电阻R17，以及正极与场效应管MOS1的漏极相连接、负极经电阻R15后与三极管VT5的发射极相连接的电容C10组成；所述三极管VT4的基极作为该频率校正电路的输入端并与带通滤波电路相连接、其集电极接地；所述三极管VT5的发射极与三极管VT4的集电极相连接；所述场效应管MOS2的漏极作为该频率校正电路的输出端并与电容C3的负极相连接。

所述带通滤波电路由放大器P1，三极管VT1，三极管VT2，N极与放大器P1的正极相连接、P极则作为该带通滤波电路的输入端的二极管D1，串接在放大器P1的正极和输出端之间的电阻R2，正极与放大器P1的输出端相连接、负极接地的电容C1，串接在放大器P1的负极和电容C1的负极之间的电阻R1，P极与放大器P1的输出端相连接、N极则与三极管VT1的基极相连接的稳压二极管D2，P极与三极管VT2的发射极相连接、N极经电阻R3后与电容C1的负极相连接的二极管D3，串接在三极管VT1发射极和频率校正电路的输入端之间的电阻R4，负极与三极管VT1的集电极相连接、正极接地的电容C2，以及串接在三极管VT2的集电极和电容C2的正极之间的电阻R5组成；所述三极管VT2的基极与三极管VT1的集电极相连接、其发射极经电阻R6后与处理芯片U的IN管脚相连接；所述电容C2的正极与电容C5的正极相连接。

所述线性放大电路由放大器P2，放大器P3，三极管VT3，正极与处理芯片U的OUT管脚相连接、负极则与放大器P3的负极相连接的电容C6，串接在放大器P2的负极和放大器P3的输出端之间的电阻R11，串接在放大器P2的输出端和放大器P3的正极之间的电阻R10，一端与放大器P2的正极相连接、另一端接地的电阻R9，以及正极与放大器P2的输出端相连接、负极则与三极管VT3的集电极相连接的电容C8组成；所述三极管VT3的基极与放大器P3的输出端相连接、其发射极接地；所述放大器P2的输出端则作为该死线性放大电路的输出端。

所述处理芯片U为CX20106A集成芯片。

本发明较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

(1)本发明采用CX20106A集成芯片与新颖的外围电路相结合，可以有效的对输入的检测信号进行处理，并很好的对检测信号中的高频信号进行识别，从而使本发明可以准确的识别出检测信号中的高频信号，极大的提高了检波器的勘测精度。

(2)本发明可以对高频信号的频率进行校正，从而使本发明可以更好的对高频信号进行识别。

附图说明

图1为本发明的整体结构示意图。

图2为本发明的频率校正电路的结构图。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式并不限于此。

实施例

如图1所示，本发明的基于频率校正电路的高频检波系统，主要由处理芯片U，带通滤波电路，电阻R6，电容C5，电阻R8，二极管D4，频率校正电路，电阻R7，电容C3，电容C4，电容C7，二极管D5以及线性放大电路组成。

其中，电阻R6串接在带通滤波电路和处理芯片U的IN管脚之间。电容C3的正极经电阻R7后与处理芯片U的C1管脚相连接、其负极接与处理芯片U的GND管脚相连接。频率校正电路则串接在带通滤波电路和电容C3的负极之间。电容C4的正极与处理芯片U的C2管脚相连接、其负极与处理芯片U的GND管脚相连接。二极管D5的P极与处理芯片U的C3管脚相连接、其N极接地。电容C7的正极与处理芯片U的F0管脚相连接、其负极与二极管D5的N极相连接。二极管D4的N极与处理芯片U的VCC管脚相连接、其P极接电源。电容C5的负极经电阻R8后与二极管D4的P极相连接、其正极则与带通滤波电路相连接。线性放大电路则与处理芯片U的OUT管脚相连接。所述处理芯片U的GND管脚接地。为了更好的实施本发明，所述处理芯片U优选CX20106A集成芯片来实现。

该带通滤波电路由放大器P1，三极管VT1，三极管VT2，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，二极管D1，二极管D2，二极管D3，电容C1以及电容C2组成。

连接时，二极管D1的N极与放大器P1的正极相连接、其P极则作为该带通滤波电路的输入端并与外部的信号采集设备相连接。电阻R2串接在放大器P1的正极和输出端之间。电容C1的正极与放大器P1的输出端相连接、其负极接地。电阻R1串接在放大器P1的负极和电容C1的负极之间。稳压二极管D2的P极与放大器P1的输出端相连接、其N极则与三极管VT1的基极相连接。二极管D3的P极与三极管VT2的发射极相连接、其N极经电阻R3后与电容C1的负极相连接。电阻R4串接在三极管VT1发射极和频率校正电路的输入端之间。电容C2的负极与三极管VT1的集电极相连接、其正极接地。电阻R5串接在三极管VT2的集电极和电容C2的正极之间。

同时，所述三极管VT2的基极与三极管VT1的集电极相连接、其发射极经电阻R6后与处理芯片U的IN管脚相连接。所述电容C2的正极与电容C5的正极相连接。

另外，该线性放大电路由放大器P2，放大器P3，三极管VT3，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电容C6以及电容C8组成。

连接时，电容C6的正极与处理芯片U的OUT管脚相连接、其负极则与放大器P3的负极相连接。电阻R11串接在放大器P2的负极和放大器P3的输出端之间。电阻R10串接在放大器P2的输出端和放大器P3的正极之间。电阻R9的一端与放大器P2的正极相连接、其另一端接地。电容C8的正极与放大器P2的输出端相连接、其负极则与三极管VT3的集电极相连接。所述三极管VT3的基极与放大器P3的输出端相连接、其发射极接地。所述放大器P2的输出端则作为该死线性放大电路的输出端并与外部显示设备相连接。

如图2所示，该频率校正电路由三极管VT4，三极管VT5，场效应管MOS1，场效应管MOS2，电阻R12，电阻R13，电阻R14，电阻R15，电阻R16，电阻R17，二极管D6，二极管D7，二极管D8，电容C9以及电容C10组成。

连接时，电阻R12串接在三极管VT4的基极和集电极之间。二极管D6的P极与三极管VT4的基极相连接、其N极则与三极管VT4的发射极相连接。电容C9的负极与三极管VT4的发射极相连接、其正极经电阻R13后与场效应管MOS2的栅极相连接。电阻R14串接在三极管VT5的基极和发射极之间。二极管D7的P极与三极管VT5的基极相连接、其N极经电阻R16后与场效应管MOS1的栅极相连接。二极管D8的N极与场效应管MOS2的栅极相连接、其P极与三极管VT5的集电极相连接。电阻R17串接在场效应管MOS2的源极和场效应管MOS1的源极之间。电容C10的正极与场效应管MOS1的漏极相连接、其负极经电阻R15后与三极管VT5的发射极相连接。

同时，所述三极管VT4的基极作为该频率校正电路的输入端并经电阻R4后与三极管VT1的发射极相连接、其集电极接地。所述三极管VT5的发射极与三极管VT4的集电极相连接。所述场效应管MOS2的漏极作为该频率校正电路的输出端并与电容C3的负极相连接。

检测信号输入到本发明后由本发明对检测信号中的干扰信号进行隔离，并对检测信号的频率进行校正，并识别出高频检测信号，最后再对高频检测信号进行放大后输出给外部的显示设备；对检测信号的频率进行校正使本发明可以准确的识别出检测信号中的高频信号，极大的提高了检波器的勘测精度。

如上所述，便可很好的实施本发明。

Claims (5)

1.一种基于频率校正电路的高频检波系统，其特征在于：主要由处理芯片U，带通滤波电路，串接在带通滤波电路和处理芯片U的IN管脚之间的电阻R6，正极经电阻R7后与处理芯片U的C1管脚相连接、负极接分别与处理芯片U的GND管脚相连接的电容C3，正极与处理芯片U的C2管脚相连接、负极与处理芯片U的GND管脚相连接的电容C4，以及串接在带通滤波电路和电容C3的负极之间的频率校正电路，P极与处理芯片U的C3管脚相连接、N极接地的二极管D5，正极与处理芯片U的F0管脚相连接、负极与二极管D5的N极相连接的电容C7，N极与处理芯片U的VCC管脚相连接、P极接电源的二极管D4，负极经电阻R8后与二极管D4的P极相连接、正极则与带通滤波电路相连接的电容C5，以及与处理芯片U的OUT管脚相连接的线性放大电路组成；所述处理芯片U的GND管脚接地。

2.根据权利要求1所述的一种基于频率校正电路的高频检波系统，其特征在于：所述频率校正电路由三极管VT4，三极管VT5，场效应管MOS1，场效应管MOS2，串接在三极管VT4的基极和集电极之间的电阻R12，P极与三极管VT4的基极相连接、N极则与三极管VT4的发射极相连接的二极管D6，负极与三极管VT4的发射极相连接、正极经电阻R13后与场效应管MOS2的栅极相连接的电容C9，串接在三极管VT5的基极和发射极之间的电阻R14，P极与三极管VT5的基极相连接、N极经电阻R16后与场效应管MOS1的栅极相连接的二极管D7，N极与场效应管MOS2的栅极相连接、P极与三极管VT5的集电极相连接的二极管D8，串接在场效应管MOS2的源极和场效应管MOS1的源极之间的电阻R17，以及正极与场效应管MOS1的漏极相连接、负极经电阻R15后与三极管VT5的发射极相连接的电容C10组成；所述三极管VT4的基极作为该频率校正电路的输入端并与带通滤波电路相连接、其集电极接地；所述三极管VT5的发射极与三极管VT4的集电极相连接；所述场效应管MOS2的漏极作为该频率校正电路的输出端并与电容C3的负极相连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于频率校正电路的高频检波系统，其特征在于：所述带通滤波电路由放大器P1，三极管VT1，三极管VT2，N极与放大器P1的正极相连接、P极则作为该带通滤波电路的输入端的二极管D1，串接在放大器P1的正极和输出端之间的电阻R2，正极与放大器P1的输出端相连接、负极接地的电容C1，串接在放大器P1的负极和电容C1的负极之间的电阻R1，P极与放大器P1的输出端相连接、N极则与三极管VT1的基极相连接的稳压二极管D2，P极与三极管VT2的发射极相连接、N极经电阻R3后与电容C1的负极相连接的二极管D3，串接在三极管VT1发射极和频率校正电路的输入端之间的电阻R4，负极与三极管VT1的集电极相连接、正极接地的电容C2，以及串接在三极管VT2的集电极和电容C2的正极之间的电阻R5组成；所述三极管VT2的基极与三极管VT1的集电极相连接、其发射极经电阻R6后与处理芯片U的IN管脚相连接；所述电容C2的正极与电容C5的正极相连接。

4.根据权利要求3所述的一种基于频率校正电路的高频检波系统，其特征在于：所述线性放大电路由放大器P2，放大器P3，三极管VT3，正极与处理芯片U的OUT管脚相连接、负极则与放大器P3的负极相连接的电容C6，串接在放大器P2的负极和放大器P3的输出端之间的电阻R11，串接在放大器P2的输出端和放大器P3的正极之间的电阻R10，一端与放大器P2的正极相连接、另一端接地的电阻R9，以及正极与放大器P2的输出端相连接、负极则与三极管VT3的集电极相连接的电容C8组成；所述三极管VT3的基极与放大器P3的输出端相连接、其发射极接地；所述放大器P2的输出端则作为该死线性放大电路的输出端。

5.根据权利要求4所述的一种基于频率校正电路的高频检波系统，其特征在于：所述处理芯片U为CX20106A集成芯片。