CN105871179B - 一种基于全模拟电路的参考电压曲线获取方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基于全模拟电路的参考电压曲线获取方法，通过确定参考电压曲线的工作原理及试验用全模拟电路；根据参考电压曲线的工作原理，在全模拟电路中对参考电压曲线进行时序控制；在全模拟电路中对参考电压曲线进行电压大小及斜率控制；结合时序控制、大功率充放电控制及电压区间识别控制，获取参考电压曲线。本发明提出的方法简单高效，克服了最高速率瓶颈问题；提高了电路的EMC性能，并利用最少的电子元器件巧妙设计出了准确的电压参考曲线。

Description

一种基于全模拟电路的参考电压曲线获取方法

技术领域

本发明涉及智能电网全模拟电路领域，具体涉及一种基于全模拟电路的参考电压曲线获取方法。

背景技术

IGBT属于门极控制器件，通过控制栅极可实现IGBT串联电压平衡。英国剑桥大学Patrick Palmer博士提出的有源电压控制(Active Voltage Control)通过引入多重闭环反馈，使IGBT开关过程中集射级电压V_CE跟随设定的参考电压给定，从而实现IGBT直接串联中的电压平衡。如图1所示，有源电压控制由三个闭环组成。最外环为参考电压给定与IGBT集射级电压比较，产生误差信号控制IGBT。当IGBT端电压高于给定电压时，产生正门极电压信号开通IGBT；当IGBT端电压低于给定电压时，产生负门极电压信号关断IGBT，通过这种闭环控制使得与IGBT集射级电压能快速跟随参考电压给定，此闭环为有源电压控制核心部分。中间闭环为门极电压反馈，作用是提高驱动电路的动态特性。由于外环的输出信号需经过缓冲电路、功率放大电路及门极电阻才能到达IGBT栅极，因此V_GE必然会与外环输出信号产生偏差，将降低有源电压控制的均压效果，而通过引入V_GE闭环反馈将提高有源电压控制的均压效果。最内环为闭环反馈，通过RC电路反馈IGBT开关时的当过大时，RC电路将向IGBT栅极注入电流，这与前面所提的有源缓冲相同，此闭环能够防止IGBT开关过程中dv/dt过大损坏IGBT，同时提高IGBT动态均压性。

有源电压控制通过闭环使得IGBT集射级电压跟随参考给定电压，因此参考电压的设定显得十分重要。参考给定电压如图2所示，主要分为以下几个阶段：

t₁-t₂：预关断阶段。当IGBT内部杂散参数不同时，IGBT关断延迟时间将会产生差异，这对IGBT串联电压平衡化影响加大，因此预关断阶段作用是让所有IGBT的端电压先升高到较低的电压值，将关断延迟产生的差异性控制在一个较小的范围，同时让所有的IGBT均进入有源区，易于下一步的关断过程控制。

t₂-t₃：主关断阶段。IGBT关断时由IGBT杂散参数和门极电压共同决定，这一阶段主要是不断调整门极电压信号，弥补IGBT自身特性差异，让IGBT关断时跟随参考波形的但是由于IGBT自身特性，但参考波形过大时，IGBT将不能快速的跟随参考波形。

t₃-t₄：断态钳位阶段。这一阶段IGBT将处于断态状态。参考电压钳位值应略高于IGBT端电压反馈值，防止IGBT关断时误导通。当IGBT电压超过钳位值时，IGBT将会导通，端电压则降到钳位值之下。

t₄-t₅：预开通阶段。和预关断相似，当IGBT内部杂散参数不同时，IGBT开通延迟时间将会产生差异，这对IGBT串联电压平衡化影响加大，因此预开通阶段作用是让所有IGBT的端电压先变化较小值，将关断延迟产生的差异性控制在一个较小的范围，同时让所有的IGBT均进入有源区，易于下一步的开通过程控制。

t₅-t₆：主开通阶段。开通过程与关断过程相似，，IGBT开通时dv/dt由IGBT杂散参数和门极电压共同决定，这一阶段主要是不断调整门极电压信号，弥补IGBT自身特性差异，让IGBT开通时dv/dt跟随参考波形的但是由于IGBT自身特性，但参考波形过大时，IGBT将不能快速的跟随参考波形。

为了实现电压参考曲线，通常的做法是采用FPGA+D/A可以方便实现任意波形的电压参考曲线。由于FPGA和D/A均为数字电路，存在最高速率瓶颈问题；而且由于供电压电压为1.8V所以导致整体驱动保护电路的Electromagnetic Compatibility(EMC)EMC性能较差。

发明内容

有鉴于此，本发明提供的一种基于全模拟电路的参考电压曲线获取方法，简单高效，克服了最高速率瓶颈问题；提高了电路的EMC性能，并利用最少的电子元器件巧妙设计出了准确的电压参考曲线。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

一种基于全模拟电路的参考电压曲线获取方法，所述参考电压曲线为IGBT串联主动均压控制中的参考电压曲线；所述参考电压曲线在时间坐标上与驱动电路接收到的脉冲信号的输入波形关联，且所述参考电压曲线与其时间坐标构成的图形为直线型图形；所述方法包括如下步骤：

步骤1.确定所述参考电压曲线的工作原理及试验用全模拟电路；

步骤2.根据所述参考电压曲线的工作原理，在所述全模拟电路中对所述参考电压曲线进行时序控制；

步骤3.在所述全模拟电路中对所述参考电压曲线进行电压大小及斜率控制；

步骤4.结合时序控制、大功率充放电控制及电压区间识别控制，获取所述参考电压曲线。

优选的，所述步骤1包括：

1-1.根据压接型IGBT专用驱动保护电路工作时序图，确定所述参考电压波形曲线的工作原理；

1-2.确定用于生成所述参考电压曲线的全模拟电路及连接所述全模拟电路中的电子元器件，所述全模拟电路为±15V全模拟电路。

优选的，所述步骤1-1中的所述压接型IGBT专用驱动保护电路工作时序图中包括：V_REF线、PWM线、S1线及S2线；

其中，V_REF为待获取的参考电压；PWM为驱动电路接收到的脉冲信号；S1、S2分别为中间时序生成波形，且S1及S2用于逻辑组合与判断。

优选的，所述步骤2包括：

根据所述参考电压曲线的工作原理，在所述全模拟电路中，根据PWM输入信号的波形，控制产生中间信号S1和S2，完成对所述参考电压曲线进行时序控制；

其中，S1和S2的上升沿及下降沿的时间差值ΔT1和ΔT2用阻容参数进行调节设置。

优选的，所述步骤3包括：

3-1.在所述全模拟电路中，用其中一路的带使能端的大功率驱动门电路控制阻容充电，完成对所述参考电压曲线进行的所述斜率控制；

3-2.在所述全模拟电路中，用另一路的带使能端的大功率驱动门电路控制阻容充电，实现两个电压台阶的0+ΔV和V-ΔV控制；

其中，ΔV为电压差值，且在0+ΔV表示电压从0V上升到预开通平台电压的差值；在V-ΔV为电压从V下降到预关断平台电压的差值；V为开通门极电压；

3-3.在所述全模拟电路中，用双门槛电压比较器识别所述参考电压曲线的幅值区间，完成对所述参考电压曲线进行电压大小控制；

其中，所述幅值区间有三个，且三个所述幅值区间的四个端点依次为所述参考电压的拐点0V、0+ΔV、V-ΔV及V。

优选的，所述步骤4包括：

4-1.控制所述V_REF从0V在所述时间段内跳变至ΔV，且控制V_REF跳变至ΔV后的时间长度为ΔT1；所述时间段的时长小于等于5秒；

4-2.控制V_REF自ΔV按照已设置的斜率，在所述时间段内将V_REF的电压值充电至V，且控制V_REF充至V后的时间长度为整个PWM脉冲时间；

4-3.在所述时间段，内控制V_REF从V跳变至V-ΔV，并控制V_REF跳变至V-ΔV的时间长度为T2；

4-4.控制V_REF自V-ΔV按照已设置的斜率，在所述时间段内放电至0V，且控制V_REF放电至0V后的状态为直下一个PWM脉冲到来；

4-5.结合时序控制、大功率充放电控制及电压区间识别控制结果，得到所述参考电压曲线。

优选的，所述步骤4-1包括：

a.用所述全模拟电路中的其中一路的所述带使能端的所述大功率驱动门电路对阻容进行充电，将V_REF的电压值在第一时间段内快速充电至0+ΔV；

b.当V_REF的电压值达到0+ΔV后，用所述双门槛电压比较器识别所述V_REF的当前状态，并对所述带使能端的大功率驱动门电路进行控制，维持电压幅值ΔV不变，并用S1、S2与PWM构成逻辑关系控制V_REF跳变至0+ΔV后的时间长度达到ΔT1。

优选的，所述步骤4-2包括：

所述全模拟电路中的另一路的所述带使能端的大功率驱动门电路对阻容充电，在所述时间段内将V_REF的电压值充电至V，此时电压V即为充电电源电压幅值；

并用S1、S2与PWM构成逻辑关系控制控制V_REF充至V后的时间长度达到整个PWM脉冲时间。

优选的，所述步骤4-3包括：

c.用所述带使能端的所述大功率驱动门电路对阻容进行充电，将V_REF的电压值在所述时间段内放电至V-ΔV；

d.当V_REF的电压值达到V-ΔV后，用所述双门槛电压比较器识别V_REF的当前状态；

e.对所述带使能端的大功率驱动门电路进行控制，维持电压幅值V-ΔV不变，并并用S1、S2与PWM构成逻辑关系控制V_REF跳变至V-ΔV后的时间长度达到ΔT2，实现本路所述带使能端的大功率驱动门电路仅在ΔT2时间段内起作用。

优选的，所述步骤4-4包括：

所述全模拟电路中的另一路的所述带使能端的大功率驱动门电路对阻容放电，在所述时间段内将V_REF的电压值放电至0V；

并用S1、S2与PWM构成逻辑关系维持V_REF充至V后的时间长度，直到直下一个PWM脉冲到来。

从上述的技术方案可以看出，本发明提供了一种基于全模拟电路的参考电压曲线获取方法，通过确定参考电压曲线的工作原理及试验用全模拟电路；根据参考电压曲线的工作原理，在全模拟电路中对参考电压曲线进行时序控制；在全模拟电路中对参考电压曲线进行电压大小及斜率控制；结合时序控制、大功率充放电控制及电压区间识别控制，获取参考电压曲线。本发明提出的方法简单高效，克服了最高速率瓶颈问题；提高了电路的EMC性，并利用最少的电子元器件巧妙设计出了准确的电压参考曲线。

与最接近的现有技术比，本发明提供的技术方案具有以下优异效果：

1、本发明所提供的技术方案中，简单高效，克服了最高速率瓶颈问题；提高了电路的EMC性能，并利用最少的电子元器件巧妙设计出了准确的电压参考曲线。

2、本发明所提供的技术方案，参考电压曲线作为IGBT串联主动均压驱动保护电路的重要的组成部分之一，采用简洁至上的全模拟电子元器件巧妙搭接而成，由于采用了CMOS电路，提高器件的供电电压为15V,从而将信号电平也提高到了15V的电压水平，因而可以克服IGBT在高频PWM环境下的电磁骚扰EMC问题。

3、本发明所提供的技术方案，采用全模拟电路实现的参考电压波形电路成本低廉，无需软件的支持。

4、本发明所提供的技术方案，采用全模拟电路实现的参考电压波形电路采用常规电子元器件，方便厚膜电路或者专用芯片的生产。

5、本发明提供的技术方案，应用广泛，具有显著的社会效益和经济效益。

附图说明

图1是背景技术中的有源电压控制原理图；

图2是背景技术中的参考电压波形图；

图3是本发明的一种基于全模拟电路的参考电压曲线获取方法的流程示意图；

图4是本发明参考电压曲线获取方法中步骤1的流程示意图；

图5是本发明参考电压曲线获取方法中步骤3的流程示意图；

图6是本发明参考电压曲线获取方法中步骤4的流程示意图；

图7是本发明参考电压曲线获取方法的具体应用例的参考电压曲线全模拟电路原理框图；

图8是本发明参考电压曲线获取方法的具体应用例的压接型IGBT专用驱动保护电路工作时序图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图3所示，本发明提供一种基于全模拟电路的参考电压曲线获取方法，参考电压曲线为IGBT串联主动均压控制中的参考电压曲线；参考电压曲线在时间坐标上与驱动电路接收到的脉冲信号的输入波形关联，且参考电压曲线与其时间坐标构成的图形为直线型图形；其特征在于，方法包括如下步骤：

步骤1.确定参考电压曲线的工作原理及试验用全模拟电路；

步骤2.根据参考电压曲线的工作原理，在全模拟电路中对参考电压曲线进行时序控制；

步骤3.在全模拟电路中对参考电压曲线进行电压大小及斜率控制；

步骤4.结合时序控制、大功率充放电控制及电压区间识别控制，获取参考电压曲线。

如图4所示，步骤1包括：

1-1.根据压接型IGBT专用驱动保护电路工作时序图，确定参考电压波形曲线的工作原理；

1-2.确定用于生成参考电压曲线的全模拟电路及连接全模拟电路中的电子元器件，全模拟电路为±15V全模拟电路。

其中，步骤1-1中的压接型IGBT专用驱动保护电路工作时序图中包括：V_REF线、PWM线、S1线及S2线；

其中，V_REF为待获取的参考电压；PWM为驱动电路接收到的脉冲信号；S1、S2分别为中间时序生成波形，且S1及S2用于逻辑组合与判断。

其中，步骤2包括：

根据参考电压曲线的工作原理，在全模拟电路中，根据PWM输入信号的波形，控制产生中间信号S1和S2，完成对参考电压曲线进行时序控制；

其中，S1和S2的上升沿及下降沿的时间差值ΔT1和ΔT2用阻容参数进行调节设置。

如图5所示，步骤3包括：

3-1.在全模拟电路中，用其中一路的带使能端的大功率驱动门电路控制阻容充电，完成对参考电压曲线进行的斜率控制；

3-2.在全模拟电路中，用另一路的带使能端的大功率驱动门电路控制阻容充电，实现两个电压台阶的0+ΔV和V-ΔV控制；

其中，ΔV为电压差值，且在0+ΔV表示电压从0V上升到预开通平台电压的差值；在V-ΔV为电压从V下降到预关断平台电压的差值；V为开通门极电压；

3-3.在全模拟电路中，用双门槛电压比较器识别参考电压曲线的幅值区间，完成对参考电压曲线进行电压大小控制；

其中，幅值区间有三个，且三个幅值区间的四个端点依次为参考电压的拐点0V、0+ΔV、V-ΔV及V。

如图6所示，步骤4包括：

4-1.控制V_REF从0V在时间段内跳变至ΔV，且控制V_REF跳变至ΔV后的时间长度为ΔT1；时间段的时长小于等于5秒；

4-2.控制V_REF自ΔV按照已设置的斜率，在时间段内将V_REF的电压值充电至V，且控制V_REF充至V后的时间长度为整个PWM脉冲时间；

4-3.在时间段，内控制V_REF从V跳变至V-ΔV，并控制V_REF跳变至V-ΔV的时间长度为T2；

4-4.控制V_REF自V-ΔV按照已设置的斜率，在时间段内放电至0V，且控制V_REF放电至0V后的状态为直下一个PWM脉冲到来；

4-5.结合时序控制、大功率充放电控制及电压区间识别控制结果，得到参考电压曲线。

其中，步骤4-1包括：

a.用全模拟电路中的其中一路的带使能端的大功率驱动门电路对阻容进行充电，将V_REF的电压值在第一时间段内快速充电至0+ΔV；

b.当V_REF的电压值达到0+ΔV后，用双门槛电压比较器识别V_REF的当前状态，并对带使能端的大功率驱动门电路进行控制，维持电压幅值ΔV不变，并用S1、S2与PWM构成逻辑关系控制V_REF跳变至0+ΔV后的时间长度达到ΔT1。

其中，步骤4-2包括：

全模拟电路中的另一路的带使能端的大功率驱动门电路对阻容充电，在时间段内将V_REF的电压值充电至V，此时电压V即为充电电源电压幅值；

并用S1、S2与PWM构成逻辑关系控制控制V_REF充至V后的时间长度达到整个PWM脉冲时间。

其中，步骤4-3包括：

c.用带使能端的大功率驱动门电路对阻容进行充电，将V_REF的电压值在时间段内放电至V-ΔV；

d.当V_REF的电压值达到V-ΔV后，用双门槛电压比较器识别V_REF的当前状态；

e.对带使能端的大功率驱动门电路进行控制，维持电压幅值V-ΔV不变，并并用S1、S2与PWM构成逻辑关系控制V_REF跳变至V-ΔV后的时间长度达到ΔT2，实现本路带使能端的大功率驱动门电路仅在ΔT2时间段内起作用。

其中，步骤4-4包括：

全模拟电路中的另一路的带使能端的大功率驱动门电路对阻容放电，在时间段内将V_REF的电压值放电至0V；

并用S1、S2与PWM构成逻辑关系维持V_REF充至V后的时间长度，直到直下一个PWM脉冲到来。

如图7所示，本发明提供一种基于全模拟电路的参考电压曲线获取方法的具体应用例，如下：

利用±15V全模拟电路构成参考电压曲线生成电路，该电路用于生成参考电压曲线。参考电压曲线中各个拐点通过阻容参数的数值设置，提高电路的EMC性能。

图2参考电压波形图所示的电压参考曲线在形状上具有完全是直线的特点，同时参考电压曲线在时间坐标上与PWM输入波形相关联。针对以上功能特点，利用最少的电子元器件可以巧妙设计出电压参考曲线。

如图8所示，压接型IGBT专用驱动保护电路工作时序图给出了全模拟电路实现的参考电压波形曲线的工作原理。图8中，V_REF为我们所期望得到的参考电压波形曲线，PWM为驱动电路接收到的脉冲信号，S1、S2分别为中间时序生成波形用来进行逻辑组合与判断。具体生成参考电压波形曲线包括以下步骤：

步骤1：实现参考电压曲线的时序控制。

步骤2：实现参考电压曲线的电压大小和斜率控制。

步骤3：将时序控制、大功率充放电控制和电压区间识别控制三者结合实现参考电压曲线。

步骤1具体包括以下步骤：

步骤1-1：根据PWM输入信号的波形产生中间信号S1和S2。S1和S2的上升沿、下降沿的时间差值ΔT1和ΔT2可以通过阻容参数进行调节设置。

步骤2具体包括以下步骤：

步骤2-1：通过一路带使能端大功率驱动门电路控制阻容充电实现斜率控制。

步骤2-2：通过另一路带使能端大功率驱动门电路控制阻容充电实现两个电压台阶0+ΔV和V-ΔV控制。

步骤2-3：通过双门槛电压比较器来识别参考电压曲线幅值的三个区间。这三个区间由参考电压的拐点0V、0+ΔV、V-ΔV和V这四个重要关键点划分而成。

步骤3具体包括以下步骤：

步骤3-1：使参考电压V_REF从0V经过极短的时间跳变至ΔV并且将ΔV保持ΔT1时间长度。通过带使能端大功率驱动门电路对阻容进行充电，将电压快速充电至0+ΔV，当电压达到0+ΔV后，此状态通过双门槛电压比较器来识别并对带使能端大功率驱动门电路进行控制，从而维持电压幅值ΔV基本不变。0+ΔV保持时间通过中间逻辑变量S1、S2与PWM构成逻辑关系实现本路带使能端大功率驱动门电路只在ΔT1时间段内起作用。

步骤3-2：使参考电压V_REF从ΔV按照设置好的斜率经过一段时间充至V并且一直保持整个PWM脉冲时间。通过另一路带使能端大功率驱动门电路对阻容进行充电，将电压快速充电至V，此电压V就是充电电源电压幅值，保持时间也是通过中间逻辑变量S1、S2与PWM构成逻辑关系实现本路带使能端大功率驱动门电路只在本时间段内起作用。

步骤3-3：使参考电压V_REF从V经过极短的时间跳变至V-ΔV并且将V-ΔV保持T2时间长度。通过带使能端大功率驱动门电路对阻容进行充电，将电压快速放电至V-ΔV，当电压达到V-ΔV后，此状态通过双门槛电压比较器来识别并对带使能端大功率驱动门电路进行控制，从而维持电压幅值V-ΔV基本不变。V-ΔV保持时间通过中间逻辑变量S1、S2与PWM构成逻辑关系实现本路带使能端大功率驱动门电路只在ΔT2时间段内起作用。

步骤3-4：使参考电压V_REF从V-ΔV按照设置好的斜率经过一段时间放电至0V并且一直保持到下一个PWM脉冲到来。通过另一路带使能端大功率驱动门电路对阻容进行放电，将电压快速放电至0V，保持时间也是通过中间逻辑变量S1、S2与PWM构成逻辑关系实现。本路带使能端大功率驱动门电路只在本时间段内起作用。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换，而这些未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换，其均在申请待批的本发明的权利要求保护范围之内。

Claims (7)

1.一种基于全模拟电路的参考电压曲线获取方法，所述参考电压曲线为IGBT串联主动均压控制中的参考电压曲线；所述参考电压曲线在时间坐标上与驱动电路接收到的脉冲信号的输入波形关联，且所述参考电压曲线与其时间坐标构成的图形为直线型图形；其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤1.确定所述参考电压曲线的工作原理及试验用全模拟电路；

步骤2.根据所述参考电压曲线的工作原理，在所述全模拟电路中对所述参考电压曲线进行时序控制；

步骤3.在所述全模拟电路中对所述参考电压曲线进行电压大小及斜率控制；

步骤4.结合时序控制、大功率充放电控制及电压区间识别控制，获取所述参考电压曲线；所述步骤1包括：

1-1.根据压接型IGBT专用驱动保护电路工作时序图，确定所述参考电压曲线的工作原理；

1-2.确定用于生成所述参考电压曲线的全模拟电路及连接所述全模拟电路中的电子元器件，所述全模拟电路为±15V全模拟电路；所述步骤1-1中的所述压接型IGBT专用驱动保护电路工作时序图中包括：V_REF线、PWM线、S1线及S2线；

其中，V_REF为待获取的参考电压；PWM为驱动电路接收到的脉冲信号；S1、S2分别为中间时序生成波形，且S1及S2用于逻辑组合与判断；所述步骤2包括：

根据所述参考电压曲线的工作原理，在所述全模拟电路中，根据PWM输入信号的波形，控制产生中间信号S1和S2，完成对所述参考电压曲线进行时序控制；

其中，S1和S2的上升沿及下降沿的时间差值ΔT1和ΔT2用阻容参数进行调节设置。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3包括：

3-1.在所述全模拟电路中，用其中一路的带使能端的大功率驱动门电路控制阻容充电，完成对所述参考电压曲线进行的所述斜率控制；

3-2.在所述全模拟电路中，用另一路的带使能端的大功率驱动门电路控制阻容充电，实现两个电压台阶的0+ΔV和V-ΔV控制；

其中，ΔV为电压差值，且在0+ΔV表示电压从0V上升到预开通平台电压的差值；在V-ΔV为电压从V下降到预关断平台电压的差值；V为开通门极电压；

3-3.在所述全模拟电路中，用双门槛电压比较器识别所述参考电压曲线的幅值区间，完成对所述参考电压曲线进行电压大小控制；

其中，所述幅值区间有三个，且三个所述幅值区间的四个端点依次为所述参考电压的拐点0V、0+ΔV、V-ΔV及V。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤4包括：

4-1.控制所述V_REF从0V在指定时间段内跳变至ΔV，且控制V_REF跳变至ΔV后的时间长度为ΔT1；所述指定时间段的时长小于等于5秒；

4-2.控制V_REF自ΔV按照已设置的斜率，在所述指定时间段内将V_REF的电压值充电至V，且控制V_REF充至V后的时间长度为整个PWM脉冲时间；

4-3.在所述指定时间段内控制V_REF从V跳变至V-ΔV，并控制V_REF跳变至V-ΔV的时间长度为T2；

4-4.控制V_REF自V-ΔV按照已设置的斜率，在所述指定时间段内放电至0V，且控制V_REF放电至0V后的状态为直下一个PWM脉冲到来；

4-5.结合时序控制、大功率充放电控制及电压区间识别控制结果，得到所述参考电压曲线。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤4-1包括：

a.用所述全模拟电路中的其中一路的所述带使能端的所述大功率驱动门电路对阻容进行充电，将V_REF的电压值在第一时间段内快速充电至0+ΔV；

b.当V_REF的电压值达到0+ΔV后，用所述双门槛电压比较器识别所述V_REF的当前状态，并对所述带使能端的大功率驱动门电路进行控制，维持电压幅值ΔV不变，并用S1、S2与PWM构成逻辑关系控制V_REF跳变至0+ΔV后的时间长度达到ΔT1。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤4-2包括：

所述全模拟电路中的另一路的所述带使能端的大功率驱动门电路对阻容充电，在所述时间段内将V_REF的电压值充电至V，此时电压V即为充电电源电压幅值；

并用S1、S2与PWM构成逻辑关系控制控制V_REF充至V后的时间长度达到整个PWM脉冲时间。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤4-3包括：

c.用所述带使能端的所述大功率驱动门电路对阻容进行充电，将V_REF的电压值在所述时间段内放电至V-ΔV；

d.当V_REF的电压值达到V-ΔV后，用所述双门槛电压比较器识别V_REF的当前状态；

e.对所述带使能端的大功率驱动门电路进行控制，维持电压幅值V-ΔV不变，并并用S1、S2与PWM构成逻辑关系控制V_REF跳变至V-ΔV后的时间长度达到ΔT2，实现本路所述带使能端的大功率驱动门电路仅在ΔT2时间段内起作用。

7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤4-4包括：

所述全模拟电路中的另一路的所述带使能端的大功率驱动门电路对阻容放电，在所述时间段内将V_REF的电压值放电至0V；

并用S1、S2与PWM构成逻辑关系维持V_REF充至V后的时间长度，直到直下一个PWM脉冲到来。