CN105810801B - 一种高等级防护的cob光模组及制备方法 - Google Patents

一种高等级防护的cob光模组及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105810801B
CN105810801B CN201610243736.0A CN201610243736A CN105810801B CN 105810801 B CN105810801 B CN 105810801B CN 201610243736 A CN201610243736 A CN 201610243736A CN 105810801 B CN105810801 B CN 105810801B
Authority
CN
China
Prior art keywords
outer cover
cavity body
transparent outer
power supply
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610243736.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105810801A (zh
Inventor
肖浩
刘俊达
李明珠
苏佳槟
孙婷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Silicon Energy Photoelectric Semiconductor Guangzhou Co ltd
Original Assignee
Guangzhou Ledteen Optoelectronics Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangzhou Ledteen Optoelectronics Co ltd filed Critical Guangzhou Ledteen Optoelectronics Co ltd
Priority to CN201610243736.0A priority Critical patent/CN105810801B/zh
Publication of CN105810801A publication Critical patent/CN105810801A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105810801B publication Critical patent/CN105810801B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials

Abstract

本发明提供了一种高等级防护的COB光模组,包括电路基板、发光器件、透明外壳、填充胶、电源器件和防水接线母座,所述发光器件、电源器件和防水接线母座安装在电路基板上,所述发光器件通过电源器件与防水接线母座电性连接,所述透明外壳通过压塑成型工艺压塑在电路基板上,且其上设置有一注胶孔,所述填充胶填充在外部空腔体中,所述防水接线母座位于所述透明外壳的边缘。在密闭的情况下,没有空气对流,而电源工作是有热量产生的,如果长时间工作而热量不能及时的传导出去,会影响电源的使用寿命,而填充胶具有优良的导热效果,可以及时的把电源热量传导出去,使得COB光模组的寿命更长。

Description

一种高等级防护的COB光模组及制备方法
技术领域
本发明属于发光二极管结构封装领域,具体涉及一种高等级防护的COB光模组及制备方法。
背景技术
由于发光二极管的封装结构是开放的结构,本身不具有密封性能,同时又容易受到户外环境中的水,灰尘或污染性气体的影响从而降低发光二极管的使用寿命。一般的,户外照明灯具是在外壳结合处加密封胶垫或涂密封胶等方法,保护内部的发光二极管模组。这样的防护方法,限制了灯具外壳的立体设计和设计创意。使得户外灯具外壳呆板,没有设计感。同时,因为结合处涂有密封胶,维修更换内部的光源或电源存在不方便或更换容易使得外壳的防护性能下降。
压塑成型技术是指:塑料或橡胶胶料在闭合模腔内借助加热、加压而成型为制品的塑料加工(也是橡胶加工)方法。一般是将粉状、粒状、团粒状、片状,甚至先作成和制品相似形状的料坯,放在加热的模具的型腔中,然后闭模加压,使其成型并固化或硫化,再经脱模得制品(见图),该法特别适用于热固性塑料(见热固性树脂)的成型加工。
真空镀膜技术:一种由物理方法产生薄膜材料的技术。在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。此项技术最先用于生产光学镜片,如航海望远镜镜片等。后延伸到其他功能薄膜,唱片镀铝、装饰镀膜和材料表面改性等。如手表外壳镀仿金色,机械刀具镀膜,改变加工红硬性。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的之一在于提供一种高等级防护的COB光模组。
为解决上述问题,本发明所采用的技术方案如下:
一种高等级防护的COB光模组,包括电路基板、发光器件、透明外壳、填充胶、电源器件和防水接线母座,所述发光器件、电源器件和防水接线母座安装在电路基板上,所述发光器件通过电源器件与防水接线母座电性连接,所述透明外壳通过压塑成型工艺压塑在电路基板上,所述透明外壳与电路基板之间形成两个空腔体,其中一个空腔体位于透明外壳的中部为中部空腔体,另一个空腔体围绕在中部空腔体的四周为外部空腔体,所述发光器件位于中部空腔体中,所述电源器件位于外部空腔体中,所述透明外壳上还设有一注胶孔,所述填充胶填入充满外部空腔体,所述防水接线母座位于所述透明外壳的边缘。
优选地,所述透明外壳的中部有一凹槽,所述凹槽的纵截面为下窄上宽的梯形,且所述凹槽位于中部空腔体的正上方。
优选地,还包括高反射膜,所述高反射膜溅镀在所述透明外壳凹槽的侧面上。
优选地,所述高反射膜的厚度为0.1mm。
优选地,所述发光器件为发光二极管,且所述发光二极管外包裹有混有荧光粉的硅胶。
本发明的目的之二在于提供一种用于生产高等级防护的COB光模组的制备方法。
为解决上述问题,本发明所采用的技术方案如下:
一种高等级防护的COB光模组的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:将发光器件安装在电路基板上;
步骤2:在电路基板的四周用锡膏贴上电源器件,做成光源与电源一体化的COB模组,并且在电路基板的边缘贴上防水接线母座;
步骤3:在一体化的COB模组上以压塑成型的方法压塑透明外壳,所述透明外壳与电路基板之间形成两个空腔体,其中一个空腔体位于透明外壳的中部为中部空腔体,另一个空腔体围绕在中部空腔体的四周为外部空腔体,所述发光器件位于中部空腔体中,所述电源器件位于外部空腔体中,所述防水接线母座位于所述透明外壳的边缘;
步骤4:在透明外壳上开设一注胶孔,通过注胶孔将填充胶注入外部空腔体中。
优选地,所述步骤1具体包括以下步骤:
步骤11:将发光二极管安装在电路基板上;
步骤12:用混有荧光粉的硅胶包裹发光二极管,成为发光器件。
优选地,还包括步骤5:通过烘烤步骤固化填充胶。
优选地,在步骤3中,所述透明外壳的中部有一凹槽,所述凹槽的纵截面为下窄上宽的梯形,且所述凹槽位于中部空腔体的正上方。
优选地,还包括步骤6:在透明外壳凹槽的侧面上溅镀一层不透光的高反射膜。
优选地,所述高反射膜的厚度为0.1mm。
相比现有技术,本发明的有益效果在于:
本发明的填充胶在填充的时候是液态的,可以填满电路基板上电源器件的每个缝隙使得其绝缘性更好,在常温24小时后填充胶自然固化。在密闭的情况下,没有空气对流,而电源工作是有热量产生的,如果长时间工作而热量不能及时的传导出去,会影响电源的使用寿命,而填充胶具有优良的导热效果,可以及时的把电源热量传导出去,使得COB光模组的寿命更长。
附图说明
图1为本发明COB光模组的结构示意图;
图2为本发明COB光模组的制备方法的流程图。
附图标记:1、透明外壳;2、发光器件;3、电路基板;4、电源器件;5、防水接线母座;6、填充胶;7、注胶孔;8、高反射膜。
具体实施方式
下面,结合附图以及具体实施方式,对本发明做进一步描述:
如图1所示,一种高等级防护的COB光模组,包括电路基板3、发光器件2、透明外壳1、填充胶6、高反射膜8、电源器件4和防水接线母座5,所述发光器件2、电源器件4和防水接线母座5安装在电路基板3上,所述发光器件2通过电源器件4与防水接线母座5电性连接,所述发光器件2为发光二极管,所述发光二极管被混有荧光粉的硅胶包裹。所述发光二极管与电源器件4在物理上是相互独立的,两者有一定的距离。
所述透明外壳1通过压塑成型工艺压塑在电路基板3上,所述透明外壳1与电路基板3之间形成两个空腔体,其中一个空腔体位于透明外壳1的中部为中部空腔体,另一个空腔体围绕在中部空腔体的四周为外部空腔体,所述发光器件2位于中部空腔体中,所述电源器件4件位于外部空腔体中,所述透明外壳上还设有一注胶孔7,所述填充胶6通过填入充满外部空腔体。填充胶6在填充的时候是液态的,可以充满电路基板3上电源器件4的每个缝隙,使得电源器件4与外界完成的隔离,从而使得其绝缘性更好。并且所述填充胶6具有优良的导热效果,在电源器件4在密闭的情况下,能够及时有效的把热量传导出去,从而增加COB光模组的使用寿命。
所述透明外壳1的中部有一凹槽,所述凹槽的纵截面为下窄上宽的梯形,且所述凹槽位于中部空腔体的正上方。所述防水接线母座5位于所述透明外壳1的边缘。
为了保证光模组的光线能够从一个方向射出,在所述透明外壳1凹槽的侧面上利用真空镀膜技术在透明的塑性材料也即是透明外壳1上镀上一层不透光高反射膜8,从而保证发光器件2发射的光线能够从一个方向射出,所述高反射膜8的厚度为0.1mm。
如图2所示,为了生产上述高等级防护的COB光模组,本发明提供了一种高等级防护的COB光模组的制备方法,包括以下步骤:
步骤11:将发光二极管安装在电路基板3上;
步骤12:用混有荧光粉的硅胶包裹发光二极管,成为发光器件2。
步骤2:在电路基板3的四周用锡膏贴上电源器件4,做成光源与电源一体化的COB模组,并且在电路基板3的边缘贴上防水接线母座5;
步骤3:在一体化的COB模组上以压塑成型的方法压塑透明外壳1,所述透明外壳1与电路基板3之间形成两个空腔体,其中一个空腔体位于透明外壳1的中部为中部空腔体,另一个空腔体围绕在中部空腔体的四周为外部空腔体,所述发光器件2位于中部空腔体中,所述电源器件4位于外部空腔体中,所述透明外壳1的中部有一凹槽,所述凹槽的纵截面为下窄上宽的梯形,且所述凹槽位于中部空腔体的正上方,所述防水接线母座5位于所述透明外壳1的边缘;
步骤4:在透明外壳1上开设一注胶孔7,通过注胶孔7将填充胶6注入外部空腔体中;
步骤5:通过烘烤步骤固化填充胶6。
步骤6:在透明外壳1凹槽的侧面上溅镀一层不透光的高反射膜8。
对本领域的技术人员来说,可根据以上描述的技术方案以及构思,做出其它各种相应的改变以及形变,而所有的这些改变以及形变都应该属于本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种高等级防护的COB光模组,其特征在于,包括电路基板、发光器件、透明外壳、填充胶、电源器件和防水接线母座,所述发光器件、电源器件和防水接线母座安装在电路基板上,所述发光器件通过电源器件与防水接线母座电性连接,所述透明外壳通过压塑成型工艺压塑在电路基板上,所述透明外壳与电路基板之间形成两个空腔体,其中一个空腔体位于透明外壳的中部为中部空腔体,另一个空腔体围绕在中部空腔体的四周为外部空腔体,所述发光器件位于中部空腔体中,所述电源器件位于外部空腔体中,所述透明外壳上还设有一注胶孔,所述填充胶填入充满外部空腔体,所述防水接线母座位于所述透明外壳的边缘。
2.如权利要求1所述的高等级防护的COB光模组,其特征在于,所述透明外壳的中部有一凹槽,所述凹槽的纵截面为下窄上宽的梯形,且所述凹槽位于中部空腔体的正上方。
3.如权利要求2所述的高等级防护的COB光模组,其特征在于,还包括高反射膜,所述高反射膜溅镀在所述透明外壳凹槽的侧面上。
4.如权利要求3所述的高等级防护的COB光模组,其特征在于,所述高反射膜的厚度为0.1mm。
5.如权利要求1所述的高等级防护的COB光模组,其特征在于,所述发光器件为发光二极管,且所述发光二极管外包裹有混有荧光粉的硅胶。
6.一种高等级防护的COB光模组的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:将发光器件安装在电路基板上;
步骤2:在电路基板的四周用锡膏贴上电源器件,做成光源与电源一体化的COB模组,并且在电路基板的边缘贴上防水接线母座;
步骤3:在一体化的COB模组上以压塑成型的方法压塑透明外壳,所述透明外壳与电路基板之间形成两个空腔体,其中一个空腔体位于透明外壳的中部为中部空腔体,另一个空腔体围绕在中部空腔体的四周为外部空腔体,所述发光器件位于中部空腔体中,所述电源器件位于外部空腔体中,所述防水接线母座位于所述透明外壳的边缘;
步骤4:在透明外壳上开设一注胶孔,通过注胶孔将填充胶注入外部空腔体中。
7.如权利要求6所述的COB光模组的制备方法,其特征在于,所述步骤1具体包括以下步骤:
步骤11:将发光二极管安装在电路基板上;
步骤12:用混有荧光粉的硅胶包裹发光二极管,成为发光器件。
8.如权利要求6所述的COB光模组的制备方法,其特征在于,还包括步骤5:通过烘烤步骤固化填充胶。
9.如权利要求6所述的COB光模组的制备方法,其特征在于,在步骤3中,所述透明外壳的中部有一凹槽,所述凹槽的纵截面为下窄上宽的梯形,且所述凹槽位于中部空腔体的正上方。
10.如权利要求9所述的COB光模组的制备方法,其特征在于,还包括步骤6:在透明外壳凹槽的侧面上溅镀一层不透光的高反射膜。
CN201610243736.0A 2016-04-18 2016-04-18 一种高等级防护的cob光模组及制备方法 Active CN105810801B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610243736.0A CN105810801B (zh) 2016-04-18 2016-04-18 一种高等级防护的cob光模组及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610243736.0A CN105810801B (zh) 2016-04-18 2016-04-18 一种高等级防护的cob光模组及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105810801A CN105810801A (zh) 2016-07-27
CN105810801B true CN105810801B (zh) 2018-08-07

Family

ID=56457106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610243736.0A Active CN105810801B (zh) 2016-04-18 2016-04-18 一种高等级防护的cob光模组及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105810801B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105072776A (zh) * 2015-09-06 2015-11-18 深圳市源磊科技有限公司 含电源驱动的一体化cob光源
CN105355757A (zh) * 2015-11-16 2016-02-24 江西华柏节能照明科技协同创新有限公司 一体化光引擎封装方法
CN205723609U (zh) * 2016-04-18 2016-11-23 广州硅能照明有限公司 一种高等级防护的cob光模组

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101077137B1 (ko) * 2009-10-19 2011-10-26 주식회사 에스엘전자 Led 조명장치
KR101329194B1 (ko) * 2012-07-13 2013-11-13 주식회사 대원이노스트 광 모듈 및 그 제조 방법
CN203746846U (zh) * 2013-12-31 2014-07-30 福建永德吉灯业股份有限公司 一种led发光结构

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105072776A (zh) * 2015-09-06 2015-11-18 深圳市源磊科技有限公司 含电源驱动的一体化cob光源
CN105355757A (zh) * 2015-11-16 2016-02-24 江西华柏节能照明科技协同创新有限公司 一体化光引擎封装方法
CN205723609U (zh) * 2016-04-18 2016-11-23 广州硅能照明有限公司 一种高等级防护的cob光模组

Also Published As

Publication number Publication date
CN105810801A (zh) 2016-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103022325B (zh) 应用远距式荧光粉层的led封装结构及其制成方法
CN102832294A (zh) Led光源的封装方法及led光源
TW200736540A (en) Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
CN103050603B (zh) Led封装结构的制作方法
CN202082687U (zh) 低压注塑led模组
CN201918420U (zh) 大功率led封装结构
CN104752597A (zh) 发光二极管封装结构及其封装方法
CN102264198A (zh) 电子产品外壳的结构及其加工工艺
CN104210064A (zh) 一种led模压封胶装置及其封胶方法
CN102738351A (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
CN105351759B (zh) 一种led指示灯的封装方法
CN105810801B (zh) 一种高等级防护的cob光模组及制备方法
CN205723609U (zh) 一种高等级防护的cob光模组
CN203464067U (zh) 一种led射灯
CN102610602A (zh) 单一封装材质高解析度led光源及其制备工艺
CN105762260B (zh) 一种cob光模组及制备方法
CN205723607U (zh) 一种cob光模组
CN102916006A (zh) 具两个以上凸镜一体式大功率led集成光源及制造工艺
CN105845790B (zh) 一种倒装led芯片的封装方法
CN109509827A (zh) 一种深紫外半导体发光二极管器件及其制备方法
CN204141322U (zh) 一种防水led模组
TWI483418B (zh) 發光二極體封裝方法
KR101852345B1 (ko) 유리 코팅 제작 방법
KR101087659B1 (ko) 엠보싱 장식 소재 및 이의 제조방법
CN202651196U (zh) 一种led支架、led、led模组及照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 510000 Room 201, building A4, No. 11, Kaiyuan Avenue, Huangpu District, Guangzhou, Guangdong

Patentee after: Silicon energy photoelectric semiconductor (Guangzhou) Co.,Ltd.

Address before: 510000 second floor, building A4, No. 11, Kaiyuan Avenue, Science City, Guangzhou Development Zone, Guangzhou, Guangdong

Patentee before: GUANGZHOU LEDTEEN OPTOELECTRONICS Co.,Ltd.