CN106163003A - 一种基于波纹尖峰抑制电路的led调光驱动电源 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，变压器T，场效应管MOS1，三极管VT1，二极管D1，极性电容C3，电流调节电路，串接在二极管整流器U1的正极输出端与三极管VT1的发射极之间的波纹尖峰抑制电路，串接在控制芯片U2与变压器T之间的脉冲触发电路，以及串接在三极管VT1的集电极与变压器T原边电感线圈L3之间的微处理电路组成。本发明能对电压和电流的高瞬态进行调节，防止电流的频点出现漂移，使电压和电流保持平稳，从而确保了本发明能输出稳定的电压，能防止LED灯光出现闪烁的现象，有效的延长了LED的使用寿命。

Description

一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源

技术领域

本发明涉及电子领域，具体的说，是一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源。

背景技术

在全球能源短缺、环保要求不断提高的背景下，世界各国均大力发展绿色节能照明。LED照明作为一种革命性的节能照明技术，正在飞速发展，其中可调光LED的亮度能根据环境亮度进行调节而被人们广泛使用。然而，现有LED调光驱动电源存在输出电压不稳定的问题，致使LED灯光出现闪烁的现象，严重的影响了LED的使用寿命，从而无法满足人们的要求。

因此，提供一种输出电压稳定的LED调光驱动电源便是当务之急。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的现有的现有LEDLED灯调光驱动电源存在输出电压不稳定的缺陷，提供的一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源。

本发明通过以下技术方案来实现：一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，变压器T，场效应管MOS1，三极管VT1，串接在二极管整流器U1的正极输出端与三极管VT1的发射极之间的波纹尖峰抑制电路，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地的极性电容C1，负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接、正极与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C2，P极与场效应管MOS1的栅极相连接、N极经电阻R1后与场效应管MOS1的源极相连接的二极管D1，一端与场效应管MOS1的栅极相连接、另一端与二极管D1的N极相连接的电感L1，正极与三极管VT1的基极相连接、负极经电阻R20后与控制芯片U2的VDD管脚相连接的极性电容C3，正极与变压器T副边电感线圈的L5的非同名端相连接、负极与变压器T副边电感线圈的L5的同名端相连接的极性电容C12，分别与变压器T原边电感线圈L4的同名端和控制芯片U2以及二极管D1的N极相连接的电流调节电路，串接在控制芯片U2与变压器T之间的脉冲触发电路，以及串接在三极管VT1的集电极与变压器T原边电感线圈L3之间的微处理电路组成。

所述二极管整流器U1的负极输出端还与场效应管MOS1的漏极相连接；所述三极管VT1的发射极分别与二极管D1的N极和控制芯片U2的DIM管脚相连接；所述微处理电路还与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接；所述变压器T原边电感线圈L4的非同名端接地。

所述波纹尖峰抑制电路由放大器P，场效应管MOS4，三极管VT5，N极经电阻R26后与场效应管MOS4的源极相连接、P极与二极管整流器U1的正极输出端相连接的二极管D11，正极经电阻R25后与二极管D11的P极相连接、负极接地的极性电容C14，P极与场效应管MOS4的漏极相连接、N极与极性电容C14的负极相连接的二极管D12，正极与二极管D11的N极相连接、负极经电阻R27后与二极管D12的N极相连接的极性电容C15，一端与极性电容C15的正极相连接、另一端与三极管VT5的发射极相连接的可调电阻R28，负极与放大器P的正极相连接、正极经电阻R29后与二极管D11的N极相连接的极性电容C16，一端与极性电容C16的正极相连接、另一端接地的电阻R30，P极与三极管VT5的基极相连接、N极经电阻R32后与放大器P的负极相连接的二极管D13，负极经电阻R35后与放大器P的输出端相连接、正极经电阻R33后与二极管D13的N极相连接的极性电容C18，以及正极经电阻R34后与极性电容C18的负极相连接、负极经电阻R31后与三极管VT5的集电极相连接的极性电容C17组成；所述极性电容C17的负极与二极管D13的N极相连接后接地；所述三极管VT5的集电极还与二极管D12的N极相连接；所述场效应管MOS4的栅极与可调电阻R28的可调端相连接；所述极性电容C18的负极还与三极管VT1的发射极相连接。

所述电流调节电路由三极管VT2，场效应管MOS2，N极经电阻R21后与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接、P极电阻R2后与三极管VT2的集电极相连接的二极管D2，P极与三极管VT2的集电极相连接、N极经电阻R3后与控制芯片U2的DIM管脚相连接的二极管D3，一端与二极管D3的N极相连接、另一端与控制芯片U2的DIM管脚相连接的电感L2，正极与三极管VT2的基极相连接、负极经电阻R4后与控制芯片U2的VS管脚相连接的极性电容C4，一端与极性电容C4的正极相连接、另一端与场效应管MOS2的源极相连接的电阻R5，正极与极性电容C4的负极相连接、负极经电阻R10后与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C6，一端与极性电容C6的正极相连接、另一端与控制芯片U2的COM管脚相连接的电阻R6，P极与场效应管MOS2的源极相连接、N极与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D5，P极与三极管VT2的发射极相连接、N极可调电阻R7后与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D4，以及正极与二极管D4的N极相连接、负极顺次经电阻R8和电阻R9后与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C5组成；所述二极管D4的N极与场效应管MOS2的栅极相连接；所述极性电容C6的负极与控制芯片U2的NC管脚相连接后接地。

所述脉冲触发电路由三极管VT3，三极管VT4，P极经电阻R14后与控制芯片U2的CS管脚相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的二极管D6，正极与三极管VT3的基极相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C7，P极电阻R11后与三极管VT3的集电极相连接、N极经电阻R13后与三极管VT4的集电极相连接的二极管D7，负极经可调电阻R18后与变压器T副边电感线圈L5的非同名端相连接、正极与二极管D7的P极相连接的极性电容C8，一端与极性电容C8的负极相连接、另一端与二极管D7的P极相连接的电阻R12，正极与控制芯片U2的GATE管脚相连接、负极经电阻R15后与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C9，N极与极性电容C9的负极相连接、P极经电阻R19后与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接的二极管D8，正极与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接、负极经电阻R16后与二极管D8的N极相连接的极性电容C11，以及正极与变压器T副边电感线圈L5的同名端相连接、负极经电阻R17后与三极管VT4的发射极相连接的极性电容C10组成；所述极性电容C11的负极还与三极管VT4的发射极相连接；所述极性电容C10的负极还与极性电容C8的正极相连接；所述三极管VT4的基极与三极管VT3的发射极相连接；所述极性电容C7的正极还与控制芯片U2的NC管脚相连接。

所述微处理电路由场效应管MOS3，P极与场效应管MOS3的源极相连接、N极与变压器T与原边电感线圈L3的非同名端相连接后接地的稳压二极管D9，一端与变压器T与原边电感线圈L3的同名端相连接、另一端与场效应管MOS3的漏极相连接的可调电阻R24，N极与变压器T与原边电感线圈L3的同名端相连接、P极经电阻R23后与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D10，以及负极与二极管D10的P极相连接、正极经电阻R22后与场效应管MOS3的漏极相连接的极性电容C13组成；所述场效应管MOS3的栅极与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接；所述极性电容C13的正极与三极管VT1的集电极相连接。

为了本发明的实际使用效果，所述控制芯片U2则优先采用FL7730集成芯片来实现。

本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：

(1)本发明能对电压和电流的高瞬态进行调节，防止电流的频点出现漂移，使电压和电流保持平稳，从而确保了本发明能输出稳定的电压，能防止LED灯光出现闪烁的现象，有效的延长了LED的使用寿命。

(2)本发明能将输入电压中谐波进行消除或抑制，并能对浪通电压和浪通电流进行抑制，从而提高了本发明输出电压的稳定性。

(3)本发明具有较强的抗干扰能力，并且能将触发脉冲进行功率放大，从而提高了本发明输出电压的稳定性，并且还提高了负载能力。

(4)本发明的控制芯片U2采用FL7730集成芯片来实现，并且该芯片与外部电路相结合，能提高本发明输出的电压的稳定性和可控性。

附图说明

图1为本发明的整体结构示意图。

图2为本发明的波纹尖峰抑制电路的电路结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例及其附图对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。

实施例

如图1所示，本发明主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，变压器T，场效应管MOS1，三极管VT1，电阻R1，电阻R20，极性电容C1，极性电容C2，极性电容C3，极性电容C12，二极管D1，电感L，波纹尖峰抑制电路，电流调节电路，脉冲触发电路，以及微处理电路组成。

连接时，波纹尖峰抑制电路串接在二极管整流器U1的正极输出端与三极管VT1的发射极之间。极性电容C1的正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接，负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地。极性电容C2的负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接，正极与场效应管MOS1的栅极相连接。二极管D1的P极与场效应管MOS1的栅极相连接，N极经电阻R1后与场效应管MOS1的源极相连接。电感L1的一端与场效应管MOS1的栅极相连接，另一端与二极管D1的N极相连接。

其中，极性电容C3的正极与三极管VT1的基极相连接，负极经电阻R20后与控制芯片U2的VDD管脚相连接。的正极与变压器T副边电感线圈的L5的非同名端相连接，极性电容C12负极与变压器T副边电感线圈的L5的同名端相连接。电流调节电路分别与变压器T原边电感线圈L4的同名端和控制芯片U2以及二极管D1的N极相连接。脉冲触发电路串接在控制芯片U2与变压器T之间。微处理电路串接在三极管VT1的集电极与变压器T原边电感线圈L3之间。

所述二极管整流器U1的负极输出端还与场效应管MOS1的漏极相连接；所述三极管VT1的发射极分别与二极管D1的N极和控制芯片U2的DIM管脚相连接；所述微处理电路还与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接；所述变压器T原边电感线圈L4的非同名端接地。为了本发明的实际使用效果，所述控制芯片U2则优先采用FL7730集成芯片来实现。

本发明在实施时，所述二极管整流器U1的两个输入端共同形成本发明的LED调光驱动电源的输入端并与外部电源相连接；所述变压器T副边电感线圈L5的同名端和非同名端共同形成本发明的LED调光驱动电源的输出端并与LED灯相连接。

进一步地，所述电流调节电路由三极管VT2，场效应管MOS2，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，可调电阻R7，电阻R8，电阻R9，电阻R10，电阻R21，极性电容C4，极性电容C5，极性电容C6，二极管D2，二极管D3，二极管D4，二极管D5以及电感L2组成。

连接时，二极管D2的N极经电阻R21后与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接，P极电阻R2后与三极管VT2的集电极相连接。二极管D3的P极与三极管VT2的集电极相连接，N极经电阻R3后与控制芯片U2的DIM管脚相连接。电感L2的一端与二极管D3的N极相连接，另一端与控制芯片U2的DIM管脚相连接。

其中，极性电容C4的正极与三极管VT2的基极相连接，负极经电阻R4后与控制芯片U2的VS管脚相连接。电阻R5的一端与极性电容C4的正极相连接，另一端与场效应管MOS2的源极相连接。极性电容C6的正极与极性电容C4的负极相连接，负极经电阻R10后与场效应管MOS2的漏极相连接。电阻R6的一端与极性电容C6的正极相连接，另一端与控制芯片U2的COM管脚相连接。二极管D5的P极与场效应管MOS2的源极相连接，N极与场效应管MOS2的漏极相连接。

同时，二极管D4的P极与三极管VT2的发射极相连接，N极可调电阻R7后与场效应管MOS2的漏极相连接。极性电容C5的正极与二极管D4的N极相连接，负极顺次经电阻R8和电阻R9后与场效应管MOS2的漏极相连接。所述二极管D4的N极与场效应管MOS2的栅极相连接；所述极性电容C6的负极与控制芯片U2的NC管脚相连接后接地。

更进一步地，所述脉冲触发电路由三极管VT3，三极管VT4，电阻R11，电阻R12，电阻R13，电阻R14，电阻R15，电阻R16，电阻R17，可调电阻R18，电阻R19，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9，极性电容C10，极性电容C11，二极管D6，二极管D7，以及二极管D8组成。

连接时，二极管D6的P极经电阻R14后与控制芯片U2的CS管脚相连接，N极与三极管VT3的基极相连接。极性电容C7的正极与三极管VT3的基极相连接，负极与三极管VT3的集电极相连接。二极管D7的P极电阻R11后与三极管VT3的集电极相连接，N极经电阻R13后与三极管VT4的集电极相连接。

其中，极性电容C8的负极经可调电阻R18后与变压器T副边电感线圈L5的非同名端相连接，正极与二极管D7的P极相连接。电阻R12的一端与极性电容C8的负极相连接，另一端与二极管D7的P极相连接。极性电容C9的正极与控制芯片U2的GATE管脚相连接，负极经电阻R15后与三极管VT3的发射极相连接。

同时，二极管D8的N极与极性电容C9的负极相连接，P极经电阻R19后与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接。极性电容C11的正极与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接，负极经电阻R16后与二极管D8的N极相连接。极性电容C10的正极与变压器T副边电感线圈L5的同名端相连接，负极经电阻R17后与三极管VT4的发射极相连接。

所述极性电容C11的负极还与三极管VT4的发射极相连接；所述极性电容C10的负极还与极性电容C8的正极相连接；所述三极管VT4的基极与三极管VT3的发射极相连接；所述极性电容C7的正极还与控制芯片U2的NC管脚相连接。

再进一步地，所述微处理电路由场效应管MOS3，电阻R22，电阻R23，可调电阻R24，极性电容C13，稳压二极管D9，以及二极管D10组成。

连接时，稳压二极管D9的P极与场效应管MOS3的源极相连接，N极与变压器T与原边电感线圈L3的非同名端相连接后接地。可调电阻R24的一端与变压器T与原边电感线圈L3的同名端相连接，另一端与场效应管MOS3的漏极相连接。

其中，二极管D10的N极与变压器T与原边电感线圈L3的同名端相连接，P极经电阻R23后与场效应管MOS2的漏极相连接。极性电容C13的负极与二极管D10的P极相连接，正极经电阻R22后与场效应管MOS3的漏极相连接。所述场效应管MOS3的栅极与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接；所述极性电容C13的正极与三极管VT1的集电极相连接。

如图2所示，所述波纹尖峰抑制电路由放大器P，场效应管MOS4，三极管VT5，电阻R25，电阻R26，电阻R27，可调电阻R28，电阻R29，电阻R30，电阻R31，电阻R32，电阻R33，电阻R34，电阻R35，极性电容C14，极性电容C15，极性电容C16，极性电容C17，极性电容C18，二极管D11，二极管D12，以及二极管D13组成。

连接时，二极管D11的N极经电阻R26后与场效应管MOS4的源极相连接，P极与二极管整流器U1的正极输出端相连接。极性电容C14的正极经电阻R25后与二极管D11的P极相连接，负极接地。二极管D12的P极与场效应管MOS4的漏极相连接，N极与极性电容C14的负极相连接。极性电容C15的正极与二极管D11的N极相连接，负极经电阻R27后与二极管D12的N极相连接。可调电阻R28的一端与极性电容C15的正极相连接，另一端与三极管VT5的发射极相连接。

其中，极性电容C16的负极与放大器P的正极相连接，正极经电阻R29后与二极管D11的N极相连接。电阻R30的一端与极性电容C16的正极相连接，另一端接地。二极管D13的P极与三极管VT5的基极相连接，N极经电阻R32后与放大器P的负极相连接。极性电容C18的负极经电阻R35后与放大器P的输出端相连接，正极经电阻R33后与二极管D13的N极相连接。极性电容C17的正极经电阻R34后与极性电容C18的负极相连接，负极经电阻R31后与三极管VT5的集电极相连接。

所述极性电容C17的负极与二极管D13的N极相连接后接地；所述三极管VT5的集电极还与二极管D12的N极相连接；所述场效应管MOS4的栅极与可调电阻R28的可调端相连接；所述极性电容C18的负极还与三极管VT1的发射极相连接。

运行时，本发明能对电压和电流的高瞬态进行调节，防止电流的频点出现漂移，使电压和电流保持平稳，从而确保了本发明能输出稳定的电压，能防止LED灯光出现闪烁的现象，有效的延长了LED的使用寿命。本发明能将输入电压中谐波进行消除或抑制，并能对浪通电压和浪通电流进行抑制，从而提高了本发明输出电压的稳定性。

同时，本发明具有较强的抗干扰能力，并且能将触发脉冲进行功率放大，从而提高了本发明输出电压的稳定性，并且还提高了负载能力。本发明的控制芯片U2采用FL7730集成芯片来实现，并且该芯片与外部电路相结合，能提高本发明输出的电压的稳定性和可控性。

按照上述实施例，即可很好的实现本发明。

Claims (6)

1.一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源，其特征在于，主要由控制芯片U2，二极管整流器U1，变压器T，场效应管MOS1，三极管VT1，串接在二极管整流器U1的正极输出端与三极管VT1的发射极之间的波纹尖峰抑制电路，正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接后接地的极性电容C1，负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接、正极与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C2，P极与场效应管MOS1的栅极相连接、N极经电阻R1后与场效应管MOS1的源极相连接的二极管D1，一端与场效应管MOS1的栅极相连接、另一端与二极管D1的N极相连接的电感L1，正极与三极管VT1的基极相连接、负极经电阻R20后与控制芯片U2的VDD管脚相连接的极性电容C3，正极与变压器T副边电感线圈的L5的非同名端相连接、负极与变压器T副边电感线圈的L5的同名端相连接的极性电容C12，分别与变压器T原边电感线圈L4的同名端和控制芯片U2以及二极管D1的N极相连接的电流调节电路，串接在控制芯片U2与变压器T之间的脉冲触发电路，以及串接在三极管VT1的集电极与变压器T原边电感线圈L3之间的微处理电路组成；所述二极管整流器U1的负极输出端还与场效应管MOS1的漏极相连接；所述三极管VT1的发射极分别与二极管D1的N极和控制芯片U2的DIM管脚相连接；所述微处理电路还与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接；所述变压器T原边电感线圈L4的非同名端接地。

2.根据权利要求1所述的一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源，其特征在于，所述波纹尖峰抑制电路由放大器P，场效应管MOS4，三极管VT5，N极经电阻R26后与场效应管MOS4的源极相连接、P极与二极管整流器U1的正极输出端相连接的二极管D11，正极经电阻R25后与二极管D11的P极相连接、负极接地的极性电容C14，P极与场效应管MOS4的漏极相连接、N极与极性电容C14的负极相连接的二极管D12，正极与二极管D11的N极相连接、负极经电阻R27后与二极管D12的N极相连接的极性电容C15，一端与极性电容C15的正极相连接、另一端与三极管VT5的发射极相连接的可调电阻R28，负极与放大器P的正极相连接、正极经电阻R29后与二极管D11的N极相连接的极性电容C16，一端与极性电容C16的正极相连接、另一端接地的电阻R30，P极与三极管VT5的基极相连接、N极经电阻R32后与放大器P的负极相连接的二极管D13，负极经电阻R35后与放大器P的输出端相连接、正极经电阻R33后与二极管D13的N极相连接的极性电容C18，以及正极经电阻R34后与极性电容C18的负极相连接、负极经电阻R31后与三极管VT5的集电极相连接的极性电容C17组成；所述极性电容C17的负极与二极管D13的N极相连接后接地；所述三极管VT5的集电极还与二极管D12的N极相连接；所述场效应管MOS4的栅极与可调电阻R28的可调端相连接；所述极性电容C18的负极还与三极管VT1的发射极相连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源，其特征在于，所述电流调节电路由三极管VT2，场效应管MOS2，N极经电阻R21后与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接、P极电阻R2后与三极管VT2的集电极相连接的二极管D2，P极与三极管VT2的集电极相连接、N极经电阻R3后与控制芯片U2的DIM管脚相连接的二极管D3，一端与二极管D3的N极相连接、另一端与控制芯片U2的DIM管脚相连接的电感L2，正极与三极管VT2的基极相连接、负极经电阻R4后与控制芯片U2的VS管脚相连接的极性电容C4，一端与极性电容C4的正极相连接、另一端与场效应管MOS2的源极相连接的电阻R5，正极与极性电容C4的负极相连接、负极经电阻R10后与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C6，一端与极性电容C6的正极相连接、另一端与控制芯片U2的COM管脚相连接的电阻R6，P极与场效应管MOS2的源极相连接、N极与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D5，P极与三极管VT2的发射极相连接、N极可调电阻R7后与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D4，以及正极与二极管D4的N极相连接、负极顺次经电阻R8和电阻R9后与场效应管MOS2的漏极相连接的极性电容C5组成；所述二极管D4的N极与场效应管MOS2的栅极相连接；所述极性电容C6的负极与控制芯片U2的NC管脚相连接后接地。

4.根据权利要求3所述的一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源，其特征在于，所述脉冲触发电路由三极管VT3，三极管VT4，P极经电阻R14后与控制芯片U2的CS管脚相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的二极管D6，正极与三极管VT3的基极相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C7，P极电阻R11后与三极管VT3的集电极相连接、N极经电阻R13后与三极管VT4的集电极相连接的二极管D7，负极经可调电阻R18后与变压器T副边电感线圈L5的非同名端相连接、正极与二极管D7的P极相连接的极性电容C8，一端与极性电容C8的负极相连接、另一端与二极管D7的P极相连接的电阻R12，正极与控制芯片U2的GATE管脚相连接、负极经电阻R15后与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C9，N极与极性电容C9的负极相连接、P极经电阻R19后与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接的二极管D8，正极与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接、负极经电阻R16后与二极管D8的N极相连接的极性电容C11，以及正极与变压器T副边电感线圈L5的同名端相连接、负极经电阻R17后与三极管VT4的发射极相连接的极性电容C10组成；所述极性电容C11的负极还与三极管VT4的发射极相连接；所述极性电容C10的负极还与极性电容C8的正极相连接；所述三极管VT4的基极与三极管VT3的发射极相连接；所述极性电容C7的正极还与控制芯片U2的NC管脚相连接。

5.根据权利要求4所述的一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源，其特征在于，所述微处理电路由场效应管MOS3，P极与场效应管MOS3的源极相连接、N极与变压器T与原边电感线圈L3的非同名端相连接后接地的稳压二极管D9，一端与变压器T与原边电感线圈L3的同名端相连接、另一端与场效应管MOS3的漏极相连接的可调电阻R24，N极与变压器T与原边电感线圈L3的同名端相连接、P极经电阻R23后与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D10，以及负极与二极管D10的P极相连接、正极经电阻R22后与场效应管MOS3的漏极相连接的极性电容C13组成；所述场效应管MOS3的栅极与变压器T原边电感线圈L4的同名端相连接；所述极性电容C13的正极与三极管VT1的集电极相连接。

6.根据权利要求5所述的一种基于波纹尖峰抑制电路的LED调光驱动电源，其特征在于，所述控制芯片U2为FL7730集成芯片。