CN105829988A - 低噪声低压差调节器 - Google Patents

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Abstract

器件和技术的代表性实施方式提供了一种调节器，所述调节器跨宽频率范围具有高调节速度和低噪声。传输器件基于由误差放大器输出的控制信号来输出经调节的电压。经由经调节的升压信号来增大控制信号。

Description

低噪声低压差调节器
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2014年1月14日提交的、名称为“LOWNOISELOW-DROPOUTREGULATOR”的美国申请no.14/155,291的优先权。通过引用将该美国申请的全部公开内容并入本文。
背景技术
通过以较低电压(例如，3伏特、1.5伏特等)操作各个设备内的系统中的一些系统，这些电子设备可以具有减小的功率消耗。这样的器件内的电源管理模块可以将输入电压转换为具有不同的输出电压和需求的若干电源域。例如，各个数字或模拟部件或模块可以具有不同的电源电压规格，每个电源电压规格均以不同的电源电压进行操作。这样的设备或系统常常可以具有若干不同的电源域。
可以利用低压差调节器(LDO)来完成输入电压与输出电压之间的功率转换。LDO通常在低电压下有效，并且可以使用具有小差分的输入-输出电压来提供经调节的输出。来自LDO的经调节的输出一般是基于来自调节器的输出的反馈信号与参考电压的比较。
对于许多应用，由LDO产生的热噪声应当是小的，然而调节速度应当是高的以允许LDO能够跟上快速的负载跳变。在一些情况下，使用多级放大器提高了调节器的增益。然而，可用的带宽常常受到较低的噪声(尤其是对于较高的频率)的限制，从而限制了针对负载跳变的调节器的性能。对于较高的频率，多级放大器可以具有减小的噪声，但单级放大器的有限的增益可能导致静态误差。
附图说明
参考附图阐述了具体实施方式。在附图中，附图标记的(多个)最左边的数字标示该附图标记第一次出现的附图。在不同附图中对相同的附图标记的使用指示相似或相同的项。
图1是诸如低压差调节器(LDO)之类的示例性调节器的示意图，在该示例性调节器中可以实施根据本公开内容的技术。
图2是根据实施方式的图1的包括飞跨电容的示例性调节器的示意图，该飞跨电容被布置为使传输器件升压的栅极电压。
图3是根据实施方式的图2的示出示例性误差放大器构造的示例性调节器的示意图。
图4是根据实施方式的图3的包括升压器部件的示例性调节器的示意图。
图5是根据实施方式的图4的示出示例性升压器放大器构造的示例性调节器的示意图。
图6是根据实施方式的示出控制调节器的示例性过程的流程图，该过程包括使传输器件的栅极电压升压。
具体实施方式
概述
设备和技术的代表性实施方式提供了跨宽频率范围具有高调节速度和低噪声的调节器。在各种实施方式中，调节器的传输器件基于由误差放大器输出的控制信号而输出经调节的电压。在示例性实施方式中，经由经调节的升压信号来使控制信号在幅值上升压。在各种实施方式中，结果是调节器具有低噪声(包括在高频率下)和高增益以及调节速度。
在一个示例性实施方式中，诸如晶体管之类的传输器件例如被布置为接收输入电压并且基于传输器件(passthroughdevice)的栅极处的控制信号来输出经调节的电压。误差放大器被布置为在一个输入处接收参考电压并且在另一个输入处接收反馈电压，并且基于参考电压与反馈电压之间的差异来输出控制信号。在示例中，误差放大器包括单级运算放大器。
在示例性实施方式中，诸如飞跨电容器之类的电容例如耦合到误差放大器的输出。在实施方式中，电容被布置为接收来自信号源的升压信号，并且基于升压信号来增大控制信号的幅值。在一个示例中，信号源包括诸如运算放大器之类的升压放大器，所述升压放大器例如被布置为调节升压信号的幅值。例如，可以采用将误差放大器的差分输出电压设定为零的方式来调节升压信号。在示例中，升压放大器在其差分输入处接收差分信号，该差分信号是来自误差放大器的平衡的输出。
参考附图讨论了包括技术和设备的各种实施方式。所讨论的技术和设备可以应用于各种调节器设计、电路、以及设备中的任何一种，并且保持在本公开内容的范围内。
所公开的技术和设备的优点不同，并且包括(根据多个实施方式)：1)当误差放大器是平衡时，误差放大器的系统性偏移可以是零；2)调节器的低频回路增益等于差分级(误差放大器)的增益乘以第二放大器(升压放大器)的增益；3)高频下的噪声由误差放大器的热噪声确定，因为升压放大器不会为调节器的噪声做贡献；以及4)当主回路包括单级放大器(误差放大器)时，对于所有频率(包括较高频率)调节器几乎不存在稳定性问题。基于所讨论的技术和/或设备，在本公开内容中所公开的技术的其它优点可以是显而易见的。
根据第一方面的一个示例性实施方式提供了装置，其包括：传输器件，所述传输器件被布置为接收输入电压并且基于传输器件的栅极处的控制信号来输出经调节的电压；误差放大器，所述误差放大器被布置为接收参考电压和反馈电压，并且基于参考电压与反馈电压之间的差异来输出控制信号；电容，所述电容被布置为接收升压信号，并且基于升压信号来增大控制信号的幅值；以及升压信号源，所述升压信号源被布置为调节升压信号的幅值。
根据第一方面的装置提供了误差放大器，所述误差放大器包括单级运算放大器。
根据第一方面的装置提供了反馈电压，所述反馈电压基于经调节的电压的至少一部分。
根据第一方面的装置提供了升压信号源，所述升压信号源被布置为接收在误差放大器处所输出的平衡的差分信号，所述平衡的差分信号包括幅值大体上相等的一对反相信号。
根据第一方面的装置提供了升压信号源，所述升压信号源包括运算放大器，并且所述运算放大器的差分输入包括误差放大器的差分输出。
根据第一方面的装置提供了误差放大器的差分输出，所述误差放大器包括平衡电路的至少一部分。
根据第二方面的一个实施方式提供了低压差电压调节器，其包括：误差放大器，所述误差放大器具有耦合到参考电压的第一输入和耦合到反馈电压的第二输入，电压调节器的输出基于从误差放大器输出的控制信号；电容，所述电容耦合到误差放大器的输出并且被布置为基于接收升压信号来增大控制信号的幅值；以及升压放大器，所述升压放大器具有耦合到误差放大器的第一输出的第一输入以及耦合到误差放大器的第二输出的第二输入，升压放大器的输出包括升压信号。
根据第二方面的低压差电压还包括晶体管器件，所述晶体管器件被布置为接收输入电压并且基于控制信号来输出经调节的电压。
根据第二方面的低压差电压调节器提供了晶体管器件，所述晶体管器件具有N沟道传输晶体管器件(passtransistordevice)。
根据第二方面的低压差电压调节器还包括电压调节回路，所述电压调节回路耦合到误差放大器的第二输入，并且被布置为基于电压调节器的输出来提供反馈电压。
根据第二方面的低压差电压调节器还包括分压器，所述分压器被布置为输出反馈电压。
根据第二方面的低压差电压调节器包括：低压差电压调节器的低频回路增益包括误差放大器的增益乘以升压放大器的增益。
根据第二方面的低压差电压调节器提供：误差放大器包括单级运算放大器。
根据第二方面的低压差电压调节器提供：误差放大器的第一输出处的第一输出信号与误差放大器的第二输出处的第二输出信号在幅值上大体上相等并且在极性上相反。
根据第二方面的低压差电压调节器提供了升压放大器，所述升压放大器包括被布置为对升压信号进行调节的运算放大器。
根据第二方面的低压差电压调节器提供了升压放大器，所述升压放大器不会对低压差电压调节器的高频热噪声做贡献。
根据第二方面的低压差电压调节器提供了由一组对称的互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管对构成的误差放大器和升压放大器的至少其中之一。
根据第二方面的低压差电压调节器提供了包括电等效器件的误差放大器和升压放大器。
根据第三方面的一个示例性实施方式提供了一种控制电压调节器的方法，其包括：基于被施加到传输器件的控制信号来将信号传输通过传输器件；在误差放大器处产生控制信号，所述误差放大器被布置为将电压调节器的输出的至少一部分与参考信号进行比较；利用被施加到控制信号的升压电压来增大控制信号的幅值；以及对升压电压进行调节，以使得误差放大器的差分输出电压被设定为零。
根据第三方面的方法还包括利用升压电压对电容进行充电，并且经由所述电容将升压电压施加到控制信号。
根据第三方面的方法还包括将控制信号的幅值升压到高于传输器件的输入信号的幅值。
根据第三方面的方法还包括将控制信号的幅值升压到等于或高于电压调节器的输出的幅值加上传输器件的栅极至源极的电压的值。
根据第三方面的方法还包括在运算放大器处产生升压电压，其中，运算放大器的差分输入分别耦合到所述误差放大器的差分输出。
根据第三方面的方法还提供了误差放大器的差分输出，所述误差放大器的差分输出被设定为输出平衡的信号。
根据第四方面的一个示例性实施方提供了一种低压差电压调节器，其包括：n沟道传输器件，所述n沟道传输器件被布置为接收输入电压并且基于施加在晶体管器件的栅极处的控制信号来输出经调节的电压；误差放大器，所述误差放大器具有耦合到参考电压的第一输入和耦合到反馈电压的第二输入，误差放大器被布置为基于参考电压与反馈电压之间的差异来输出控制信号；飞跨电容，所述飞跨电容耦合到误差放大器的输出，并且被布置为经由升压信号来增大控制信号的幅值；以及升压放大器，所述升压放大器具有耦合到误差放大器的第一输出的第一输入和耦合到误差放大器的第二输出的第二输入，升压放大器被布置为基于误差放大器的差分输出电压被设定为零来对升压信号进行调节。
以下使用了多个示例对示例性实施方式进行更加详细地解释。尽管在此处和以下讨论了各种实施方式和示例，但是通过组合个体的实施方式和示例的特征和要素，其它实施方式和示例也是可能的。
代表性调节器
图1示出了代表性的低压差调节器(LDO)100，其中，可以实施根据本公开内容的技术。尽管在低压差调节器(LDO)方面讨论了本公开内容和附图，但是这并非旨在进行限制，并且是为了方便讨论。本文中所公开的技术和器件可应用于各种电路和设计的各种类型的电压和电流调节器。因此，将在下文中使用通用术语“调节器”。
如图1的图示中所示，示例性调节器100由输入电压VIN供电并且产生输出电压VOUT。基于参考电压VREF与反馈电压VFB之间的差异来调节输出电压VOUT。误差放大器102在差分输入处接收VREF和VFB，并且基于输入之间的差异来输出电压电势VGATE。误差放大器102可以包括运算放大器(opamp)等。在替代的实施方式中，误差放大器102可以包括运算跨导放大器(OTA)等。
电压VGATE被布置为对传输器件104进行操作。例如，电压VGATE被布置为允许电流从输入VIN传输到输出VOUT。在实施方式中，经调节的电压VOUT是经由分压器的输出，如图1中所示，该分压器例如包括多个电阻器(例如，R1和R2)。反馈回路将经调节器的输出电压VOUT(例如，一部分、一小部分、或者多倍的输出电压)发送到误差放大器102的输入中的一个输入作为反馈信号(VFB)。因此，电压调节回路包括误差放大器102、传输器件104、分压器的一个或多个电阻器(例如，R1和/或R2)、以及从分压器(调节器输出)回到误差放大器102(例如，反馈电压VFB)的反馈路径。
在各实施方式中，传输器件104可以由晶体管(例如，场效应晶体管(FET)、结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体FET晶体管(MOSFET)、双极结型晶体管(BJT)等)等组成。在一个实施方式中，传输器件104包括N沟道晶体管器件。在该实施方式中，由于器件所期望的回路稳定性特性而可以使用N沟道晶体管器件。
在示例性实施方式中，如图1中所示，传输器件104包括具有低输出阻抗以及近似一的增益的源极跟随器。在示例性实施方式中，可以期望阻抗和增益特性，因为它们允许传输器件104对经调节的信号是大体上显而易见的。在替代的实施方式中，晶体管的其它类型和构造可以用于传输器件104。在示例性实施方式中，传输器件104被布置为接收输入电压VIN，并且基于传输器件104的栅极处的控制信号VGATE来输出经调节的电压VOUT。
在一些示例性实施方式中，当N沟道晶体管被用作传输器件104时，栅极电压VGATE被设定为等于或高于电压调节器100的经调节的输出电压(VOUT)的幅值加上传输器件104的栅极至源极电压(VGS)的值。另外或替代地，栅极电压VGATE可以被设定为高于传输器件104的输入信号(VIN)的幅值的值。在这种的示例性实施方式中，可以期望栅极电压VGATE处于或高于所指示的电平中的一个或两个电平，因为为了传输器件104的正确操作将栅极电压VGATE用作控制信号。在各种实施方式中，如以下将进一步讨论的，可以对栅极电压(亦称为，控制信号)VGATE进行升压，以满足期望的电压电平。
示例性实施方式
图2是根据实施方式的图1的包括飞跨电容C1的示例性调节器100的示意图，该飞跨电容C1被布置为使传输器件104的控制信号VGATE升压。例如，在实施方式中，电容C1被布置为接收升压信号VBOOST，并且基于升压信号VBOOST来增大控制信号VGATE的幅值。在实施方式中，电容C1被布置为将控制信号VGATE升压到等于或高于传输器件104的输入信号VIN的幅值的值和/或等于或高于电压调节器100的输出VOUT的幅值加上传输器件104的栅极至源极电压VGS的值。在替代的实施方式中，电容C1被布置为将控制信号VGATE升压到其它期望的值。
在实施方式中，如图2中所示，当电容C1被切换到VBOOST端子(例如，VBOOST和地)时，电容C1接收升压电压VBOOST并且被充电到升压电压VBOOST。当C1被切换为远离VBOOST端子并且被切换为与电容C2并联(如图2中所示)时，C1上的电压与C2上的电压(其被充电到误差放大器102的输出电压VGATE)结合，由此增大了控制信号VGATE的幅值。因此，经升压的控制信号VGATE能够在传输器件104的栅极处进行操作，以允许期望的电流从VIN传输到经调节的输出VOUT。
在各种实施方式中，由升压信号源(例如，本地电压源或远程电压源等)供应升压电压(或升压信号)VBOOST。例如，基于期望的应用，升压信号源可以包括恒定电压源，或者可以包括可变源。另外，可以由本地控制源或远程控制源(例如，处理器、控制器、逻辑电路、定时器件、传感器器件等)来提供对电容C1的切换控制，所述本地控制源或远程控制源被布置为切换与如图2中所示并且如上所讨论的电容C1相关联的一个或多个开关。
图3是根据实施方式的图2的示出示例性误差放大器102构造的细节的示例性调节器100的示意图。在一个实施方式中，如图3中所示，误差放大器102包括单级运算放大器。
同样如图3中所示，在各种实施方式中，误差放大器102由一组对称的互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管对(N1、P1和N2、P2)构成。在实施方式中，误差放大器102可以包括基于对称构造的平衡电路。换言之，当两侧(例如，包括N1和P1的侧1，以及包括N2和P2的侧2)具有大体上相等的传输特性和/或每一侧(侧1和侧2)的阻抗相等时，电路可以平衡。
图4是根据实施方式的图2和图3的包括升压器部件402的示例性调节器100的示意图。在各种实施方式中，以上所描述的升压信号源包括升压器部件402。换言之，升压器部件402被布置为向电容C1供应升压电压(或升压信号)VBOOST，以用于使控制信号VGATE升压。在实施方式中，升压器部件402被布置为供应升压信号VBOOST和/或调节升压信号VBOOST的幅值。
在各种实施方式中，如图4中所示，升压器部件402具有耦合到误差放大器102的第一输出的第一输入和耦合到误差放大器102的第二输出的第二输入。在实施方式中，升压器部件402的输出包括升压信号VBOOST。例如，在实施方式中，升压器部件402包括被布置为对升压信号VBOOST进行调节的运算放大器等。在实施方式中，运算放大器(即，升压放大器402)的差分输入包括误差放大器102的差分输出。
在实施方式中，升压放大器402被布置为采用将误差放大器102的差分输出电压设定为零的方式来调节升压信号VBOOST。例如，在实施方式中，升压放大器402被布置为接收误差放大器102处所输出的平衡的差分信号，其中，该平衡的差分信号包括具有大体上相等幅值的一对反相信号(即，相反极性的信号)。在这样的实施方式中，误差放大器102的差分输出包括平衡电路的至少一部分。
图5是根据实施方式的图4的示出示例性升压器放大器(例如，升压器放大器)402构造的示例性调节器100的示意图。在一个实施方式中，如图5中所示，误差放大器102和升压器放大器402中的一个或两个放大器包括单级运算放大器。
同样如图5中所示，在各种实施方式中，升压器放大器402由一组对称的互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管对(N3、P3和N4、P4)构成。例如，在实施方式中，误差放大器102和升压器放大器402包括物理等效器件和/或电等效器件。
在各种实施方式中，如图5中所示，调节器100的低频回路增益包括误差放大器102的增益乘以升压放大器402的增益。这种构造可以提供高增益和快速负载变化响应。此外，针对图5中所示的构造(其中，误差放大器102包括单级运算放大器)，升压放大器402并不会对调节器100的高频热噪声做贡献。因此，调节器100的噪声，尤其是在高频下的噪声，被最小化，从而允许调节器100的广泛应用。
要理解的是，调节器100可以被实施为单独的部件或者被实施为包括调节器100的系统的部分。本文中关于调节器100所描述的技术和器件不限于图1-图5中所示的构造，并且可以在不偏离本公开内容的范围的情况下应用于其它构造。本文中所描述的调节器100的各种实施方式可以包括较少的部件，并且保持在本公开内容的范围内。替代地，调节器100的其它实施方式可以包括附加的部件或所描述的部件的各种组合，并且保持在本公开内容的范围内。
代表性过程
图6示出了用于控制电压调节器(例如，调节器100)的示例性过程600。这包括对调节器实施信号升压技术和/或器件。在实施方式中，电压调节器包括低压差(LDO)电压调节器。参考图1-5对过程600进行描述。
对该过程进行描述的顺序并非是要被理解为进行限制，并且可以以任何顺序组合任何数量的所描述的过程方框，以实施过程或替代过程。另外，可以在不偏离本文中所描述的主题的精神和范围的情况下从该过程中删除个体的方框。此外，可以在不偏离本文中所描述的主题的范围的情况下采用任何适合的硬件、软件、固件或其组合来实施该过程。
在方框602，过程包括基于被施加到传输器件的控制信号(例如，控制信号VGATE)来将信号传输通过传输器件(例如，传输器件104)。例如，在实施方式中，控制信号被施加到传输器件的栅极，并且控制通过传输器件的电流的量。在一个实施方式中，输入电压被施加到传输器件的输入，并且传输器件的输出是经调节的电压，其中，经由控制信号来控制经调节的电压。
在实施方式中，传输器件包括n沟道晶体管器件。例如，传输器件可以是具有低输出阻抗和近似1的增益的源极跟随器器件。
在方框604，过程包括在误差放大器(例如，误差放大器102)处产生控制信号，该误差放大器被布置为将电压调节器的输出的至少一部分与参考信号进行比较。在一个实施方式中，误差放大器的增益近似60dB。在替代的实施方式中，误差放大器的增益具有足以产生控制信号的其它值。在各种实施方式中，误差放大器包括单级运算放大器。
在方框606，过程包括利用被施加到(例如，完全或部分地被加到、与其组合等)控制信号的升压电压(例如，升压电压VBOOST)来增大控制信号的幅值。在实施方式中，该过程包括利用升压电压对电容(例如，飞跨电容器C1)进行充电，并且经由电容将升压电压施加到控制信号。
在各种实施方式中，过程包括将控制信号的幅值升压到高于传输器件的输入信号的幅值。另外或替代地，过程包括将控制信号的幅值升压到等于或高于电压调节器的输出的幅值加上传输器件的栅极至源极电压的值。
在方框608，过程包括调节升压电压，以使得误差放大器的差分输出电压被设定为零。在实施方式中，该过程包括在运算放大器(例如，升压放大器402)处产生升压电压。在实施方式中，运算放大器的差分输入分别耦合到误差放大器的差分输出。在一个实施方式中，误差放大器的差分输出被设定为输出平衡信号。换言之，误差放大器的差分输出是平衡的，并且被布置为输出具有相等幅值和相反极性的信号。
在替代的实施方式中，其它技术可以以各种组合包括在过程600中，并且保持在本公开内容的范围内。
结论
尽管已经采用针对结构特征和/或方法动作的语言对本公开内容的实施方式进行了描述，但是应当理解的是，实施方式不必限于所描述的特定特征或动作。相反，按照实施本发明的代表性形式公开了特定特征和动作。

Claims (28)

1.一种用于电压调节的装置，包括：
放大器，所述放大器被布置为接收参考电压和反馈电压，并且输出控制信号；
电容，所述电容被布置为从所述放大器接收升压信号，并且基于所述升压信号来增大所述控制信号的幅值；以及
传输器件，所述传输器件被布置为基于所述控制信号来输出经调节的电压。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述传输器件用于基于所述传输器件的栅极处的所述控制信号来输出所述经调节的电压。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述放大器被布置为基于所述参考电压与所述反馈电压之间的差异来输出所述控制信号。
4.根据权利要求1所述的装置，还包括升压信号源，所述升压信号源被布置为对所述升压信号的幅值进行调节。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述放大器包括单级运算放大器。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述反馈电压基于所述经调节的电压的至少一部分。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述升压信号源被布置为接收所述放大器处所输出的平衡的差分信号，所述平衡的差分信号包括具有大体上相等幅值的一对反相信号。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的装置，其中，所述升压信号源包括运算放大器，并且通往所述运算放大器的差分输入包括所述放大器的差分输出。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述放大器的所述差分输出包括平衡电路的至少一部分。
10.一种电压调节器，包括：
放大器，所述放大器具有耦合到参考电压的第一输入和耦合到反馈电压的第二输入，所述电压调节器的输出基于从所述放大器输出的控制信号；
电容，所述电容耦合到所述放大器的输出，并且被布置为基于接收到升压信号来增大所述控制信号的幅值；以及
升压放大器，所述升压放大器具有耦合到所述放大器的第一输出的第一输入和耦合到所述放大器的第二输出的第二输入，所述升压放大器的输出包括所述升压信号。
11.根据权利要求10所述的电压调节器，还包括晶体管器件，所述晶体管器件被布置为接收输入电压，并且基于所述控制信号来输出经调节的电压。
12.根据权利要求11所述的电压调节器，其中，所述晶体管器件包括N沟道传输晶体管器件。
13.根据权利要求10所述的电压调节器，还包括电压调节回路，所述电压调节回路耦合到所述放大器的所述第二输入，并且被布置为基于所述电压调节器的所述输出来提供所述反馈电压。
14.根据权利要求10所述的电压调节器，还包括分压器，所述分压器被布置为输出所述反馈电压。
15.根据权利要求10所述的电压调节器，其中，所述低压差电压调节器的低频回路增益包括所述放大器的增益乘以所述升压放大器的增益。
16.根据权利要求10所述的电压调节器，其中，所述放大器包括单级运算放大器。
17.根据权利要求10-16中的任一项所述的电压调节器，其中，所述放大器的所述第一输出处的第一输出信号与所述放大器的所述第二输出处的第二输出信号在幅值上大体上相等并且在极性上相反。
18.根据权利要求10-16中的任一项所述的电压调节器，其中，所述升压放大器包括被布置为对所述升压信号进行调节的运算放大器。
19.根据权利要求10-16中的任一项所述的电压调节器，其中，所述升压放大器不会对所述低压差电压调节器的高频热噪声做贡献。
20.根据权利要求10-16中的任一项所述的电压调节器，其中，所述放大器和所述升压放大器的至少其中之一由一组对称的互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管对构成。
21.根据权利要求10-16中的任一项所述的电压调节器，其中，所述放大器和所述升压放大器包括电气等效器件。
22.一种控制电压调节器的方法，包括：
在放大器处产生控制信号，所述放大器被布置为将所述电压调节器的输出的至少一部分与参考信号进行比较；
基于所述控制信号将信号传输通过传输器件；
利用被施加到所述控制信号的升压电压来调整所述控制信号的幅值；以及
对所述升压电压进行调节，以在所述放大器处输出零差分电压。
23.根据权利要求22所述的方法，还包括利用所述升压电压对电容进行充电，并且经由所述电容将所述升压电压施加到所述控制信号。
24.根据权利要求22所述的方法，还包括将所述控制信号的所述幅值升压到高于通往所述传输器件的输入信号的幅值。
25.根据权利要求22至24中的任一项所述的方法，还包括将所述控制信号的所述幅值升压到等于或高于所述电压调节器的所述输出的幅值加上所述传输器件的栅极至源极电压的值。
26.根据权利要求22至24中的任一项所述的方法，还包括在运算放大器处产生所述升压电压，其中，所述运算放大器的差分输入分别耦合到所述放大器的差分输出。
27.根据权利要求26所述的方法，其中，所述放大器的所述差分输出被设定为输出平衡的信号。
28.一种低压差电压调节器，包括：
n沟道传输晶体管器件，所述n沟道传输晶体管器件被布置为接收输入电压并且基于施加在所述晶体管器件的栅极处的控制信号来输出经调节的电压；
误差放大器，所述误差放大器具有耦合到参考电压的第一输入和耦合到反馈电压的第二输入，所述误差放大器被布置为基于所述参考电压与所述反馈电压之间的差异来输出所述控制信号；
飞跨电容，所述飞跨电容耦合到所述误差放大器的输出，并且被布置为经由升压信号来增大所述控制信号的幅值；以及
升压放大器，所述升压放大器具有耦合到所述误差放大器的第一输出的第一输入和耦合到所述误差放大器的第二输出的第二输入，所述升压放大器被布置为基于所述误差放大器的差分输出电压被设定为零的来对所述升压信号进行调节。
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