CN106253681A - 基于反馈信号处理电路的瞬时保护pwm反激式开关电源 - Google Patents

基于反馈信号处理电路的瞬时保护pwm反激式开关电源 Download PDF

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CN106253681A CN201610627034.2A CN201610627034A CN106253681A CN 106253681 A CN106253681 A CN 106253681A CN 201610627034 A CN201610627034 A CN 201610627034A CN 106253681 A CN106253681 A CN 106253681A
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Abstract

本发明公开了一种基于反馈信号处理电路的瞬时保护PWM反激式开关电源，其特征在于：主要由控制芯片U2，变压器T2，串接在控制芯片U2的VCC管脚和变压器T2的原边之间的恒流源电路，与恒流源电路相连接的软启动电路等组成。本发明采用UC3842作为控制芯片，并结合新颖的外围电路，可以有效的降低自身的功耗，使本发明的效率达到95％以上。同时，本发明可以有效的对通电瞬间电容器产生的瞬时冲击电流进行限制，从而保护电子元件不被损坏，提高了本发明的使用寿命。本发明还可以对反馈信号进行处理，避免反馈信号失真，使本发明可以更好的根据反馈信号调整输出电压的脉宽，使输出电压更加稳定。

Description

基于反馈信号处理电路的瞬时保护PWM反激式开关电源
技术领域
本发明涉及一种电源，具体是指一种基于反馈信号处理电路的瞬时保护PWM反激式开关电源。
背景技术
开关电源是利用现代电力电子技术控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，其被广泛应用于工业自动化控制、军工设备、科研设备等领域。随着社会的不断发展，人们的节能环保意识的不断提高，人们对开关电源的效率提出了更高的要求。然而，目前的开关电源自身的功耗较高，导致其电能利用率过低，无法满足人们的需求。
发明内容
本发明的目的在于解决目前的开关电源自身的功耗较高，导致其电能利用率过低的缺陷，提供一种基于反馈信号处理电路的瞬时保护PWM反激式开关电源。
本发明的目的通过下述技术方案现实：基于反馈信号处理电路的瞬时保护PWM反激式开关电源，主要由控制芯片U2，变压器T2，串接在控制芯片U2的VCC管脚和变压器T2的原边之间的恒流源电路，与恒流源电路相连接的软启动电路，与软启动电路相连接的整流变压电路，与变压器T2的副边相连接的输出电路，与输出电路相连接的反馈信号处理电路，串接在控制芯片U2和反馈信号处理电路之间的反馈链路，串接在控制芯片U2与恒流源电路之间的开关触发电路，正极与控制芯片U2的RT/CT管脚相连接、负极接地的电容C7，P极与电容C7的负极相连接、N极经电阻R11后与电容C7的正极相连接的二极管D7，一端与控制芯片U2的CS管脚相连接、另一端则与开关触发电路相连接的电阻R13，正极与控制芯片U2的CS管脚相连接、负极则与开关触发电路相连接的电容C6，负极与控制芯片U2的COMP管脚相连接、正极与反馈链路相连接的电容C5，与电容C5相并联的电阻R8，以及一端与控制芯片U2的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R9组成；所述控制芯片U2的VCC管脚与恒流源电路相连接、其FB管脚和REF管脚均与反馈链路相连接、其OUT管脚与开关触发电路相连接；所述二极管D7的N极还与控制芯片U2的REF管脚相连接。
进一步的，所述反馈信号处理电路由三极管VT8，三极管VT9，三极管VT10，放大器P1，放大器P2，正极与三极管VT8的发射极相连接、负极与三极管VT9的基极相连接的电容C15，N极经电阻R26后与放大器P2的正极相连接、P极接地的二极管D16，一端与三极管VT9的基极相连接、另一端经电阻R25后与二极管D16的P极相连接的电阻R24，一端与放大器P2的负极相连接、另一端接地的电阻R27，负极与放大器P2的正极相连接、正极与电阻R24和电阻R25的连接点相连接的电容C17，P极与二极管D16的N极相连接、N极与三极管VT10的发射极相连接的二极管D17，正极与二极管D17的N极相连接、负极与放大器P1的正极相连接的电容C16，以及N极经电阻R28后与放大器P2的正极相连接、P极经电阻R23后与三极管VT10的基极相连接的二极管D18组成；所述三极管VT8的基极和发射极均与输出电路相连接、其集电极与三极管VT9的发射极相连接；所述三极管VT10的集电极与三极管VT9的发射极相连接、其基极与三极管VT9的集电极相连接；所述放大器P1的负极与放大器P2的输出端相连接，所述放大器P1的输出端和放大器P2的输出端均与反馈链路相连接；所述电容C17的正极与三极管VT8的发射极相连接。
所述软启动电路由处理芯片U3，三极管VT7，N极与处理芯片U3的VCC管脚相连接、P极作为该软启动电路的输入端的稳压二极管D13，负极与稳压二极管D13的P极相连接、正极与处理芯片U3的DRI管脚相连接的电容C10，负极经电阻R17后与处理芯片U3的VCC管脚相连接、正极顺次经电阻R16和电阻R18后与处理芯片U3的SC管脚相连接的电容C11，P极与处理芯片U3的SC管脚相连接、N极作为该软启动电路的输出端的稳压二极管D15，正极与稳压二极管D15的N极相连接、负极则与三极管VT7的集电极相连接的电容C14，与电容C14相并联的电阻R19，P极与处理芯片U3的SE管脚相连接、N极与三极管VT7的基极相连接的二极管D14，正极与处理芯片U3的TC管脚相连接、负极与三极管VT7的发射极相连接的电容C13，正极与处理芯片U3的FB管脚相连接、负极顺次经电感L7和电阻R21后与三极管VT7的发射极相连接的电容C12，与电阻R21相并联的电阻R22，以及一端与处理芯片U3的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R20组成；所述处理芯片U3的IPK管脚与电容C11的负极相连接；所述软启动电路的输入端与整流变压电路相连接、其输出端则与恒流源电路相连接。
所述整流变压电路由变压器T1，二极管整流器U1，以及正极与变压器T1的原边电感线圈L1的非同名端相连接、负极则与变压器T1的副边电感线圈L2的同名端相连接的电容C1组成；所述二极管整流器U1的输入端分别与变压器T1的原边电感线圈L1的同名端和变压器T1的副边电感线圈L2的非同名端相连接；所述二极管整流器U1的正极输出端与稳压二极管D13的P极相连接、其负极输出端接地。
所述恒流源电路由场效应管MOS1，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，负极与变压器T2的原边电感线圈L4的同名端相连接、正极接地的电容C2，串接在场效应管MOS1的漏极和电容C2的正极之间的电阻R1，N极与电容C2的负极相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的稳压二极管D1，串接在三极管VT1的发射极和场效应管MOS1的栅极之间的电阻R2，负极与三极管VT3的基极相连接、正极经电阻R3后与三极管VT1的基极相连接的电容C3，P极与电容C3的正极相连接、N极与场效应管MOS1的栅极相连接的稳压二极管D2，串接在三极管VT3的集电极和稳压二极管D2的N极之间的电阻R4，P极与开关触发电路相连接、N极经电阻R5后与三极管VT3的集电极相连接的二极管D3，以及负极与二极管D3的N极相连接、正极与稳压二极管D2的N极相连接的电容C4组成；所述场效应管MOS1的栅极与稳压二极管D15的N极相连接、其源极则与三极管VT2的集电极相连接；所述三极管VT2的发射极与电容C2的负极相连接、其基极则与三极管VT1的集电极相连接、集电极则与电容C3的正极相连接；所述三极管VT3的发射极与变压器T2的原边电感线圈L3的非同名端相连接的同时接地；所述变压器T2的原边电感线圈L3的同名端与电容C4的正极相连接；所述变压器T2的原边电感线圈L4的非同名端接地；所述控制芯片U2的VCC管脚与电容C2的正极相连接。
所述输出电路由二极管D10，P极与变压器T2的副边电感线圈L5的非同名端相连接、N极经电感L6后与二极管D10的N极共同形成输出端的稳压二极管D11，与稳压二极管D11相并联的电阻R15，正极与稳压二极管D11的P极相连接、负极与二极管D10的P极相连接的电容C9，以及N极经电感L6后与稳压二极管D11的N极相连接、P极与二极管D10的N极相连接的稳压二极管D12组成；所述变压器T2的副边电感线圈L5的同名端与二极管D10的P极相连接；所述二极管D10的P极与三极管VT8的发射极相连接、其N极与三极管VT8的基极相连接。
所述开关触发电路由场效应管MOS2，三极管VT5，三极管VT6，串接在控制芯片U2的OUT管脚和场效应管MOS2的栅极之间的电阻R12，P极与场效应管MOS2的源极相连接、N极与三极管VT5的基极相连接的二极管D8，正极与场效应管MOS2的漏极相连接、负极经电阻R14后与三极管VT6的发射极相连接的电容C8，N极与场效应管MOS2的栅极相连接、P极接地的稳压二极管D6，以及N极与三极管VT6的基极相连接、P极与电容C8的负极相连接的二极管D9组成；所述场效应管MOS2的栅极经电阻R13后与控制芯片U2的CS管脚相连接、其漏极则分别与电容C6的负极和反馈链路相连接；所述三极管VT5的集电极接地、其发射极与三极管VT6的基极相连接；所述三极管VT6的集电极与二极管D3的P极相连接。
所述反馈链路由光电耦合器A1，三极管VT4，P极经电阻R10后与光电耦合器A1的第二输出端相连接、N极与电容C5的正极相连接的二极管D4，串接在控制芯片U2的REF管脚和二极管D4的N极之间的电阻R6，以及N极与控制芯片U2的FB管脚相连接、P极经电阻R7后与三极管VT4的集电极相连接的二极管D5组成；所述三极管VT4的发射极与光电耦合器A1的第一输出端相连接、其基极则与场效应管MOS2的漏极相连接；所述光电耦合器A1的第一输入端与放大器P2的输出端相连接、其第二输入端则与放大器P1的输出端相连接。
所述控制芯片U2为UC3842集成芯片；所述处理芯片U3为H34063A集成芯片。
本发明与现有技术相比具有以下优点及有益效果：
(1)本发明采用UC3842作为控制芯片，并结合新颖的外围电路，可以有效的降低自身的功耗，使本发明的效率达到95％以上。
(2)本发明可以输出恒定的电压，能够更好的为用电负载供电。
(3)本发明可以有效的对通电瞬间电容器产生的瞬时冲击电流进行限制，从而保护电子元件不被损坏，提高了本发明的使用寿命。
(4)本发明对反馈信号进行处理，避免反馈信号失真，使本发明可以更好的根据反馈信号调整输出电压的脉宽，使输出电压更加稳定。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图。
图2为本发明的软启动电路的结构图。
图3为本发明的反馈信号处理电路的结构图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式并不限于此。
实施例
如图1所示，本发明主要由控制芯片U2，变压器T2，串接在控制芯片U2的VCC管脚和变压器T2的原边之间的恒流源电路，与恒流源电路相连接的软启动电路，与软启动电路相连接的整流变压电路，与变压器T2的副边相连接的输出电路，与输出电路相连接的反馈信号处理电路，串接在控制芯片U2和反馈信号处理电路之间的反馈链路，串接在控制芯片U2与恒流源电路之间的开关触发电路，正极与控制芯片U2的RT/CT管脚相连接、负极接地的电容C7，P极与电容C7的负极相连接、N极经电阻R11后与电容C7的正极相连接的二极管D7，一端与控制芯片U2的CS管脚相连接、另一端则与开关触发电路相连接的电阻R13，正极与控制芯片U2的CS管脚相连接、负极则与开关触发电路相连接的电容C6，负极与控制芯片U2的COMP管脚相连接、正极与反馈链路相连接的电容C5，与电容C5相并联的电阻R8，以及一端与控制芯片U2的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R9组成。
所述控制芯片U2的VCC管脚与恒流源电路相连接，其FB管脚和REF管脚均与反馈链路相连接，其OUT管脚与开关触发电路相连接。所述二极管D7的N极还与控制芯片U2的REF管脚相连接。为了更好的实施本发明，所述控制芯片U2优先采用UC3842集成芯片来实现。
其中，所述整流变压电路由变压器T1，二极管整流器U1，以及正极与变压器T1的原边电感线圈L1的非同名端相连接、负极则与变压器T1的副边电感线圈L2的同名端相连接的电容C1组成。所述二极管整流器U1的输入端分别与变压器T1的原边电感线圈L1的同名端和变压器T1的副边电感线圈L2的非同名端相连接。所述二极管整流器U1的正极输出端与软启动电路的输入端相连接、其负极输出端接地。
该恒流源电路由场效应管MOS1，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，稳压二极管D1，稳压二极管D2，二极管D3，电容C2，电容C3以及电容C4组成。
连接时，电容C2的负极与变压器T2的原边电感线圈L4的同名端相连接，正极接地。电阻R1串接在场效应管MOS1的漏极和电容C2的正极之间。稳压二极管D1的N极与电容C2的负极相连接，P极与三极管VT2的基极相连接。电阻R2串接在三极管VT1的发射极和场效应管MOS1的栅极之间。电容C3的负极与三极管VT3的基极相连接，正极经电阻R3后与三极管VT1的基极相连接。稳压二极管D2的P极与电容C3的正极相连接，N极与场效应管MOS1的栅极相连接。电阻R4串接在三极管VT3的集电极和稳压二极管D2的N极之间。二极管D3的P极与开关触发电路相连接，N极经电阻R5后与三极管VT3的集电极相连接。电容C4的负极与二极管D3的N极相连接，正极与稳压二极管D2的N极相连接。
该场效应管MOS1的栅极与软启动电路的输出端相连接，其源极则与三极管VT2的集电极相连接。所述三极管VT2的发射极与电容C2的负极相连接，其基极则与三极管VT1的集电极相连接，集电极则与电容C3的正极相连接。所述三极管VT3的发射极与变压器T2的原边电感线圈L3的非同名端相连接的同时接地。所述变压器T2的原边电感线圈L3的同名端与电容C4的正极相连接。所述变压器T2的原边电感线圈L4的非同名端接地。所述控制芯片U2的VCC管脚与电容C2的正极相连接。
所述输出电路由二极管D10，稳压二极管D11，稳压二极管D12，电容C9，电感L6以及电阻R15组成。
连接时，稳压二极管D11的P极与变压器T2的副边电感线圈L5的非同名端相连接，N极经电感L6后与二极管D10的N极共同形成输出端。电阻R15与稳压二极管D11相并联。电容C9的正极与稳压二极管D11的P极相连接，负极与二极管D10的P极相连接。稳压二极管D12的N极经电感L6后与稳压二极管D11的N极相连接，P极与二极管D10的N极相连接。所述变压器T2的副边电感线圈L5的同名端与二极管D10的P极相连接。所述二极管D10的P极和N极均与反馈信号处理电路相连接。
该开关触发电路由场效应管MOS2，三极管VT5，三极管VT6，电阻R12，电阻R14，二极管D8，二极管D9以及电容C8组成。
连接时，电阻R12串接在控制芯片U2的OUT管脚和场效应管MOS2的栅极之间。二极管D8的P极与场效应管MOS2的源极相连接，N极与三极管VT5的基极相连接。电容C8的正极与场效应管MOS2的漏极相连接，负极经电阻R14后与三极管VT6的发射极相连接。稳压二极管D6的N极与场效应管MOS2的栅极相连接，P极接地。二极管D9的N极与三极管VT6的基极相连接，P极与电容C8的负极相连接。
同时，所述场效应管MOS2的栅极经电阻R13后与控制芯片U2的CS管脚相连接，其漏极则分别与电容C6的负极和反馈链路相连接。所述三极管VT5的集电极接地，其发射极与三极管VT6的基极相连接。所述三极管VT6的集电极与二极管D3的P极相连接。
另外，该反馈链路由光电耦合器A1，三极管VT4，二极管D4，二极管D5，电阻R6，电阻R7以及电阻R10组成。
连接时，二极管D4的P极经电阻R10后与光电耦合器A1的第二输出端相连接，N极与电容C5的正极相连接。电阻R6串接在控制芯片U2的REF管脚和二极管D4的N极之间。二极管D5的N极与控制芯片U2的FB管脚相连接，P极经电阻R7后与三极管VT4的集电极相连接。
该三极管VT4的发射极与光电耦合器A1的第一输出端相连接，其基极则与场效应管MOS2的漏极相连接。所述光电耦合器A1的第一输入端和第二输入端均与反馈信号处理电路相连接。
该软启动电路的结构如图2所示，其由处理芯片U3，三极管VT7，电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，电阻R20，电阻R21，电阻R22，稳压二极管D13，二极管D14，稳压二极管D15，电容C10，电容C11，电容C12，电容C13，电容C14以及电感L7组成。
连接时，稳压二极管D13的N极与处理芯片U3的VCC管脚相连接，P极作为该软启动电路的输入端并与二极管整流器U1的正极输出端相连接。电容C10的负极与稳压二极管D13的P极相连接，正极与处理芯片U3的DRI管脚相连接。电容C11的负极经电阻R17后与处理芯片U3的VCC管脚相连接，正极顺次经电阻R16和电阻R18后与处理芯片U3的SC管脚相连接。稳压二极管D15的P极与处理芯片U3的SC管脚相连接，N极作为该软启动电路的输出端并与场效应管MOS1的栅极相连接。电容C14的正极与稳压二极管D15的N极相连接，负极则与三极管VT7的集电极相连接。电阻R19与电容C14相并联。二极管D14的P极与处理芯片U3的SE管脚相连接，N极与三极管VT7的基极相连接。电容C13的正极与处理芯片U3的TC管脚相连接，负极与三极管VT7的发射极相连接。电容C12的正极与处理芯片U3的FB管脚相连接，负极顺次经电感L7和电阻R21后与三极管VT7的发射极相连接。电阻R22与电阻R21相并联。电阻R20的一端与处理芯片U3的GND管脚相连接，另一端接地。所述处理芯片U3的IPK管脚与电容C11的负极相连接。为了更好的实施本发明，所述处理芯片U3优选H34063A集成芯片来实现。
如图3所示，该反馈信号处理电路由三极管VT8，三极管VT9，三极管VT10，放大器P1，放大器P2，电阻R23，电阻R24，电阻R25，电阻R26，电阻R27，电阻R28，电容C15，电容C16，电容C17，二极管D16，二极管D17以及二极管D18组成。
连接时，电容C15的正极与三极管VT8的发射极相连接，负极与三极管VT9的基极相连接。二极管D16的N极经电阻R26后与放大器P2的正极相连接，P极接地。电阻R24的一端与三极管VT9的基极相连接，另一端经电阻R25后与二极管D16的P极相连接。电阻R27的一端与放大器P2的负极相连接，另一端接地。电容C17的负极与放大器P2的正极相连接，正极与电阻R24和电阻R25的连接点相连接。二极管D17的P极与二极管D16的N极相连接，N极与三极管VT10的发射极相连接。电容C16的正极与二极管D17的N极相连接，负极与放大器P1的正极相连接。二极管D18的N极经电阻R28后与放大器P2的正极相连接，P极经电阻R23后与三极管VT10的基极相连接。
所述三极管VT8的基极与二极管D10的N极相连接、其发射极则与二极管D10的P极相连接，其集电极与三极管VT9的发射极相连接。所述三极管VT10的集电极与三极管VT9的发射极相连接，其基极与三极管VT9的集电极相连接。所述放大器P1的负极与放大器P2的输出端相连接，其输出端则与光电耦合器A1的第二输入端相连接。所述放大器P2的输出端则与光电耦合器A1的第一输入端相连接。所述电容C17的正极与三极管VT8的发射极相连接。
本发明采用UC3842作为控制芯片，并结合新颖的外围电路，可以有效的降低自身的功耗，使本发明的效率达到95％以上。同时，本发明可以有效的对通电瞬间电容器产生的瞬时冲击电流进行限制，从而保护电子元件不被损坏，提高了本发明的使用寿命。本发明还可以对反馈信号进行处理，避免反馈信号失真，使本发明可以更好的根据反馈信号调整输出电压的脉宽，使输出电压更加稳定。
如上所述，便可很好的实现本发明。

Claims (9)

1.基于反馈信号处理电路的瞬时保护PWM反激式开关电源，其特征在于：主要由控制芯片U2，变压器T2，串接在控制芯片U2的VCC管脚和变压器T2的原边之间的恒流源电路，与恒流源电路相连接的软启动电路，与软启动电路相连接的整流变压电路，与变压器T2的副边相连接的输出电路，与输出电路相连接的反馈信号处理电路，串接在控制芯片U2和反馈信号处理电路之间的反馈链路，串接在控制芯片U2与恒流源电路之间的开关触发电路，正极与控制芯片U2的RT/CT管脚相连接、负极接地的电容C7，P极与电容C7的负极相连接、N极经电阻R11后与电容C7的正极相连接的二极管D7，一端与控制芯片U2的CS管脚相连接、另一端则与开关触发电路相连接的电阻R13，正极与控制芯片U2的CS管脚相连接、负极则与开关触发电路相连接的电容C6，负极与控制芯片U2的COMP管脚相连接、正极与反馈链路相连接的电容C5，与电容C5相并联的电阻R8，以及一端与控制芯片U2的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R9组成；所述控制芯片U2的VCC管脚与恒流源电路相连接、其FB管脚和REF管脚均与反馈链路相连接、其OUT管脚与开关触发电路相连接；所述二极管D7的N极还与控制芯片U2的REF管脚相连接。
2.根据权利要求1所述的基于反馈信号处理电路的瞬时保护PWM反激式开关电源，其特征在于：所述反馈信号处理电路由三极管VT8，三极管VT9，三极管VT10，放大器P1，放大器P2，正极与三极管VT8的发射极相连接、负极与三极管VT9的基极相连接的电容C15，N极经电阻R26后与放大器P2的正极相连接、P极接地的二极管D16，一端与三极管VT9的基极相连接、另一端经电阻R25后与二极管D16的P极相连接的电阻R24，一端与放大器P2的负极相连接、另一端接地的电阻R27，负极与放大器P2的正极相连接、正极与电阻R24和电阻R25的连接点相连接的电容C17，P极与二极管D16的N极相连接、N极与三极管VT10的发射极相连接的二极管D17，正极与二极管D17的N极相连接、负极与放大器P1的正极相连接的电容C16，以及N极经电阻R28后与放大器P2的正极相连接、P极经电阻R23后与三极管VT10的基极相连接的二极管D18组成；所述三极管VT8的基极和发射极均与输出电路相连接、其集电极与三极管VT9的发射极相连接；所述三极管VT10的集电极与三极管VT9的发射极相连接、其基极与三极管VT9的集电极相连接；所述放大器P1的负极与放大器P2的输出端相连接，所述放大器P1的输出端和放大器P2的输出端均与反馈链路相连接；所述电容C17的正极与三极管VT8的发射极相连接。
3.根据权利要求2所述的基于反馈信号处理电路的瞬时保护PWM反激式开关电源，其特征在于：所述软启动电路由处理芯片U3，三极管VT7，N极与处理芯片U3的VCC管脚相连接、P极作为该软启动电路的输入端的稳压二极管D13，负极与稳压二极管D13的P极相连接、正极与处理芯片U3的DRI管脚相连接的电容C10，负极经电阻R17后与处理芯片U3的VCC管脚相连接、正极顺次经电阻R16和电阻R18后与处理芯片U3的SC管脚相连接的电容C11，P极与处理芯片U3的SC管脚相连接、N极作为该软启动电路的输出端的稳压二极管D15，正极与稳压二极管D15的N极相连接、负极则与三极管VT7的集电极相连接的电容C14，与电容C14相并联的电阻R19，P极与处理芯片U3的SE管脚相连接、N极与三极管VT7的基极相连接的二极管D14，正极与处理芯片U3的TC管脚相连接、负极与三极管VT7的发射极相连接的电容C13，正极与处理芯片U3的FB管脚相连接、负极顺次经电感L7和电阻R21后与三极管VT7的发射极相连接的电容C12，与电阻R21相并联的电阻R22，以及一端与处理芯片U3的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R20组成；所述处理芯片U3的IPK管脚与电容C11的负极相连接；所述软启动电路的输入端与整流变压电路相连接、其输出端则与恒流源电路相连接。
4.根据权利要求3所述的基于反馈信号处理电路的瞬时保护PWM反激式开关电源，其特征在于：所述整流变压电路由变压器T1，二极管整流器U1，以及正极与变压器T1的原边电感线圈L1的非同名端相连接、负极则与变压器T1的副边电感线圈L2的同名端相连接的电容C1组成；所述二极管整流器U1的输入端分别与变压器T1的原边电感线圈L1的同名端和变压器T1的副边电感线圈L2的非同名端相连接；所述二极管整流器U1的正极输出端与稳压二极管D13的P极相连接、其负极输出端接地。
5.根据权利要求4所述的基于反馈信号处理电路的瞬时保护PWM反激式开关电源，其特征在于：所述恒流源电路由场效应管MOS1，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，负极与变压器T2的原边电感线圈L4的同名端相连接、正极接地的电容C2，串接在场效应管MOS1的漏极和电容C2的正极之间的电阻R1，N极与电容C2的负极相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的稳压二极管D1，串接在三极管VT1的发射极和场效应管MOS1的栅极之间的电阻R2，负极与三极管VT3的基极相连接、正极经电阻R3后与三极管VT1的基极相连接的电容C3，P极与电容C3的正极相连接、N极与场效应管MOS1的栅极相连接的稳压二极管D2，串接在三极管VT3的集电极和稳压二极管D2的N极之间的电阻R4，P极与开关触发电路相连接、N极经电阻R5后与三极管VT3的集电极相连接的二极管D3，以及负极与二极管D3的N极相连接、正极与稳压二极管D2的N极相连接的电容C4组成；所述场效应管MOS1的栅极与稳压二极管D15的N极相连接、其源极则与三极管VT2的集电极相连接；所述三极管VT2的发射极与电容C2的负极相连接、其基极则与三极管VT1的集电极相连接、集电极则与电容C3的正极相连接；所述三极管VT3的发射极与变压器T2的原边电感线圈L3的非同名端相连接的同时接地；所述变压器T2的原边电感线圈L3的同名端与电容C4的正极相连接；所述变压器T2的原边电感线圈L4的非同名端接地；所述控制芯片U2的VCC管脚与电容C2的正极相连接。
6.根据权利要求5所述的基于反馈信号处理电路的瞬时保护PWM反激式开关电源，其特征在于：所述输出电路由二极管D10，P极与变压器T2的副边电感线圈L5的非同名端相连接、N极经电感L6后与二极管D10的N极共同形成输出端的稳压二极管D11，与稳压二极管D11相并联的电阻R15，正极与稳压二极管D11的P极相连接、负极与二极管D10的P极相连接的电容C9，以及N极经电感L6后与稳压二极管D11的N极相连接、P极与二极管D10的N极相连接的稳压二极管D12组成；所述变压器T2的副边电感线圈L5的同名端与二极管D10的P极相连接；所述二极管D10的P极与三极管VT8的发射极相连接、其N极与三极管VT8的基极相连接。
7.根据权利要求6所述的基于反馈信号处理电路的瞬时保护PWM反激式开关电源，其特征在于：所述开关触发电路由场效应管MOS2，三极管VT5，三极管VT6，串接在控制芯片U2的OUT管脚和场效应管MOS2的栅极之间的电阻R12，P极与场效应管MOS2的源极相连接、N极与三极管VT5的基极相连接的二极管D8，正极与场效应管MOS2的漏极相连接、负极经电阻R14后与三极管VT6的发射极相连接的电容C8，N极与场效应管MOS2的栅极相连接、P极接地的稳压二极管D6，以及N极与三极管VT6的基极相连接、P极与电容C8的负极相连接的二极管D9组成；所述场效应管MOS2的栅极经电阻R13后与控制芯片U2的CS管脚相连接、其漏极则分别与电容C6的负极和反馈链路相连接；所述三极管VT5的集电极接地、其发射极与三极管VT6的基极相连接；所述三极管VT6的集电极与二极管D3的P极相连接。
8.根据权利要求7所述的基于反馈信号处理电路的瞬时保护PWM反激式开关电源，其特征在于：所述反馈链路由光电耦合器A1，三极管VT4，P极经电阻R10后与光电耦合器A1的第二输出端相连接、N极与电容C5的正极相连接的二极管D4，串接在控制芯片U2的REF管脚和二极管D4的N极之间的电阻R6，以及N极与控制芯片U2的FB管脚相连接、P极经电阻R7后与三极管VT4的集电极相连接的二极管D5组成；所述三极管VT4的发射极与光电耦合器A1的第一输出端相连接、其基极则与场效应管MOS2的漏极相连接；所述光电耦合器A1的第一输入端与放大器P2的输出端相连接、其第二输入端则与放大器P1的输出端相连接。
9.根据权利要求8所述的基于反馈信号处理电路的瞬时保护PWM反激式开关电源，其特征在于：所述控制芯片U2为UC3842集成芯片，所述处理芯片U3为H34063A集成芯片。
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CN113824304A (zh) * 2021-11-23 2021-12-21 西安空天紫电等离子体技术有限公司 一种基于车载等离子体驱动电源的输入输出供电系统

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