CN106100376A - 一种多电路处理型人脸检测系统用电源 - Google Patents

一种多电路处理型人脸检测系统用电源 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种多电路处理型人脸检测系统用电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，场效应管MOS1，三极管VT1，二极管D1，极性电容C1，极性电容C4，二极管D4，极性电容C5，电压检测电路，基极恒流驱动电路，串接在二极管整流器U1的负极输出端与电压检测电路之间的三极管稳压电路，以及串接在极性电容C5的正极与基极恒流驱动电路之间的波纹尖峰抑制电路组成。本发明能有效的降低输入电流的泄露电流和损耗电流，并能抑制输入电流的异常波动，使输入电流保持稳定，从而提高了本发明的输出电压和电流的稳定性，有效的提高了人脸检测系统的检测精度。

Description

一种多电路处理型人脸检测系统用电源
技术领域
本发明涉及电子领域，具体的说，是一种多电路处理型人脸检测系统用电源。
背景技术
随着高科技的蓬勃发展，人脸检测系统作为一种人体识别密码被人们广泛使用。目前越来越多的企业为适应信息的时代需要将这种智能识别系统应用于门禁管理。但因目前的人脸检测系统用电源在外界电磁波的干扰下易出现波动，导致输出电压和电流不稳定，严重的影响了人脸检测系统的检测精度，致使非工作人员进入到室内，影响了使用者的正常工作，并且给使用者带来了极大的安全隐患。
因此，提供一种能输出稳定的电压和电流的人脸检测系统用电源便是当务之急。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的人脸检测系统用电源存在输出电压和电流不稳定的缺陷，提供的一种多电路处理型人脸检测系统用电源。
本发明通过以下技术方案来实现：一种多电路处理型人脸检测系统用电源，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，场效应管MOS1，三极管VT1，N极经电阻R3后与控制芯片U2的VDD+管脚相连接、P极与三极管VT1的基极相连接的二极管D1，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C1，负极与场效应管MOS1的栅极相连接、正极与控制芯片U2的EXT管脚相连接的极性电容C4，N极与场效应管MOS1的漏极相连接、P极与控制芯片U2的VSS管脚相连接的二极管D4，负极与场效应管MOS1的源极相连接、正极经电感L1后与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C5，分别与控制芯片U2的VDD-管脚和三极管VT1的发射极相连接的电压检测电路，串接在二极管整流器U1的负极输出端与电压检测电路之间的三极管稳压电路，分别与场效应管MOS1的漏极和控制芯片U2的FB管脚相连接的基极恒流驱动电路，以及串接在极性电容C5的正极与基极恒流驱动电路之间的波纹尖峰抑制电路组成；所述二极管整流器U1的正极输出端还与三极管VT1的发射极相连接；所述控制芯片U2的GND管脚接地。
进一步的，所述三极管稳压电路由三极管VT9，三极管VT7，三极管VT8，正极电阻R27后与三极管VT9的集电极相连接、负极经电阻R28后与三极管VT7的基极相连接的极性电容C15，负极经电阻R29后与三极管VT9的基极相连接、正极经电阻R30后与三极管VT7的集电极相连接的极性电容C16，P极与极性电容C16的正极相连接、N极经电阻R32后与三极管VT8的基极相连接的二极管D12，正极经电阻R31后与二极管D12的P极相连接、负极接地的极性电容C17，P极与三极管VT7的发射极相连接、N极经电阻R34后与极性电容C17的负极相连的二极管D14，一端与二极管D14的N极相连接、另一端与三极管VT8的集电极相连接的可调电阻R35，P极与三极管VT9的发射极相连接、N极经电阻R33后与三极管VT8的发射极相连接的二极管D13，正极与二极管D13的N极相连接、负极与三极管VT8的集电极相连接后接地的极性电容C18，以及一端与二极管D13的N极相连接、另一端与三极管VT8的集电极相连接的电感L3组成；所述三极管VT9的基极还与三极管VT8的发射极相连接；所述极性电容C15的负极还与二极管整流器U1的负极输出端相连接；所述极性电容C18的负极与电压检测电路相连接。
所述波纹尖峰抑制电路由放大器P，三极管VT6，场效应管MOS3，P极经电阻R20后与场效应管MOS3的源极相连接、P极与极性电容C5的正极相连接的二极管D9，正极经电阻R19后与二极管D9的N极相连接、负极接地的极性电容C10，P极与场效应管MOS3的漏极相连接、N极与极性电容C10的负极相连接后接地的二极管D10，一端与场效应管MOS3的栅极相连接、另一端与三极管VT6的集电极相连接的可调电阻R22，正极与三极管VT6的发射极相连接、负极与二极管D10的N极相连接的极性电容C11，一端与三极管VT6的集电极相连接、另一端与二极管D10的N极相连接的电阻R21，P极与三极管VT6的实际基极相连接、N极经电阻R23后与放大器P的输出端相连接的二极管D11，一端与放大器P的输出端相连接、另一端与极性电容C11的负极相连接后接地的可调电阻R25，负极经电阻R26后与放大器P的输出端相连接、正极与可调电阻R25的可调端相连接的极性电容C14，正极经电阻R24后与放大器P的输出端相连接、负极与放大器P的负极相连接后接地的极性电容C13，负极经电阻R18后与放大器P的正极相连接、正极经电阻R17后与二极管D9的P极相连接的极性电容C12，以及N极经电感L2后与放大器P的正电极相连接、P极经电阻R16后与二极管D9的P极相连接的二极管D8组成；所述二极管D9的P极与极性电容C11的负极相连接；所述所述极性电容C14的负极与基极恒流驱动电路相连接。
更进一步的，所述电压检测电路由三极管VT2，P极经电阻R1后与三极管VT1的发射极相连接、N极与三极管VT2的发射极相连接的二极管D2，一端与二极管D2的P极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电阻R2，负极与控制芯片U2的VDD-管脚相连接、正极经电阻R4后与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C2，正极经电阻R5后与三极管VT2的基极相连接、负极接地的极性电容C3，一端与极性电容C3的正极相连接、另一端与极性电容C2的负极相连接的可调电阻R6，以及N极与控制芯片U2的VDD-管脚相连接、P极经电阻R7后与极性电容C3的负极相连接的稳压二极管D3组成；所述三极管VT2的基极还与极性电容C18的负极相连接后接地。
所述基极恒流驱动电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，场效应管MOS2，负极与三极管VT3的基极相连接、正极经电阻R8后与控制芯片U2的FB管脚相连接的极性电容C6，正极经电阻R9后与三极管VT3的发射极相连接、负极与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C8，一端与场效应管MOS2的漏极相连接、另一端与三极管VT5的发射极相连接的可调电阻R10，N极经电阻R11后与三极管VT5的基极相连接、P极与三极管VT3的集电极相连接的二极管D6，N极与场效应管MOS2的栅极相连接、P极经电阻R12后与三极管VT5的集电极相连接的稳压二极管D7，一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端与三极管VT5的集电极相连接的可调电阻R13，负极与可调电阻R13的可调端相连接、正极经电阻R14后与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C9，N极与三极管VT4的集电极相连接后接地、P极经电阻R15后与场效应管MOS1的漏极相连接的二极管D5，以及负极与三极管VT4的基极相连接、正极与场效应管MOS1的漏极相连接的极性电容C7组成；所述三极管VT3的集电极还与三极管VT4的基极相连接；所述极性电容C8的正极还与极性电容C14的负极相连接；所述场效应管MOS2的源极与三极管VT5的集电极共同形成基极恒流驱动电路的输出端。
为了本发明的实际使用效果，所述控制芯片U2优先采用了S-K355集成芯片来实现。
本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
(1)本发明能有效的降低输入电流的泄露电流和损耗电流，并能抑制输入电流的异常波动，使输入电流保持稳定，从而提高了本发明的输出电压和电流的稳定性，有效的提高了人脸检测系统的检测精度，并消除了人脸检测系统检测不准确所带来的安全隐患。
(2)本发明能对输入电压和电流的高瞬态进行调节，防止电流的频点出现漂移，使电压和电流保持平稳，从而确保了本发明能输出稳定的电压和电流。
(3)本发明能将输入电压中谐波进行消除或抑制，并能对浪通电压和浪通电流进行抑制，从而提高了本发明输出电压和电流的稳定性，有效的防止了负载被损坏。
(4)本发明能对输出电压和电流进行稳压和稳流，从而提高了本发明输出的电压和电流的稳定性，有效的提高了人脸检测系统的检测精度。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图。
图2为本发明的波纹尖峰抑制电路的电路结构示意图。
图3为本发明的三极管稳压电路的电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例及其附图对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例
如图1所示，本发明主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，场效应管MOS1，三极管VT1，N极经电阻R3后与控制芯片U2的VDD+管脚相连接、P极与三极管VT1的基极相连接的二极管D1，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C1，负极与场效应管MOS1的栅极相连接、正极与控制芯片U2的EXT管脚相连接的极性电容C4，N极与场效应管MOS1的漏极相连接、P极与控制芯片U2的VSS管脚相连接的二极管D4，负极与场效应管MOS1的源极相连接、正极经电感L1后与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C5，分别与控制芯片U2的VDD-管脚和三极管VT1的发射极相连接的电压检测电路，串接在二极管整流器U1的负极输出端与电压检测电路之间的三极管稳压电路，分别与场效应管MOS1的漏极和控制芯片U2的FB管脚相连接的基极恒流驱动电路，以及串接在极性电容C5的正极与基极恒流驱动电路之间的波纹尖峰抑制电路组成。
所述二极管整流器U1的正极输出端还与三极管VT1的发射极相连接、其两个输入端共同形成本发明的输入端并与外部电源相连接；所述控制芯片U2的GND管脚接地；所述基极恒流驱动电路的输出端作为本发明的输出端。为了本发明的实际使用效果，所述控制芯片U2优先采用了S-K355集成芯片来实现。
进一步的，所述电压检测电路由三极管VT2，电阻R1，电阻R2，电阻R4，电阻R5，可调电阻R6，电阻R7，极性电容C2，极性电容C3，二极管D2，以及稳压二极管D3组成。
连接时，二极管D2的P极经电阻R1后与三极管VT1的发射极相连接、其N极则与三极管VT2的发射极相连接。电阻R2的一端与二极管D2的P极相连接、其另一端则与三极管VT2的发射极相连接。极性电容C2的负极与控制芯片U2的VDD-管脚相连接、其正极则经电阻R4后与三极管VT2的集电极相连接。极性电容C3的正极经电阻R5后与三极管VT2的基极相连接、其负极则接地。
同时，可调电阻R6的一端与极性电容C3的正极相连接、其另一端则与极性电容C2的负极相连接。稳压二极管D3的N极与控制芯片U2的VDD-管脚相连接、其P极则经电阻R7后与极性电容C3的负极相连接。所述三极管VT2的基极还与极性电容C18的负极相连接后接地。
进一步地，所述基极恒流驱动电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，场效应管MOS2，电阻R8，电阻R9，可调电阻R10，电阻R11，电阻R12，可调电阻R13，电阻R14，电阻R15，极性电容C6，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9，二极管D5，二极管D6，以及稳压二极管D7组成。
连接时，极性电容C6的负极与三极管VT3的基极相连接、其正极则经电阻R8后与控制芯片U2的FB管脚相连接。极性电容C8的正极经电阻R9后与三极管VT3的发射极相连接、其负极则与场效应管MOS2的漏极相连接。可调电阻R10的一端与场效应管MOS2的漏极相连接、其另一端则与三极管VT5的发射极相连接。
其中，二极管D6的N极经电阻R11后与三极管VT5的基极相连接、其P极则与三极管VT3的集电极相连接。稳压二极管D7的N极与场效应管MOS2的栅极相连接、其P极则经电阻R12后与三极管VT5的集电极相连接。可调电阻R13的一端与三极管VT4的发射极相连接、其另一端则与三极管VT5的集电极相连接。
同时，极性电容C9的负极与可调电阻R13的可调端相连接、其正极则经电阻R14后与三极管VT4的集电极相连接。二极管D5的N极与三极管VT4的集电极相连接后接地、其P极则经电阻R15后与场效应管MOS1的漏极相连接。极性电容C7的负极与三极管VT4的基极相连接、其正极则与场效应管MOS1的漏极相连接。
所述三极管VT3的集电极还与三极管VT4的基极相连接；所述极性电容C8的正极还与极性电容C14的负极相连接；所述场效应管MOS2的源极与三极管VT5的集电极共同形成基极恒流驱动电路的输出端。
如图2所示，所述波纹尖峰抑制电路由放大器P，三极管VT6，场效应管MOS3，电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，电阻R20，电阻R21，可调电阻R22，电阻R23，电阻R24，可调电阻R25，电阻R26，极性电容C10，极性电容C11，极性电容C12，极性电容C13，极性电容C14，二极管D8，二极管D9，二极管D10，二极管D11，以及电感L2组成。
连接时，二极管D9的P极经电阻R20后与场效应管MOS3的源极相连接、其P极则与极性电容C5的正极相连接。极性电容C10的正极经电阻R19后与二极管D9的N极相连接、其负极则接地。二极管D10的P极与场效应管MOS3的漏极相连接、其N极则与极性电容C10的负极相连接后接地。可调电阻R22的一端与场效应管MOS3的栅极相连接、其另一端则与三极管VT6的集电极相连接。极性电容C11的正极与三极管VT6的发射极相连接、其负极则与二极管D10的N极相连接。
其中，电阻R21一端与三极管VT6的集电极相连接、另一端与二极管D10的N极相连接。二极管D11的P极与三极管VT6的实际基极相连接、其N极经电阻R23后与放大器P的输出端相连接。可调电阻R25的一端与放大器P的输出端相连接、其另一端则与极性电容C11的负极相连接后接地。极性电容C14的负极经电阻R26后与放大器P的输出端相连接、其正极则与可调电阻R25的可调端相连接。
同时，极性电容C13的正极经电阻R24后与放大器P的输出端相连接、其负极则与放大器P的负极相连接后接地。极性电容C12的负极经电阻R18后与放大器P的正极相连接、其正极则经电阻R17后与二极管D9的P极相连接。二极管D8的N极经电感L2后与放大器P的正电极相连接、其P极则经电阻R16后与二极管D9的P极相连接。所述二极管D9的P极与极性电容C11的负极相连接；所述所述极性电容C14的负极与基极恒流驱动电路相连接。
如图3所示，所述三极管稳压电路由三极管VT7，三极管VT8，三极管VT9，电阻R27，电阻R28，电阻R29，电阻R30，电阻R31，电阻R32，电阻R33，电阻R34，可调电阻R35，极性电容C15，极性电容C16，极性电容C17，极性电容C18，二极管D12，二极管D13，二极管D14，以及电感L3组成。
连接时，极性电容C15的正极电阻R27后与三极管VT9的集电极相连接、其负极则经电阻R28后与三极管VT7的基极相连接。极性电容C16的负极经电阻R29后与三极管VT9的基极相连接、其正极则经电阻R30后与三极管VT7的集电极相连接。二极管D12的P极与极性电容C16的正极相连接、其N极则经电阻R32后与三极管VT8的基极相连接。
其中，极性电容C17的正极经电阻R31后与二极管D12的P极相连接、其负极则接地。二极管D14的P极与三极管VT7的发射极相连接、其N极则经电阻R34后与极性电容C17的负极相连。可调电阻R35的一端与二极管D14的N极相连接、其另一端则与三极管VT8的集电极相连接。二极管D13的P极与三极管VT9的发射极相连接、其N极则经电阻R33后与三极管VT8的发射极相连接。
同时，极性电容C18的正极与二极管D13的N极相连接、其负极则与三极管VT8的集电极相连接后接地。电感L3的一端与二极管D13的N极相连接、其另一端则与三极管VT8的集电极相连接。所述三极管VT9的基极还与三极管VT8的发射极相连接；所述极性电容C15的负极还与二极管整流器U1的负极输出端相连接；所述极性电容C18的负极与电压检测电路相连接。
运行时，本发明能有效的降低输入电流的泄露电流和损耗电流，并能抑制输入电流的异常波动，使输入电流保持稳定，从而提高了本发明的输出电压和电流的稳定性，有效的提高了人脸检测系统的检测精度，并消除了人脸检测系统检测不准确所带来的安全隐患。本发明能对输入电压和电流的高瞬态进行调节，防止电流的频点出现漂移，使电压和电流保持平稳，从而确保了本发明能输出稳定的电压和电流。
同时，本发明能将输入电压中谐波进行消除或抑制，并能对浪通电压和浪通电流进行抑制，从而提高了本发明输出电压和电流的稳定性，有效的防止了负载被损坏。本发明能对输出电压和电流进行稳压和稳流，从而提高了本发明输出的电压和电流的稳定性，有效的提高了人脸检测系统的检测精度。
按照上述实施例，即可很好的实现本发明。

Claims (6)

1.一种多电路处理型人脸检测系统用电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，场效应管MOS1，三极管VT1，N极经电阻R3后与控制芯片U2的VDD+管脚相连接、P极与三极管VT1的基极相连接的二极管D1，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C1，负极与场效应管MOS1的栅极相连接、正极与控制芯片U2的EXT管脚相连接的极性电容C4，N极与场效应管MOS1的漏极相连接、P极与控制芯片U2的VSS管脚相连接的二极管D4，负极与场效应管MOS1的源极相连接、正极经电感L1后与三极管VT1的集电极相连接的极性电容C5，分别与控制芯片U2的VDD-管脚和三极管VT1的发射极相连接的电压检测电路，串接在二极管整流器U1的负极输出端与电压检测电路之间的三极管稳压电路，分别与场效应管MOS1的漏极和控制芯片U2的FB管脚相连接的基极恒流驱动电路，以及串接在极性电容C5的正极与基极恒流驱动电路之间的波纹尖峰抑制电路组成；所述二极管整流器U1的正极输出端还与三极管VT1的发射极相连接；所述控制芯片U2的GND管脚接地。
2.根据权利要求1所述的一种多电路处理型人脸检测系统用电源，其特征在于，所述三极管稳压电路由三极管VT9，三极管VT7，三极管VT8，正极电阻R27后与三极管VT9的集电极相连接、负极经电阻R28后与三极管VT7的基极相连接的极性电容C15，负极经电阻R29后与三极管VT9的基极相连接、正极经电阻R30后与三极管VT7的集电极相连接的极性电容C16，P极与极性电容C16的正极相连接、N极经电阻R32后与三极管VT8的基极相连接的二极管D12，正极经电阻R31后与二极管D12的P极相连接、负极接地的极性电容C17，P极与三极管VT7的发射极相连接、N极经电阻R34后与极性电容C17的负极相连的二极管D14，一端与二极管D14的N极相连接、另一端与三极管VT8的集电极相连接的可调电阻R35，P极与三极管VT9的发射极相连接、N极经电阻R33后与三极管VT8的发射极相连接的二极管D13，正极与二极管D13的N极相连接、负极与三极管VT8的集电极相连接后接地的极性电容C18，以及一端与二极管D13的N极相连接、另一端与三极管VT8的集电极相连接的电感L3组成；所述三极管VT9的基极还与三极管VT8的发射极相连接；所述极性电容C15的负极还与二极管整流器U1的负极输出端相连接；所述极性电容C18的负极与电压检测电路相连接。
3.根据权利要求2所述的一种多电路处理型人脸检测系统用电源，其特征在于，所述波纹尖峰抑制电路由放大器P，三极管VT6，场效应管MOS3，P极经电阻R20后与场效应管MOS3的源极相连接、P极与极性电容C5的正极相连接的二极管D9，正极经电阻R19后与二极管D9的N极相连接、负极接地的极性电容C10，P极与场效应管MOS3的漏极相连接、N极与极性电容C10的负极相连接后接地的二极管D10，一端与场效应管MOS3的栅极相连接、另一端与三极管VT6的集电极相连接的可调电阻R22，正极与三极管VT6的发射极相连接、负极与二极管D10的N极相连接的极性电容C11，一端与三极管VT6的集电极相连接、另一端与二极管D10的N极相连接的电阻R21，P极与三极管VT6的实际基极相连接、N极经电阻R23后与放大器P的输出端相连接的二极管D11，一端与放大器P的输出端相连接、另一端与极性电容C11的负极相连接后接地的可调电阻R25，负极经电阻R26后与放大器P的输出端相连接、正极与可调电阻R25的可调端相连接的极性电容C14，正极经电阻R24后与放大器P的输出端相连接、负极与放大器P的负极相连接后接地的极性电容C13，负极经电阻R18后与放大器P的正极相连接、正极经电阻R17后与二极管D9的P极相连接的极性电容C12，以及N极经电感L2后与放大器P的正电极相连接、P极经电阻R16后与二极管D9的P极相连接的二极管D8组成；所述二极管D9的P极与极性电容C11的负极相连接；所述所述极性电容C14的负极与基极恒流驱动电路相连接。
4.根据权利要求3所述的一种多电路处理型人脸检测系统用电源，其特征在于，所述电压检测电路由三极管VT2，P极经电阻R1后与三极管VT1的发射极相连接、N极与三极管VT2的发射极相连接的二极管D2，一端与二极管D2的P极相连接、另一端与三极管VT2的发射极相连接的电阻R2，负极与控制芯片U2的VDD-管脚相连接、正极经电阻R4后与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C2，正极经电阻R5后与三极管VT2的基极相连接、负极接地的极性电容C3，一端与极性电容C3的正极相连接、另一端与极性电容C2的负极相连接的可调电阻R6，以及N极与控制芯片U2的VDD-管脚相连接、P极经电阻R7后与极性电容C3的负极相连接的稳压二极管D3组成；所述三极管VT2的基极还与极性电容C18的负极相连接后接地。
5.根据权利要求4所述的一种多电路处理型人脸检测系统用电源，其特征在于，所述基极恒流驱动电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，场效应管MOS2，负极与三极管VT3的基极相连接、正极经电阻R8后与控制芯片U2的FB管脚相连接的极性电容C6，正极经电阻R9后与三极管VT3的发射极相连接、负极与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C8，一端与场效应管MOS2的漏极相连接、另一端与三极管VT5的发射极相连接的可调电阻R10，N极经电阻R11后与三极管VT5的基极相连接、P极与三极管VT3的集电极相连接的二极管D6，N极与场效应管MOS2的栅极相连接、P极经电阻R12后与三极管VT5的集电极相连接的稳压二极管D7，一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端与三极管VT5的集电极相连接的可调电阻R13，负极与可调电阻R13的可调端相连接、正极经电阻R14后与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C9，N极与三极管VT4的集电极相连接后接地、P极经电阻R15后与场效应管MOS1的漏极相连接的二极管D5，以及负极与三极管VT4的基极相连接、正极与场效应管MOS1的漏极相连接的极性电容C7组成；所述三极管VT3的集电极还与三极管VT4的基极相连接；所述极性电容C8的正极还与极性电容C14的负极相连接；所述场效应管MOS2的源极与三极管VT5的集电极共同形成基极恒流驱动电路的输出端。
6.根据权利要求5所述的一种多电路处理型人脸检测系统用电源，其特征在于，所述控制芯片U2为S-K355集成芯片。
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