CN105868120A - 基于芯片内部flash替代eeprom的数据存储方法 - Google Patents

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佟大龙
祝文甫
王晶
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    • G06F12/023—Free address space management
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    • G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
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Abstract

基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法，本发明涉及FLASH替代EEPROM的数据存储方法。本发明是为了解决现有低成本汽车组合仪表的存储器成本高和存储器数据线易受干扰导致数据错误或丢失的问题。本发明首先将待保存的16进制数据依次写入Bank B of Flash A的SA1空间内，在SA1空间写满后将下一个待保存的16进制数据向SA2内写入，同时将SA1的空间擦除；SA2空间写满后将下一个待保存的16进制数据向SA1内写入，并将SA2空间数据擦除。如此交替将数据写入FLASH分区，FLASH的可擦写次数10万次，满足存储使用要求。本发明应用于数据存储领域。

Description

基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法
技术领域
本发明涉及FLASH替代EEPROM的数据存储方法。
背景技术
现代汽车组合仪表中有大量的数据要保存、暂存及对外数据交换。如总里程数据，小计里程数据，油耗数据，故障码，车速信号数据输出等等。组合仪表使用的数据存储器有EEPROM和FLASH两种，EEPROM数据存储器可以对单个字节数据逐一进行存储和更改，EEPROM数据存储器是一个零部件。FLASH存储器可以使数据逐一写入，但只能对存储区进行整体擦除。FLASH存储器都是集成在组合仪表主芯片中的。
组合仪表接收到来自总线的信息或者仪表内部计算产生的信息数据，就会将这些信息数据存储在仪表的存储器中，待使用时调用这些信息数据。全部数据都是存储在仪表主芯片外置的独立数据存储器EEPROM中。在实际产品使用中，主芯片与数据存储器之间的数据通信时，数据通信线易受外部磁场或特殊频率的信号干扰导致数据错误或丢失。而且单独采购EEPROM数据存储器，成本较高，在低成本仪表方案中急需一种替代方案。
发明内容
本发明是为了解决现有低成本汽车组合仪表的存储器成本高和存储器数据线易受干扰导致数据错误或丢失的问题，而提出的一种基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法。
基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法按以下步骤实现：
步骤一：将待保存的数据写入Bank B of Flash A的SA1空间内，写入时判断当前地址空间是否已有数据，若当前地址无数据则写入当前地址，并执行步骤四；若当前地址有数据则写入下一个地址，并执行步骤四；累计判断500～1200次时，SA1空间已写满，执行步骤二；
步骤二：将待保存的数据写入Bank B of Flash A的SA2空间内，将已写入SA1空间的全部数据擦除，写入SA2空间时判断当前地址空间是否已有数据，若当前地址无数据则写入当前地址，并执行步骤四；若当前地址有数据则写入下一个地址，并执行步骤四；累计判断500～1200次时，SA2空间已写满，执行步骤三；
步骤三：重新执行步骤一，并将已写入SA2空间的全部数据擦除；
步骤四：数据校验；将待写入数据写入存储器后，将数据读出，与写入存储器前的数据进行比较，若一致，认为校验成功，返回当前步骤；若不一致，则校验失败，重新将待写入数据写入存储器，执行步骤一；若连续3次校验均失败，进入故障处理模式，发出错误提醒。
发明效果：
本发明方法简单可靠，降低了产品成本，并同时满足数据稳定可靠的要求。本发明在程序代码处理上采用数据编码、数据校验等方式保证存储数据的准确性和可靠性。FLASH的可擦写次数10万次，完全可以满足产品使用要求。进行可靠性实验和测试，未出现数据丢失或错误的情况。
哈飞民意微型车用组合仪表原使用主芯片加外部存储器的方式，因为外部存储器故障占总故障率约为3％。后改用此方案，生产1000套产品，至今没有因为数据错误或丢失原因的售后返回产品，目前此方案的故障率为零。
微型电动车组合仪表(ZB1193A)，使用该方案，独立仪表主芯片，相对于仪表主芯片加外置数据存储器，材料成本降低10％。而且完全满足用户要求，且目前此方案故障率为零。
附图说明
图1为数据存储工作流程图；
图2为芯片内部Flash区域示意图。
具体实施方式
基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法按以下步骤实施：
步骤一：将待保存的数据按字(2个字节)写入Bank B of Flash A的SA1空间内，写入时判断当前地址空间是否已有数据，若当前地址无数据则写入当前地址，并执行步骤四；若当前地址有数据则写入下一个地址，并执行步骤四；累计判断500～1200次时，SA1空间已写满，执行步骤二；
步骤二：将待保存的数据按字(2个字节)写入Bank B of Flash A的SA2空间内，将已写入SA1空间的全部数据擦除，写入SA2空间时判断当前地址空间是否已有数据，若当前地址无数据则写入当前地址，并执行步骤四；若当前地址有数据则写入下一个地址，并执行步骤四；累计判断500～1200次时，SA2空间已写满，执行步骤三；
步骤三：重新执行步骤一，并将已写入SA2空间的全部数据擦除；
步骤四：数据校验；将待写入数据写入存储器后，将刚写入的数据读出，与写入存储器前的数据进行比较，若一致，认为校验成功，返回当前步骤；若不一致，则校验失败，重新将待写入数据写入存储器，执行步骤一；若连续3次校验均失败，则认为该数据或此芯片的该存储区错误，即进入故障处理模式，发出错误提醒。
本设计利用了低成本芯片的不同FLASH分区，见图1。利用其中两个存储区交替存储数据。
首先将待保存数据依次写入Bank B of Flash A的SA1空间内，在SA1空间写满后将下一个数据向SA2内写入。一旦开始向SA2内写入数据后，即一直向SA2区写入，同时将SA1的空间擦除。直到写满数据后，才转向重新将数据写入SA1，并将SA2空间数据擦除。如此交替将数据写入FLASH分区，满足存储使用要求。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是：所述步骤一中的待保存的数据为16进制数据。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二不同的是：所述步骤一中的BankB of Flash A为闪存A的区域B。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是：所述步骤一中的判断当前地址空间是否已有数据的具体过程为：当前地址空间数据为FF时代表此地址为没有数据的空状态。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是：所述步骤一中累计判断为1000次。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是：所述步骤二中的待保存的数据为16进制数据。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式一至六之一不同的是：所述步骤二中判断当前地址空间是否已有数据的具体过程为：当前地址空间数据为FF时代表此地址为没有数据的空状态。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是：所述步骤二中将已写入SA1空间的全部数据擦除的具体过程为：将已写入SA1空间的数据全部写成FF。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式一至八之一不同的是：所述步骤二中累计判断为1000次。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式一至九之一不同的是：所述步骤三中将已写入SA2空间的全部数据擦除的具体过程为：将已写入SA2空间的数据全部写成FF。
实施例一：
在哈飞民意微型车组合仪表中，采用本方案，存储总里程数据。
设定当前总里程数据为120km。
第一步：将总里程数据“120”转成十六进制的数据“78”；
第二步：从SA1空间的第一个地址开始按顺序查找，数据为“FF”的空间；
第三步：发现第200个字空间的数据是“FF”，那么将“78”写入第200个字的位置。
第四步：写入后将第200个字位置的数据“78”读出，与为写入前的数据“78”对比，数据正确，则认为当前写入数据正确，写入操作结束。

Claims (10)

1.基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法，其特征在于，所述基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法包括以下步骤：
步骤一：将待保存的数据写入Bank B of Flash A的SA1空间内，写入时判断当前地址空间是否已有数据，若当前地址无数据则写入当前地址，并执行步骤四；若当前地址有数据则写入下一个地址，并执行步骤四；累计判断500～1200次时，SA1空间已写满，执行步骤二；
步骤二：将待保存的数据写入Bank B of Flash A的SA2空间内，将已写入SA1空间的全部数据擦除，写入SA2空间时判断当前地址空间是否已有数据，若当前地址无数据则写入当前地址，并执行步骤四；若当前地址有数据则写入下一个地址，并执行步骤四；累计判断500～1200次时，SA2空间已写满，执行步骤三；
步骤三：重新执行步骤一，并将已写入SA2空间的全部数据擦除；
步骤四：数据校验；将待写入数据写入存储器后，将数据读出，与写入存储器前的数据进行比较，若一致，认为校验成功，返回当前步骤；若不一致，则校验失败，重新将待写入数据写入存储器，执行步骤一；若连续3次校验均失败，进入故障处理模式，发出错误提醒。
2.根据权利要求1所述的基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法，其特征在于所述步骤一中的待保存的数据为16进制数据。
3.根据权利要求2所述的基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法，其特征在于所述步骤一中的Bank B of Flash A为闪存A的区域B。
4.根据权利要求3所述的基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法，其特征在于所述步骤一中的判断当前地址空间是否已有数据的具体过程为：当前地址空间数据为FF时代表此地址为没有数据的空状态。
5.根据权利要求4所述的基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法，其特征在于所述步骤一中累计判断为1000次。
6.根据权利要求5所述的基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法，其特征在于所述步骤二中的待保存的数据为16进制数据。
7.根据权利要求6所述的基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法，其特征在于所述步骤二中判断当前地址空间是否已有数据的具体过程为：当前地址空间数据为FF时代表此地址为没有数据的空状态。
8.根据权利要求2所述的基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法，其特征在于所述步骤二中将已写入SA1空间的全部数据擦除的具体过程为：将已写入SA1空间的数据全部写成FF。
9.根据权利要求8所述的基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法，其特征在于所述步骤二中累计判断为1000次。
10.根据权利要求3所述的基于芯片内部FLASH替代EEPROM的数据存储方法，其特征在于所述步骤三中将已写入SA2空间的全部数据擦除的具体过程为：将已写入SA2空间的数据全部写成FF。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107704200A (zh) * 2017-09-08 2018-02-16 晶晨半导体(上海)股份有限公司 一种数据存放方法
CN111208945A (zh) * 2019-12-31 2020-05-29 Tcl空调器(中山)有限公司 数据管理方法、装置和存储介质
CN113849338A (zh) * 2021-09-29 2021-12-28 东风汽车集团股份有限公司 一种组合仪表总计里程存储装置及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102072736A (zh) * 2009-11-20 2011-05-25 上海德科电子仪表有限公司 汽车仪表中使用闪存存储器的方法
CN103294615A (zh) * 2012-02-24 2013-09-11 北京四达时代软件技术股份有限公司 一种存储机顶盒用户信息的方法
CN103440205A (zh) * 2013-08-21 2013-12-11 深圳市九洲电器有限公司 一种机顶盒数据存储方法及装置
CN104978148A (zh) * 2014-04-09 2015-10-14 瑞萨电子(中国)有限公司 数据写入方法及装置、数据读取方法及装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102072736A (zh) * 2009-11-20 2011-05-25 上海德科电子仪表有限公司 汽车仪表中使用闪存存储器的方法
CN103294615A (zh) * 2012-02-24 2013-09-11 北京四达时代软件技术股份有限公司 一种存储机顶盒用户信息的方法
CN103440205A (zh) * 2013-08-21 2013-12-11 深圳市九洲电器有限公司 一种机顶盒数据存储方法及装置
CN104978148A (zh) * 2014-04-09 2015-10-14 瑞萨电子(中国)有限公司 数据写入方法及装置、数据读取方法及装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107704200A (zh) * 2017-09-08 2018-02-16 晶晨半导体(上海)股份有限公司 一种数据存放方法
CN111208945A (zh) * 2019-12-31 2020-05-29 Tcl空调器(中山)有限公司 数据管理方法、装置和存储介质
CN111208945B (zh) * 2019-12-31 2023-07-25 Tcl空调器(中山)有限公司 数据管理方法、装置和存储介质
CN113849338A (zh) * 2021-09-29 2021-12-28 东风汽车集团股份有限公司 一种组合仪表总计里程存储装置及方法
CN113849338B (zh) * 2021-09-29 2024-03-01 东风汽车集团股份有限公司 一种组合仪表总计里程存储装置及方法

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